JP2004087781A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置に対する基板の搬出入時における基板の清浄度は維持した上で、フットプリント及びコストを低減させる真空処理装置及び真空処理方法を提供すること。
【解決手段】真空処理装置１は、基板Ｗを収納した密閉容器５が搬出入されるロードロック室２と真空搬送室３と真空処理室４とを備え、ロードロック室２には密閉容器５の蓋５ａを開閉する蓋開閉手段１２が設けられ、真空搬送室３にはロードロック室２内の密閉容器５と真空処理室４との間で基板Ｗを受け渡しする基板搬送手段１４が設けられ、密閉容器５がロードロック室２内に搬入されると、ロードロック室２内が真空にされ、密閉容器５の蓋５ａが蓋開閉手段１２によって開けられ、更に、第１の仕切弁１３が開けられ、密閉容器５内の基板Ｗは基板搬送手段１４によって、真空下にある真空搬送室３に取り出される。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空下で基板に各種処理を行う真空処理装置及び真空処理方法に関し、更に詳しくは、基板を収納した密閉容器ごとロードロック室内に取り入れ、そのロードロック室内を真空にした清浄な雰囲気中で密閉容器の蓋を開けて基板を取り出したり、処理の終わった基板を密閉容器内に戻したりする真空処理装置及び真空処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体製造装置は、真空処理室以外にも、その真空処理室を大気中に開放せずに基板の出し入れを行うためのロードロック室や、ロードロック室と真空処理室との間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段が設けられた真空搬送室を備えて構成される。
【０００３】
更には、局所的に清浄度を高めたクリーンブースをロードロック室に接続させた構成の装置もある。図１２にその真空処理装置の模式平面図を示す。
【０００４】
真空搬送室４５には、図示しない仕切弁を介して複数（図示では３つ）の真空処理室４７ａ、４７ｂ、４７ｃが接続されている。更に、真空搬送室４５には、それぞれ仕切弁４４ｂ、４９ｂを介して２つのロードロック室４３、４８が接続されている。ロードロック室４３、４８は、それぞれ仕切弁４４ａ、４９ａを介してクリーンブース４１に接続されている。クリーンブース４１はロードポート４０に接続されている。
【０００５】
真空搬送室４５には真空ロボット４６が設置されている。クリーンブース４１は、この真空処理装置全体が設置されているクリーンルームよりも更に高い清浄度に維持され、内部には大気ロボット４２が設置されている。ロードポート４０上には、複数枚の基板Ｗを収納した密閉容器５が載置され、その密閉容器５の蓋がクリーンブース４１内に臨むようにしてセットされる。クリーンブース４１及びロードポート４０は常時、大気圧下にある。
【０００６】
例えば、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）やＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ　Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）式の密閉容器５がロードポート４０上にセットされて、クリーンブース４１に接続されると、スライド式の蓋がクリーンブース４１内で開けられて、大気ロボット４２によって、基板Ｗが密閉容器５内からクリーンブース４１へと取り出される。
【０００７】
その後、仕切弁４４ａが開けられ、基板Ｗは大気圧下にあるロードロック室４３内に搬入される。そして、仕切弁４４ａ、４４ｂが閉じられた気密の状態で、ロードロック室４３内を真空排気した後、仕切弁４４ｂが開けられ、真空ロボット４６によって、基板Ｗはロードロック室４３から、真空下にある真空搬送室４５へと取り出される。
【０００８】
真空搬送室４５内に取り出された基板Ｗは、真空ロボット４６によって各真空処理室４７ａ〜４７ｃへと搬送される。真空処理室４７ａ〜４７ｃにて処理の終わった基板Ｗは、真空ロボット４６によって、開状態の仕切弁４９ｂを通って真空下にあるロードロック室４８内へと搬送される。
【０００９】
そして、仕切弁４４ａ、４４ｂが閉じられた気密の状態で、ロードロック室４８内に不活性ガスなどを導入して大気圧に復帰させた後、仕切弁４９ａを開けて、処理済みの基板Ｗを大気ロボット４２によって、クリーンブース４１へと搬出し、更に密閉容器５内に戻す。
【００１０】
密閉容器５内の全ての基板Ｗについて処理が済んで、その処理済みの基板Ｗが全て密閉容器５内に戻されると、蓋が閉められて、密閉容器５はクリーンブース４１から外され次工程へと進む。
【００１１】
上述したような構成では、クリーンルーム内において、基板Ｗは密閉容器５内に収納されて清浄に保たれているので、広いクリーンルーム全体を高い清浄度に保つ必要はない。クリーンルームと真空処理装置との間で基板Ｗの受け渡しを行う局所的な部分（クリーンブース４１）のみを高い清浄度に維持すればよいため、コストを削減することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、クリーンブース４１の存在は、真空処理装置全体として見た場合には、フットプリント（装置を平面上に設置した場合、真上から投影した総設置面積）を増大させる。また、クリーンブース４１を高い清浄度で稼働させるためのコストもかかり、更には、クリーンブース４１内に設けられた大気ロボット４２も含めたメンテナンスも必要となってくる。
【００１３】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、装置に対する基板の搬出入時における基板の清浄度は維持した上で、フットプリント及びコストを低減させる真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するにあたり、本発明の真空処理装置は、基板を収納した密閉容器が搬出入されるロードロック室と、ロードロック室と第１の仕切弁を介して接続された真空搬送室と、真空搬送室と第２の仕切弁を介して接続された真空処理室とを備え、ロードロック室には密閉容器の蓋を開閉する蓋開閉手段が設けられ、真空搬送室には、ロードロック室内の密閉容器と真空処理室との間で基板を受け渡しする基板搬送手段が設けられ、密閉容器がロードロック室内に搬入されると、ロードロック室内が真空にされ、密閉容器の蓋が蓋開閉手段によって開けられ、更に、第１の仕切弁が開けられ、密閉容器内の基板は基板搬送手段によって、真空下にある真空搬送室に取り出されることを特徴としている。
【００１５】
また、以上の課題を解決するにあたり、本発明の真空処理方法では、基板を収納した密閉容器をロードロック室内に搬入し、ロードロック室内を真空にして、密閉容器の蓋を開け、ロードロック室と真空搬送室とを気密に仕切っている第１の仕切弁を開けて、密閉容器内の基板を、真空搬送室に設けられた基板搬送手段によって、真空下にある真空搬送室に取り出し、真空搬送室と真空処理室とを気密に仕切っている第２の仕切弁を開けて、基板搬送手段によって、基板を真空搬送室から真空下にある真空処理室に搬送することを特徴としている。
【００１６】
基板は密閉容器に収納された状態でロードロック室に搬入される。そして、真空下のロードロック室内で密閉容器の蓋が開けられて、基板は真空下の清浄な雰囲気中に取り出される。以後、基板は常に真空下の清浄な雰囲気中で、真空搬送室を介して真空処理室と密閉容器との間を移動する。ロードロック室から搬出されるときにも、基板は密閉容器に収納された状態で搬出される。すなわち、真空処理装置の外にあるときには基板は密閉容器内に収納されて清浄な状態を維持しており、真空処理装置中では真空下の清浄な雰囲気中にある。
したがって、真空処理装置外部の雰囲気（クリーンルーム）はそれほど高い清浄度に維持する必要はなく、更に、大気圧下で密閉容器とロードロック室との間の基板の受け渡しを行うための局所的に高い清浄度に保たれたクリーンブースの設置も不要である。
【００１７】
また、真空搬送室内に設置された基板搬送手段で、密閉容器内の基板を取り出す、あるいは密閉容器内に基板を戻す動作に際しては、密閉容器側はその位置を固定させたままで、基板搬送手段の方を基板収納位置に応じて移動させる構成とすれば、密閉容器がロードロック室内で動くことによるロードロック室内での塵や埃などの異物の舞い上がり及びその舞い上がった異物が基板に付着するのを抑制することができる。
【００１８】
更に、ロードロック室内を真空排気する際に、密閉容器の蓋を少し開けて密閉容器内も同時に真空排気を行いつつ、段階的に蓋を全開状態に移行させるようにすることも、ロードロック室内の気流の乱れを抑制して、異物の舞い上がりの抑制に有効である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１〜図１０は、第１の実施の形態による真空処理装置１の断面図を示す。
真空処理装置１は、ロードロック室２と、このロードロック室２と第１の仕切弁１３を介して接続された真空搬送室３と、この真空搬送室３と第２の仕切弁１５を介して接続された真空処理室４とを備えている。
【００２１】
ロードロック室２、真空搬送室３、真空処理室４のそれぞれには、何れも図示は省略するが、排気口が設けられ、この排気口に真空排気手段（真空ポンプなど）が接続され、各室２、３、４は個別に真空排気される。第１及び第２の仕切弁１３、１５が閉じた状態では各々独立した気密室となる。
【００２２】
次に、各構成部分ごとに具体的に説明する。
【００２３】
ロードロック室２は、固定壁部２ｂに対して可動する可動壁部２ａを備えている。可動壁部２ａはロードロック室開閉機構によって、固定壁部２ｂに対して上下動される。図１、２に示されるように、ロードロック室開閉機構は、例えば空圧式のシリンダ装置１０と、このシリンダ装置１０の駆動ロッド１１と、駆動ロッド１１の先端に固定され、更に可動壁部２ａにも固定された取付部１１ａとから構成される。駆動ロッド１１の上下動に伴って、可動壁部２ａも上下動する。
【００２４】
また、ロードロック室２には、密閉容器昇降機構が設けられている。密閉容器昇降機構は、例えばベローズ等の真空シールを介して大気側に設置した空圧式のシリンダ装置６と、このシリンダ装置６の駆動ロッド７と、駆動ロッド７の先端に固定された容器載置部７ａとから構成される。
【００２５】
更に、ロードロック室２には、蓋開閉機構１２が設けられている。蓋開閉機構１２は、スライド式に開閉する密閉容器５の蓋５ａに対して機械的にクランプしたり係合するなどして蓋５ａをスライドさせて開閉を行う。蓋開閉機構１２は、例えば空気圧、油圧、モータなどを動力源として動作する。
【００２６】
ロードロック室２の側方には密閉容器載置台８が配置されている。この密閉容器載置台８上には、ロードロック室２への搬入に備えた密閉容器５が、あるいはロードロック室２から搬出された密閉容器５が一時的に載置される。
【００２７】
真空処理装置１全体は、常時大気圧下のクリーンルーム内に設置され、密閉容器載置台８も真空処理装置１とは別体としてクリーンルーム内に設置されている。
【００２８】
密閉容器５は、例えばプラスチック製のＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ　Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）である。あるいは、金属製のポッドでもよい。この密閉容器５内には、１ロット分に相当する複数の基板Ｗが清浄にされた状態を維持して収納されている。基板Ｗは、例えば直径が３００ｍｍの半導体ウェーハである。
【００２９】
真空搬送室３内には基板搬送手段１４が設置されている。基板搬送手段１４は、具体的には自動制御で動作するハンドリングアームであり、ロードロック室２と真空処理室４との間を往復自在となっている。この基板搬送手段１４によって、ロードロック室２内の密閉容器５と、真空処理室４との間で基板Ｗが受け渡しされる。
【００３０】
真空処理室４は真空下で基板Ｗに各種処理を行う部屋であり、基板Ｗの支持手段や、その他行うべき処理に応じて、基板Ｗの加熱手段、プラズマ生成手段、プロセスガス導入手段などが設けられている。
【００３１】
以上のように構成される真空処理装置１において、次にその処理工程について順を追って説明する。
【００３２】
先ず、図１に示すように、シリンダ装置１０の駆動ロッド１１を上昇させて、ロードロック室２の可動壁部２ａを上昇させる。これにより、ロードロック室２内はクリーンルーム（大気）側と連通する。第１の仕切弁１３は閉じている。そして、密閉容器載置台８上から、この密閉容器載置台８に設けられたハンドリングアーム９によって、密閉容器５がロードロック室２内に搬入される。その後、図２に示すように、ハンドリングアーム９が密閉容器載置台８に戻されて、密閉容器５は密閉容器昇降機構の容器載置部７ａ上に支持される。
【００３３】
次いで、シリンダ装置１０の駆動ロッド１１が下降して、ロードロック室２の可動壁部２ａも下降し、シール材を介して固定壁部２ｂと合わせられ、ロードロック室２内は気密空間となる（図３の状態）。
【００３４】
次いで、ロードロック室２内を真空排気する。このとき、図４に示すように、蓋開閉手段１２が密閉容器５の蓋５ａに対して係合あるいはクランプして、蓋開閉手段１２の下降により蓋５ａを下方にスライドさせて蓋５ａを少し開ける（図５の状態）。真空排気は、ロードロック室２内における塵や埃などのパーティクルの舞い上がりを抑制するため、小さな実効排気速度でのゆるやかなスロー排気にて行う。このとき、蓋５ａが少し開けられた部分を通じて、密閉容器５内も同時に真空排気される。
【００３５】
ロードロック室２内の圧力が、パーティクルの舞い上がりを生じさせない程度まで下がった時点で、蓋開閉手段１２を更に下方にスライドさせて、密閉容器５の蓋５ａを全開にする（図６の状態）。密閉容器５内とロードロック室２内の両空間がほぼ同程度の圧力とされた状態で、蓋５ａが全開されるので、密閉容器５とロードロック室２との間での気流の発生を抑制できる。これにより、ロードロック室２内におけるパーティクルの舞い上がり、及びそのパーティクルが密閉容器５内に巻き込まれて基板Ｗに付着するのを防げる。
【００３６】
更に、ロードロック室２内の圧力が、真空搬送室３内との間の第１の仕切弁１３を開けても問題ない（気流の乱れを生じない）程度まで下がった時点で、第１の仕切弁１３を開ける。これによって、共にほぼ同程度の真空下にあるロードロック室２と真空搬送室３とが連通する。
【００３７】
次いで、図７に示すように、真空搬送室３内に設けられたハンドリングアーム１４を動作させて、そのハンドリングアーム１４の先端のハンド部１４ａを密閉容器５内に移動させる。そして、処理すべき１枚の基板Ｗをハンド部１４ａに載せて、真空搬送室３内に取り出す。
【００３８】
次いで、図８に示すように、第１の仕切弁１３を閉じ、第２の仕切弁１５を開けて、ハンドリングアーム１４のハンド部１４ａを、真空搬送室３と同程度の真空下にある真空処理室４内に移動させて、基板Ｗを真空処理室４内に搬入する。
【００３９】
真空処理室４内の基板支持手段（図示せず）に基板Ｗが支持されると、ハンドリングアーム１４のハンド部１４ａを真空搬送室３に戻し、更に第２の仕切弁１５を閉じて、真空処理室４内で、基板Ｗにイオン注入、スパッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなどの各種処理が行われる。
【００４０】
基板Ｗの処理が終了すると、第２の仕切弁１５を開けて、ハンドリングアーム１４のハンド部１４ａを真空処理室４内に移動させて、真空処理室４から基板Ｗを真空搬送室３に取り出す。その後、図９に示すように、第２の仕切弁１５を閉じ、第１の仕切弁１３を開けて、処理済みの基板（図において網掛けで示す）Ｗを保持したハンド部１４ａをロードロック室２に移動させて、基板Ｗを密閉容器５内に戻す。
【００４１】
続いて、図１０に示すように、シリンダ装置６の駆動ロッド７を上昇させて、次に処理すべき基板Ｗの位置を、ハンド部１４ａの高さに合わせる。そして、その未処理の基板Ｗを、ハンド部１４ａに載せて、密閉容器５内から真空搬送室３へと取り出す。以下同様にして、基板Ｗは真空処理室４に送り込まれて処理が行われ、処理が終わると密閉容器５内に戻される。
【００４２】
密閉容器５内の全ての基板Ｗについて処理が終了すると、第１の仕切弁１３及び密閉容器５の蓋５ａを閉じる。そして、ロードロック室２内の真空排気を停止すると共に、ロードロック室２内に、（図示しないガス導入管を通じて）不活性ガスを大気圧になるまで導入して真空破壊を行う。
【００４３】
次いで、ロードロック室２の可動壁部２ａを上昇させて、密閉容器載置台８に設けられたハンドリングアーム９によって、密閉容器５はロードロック室２から密閉容器載置台８上へと搬出され、次工程へと送られる。真空処理装置１においては、引き続き、次に処理すべきロット分の基板Ｗを収納した別の密閉容器５がロードロック室２内に搬入され、上記一連の工程と同様な工程が行われる。
【００４４】
以上述べたように、本実施の形態によれば、クリーンルーム側からロードロック室２内に基板Ｗを取り込むのに際して、基板Ｗを収納した密閉容器５ごとロードロック室２内に搬入して、外部とは遮断された真空下のロードロック室２内で密閉容器５の蓋５ａが開けられる。よって、密閉容器５に収納されていない状態では、基板Ｗは常に真空下の清浄な雰囲気中にあり、一方、真空処理装置１の外部にあるときには、蓋５ａが閉じられた密閉容器５内に収納されて清浄に保たれている。
【００４５】
したがって、真空処理装置１が設置される広いクリーンルーム全体の清浄度をそれほど高く維持しなくても、更に、従来のように、クリーンルーム側と真空処理装置１との間で基板Ｗの受け渡しを行う局所クリーンブースを設けなくても、処理の前後を通じて基板Ｗは清浄な雰囲気中におくことができる。局所クリーンブースを設置しなくて済む分、装置全体のフットプリントを小さくすることができる。更に、局所クリーンブース内の大気ロボットも不要となり、局所クリーンブースが不要であることと合わせてコストを低減できる。
【００４６】
また、従来のように、基板１枚ごとについて、ロードロック室２を真空排気したり大気圧復帰させるという繰り返しの操作を行う必要はなく、密閉容器５に収納された１ロット分の複数枚の基板単位で、ロードロック室２内の真空排気及び大気圧復帰を繰り返せばよいので、処理の効率化が図れる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１１は第２の実施の形態による真空処理装置３０の断面図を示す。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４８】
本実施の形態では、ロードロック室２内で密閉容器５を支持する支持手段７’は、上記第１の実施の形態のように、密閉容器５を載せた状態で昇降しない。そして、密閉容器５が支持手段７’に支持された状態で、ロードロック室２の可動壁部２ａに形成された開口２ａａ、固定壁部２ｂに形成された開口２ｂａ、及び真空搬送室３に形成された開口３ａの高さが、密閉容器５の高さ以上となるように設計されている。もちろん、これら開口２ａａ、２ｂａ、３ａの幅は、基板Ｗが通過できる大きさとなっている。
【００４９】
すなわち、ロードロック室２内で密閉容器５はその位置を固定される。密閉容器５は、位置決めされて支持手段７’上に載置された後は、昇降されずにその位置を保持する。そして、密閉容器５から基板Ｗを取り出す、あるいは密閉容器５に基板Ｗを戻す際には、ハンドリングアーム１４の方が、対象となる基板Ｗの収納位置に応じて水平方向及び上下方向に変位して、位置を固定された密閉容器５に対して移動する。
【００５０】
このように、ロードロック室２内で密閉容器５が上下動しないので、ロードロック室２におけるパーティクルの舞い上がりを防いで、基板Ｗへのパーティクルの付着を防ぐことができる。その他の作用及び効果は上記第１の実施の形態と同じである。
【００５１】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５２】
上記実施の形態では、ロードロック室２内の真空排気時には、密閉容器５の蓋５ａを少し開けた状態を経て、その後全開にするという２段階の過程にて蓋５ａを全開状態に移行させたが、２段階に限らず、３段階以上の過程にて蓋５ａを全開状態に移行させてもよい。
【００５３】
密閉容器５内は常に真空が保たれるようにしてもよい。このことで、ロードロック室２内における蓋５ａ開閉時の基板Ｗの汚染をより効果的に防げる。
【００５４】
密閉容器５をロードロック室２内に搬入する前、あるいは搬入した時点で、エアフィルタ等でろ過した清浄空気をロードロック室２内にブローさせてロードロック室２内を清浄にし、この後真空引きを行い、密閉容器５の蓋５ａを開けるようにしてもよい。
【００５５】
密閉容器５に清浄空気のみを通過させるエアフィルタ等を取り付け、このフィルタを介して、密閉容器５内を真空引きしたり、大気圧に戻すようにする方法も考えられる。
【００５６】
ロードロック室２の壁部自体が上下動して密閉容器５を搬出入する構成に代えて、ロードロック室２の壁部は固定させ、その壁部に部分的に形成した扉が開閉して密閉容器５を搬出入する構成としてもよい。
【００５７】
真空搬送室３に対して、複数の真空処理室４が接続される構成としてもよい。同様に、真空搬送室３に対して、複数のロードロック室２を接続させた構成としてもよい。また、基板搬送手段１４も、複数設けてもよい。
【００５８】
基板Ｗは、半導体ウェーハに限らず、ガラス基板、セラミック基板などであってもよい。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を収納した密閉容器ごとロードロック室内に入れて、ロードロック室内を真空にした状態で密閉容器の蓋を開閉するようにしたので、局所的に清浄度を高めた局所クリーンブース及びこの内部に設置される大気ロボットが不要であり、装置全体のフットプリント及びコストの低減が図れる。更に、局所クリーンブースが不要であるにもかかわらず、クリーンルーム全体の清浄度を必要以上に確保する必要もなく、真空処理装置の内外において、更に真空処理装置に対する基板の搬出入作業時において、基板の清浄度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による真空処理装置の断面図であり、ロードロック室内への密閉容器の搬入工程を示す。
【図２】図１に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図３】図２に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図４】図３に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図５】図４に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図６】図５に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図７】図６に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図８】図７に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図９】図８に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図１０】図９に続く動作状態の真空処理装置の断面図である。
【図１１】第２の実施の形態による真空処理装置の断面図である。
【図１２】従来例の真空処理装置の模式平面図である。
【符号の説明】
１…真空処理装置、２…ロードロック室、２ａ…可動壁部、２ｂ…固定壁部、３…真空搬送室、４…真空処理室、５…密閉容器、５ａ…蓋、１２…蓋開閉手段、１３…第１の仕切弁、１４…基板搬送手段、１５…第２の仕切弁、３０…真空処理装置、Ｗ…基板。

Claims (5)

1. 基板を収納した密閉容器が搬出入されるロードロック室と、
   前記ロードロック室と第１の仕切弁を介して接続された真空搬送室と、
   前記真空搬送室と第２の仕切弁を介して接続された真空処理室とを備えた真空処理装置であって、
   前記ロードロック室には前記密閉容器の蓋を開閉する蓋開閉手段が設けられ、
   前記真空搬送室には、前記ロードロック室内の前記密閉容器と前記真空処理室との間で前記基板を受け渡しする基板搬送手段が設けられ、
   前記密閉容器が前記ロードロック室内に搬入されると、前記ロードロック室内が真空にされ、前記密閉容器の前記蓋が前記蓋開閉手段によって開けられ、
   更に、前記第１の仕切弁が開けられ、前記密閉容器内の前記基板は前記基板搬送手段によって、真空下にある前記真空搬送室に取り出されることを特徴とする真空処理装置。
2. 前記密閉容器は前記ロードロック室内で位置を固定されて配置され、前記真空搬送室に設けられた前記基板搬送手段が、前記密閉容器内の前記基板の収納位置に合わせて移動することを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
3. 基板を収納した密閉容器をロードロック室内に搬入し、
   前記ロードロック室内を真空にして、前記密閉容器の蓋を開け、
   前記ロードロック室と真空搬送室とを気密に仕切っている第１の仕切弁を開けて、前記密閉容器内の前記基板を、前記真空搬送室に設けられた基板搬送手段によって、真空下にある前記真空搬送室に取り出し、
   前記真空搬送室と真空処理室とを気密に仕切っている第２の仕切弁を開けて、前記基板搬送手段によって、前記基板を前記真空搬送室から真空下にある前記真空処理室に搬送することを特徴とする真空処理方法。
4. 前記密閉容器は前記ロードロック室内で位置を固定させて配置し、前記真空搬送室に設けられた前記基板搬送手段を、前記密閉容器内の前記基板の収納位置に合わせて移動させることを特徴とする請求項３に記載の真空処理方法。
5. 前記ロードロック室内を真空にする際に、前記密閉容器の前記蓋は段階的に全開状態に移行させることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の真空処理方法。

Images