CN100463105C - 真空处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室中的真空处理装置。具有阀体(31a、31b)的闸阀(30a、30b)分别以双层配置在真空处理室(10)和负载锁定室(20)之间。此外，流导不同的三根排气管(21、22、23)与负载锁定室(20)连接，通过开闭阀(62、63、64)，分别与真空泵(60)连接。此外，导入N2气体的N2气体供给源(26)与负载锁定室(20)的内部连接。

Description

真空处理装置
技术领域
本发明涉及真空处理技术，特别涉及可以在对以液晶显示装置(LCD)或等离子体显示器等为代表的FPD(平板显示器)用玻璃基板等进行干蚀刻等的真空处理的真空处理装置等中有效地使用的技术。
背景技术
例如，在LCD制造过程中，大多采用作为被处理基板的LCD玻璃上进行干蚀刻或飞溅，CVD(化学气相成长)等的真空处理。
在进行这种真空处理的真空处理装置中，设置有与保持真空，进行上述处理的真空处理室(处理模块)相邻的真空预备室，使将被处理基板搬入搬出时，真空处理室内的气氛变动极小。
具体来说，例如在配置在大气侧的盒和进行蚀刻处理的真空处理室之间，设置具有大气侧和真空侧的界面作用的负载锁定室作为真空预备室。
在该负载锁定室中，每次被处理基板通过时，反复进行大气开放状态和达到与真空处理室相同的高真空的排气。由此，在负载锁定室和经常维持真空状态的真空处理室之间配置确保两室的密封性的闸阀(例如，专利文献1)。
但是，在利用闸阀的密闭性不充分的情况下，大气中的水分会从大气开放状态的负载锁定室侧漏入高真空状态的真空处理室内。当水分混入真空处理室内时，即是微量，对蚀刻或成膜等的真空处理也含有不利影响，有可能降低制造的FPD等产品的可靠性。
此外，作为现有的闸阀结构，提出了为了确保真空处理室与搬入搬出用真空室(负载锁定室)的密封性，在可动体的两侧配置分别密封各室的开口的一对阀体的闸阀(例如，专利文献2)。但是，专利文献2的闸阀，因为从上述可动体向着大气侧的搬入搬出用真空室的开口部和真空处理室的开口部的两者，在正相反的方向移动各阀体，是同时密封两开口部的结构，搬入搬出用真空室侧的阀体被压向与从高压侧向低压侧的差压方向相反的方向，因此不能充分确保该部分的密闭性。
[专利文献1]日本特开2005-12185号公报(图3等)。
[专利文献2]日本特开平5-99348号公报(图1等)。
如上所述，在无法充分确保负载锁定室和真空处理室的密闭性的情况下，包含水分的空气从负载锁定室侧混入真空处理室，有可能对被处理基板的处理产生不利影响。
此外，即使可确保闸阀的密闭性，由于负载锁定室内反复处在大气开放状态，当大气中含有的水分残存在排气后的负载锁定室内，打开闸阀，使被处理基板通过时，残存水分会移至真空处理室内。特别是，在对负载锁定室中进行高速排气的情况下，随着压力的急剧减小，大气中的水分雾化，容易附着和残存在负载锁定室的内部，这种水分容易通过闸门开口混入真空处理室中。
发明内容
本发明是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室的真空处理装置。
即：第一个目的在于提供一种可以充分确保负载锁定室和真空处理室之间的密封性的闸阀。第二个目的在于提供一种可防止在对负载锁定室内进行排气的过程中，水分的残存或雾化的技术。
为了解决上述问题，本发明的第一观点提供一种真空处理装置，其特征在于具备：
在真空中对基板进行规定处理的真空处理室；
在将上述基板搬入搬出上述真空处理室的过程中，暂时收纳上述基板，其内部交替保持为大气开放状态和真空状态的真空预备室；和
在上述真空处理室和上述真空预备室之间双重配置的闸阀。
根据上述第一观点，由于在真空处理室和真空预备室之间双重配置有闸阀，在关闭闸阀的状态下，可以可靠地隔离真空预备室和真空处理室，可极力减少水分从反复为大气状态和高真空状态的真空预备室混入真空处理室。
在上述第一观点中，优选还具备：
开闭在上述真空处理室中形成的开口的第一闸阀；和
与该第一闸阀相邻配置，开闭在与该第一闸阀之间形成的开口的第二闸阀。
此外，优选上述第一闸阀和上述第二闸阀同步开闭。
此外，优选上述第一闸阀和上述第二闸阀密封时，将阀体从相对高压的真空预备室侧压向低压的真空处理室侧。这样，由于各个闸阀的阀体密封时被压向差压方向即从大气压侧的真空预备室压向真空侧的真空处理室，所以可以可靠地密封。
此外，优选用于对闸容器内进行减压排气的排气管与上述第一闸阀连接。
由此，即使真空预备室内为向大气开放的状态，将减压至规定压力的第一闸阀的阀容器存在于真空处理室之间，可以更可靠地防止空气从真空预备室向真空处理室的泄漏，可防止水分混入真空处理室中。
此外，优选流路流导不同的多根排气管与上述真空预备室连接。
再者，优选导入清洗气体的清洗气体供给源与上述真空预备室连接。
本发明的第二观点提供了一种真空处理装置，其特征在于，具备：
在真空中对基板进行规定的处理的真空处理室；
在将上述基板搬入搬出上述真空处理室的过程中，暂时收纳上述基板，其内部交替保持大气开放状态和真空状态的真空预备室；
与上述真空预备室连接的流路流导不同的多根排气管；和
与上述排气管连接，对上述真空预备室内进行真空排气的排气单元。
在上述第二观点中，优选上述多根排气管具备：
第一排气管；
流路流导比上述第一排气管大的第二排气管；和
流路流导比上述第二排气管大的第三排气管。
在上述第二观点的真空处理装置中，通过配置流路流导不同的排气管，可以构成将这些排气管组合的多个图形的排气路径。在对真空预备室排气的过程中，通过切换排气路径，可防止压力急剧降低带来的水分的雾化。
此外，本发明第三观点提供一种真空预备室的排气方法，其特征在于，将真空预备室排气至所述真空状态，所述真空预备室在将基板搬入搬出真空处理室的过程中，暂时收纳基板，同时内部交替保持大气开放状态和真空状态；
使用与上述真空预备室连接的流路流导不同的多根排气管，切换排气速度，分阶段地增大排气速度，进行排气。
在上述第三观点中，当将真空预备室排气至真空状态时，通过利用流路流导不同的多根排气管，切换排气速度，分阶段地增大排气速度，进行排气，可以防止随着真空预备室内压力急剧地降低而使水分雾化。
在上述第三观点中，优选以上述真空预备室内的压力为基准，进行上述排气速度的切换。此外，优选在将上述真空预备室减压至规定压力的阶段，继续排气，并在规定时间，将清洗气体导入该真空预备室内。
本发明的第四观点提供一种真空预备室的排气方法，其特征在于，将真空预备室排气至所述真空状态，所述真空预备室在将基板搬入搬出真空处理室的过程中，暂时收纳基板，同时内部交替保持大气开放状态和真空状态，
在将上述真空预备室减压至规定压力的阶段，继续排气，并在规定时间，将清洗气体导入该真空预备室内。
根据上述第四观点，通过导入清洗气体，可以用清洗气体置换减压下真空预备室内的气氛。由此，可以可靠地除去残存在真空预备室内的水分。
此外本发明的第五观点提供一种真空预备室的升压方法，其特征在于，将真空预备室从上述真空状态升压，所述真空预备室在将基板搬入搬出真空处理室的过程中，暂时收纳基板，同时内部交替保持大气开放状态和真空状态，
当使上述真空预备室内向大气开放时，通过导入规定流量的清洗气体，使上述真空预备室在大气开放状态下成为正压。
根据上述第五观点，通过在与大气开放的同时，将规定流量的清洗气体导入真空预备室内，使内部成为正压，可抑制大气从清洁室内进入，可防止水分或颗粒进入真空预备室内。
采用本发明，可以极力减小水分从反复为大气状态和高真空状态的真空预备室混入真空处理室中。
附图说明
图1为表示本发明一个实施方式的真空处理装置的外观的立体图。
图2为表示图1的真空处理装置的真空预备室和真空处理室的水平截面图。
图3为表示闸阀打开状态的概略截面图。
图4为表示闸阀关闭状态的概略截面图。
图5为表示负载锁定室的气体排出系统和气体导入系统的概要的图。
图6为表示负载锁定室的排气顺序的流程图。
符号说明
10真空处理室；20负载锁定室；21、22、23排气管；24 N2气体供给管路；26N2气体供给源；27排气管；30a、30b、40闸阀；50大气侧搬送机构；60真空泵；70基板搬送装置；74滑板(slide plate)；74a滑动拾取器(slide pick)；80基板交换机构；81、82缓冲板；100真空处理装置；G基板
具体实施方式
以下，参照附图，具体地说明本发明的实施方式。
图1为表示本发明的一个实施方式的真空处理装置100的概略结构的立体图，图2为表示图1的真空处理装置100的主要部分的水平截面图。真空处理装置100具有在真空气氛中，对透明的LCD玻璃基板等的基板G，进行等离子体蚀刻处理或薄膜形成处理等所希望真空处理的真空处理室10；与真空处理室10连接设置，起真空预备室作用的负载锁定室20；在真空处理室10和负载锁定室20之间双重设置的闸阀30a、30b；将负载锁定室20和外部大气侧搬送机构50隔开的闸阀40。
如图2所示，作为排气单元的真空泵60通过排气控制阀61与真空处理室10连接，真空排气至基板G的规定真空处理的必要的真空度。此外，处理气体供给部12通过气体控制阀11与真空处理室10连接，可以在真空处理室10的内部形成规定压力的处理气体气氛。在真空处理室10的内部设置有处理台13，载置处理对象的基板G。
流导不同的三根排气管21、22、23与负载锁定室20连接，开闭阀62、63、64分别配置在各个排气管21、22、23的中间。各个排气管21、22、23分别与真空泵60连接，可将负载锁定室20内部真空排气至与真空处理室10同等的真空度。
导入作为清洗气体的N2气体的N2气体供给源26，通过气体控制阀25与负载锁定室20连接，可以将N2气体导入负载锁定室20的内部。
如图所示，在本实施方式的真空处理装置中，在真空处理室10和负载锁定室20之间形成双重配置的闸阀30a、30b的结构。闸阀30a具有连通真空处理室10和负载锁定室20，进行大小为可通过基板G的开口90(参照图3，后述)的开闭动作的阀体31a。此外，同样，闸阀30b也具连通真空处理室10和负载锁定室20，进行大小为由基板搬送装置70支撑的基板G可通过的大小的开口94(参见图3，后述)的开闭动作的阀体31b。其中，图2表示闸阀30a、30b两者都关闭的状态。
此外，排气管27配置在配置在真空处理室10侧的闸阀30a上。排气管27与真空泵60连接，其中设置有排气控制阀65。通过设置排气管27，可以在关闭闸阀30a、30b的状态下，对闸阀30a的阀框体95a内的气体进行排气，减压至规定的压力。由此，通过将排气单元与闸阀30a连接，即使在关闭闸阀30a、30b，使负载锁定室20内成为大气开放状态下，由于在真空处理室10之间存在能够使得阀框体95a的内部全体成为减压状态的闸阀30a，因此可以更可靠地防止空气从负载锁定室20向真空处理室10的泄漏，可以防止水分混入真空处理室10中。
在闸阀40上设置有使负载锁定室20和外部的大气侧连通，大小为由上述大气侧搬送机构50支撑的基板G可通过的开口部41；与进行该开口41的开闭动作的阀体42。
在负载锁定室20内部设置有基板搬送装置70。该基板搬送装置70具有固定在负载锁定室20底部的底座(未图示)，和叠层在该底座上，作为载置基板G的基板支持台的滑板74。在滑板74上设置有支撑载置的基板G的下面的大约为コ字形的滑动拾取器(slide pick)部74a。
基板搬送装置70通过使未图示的驱动电动机工作，使载置基板G的状态的滑板74，从图2所示的退缩状态，向着同图的纸面的右方向移动，可将支撑在滑动拾取器部74a上的基板G从负载锁定室20搬入真空处理室10。此外，相反，在从真空处理室10搬出基板G的情况下，在利用滑动拾取器部74a在真空处理室10内接收基板G后，通过使未图示的驱动电动机反转，可以成为图2所示的退缩状态。
在负载锁定室20的内部，在夹住基板搬送装置70的位置上设置有缓冲板81和82，与具有升降该缓冲板81和82的未图示的缓冲升降机构的基板交换机构80，可以通过缓冲板81和82从下方支撑载置在基板搬送装置70的滑板74上的基板G的周边部，进行使基板G从该滑板74浮起的动作和使从大气侧搬送机构50接受的基板G下降至滑板74上的动作等的基板交换动作。
参见图1可知，大气侧搬送机构50具有可以旋转和伸缩的搬送臂51，可以进行下述动作：从容纳有多个基板G的基板架55取出未处理的1个基板，通过闸阀40传送至负载锁定室20内的基板搬送装置70的动作；和从负载锁定室20内的基板搬送装置7接受处理后的基板G，通过闸阀40取出至大气侧，容纳在基板架55中的动作。
在图3和图4中表示闸阀30a、30b的截面结构。
闸阀30a可从负载锁定室20侧开闭在真空处理室10的侧壁10a上设置的基板搬入搬出口90。闸阀30a具有以能够堵塞以水平姿势搬入搬出基板G的开口90的方式形成为横向长的阀体31a，和通过一对曲柄32a、33a支撑该阀体31a的可升降移动横向长的阀本体34a。
阀本体34a与气缸35a的活塞杆36a连接，可由垂直配置的导轨37a可滑动地导向。即：当使气缸35a工作，上下升降活塞杆36a时，阀本体34a由导轨37a导向，可在垂直方向升降移动。
曲柄32a、33a分别架设在阀本体34a的左侧面和阀体31a的左侧面之间，和阀本体34a的右侧面与阀体31a的右侧面之间。(在图3和图4中只表示于右侧面的曲柄32a、33a)。此外，在阀体31a的上面安装用于避免与顶部91a的摩擦的滚子38a。
闸阀30b配置在闸阀30a和负载锁定室20之间，开闭在隔开闸阀30a和闸阀30b的隔壁92上形成的开口94。其中，在图3和图4中，符号93为在用于搬入搬出基板G的负载锁定室20的侧壁上设置的开口。
闸阀30b具有以堵塞能够以水平姿势搬入搬出基板G的开口94的方式形成横向长的阀体31b，和通过一对曲柄32b、33b支撑该阀体31b，可升降移动的横向长的阀本体34b。
阀本体34b与气缸35b的活塞杆36b连接，可由垂直配置的导轨37b可滑动地导向。即：当使气缸35b工作，上下升降活塞杆36b时，阀本体34b由导轨37b导向，可在垂直方向升降移动。
曲柄32b、33b分别架设在阀本体34b的左侧面与阀体31b的左侧面之间，和阀本体34b的右侧面与阀体31b的右侧面之间(其中，在图3和图4中只表示右侧面的曲柄32b、33b)。此外，在阀体31b的上面安装用于避免与顶部91b的摩擦的滚子38b。
工作空气从未图示的工作空气供给源，均等地分配至气缸35a、35b，同时，气缸35a的驱动力传递给活塞杆36a，气缸35b的驱动力传递给活塞杆36b。因此，闸阀30a、30b的阀体31a、31b分别同步，密封开口90和开口94或解除密封。如图3所示，当闸阀30a、30b打开时，阀体31a、31b在比开口90，94低的待机位置，阀本体34a、34b在比阀体31a、31b更低的待机位置待机。
当关闭闸阀30a、30b时，使气缸35a、35b从图3的状态动作，以规定的冲程使活塞杆36a、36b前进。再如图4所示，阀本体34a、34b和阀体31a、31b分别从原来位置互相平行地垂直上升，阀体31a、31b的滚子38a、38b与顶面91a、91b接触，其次，阀本体34a、34b与挡块(stopper)39a、39b接触。
此外，曲柄32a、33a和曲柄32b、33b工作，将阀体31a、31b压向开口90、94，压入开口90的周围(侧壁10a)和开口94的周围(隔壁92)。在这个动作时，通过滚子38a、38b，在顶面91a、91b上在水平方向转动，阀体31a、31b水平移动，在横方向压向上述开口90，94的周围的壁上。由于在开口90，94的周围安装O形圈等密封件(未图示)，阀体31a、31b具有高密封性，压住开口90、94的周围，可以密封开口90、94。
当从图4的关闭状态打开闸阀30a、30b时，使气缸35a、35b动作，通过以与往复运动时相同的冲程使活塞杆36a、36b下降，利用密封过程动作的逆动作，阀本体34a、34b和阀体31a、31b分别回至原来的待机位置，解除开口90、94的密封。
其中，利用图3和图4所示的闸阀30a、30b，可将一个系统的工作空气均等地分配给气缸35a、35b，同时使闸阀30a、30b动作，也可以分别另外在气缸35a、35b上设置工作空气供给源，供给工作空气，以一定的时间间隔分别使闸阀30a、30b工作。
其次，说明在本实施方式的真空处理装置100中的基板G的处理顺序。首先，基板搬送装置70成为退缩至负载锁定室20内的状态，关闭闸阀30a、30b的阀体31a、31b，将真空处理室10的内部用真空泵60排气至必要的真空度。此外，在这个状态下，打开排气控制阀65，通过排气管27，对闸阀30a的阀框体95a内进行减压排气。
大气侧搬送机构50，利用搬送臂51，从基板架55取出未处理的基板G，通过闸阀40的开口部41，搬入负载锁定室20内，定位于基板搬送装置70的滑板74的正上部。
接着，缓冲板81和82上升，从两侧夹持基板G的周边，使基板G从搬送臂51浮起。
然后，在大气侧拔出搬送臂51，退避至负载紧室20的外部后，使缓冲板81和82下降，将基板G移动至基板搬送装置70的滑板74(滑动拾取器部74a)上，载置。
此外，关闭闸阀40的阀体42，使负载锁定室20成为密闭状态，打开开闭阀62、63、64中任一个以上，同时使真空泵60工作，由此，在将负载锁定室20内排气至与真空处理室10相同程度的真空度后，解除闸阀30a、30b的阀体31a、31b对开口90，94的密封。此时，由于负载锁定室20被真空排气，不会损害真空处理室10的真空度或气氛。
其次，通过开口93、90、94，使基板搬送装置70的滑板74向着真空处理室10的内部进入，将基板G搬入真空处理室10的处理台13的正上部，通过设在真空处理室10内的未图示的突出销等，载置在处理台13上。然后，使滑板74退避至负载锁定室20内，利用闸阀30a、30b的阀体31a、31b密封开口90、94，密闭真空处理室10。
然后，将必要的气体从处理气体供给部12导入密闭的真空处理室10内，形成处理气体气氛，对基板进行必要的处理。
经过规定的时间后，停止导入处理气体，使闸阀30a、30b的阀体31a、31b下降，解除开口90、94的密封。在真空处理室10的内部，使负载锁定室20内的基板搬送装置70的滑板74伸长为多级，按照与上述搬入动作相反的顺序，将真空处理室10中处理完的基板G，从处理台13上移动至滑板74上，再使滑板74退缩，搬出至负载锁定室20内。然后，利用闸阀30a、30b的阀体31a、31b，关闭开口90、94，密闭真空处理室10。此外，与上述同样，打开排气控制阀65，通过排气管27，对闸阀30a的阀框体95a内进行减压排气。
然后，停止负载锁定室20的排气，同时使缓冲板81、82上升，支撑基板G的周边部使其浮起，在通过后述的压力调整管路28、29(参见图5)慢慢导入N2等，达到接近大气压力后，打开闸阀40的阀体42，将大气侧搬送机构50的搬送臂51插入浮起的基板G的下侧中，在这个状态下，使缓冲板81、82下降，将基板G移至搬送臂51上。
通过将搬送臂51引出至大气侧，可从负载锁定室20将处理完的基板G搬出至大气侧，收纳在基板架55上。
在以上结构的真空处理装置100中，由于配置双重的闸阀30a、30b，在关闭闸阀30a、30b的状态下，可以可靠地形成负载锁定室20和真空处理室10的隔离，可以极力减少水分从反复为大气状态和高真空状态的负载锁定室20混入真空处理室10。
此外，由于闸阀30a、30b的阀体31a、31b从密封时的差压方向，即从大气压侧的负载锁定室20压向真空侧的真空处理室10的方向，因此可以通过阀体31a、31b进行可靠的密封.
此外，由于设有对排气闸阀30a的阀框体95a的内部进行减压排气的排气管27，即使在负载锁定室20内为大气开放状态，也可在真空处理室10之间夹着将内部减压至规定压力的闸阀30a的阀框体95a，可以可靠地防止空气从负载室20泄漏至真空处理室10，可防止水分混入真空处理室10中。
其次，参照图5和图6说明为了更可靠地防止水分混入真空处理室10，负载锁定室20的排气和气体置换的顺序。图5中示意性地表示负载锁定室20的排气路径和清洗气体供给路径的概略结构。如上所述，流导不同的排气管21、22、23分别与负载锁定室20连接。具体地，在各个排气管21、22、23的中间配置未图示的孔(节流部)，通过使各个孔的直径不同，调整排气管21、22、23流路流导。其中，也可以改变各个排气管21、22、23的直径，调节至所希望的流导。
分别在排气管21的中间设置开闭阀62，在排气管22的中间设置开闭阀63，在排气管23的中间设置开闭阀64。各个排气管21、22、23与机械增压泵(MBP)60a、和干式泵(DP)60b(真空泵60)连接，可对负载锁定室20内进行真空排气。
此外，N2气体供给源26，通过N2气供给管路24与负载锁定室20连接，将作为清洗气体的N2气体供给至负载锁定室20内。
其中，负载锁定室20通过流导大的压力调整用管路28和流导小的压力调整用管路29，与N2气体供给源26连接，通过切换开闭阀65和开闭阀66，慢慢导入N2气体，可以抑制真空状态的负载锁定室20内向在气开放时压力的急剧上升。
排气管21起流路流导最大的高速排气用的排气路径的作用。排气管23与排气管21比较，流路流导小，此外排气管22与排气管23相比，也是流路流导小的排气管路。通过组合这些排气管21、22、23开闭阀62、63、64的开闭，可以作出多个排气路径模式。例如，在本实施方式中，排气管21的孔径为40mm，排气管22的孔径为10mm，排气管23的孔径为15mm。此外，排气管的根数不仅限于3根，当排气管为根数为n根时，通过组合，可作出(2n-1)个图形的排气路径。
在本实施方式中，在关闭开闭阀62、64，打开开闭阀63的状态下，利用最小开口直径为10mm的排气管22进行排气，构成流路流导最小的排气路径(称为“第一排气路径”)。
此外，在关闭开闭阀62、63，打开开闭阀64的状态下，利用最小开口直径为15mm的排气管23进行排气，构成流路流导比排气管22的构成的第一排气路径稍大的排气路径(称为“第二排气路径”)。
此外，在关闭开闭阀62，打开开闭阀63和开闭阀64的状态下，由于排气管22和排气管23的最小开口直径合计为25mm(10mm+15mm)，构成与排气管23构成的第二排气路径相比，流路流导稍大的排气路径(称为“第三排气路径”)。
此外，在关闭开闭阀63、64，只打开开闭阀62的状态下，利用最小开口直径40mm的排气管21进行排气，构成流路流导大的高速排气路径(称为“第四排气路径”)。
由此，通过配置流路流导不同的排气管21、22、23，切换阀62、63、64的开闭，可以构成多种模式的排气路径。在负载锁定室20排气的过程中，通过切换第一～第四的排气路径，可以防止急剧的压力降低带来的水分雾化。因此，优选排气过程的排气路径的切换以负载锁定室20内的压力作为指标进行。例如，从大气压的101325Pa(760Torr)开始进行排气，对负载锁定室20内进行排气的过程中，由于在26664Pa(200Torr)以下容易引起水分的雾化，因此优选在达到这个压力前的降压过程中，避免第四排气路径引起的高速排气。
图6中表示将负载锁定室20内从向大气开放排气至高真空状态顺序的优选例。进行从第一排气路径至第四排气路径的切换的压力值不受以下例子的制约，可以适当地设定。此外，也可以不以压力，而以时间作为目标，进行从第一排气路径至第四排气路径切换。
首先，在步骤S11中，在打开闸阀40，使负载锁定室20为大气开放状态下，在与大气开放同时，根据需要，打开气体控制阀25，以规定流量用N2气体清洗负载室20内。由此，由于负载锁定室20内为正压，可以抑制大气从清洁室内进入，可防止水分或颗粒进入负载锁定室20内。此时，闸阀30a、30b关闭。
其次，在步骤S12中，从大气开放状态关闭闸阀40，封闭负载锁定室20。
其次，在步骤S13中，关闭开闭阀62、64，打开开闭阀63，使机械增压泵(MBP)60a和干式泵(DP)60b工作，利用第一排气路径进行负载锁定室20内的排气。步骤S13的排气，以负载锁定室20内的压力降低至大约79992Pa(600Torr)为目标进行。
若负载锁定室20内的压力降低至79992Pa(600Torr)，则在例如3秒后，从步骤S13的状态，关闭开闭阀63，打开开闭阀64，利用第二排气路径进行排气(步骤S14)。步骤S14的排气，以负载锁定室20内的压力降低至大约53328Pa(400Torr)为目标进行。
若负载锁定室20内的压力降低至53328Pa(400Torr)，则在例如5秒后，从步骤S14的状态，打开开闭阀63，切换成第三排气路径进行排气(步骤S15)。步骤S15的排气，以负载锁定室20内的压力降低至26664Pa(200Torr)为目标进行。
若负载锁定室20内的压力降低至大约26664Pa(200Torr)，则在例如1秒后，从步骤S15的状态，关闭开闭阀63、64，只打开开闭阀62，切换成第四排气路径进行高速排气(步骤S16)。步骤S16的排气，以负载锁定室20内的压力，从大约26664Pa(200Torr)降低至规定的高真空状态进行。
由此，在步骤S13～步骤S16中，通过根据负载锁定室20内的压力，从第一排气路径至第四排气路径进行切换，在排气过程中，在大气中的水分容易雾化的26664Pa(200Torr)附近以下的降压过程中，因为缓慢的排气，使排气速度慢慢地升高，在难以引起水分雾化的大约26664Pa(200Torr)以下，通过移至高速排气，可以可靠地除去负载锁定室20内的水分，可防止水分混入真空处理室10中。
再进入步骤S16中的排气，在负载锁定室20内部的压力达到53.328Pa(400mTorr)的阶段，打开气体控制阀25，以规定的流量例如6000～8000mL/min，优选为7000mL/min，将N2气体导入负载锁定室20内(步骤S17)。导入的N2气体的流量可根据真空泵60的排气能力设定，优选从空气和N2的分压比，使流量为上述例示的程度。该N2气体清洗，通过在减压下，将负载锁定室20内的气氛置换为N2，最终除去残存在负载锁定室20内的水分而实施。优选N2气体的清洗，在负载锁定室20内的压力达到例如13.332Pa(100mTorr)时，在规定时间例如15～30秒，优选大约为23秒左右进行。
在以上的步骤S13～步骤S16的顺序中，切换第一～第四排气路径，对负载锁定室20内进行排气，而且通过进行步骤S17的N2气体清洗，可以抑制负载锁定室20内的水分雾化和残留，可将负载锁定室20内减压至高真空状态。因此，在负载锁定室20内减压排气后，当打开闸阀30a、30b，在与真空处理室10之间交换基板G时，可以可靠地防止水分混入真空处理室10中。
本发明不仅限制在上述实施方式，在本发明的思想的范围内，可作各种变形。
例如，在上述实施方式中，作为基板，以处理LCD基板的真空处理装置为例，但不仅限于此，也可以是处理其他的FPD基板或半导体晶片的真空处理装置。此外，作为FPD，除了液晶显示器(LCD)以外，还可例示发光二极管(LED)显示器，电发光(EL：electroluminescence)显示器，荧光显示器(VFD：vacuum Fluorescent Display)，等离子体显示屏(PDP)等。
此外，在上述实施方式中，在负载锁定室20中配置有流路流导不同的三根排气管21、22、23，也可以是配置4根以上的结构。
此外，在上述实施方式中，以真空预备室20邻近真空处理室10配置的结构的真空处理装置100为例进行说明，但在将真空搬送室配置在真空处理室和真空预备室之间的真空处理装置中，本发明也可适用。
产业上利用可能性
本发明可在具有真空处理室和真空预备室的真空处理装置中利用。

Claims (5)

1.一种真空处理装置，其特征在于，具备：
在真空中对基板进行规定的处理的真空处理室；
在将所述基板搬入搬出所述真空处理室的过程中，暂时收纳所述基板，其内部交替保持大气开放状态和真空状态的真空预备室；和
在所述真空处理室和所述真空预备室之间双重配置的，开闭在所述真空处理室中形成的开口的第一闸阀；和
与该第一闸阀相邻配置的、开闭在与该第一闸阀之间形成的开口的第二闸阀，
并且，用于将阀容器内减压排气的排气管与所述第一闸阀连接。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述第一闸阀和所述第二闸阀同步开闭。
3.如权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，所述第一闸阀和所述第二闸阀，在密封时将阀体从相对高压的真空预备室侧压向低压的真空处理室侧。
4.如权利要求1～3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于，流路流导不同的多根排气管与所述真空预备室连接。
5.如权利要求1～3中任一项所述的真空处理装置，其特征在于，导入清洗气体的清洗气体供给源与所述真空预备室连接。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4965358B2 (ja) * 2007-06-25 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5322254B2 (ja) * 2007-06-29 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
JP5005512B2 (ja) * 2007-11-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置および真空処理装置およびゲートバルブ装置における弁体の開放方法。
JP5059583B2 (ja) * 2007-12-26 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
KR200473996Y1 (ko) * 2008-12-22 2014-08-13 주식회사 테스 슬릿밸브
JP5546395B2 (ja) * 2010-09-07 2014-07-09 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
GB2492065A (en) * 2011-06-16 2012-12-26 Edwards Ltd Noise reduction of a vacuum pumping system
CN102842637A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 理想能源设备(上海)有限公司 衬底处理装置和衬底处理方法
CN104928645A (zh) * 2015-04-07 2015-09-23 凌嘉科技股份有限公司 双门闸阀装置及具双门闸阀装置的镀膜设备
US11270899B2 (en) * 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
JP7378357B2 (ja) 2020-06-17 2023-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法
KR20230001280A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 주식회사 원익아이피에스 챔버내부처리방법 및 기판처리방법
CN116624651A (zh) * 2022-02-10 2023-08-22 长鑫存储技术有限公司 一种气压平衡阀、气压平衡方法以及负载锁定室

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288379A (en) * 1991-12-04 1994-02-22 Anelva Corporation Multi-chamber integrated process system
US5738767A (en) * 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
US6267545B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
JP2004087781A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JP2004273949A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ及び真空容器
JP2005116854A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Canon Inc ロードロックチャンバー、露光装置、デバイスの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2939378B2 (ja) * 1991-11-21 1999-08-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3154144B2 (ja) * 1992-09-21 2001-04-09 ソニー株式会社 チャンバー内の圧力変化方法及び圧力変化されるチャンバーを備えた装置
JPH08335572A (ja) * 1995-06-07 1996-12-17 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP3297632B2 (ja) * 1997-09-20 2002-07-02 松下電器産業株式会社 Ｃｄｍａ端末装置
JP3111994B2 (ja) * 1998-08-03 2000-11-27 日本電気株式会社 金属酸化物誘電体材料の気相成長装置
US6746196B1 (en) * 1999-01-12 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
JP2002110560A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP4841035B2 (ja) * 2000-11-27 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2002329763A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Yaskawa Electric Corp 気密室間の連結構造
JP2004119595A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Sharp Corp 真空チャンバーの減圧方法および真空チャンバーの減圧装置
JP2004241566A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288379A (en) * 1991-12-04 1994-02-22 Anelva Corporation Multi-chamber integrated process system
US5738767A (en) * 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
US6267545B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
JP2004087781A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JP2004273949A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ及び真空容器
JP2005116854A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Canon Inc ロードロックチャンバー、露光装置、デバイスの製造方法

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