TWI398921B - Vacuum processing device and exhaust preparation method of vacuum preparation room - Google Patents

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Hiroshi Kondo
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Tokyo Electron Ltd
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Description

真空處理裝置及真空預備室之排氣方法
本發明關於真空處理技術，特別關於對以LCD(液晶顯示裝置)或PDP(電漿顯示裝置)為代表之FPD(平板顯示裝置)用之玻璃基板等，進行乾蝕刻等之真空處理的真空處理裝置適用之有效技術。
例如於LCD之製程對被處理基板之LCD玻璃基板等進行乾蝕刻或濺鍍、CVD(化學氣相成長)等之真空處理被廣泛採用。
進行此種真空處理的真空處理裝置，係和保持真空進行上述處理的真空處理室(處理模組)鄰接設置真空預備室，在被處理基板之搬出入時盡量設定真空處理室內之環境變動為最小的構造。
具體言之為，例如在設置於大氣側之晶圓盒(cassette)與蝕刻處理等的真空處理室之間，設置具有大氣側與真空側之介面功能的真空隔絕室(load lock)作為真空預備室。
於該真空隔絕室，每次被處理基板通過時，重複進行大氣開放狀態以及和真空處理室同等之高真空排氣。因此，在真空隔絕室與常時保持真空狀態的真空處理室之間，設置閘閥(gate valve)用於確保兩室之氣密性(例如專利文獻1)。
但是，閘閥之氣密性不足時，自大氣開放狀態之真空隔絕室側至高真空狀態之真空處理室會有大氣中水分漏入之可能。水分混入真空處理室時，即使微量亦會蝕刻或成膜等之真空處理帶來不良影響，使製造之之FPD等之製品之信賴性降低。
另外，習知閘閥構造，為確保搬出入用真空室(真空隔絕室)與真空處理室之間之氣密性，而於可動體兩側配備有分別密封各室開口部的一對閥體的閘閥亦被提案(例如專利文獻2)。但是，例如專利文獻2之閘閥，係由上述可動體，對大氣側之搬出入用真空室之開口部與真空處理室之開口部雙方，朝正反方向移動各閥體而同時密封兩開口部的構造，因此，搬出入用真空室側之閥體，相對於自高壓側至低壓側之差壓方向，係被押接相反方向，該部分之密閉性無法充分確保之構造上問題存在。
專利文獻1：特開2005-12185號公報(圖3等)。
專利文獻2：特開平5-99348號公報(圖1等)。
如上述說明，真空隔絕室與真空處理室之間之氣密性無法充分確保時，自真空隔絕室側至真空處理室會有含水分之空氣混入，而對被處理基板之處理帶來不良影響。
另外，即使能確保閘閥之氣密性時，真空隔絕室被重複置於大氣開放狀態之故，大氣中水分殘留於排氣後之真 空隔絕室時，打開閘閥使被處理基板通過時，殘留之水分會移行至真空處理室內之問題存在。特別是，真空隔絕室施予高速排氣時，伴隨急速壓力減少，大氣中水分被霧化，變為容易附著、殘留於真空隔絕室內部，其介由閘閥開口容易混入真空處理室。
本發明有鑑於上述問題，目的在於提供真空處理裝置，其可以確實防止水分之混入真空處理室。
亦即，首先，第1目的為提供可以充分確保真空隔絕室與真空處理室之間之氣密性的閘閥。第2目的為提供在對真空隔絕室施予排氣過程可以防止水分之殘留或霧化的技術。
為解決上述問題，本發明第1觀點提供之真空處理裝置，其特徵為具備：真空處理室，對基板於真空中進行特定之處理；真空預備室，在上述基板被搬出入上述真空處理室的過程暫時將其收容，其內部被交互保持於大氣開放狀態與真空狀態；及閘閥，在上述真空處理室與上述真空預備室之間被雙重配備。
依上述第1觀點，在真空處理室與真空預備室之間雙重配備閘閥，因此，關閉閘閥之狀態時，可以確實保持真空處理室與真空預備室之間之隔離，可以盡量減少水分自 重複於大氣開放狀態與真空狀態之真空預備室，混入至真空處理室。
於上述第1觀點較好是，具備：第1閘閥，用於開/關形成於上述真空處理室之開口；及第2閘閥，與該第1閘閥鄰接配備，用於開/關形成於其和該第1閘閥之間的開口。
另外，較好是，上述第1閘閥與上述第2閘閥係同步開/關。
又，較好是，上述第1閘閥與上述第2閘閥，密封時係自相對高壓之真空預備室側朝向低壓之真空處理室側押壓閥體。如上述說明，各閘閥之閥體，密封時朝差壓方向，亦即自大氣壓側之真空預備室至真空側之真空處理室之方向被押壓，因此可以確實被密封。
又，較好是，於上述第1閘閥，連接排氣管用於對閥容器內進行減壓排氣。
依此則，即使真空預備室內處於大氣開放狀態下，在其和真空處理室之間，存在內部被減壓至特定壓力的第1閘閥之閥容器，更能確實防止自真空預備室至真空處理室之空氣洩漏，能防止水分混入至真空處理室。
又，較好是，於上述真空預備室，連接流路導通度互異的多數排氣管。
又，較好是，於上述真空預備室，連接淨化氣體供給源用於導入淨化氣體。
本發明第2觀點提供之真空處理裝置，其特徵為具備：真空處理室，對基板於真空中進行特定之處理；真空預備室，在上述基板被搬出入上述真空處理室的過程暫時將其收容，其內部被交互保持於大氣開放狀態與真空狀態；多數排氣管，連接於上述真空預備室，其之流路導通度互異；及排氣手段，連接於上述排氣管，用於對上述真空預備室內施予真空排氣。
於上述第2觀點較好是，上述多數排氣管係具備：第1排氣管；第2排氣管，其之流路導通度大於上述第1排氣管；及第3排氣管，其之流路導通度大於上述第2排氣管；於上述第2觀點提供之真空處理裝置，藉由配備流路導通度互異之排氣管，組合彼等可以構成多數圖案之排氣路徑，因此，於真空預備室排氣過程，藉由排氣路徑切換可防止急速壓力降低伴隨產生之水分霧化。
本發明第3觀點提供之真空預備室之排氣方法，係使基板被搬出入真空處理室的過程暫時將其收容之同時，內部被交互保持於大氣開放狀態與真空狀態的真空預備室，排氣至上述真空狀態者；其特徵為：使用連接於上述真空預備室之流路導通度互異的多數 排氣管進行排氣速度切換，以階段式增大排氣速度而進行排氣。
於上述第3觀點，於真空預備室排氣至真空狀態時，使用流路導通度互異的多數排氣管進行排氣速度切換，以階段式增大排氣速度而進行排氣，因此可防止真空預備室內之急速壓力降低伴隨產生之水分霧化。
於上述第3觀點較好是，以上述真空預備室之壓力為基準進行上述排氣速度之切換。又，較好是，在上述真空預備室內減壓至特定壓力之階段，繼續排氣之同時，在該真空預備室內導入特定時間之淨化氣體。
本發明第4觀點提供之真空預備室之排氣方法，係使基板被搬出入真空處理室的過程暫時將其收容之同時，內部被交互保持於大氣開放狀態與真空狀態的真空預備室，排氣至上述真空狀態者；其特徵為：在上述真空預備室內減壓至特定壓力之階段，繼續排氣之同時，在該真空預備室內導入特定時間之淨化氣體。
依上述第4觀點，藉由淨化氣體之導入，在減壓下可以淨化氣體置換真空預備室內之環境。因此，可以確實除去殘留於真空預備室內之水分。
本發明第5觀點提供之真空預備室之昇壓方法，係使基板被搬出入真空處理室的過程暫時將其收容之同時，內部被交互保持於大氣開放狀態與真空狀態的真空預備室，由上述真空狀態進行昇壓者；其特徵為：在上述真空預備室內設為大氣開放時，以特定流量導 入淨化氣體，據此而於大氣開放狀態設定上述真空預備室內為陽壓。
依上述第5觀點，和大氣開放之同時，在真空預備室內以特定流量導入淨化氣體，將內部設為陽壓，如此則，可抑制來自潔淨室內之大氣之進入，可以防止水分或微粒之進入真空預備室內。
以下依據圖面說明本發明實施形態。
圖1為本發明之一實施形態之真空處理裝置100之概略構成斜視圖。圖2為圖1之真空處理裝置100中之重要部分之水平斷面圖。真空處理裝置100具備：真空處理室10，於真空環境下對透明之LCD玻璃基板等基板G進行電漿蝕刻處理或薄膜形成處理等所要真空處理；真空隔絕室20，連設於該真空處理室10，作為真空預備室之功能；閘閥30a、30b，於真空處理室10與真空隔絕室20之間被二重設置；及閘閥40，用於隔絕真空隔絕室20與外部之大氣側搬送機構50。
如圖2所示，於真空處理室10介由排氣控制閥61連接真空泵60作為排氣手段，可進行真空排氣到達基板G之特定真空處理必要之真空度。另外，於真空處理室10介由氣體控制閥11連接處理氣體供給部12，可於真空處理室10內部形成特定壓力之處理氣體環境。於真空處理室10內部設有處理平台13，可載置被處理對象之基板G 。
於真空隔絕室20連接導通度互異的3個排氣管21~23，於各排氣管21~23之途中分別配備開關閥62~64。各排氣管21~23分別連接於真空泵60，可對真空隔絕室20內進行真空排氣使成為和真空處理室10同等之真空度。
又，於真空隔絕室20介由氣體控制閥25連接N2 氣體供給源26用於導入作為淨化氣體的N2 氣體，構成可對真空隔絕室20內部導入N2 氣體。
如圖所示，於本實施形態之真空處理裝置，在真空處理室10與真空隔絕室20之間以二重設置閘閥30a、30b。閘閥30a，係連通真空處理室10與真空隔絕室20，具有閥體31a可對基板G能通過之大小的開口90(參照圖3，如後述說明)進行開關動作。同樣，閘閥30b，係連通真空處理室10與真空隔絕室20，具有閥體31b可對基板搬送裝置70支撐之基板G能通過之大小的開口94(參照圖3，如後述說明)進行開關動作。圖2表示閘閥30a、30b兩方均為關閉之狀態。
又，於真空處理室10側配置之閘閥30a，配備排氣管27。排氣管27連接於真空泵60，於其途中設置排氣控制閥65。藉由排氣管27之設置，在關閉閘閥30a、30b狀態下，可對閘閥30a之閥框體95a內進行排氣使減壓至特定壓力。如上述說明，藉由在閘閥30a連接排氣手段，關閉閘閥30a、30b，即使於真空隔絕室20內設為大氣開放狀 態下，在其與真空處理室10之間可以存在閥框體95a內部全體成為減壓狀態之閘閥30a，更能確實防止空氣自真空隔絕室20洩漏至真空處理室10，可防止水分混入至真空處理室10。
於閘閥40設置：使真空隔絕室20與外部之代替處理連通，可通過上述大氣側搬送機構50支撐之基板G之大小的開口部41，及進行該開口部41之開關動作的閥體42。
於真空隔絕室20內部設置基板搬送裝置70。該基板搬送裝置70具備：固定於真空隔絕室20底部的底板(未圖示)，及積層於該底板上，基板G被載置之作為基板支撐台的滑板74。於滑板74設置大略字形之滑動受取部74a用於支撐被載置之基板G之下面。。
基板搬送裝置70，係由圖2所示縮退狀態，使馬達(未圖示)動作，使載置基板G狀態下之滑板74朝圖中紙面移動至右側方向，而使滑板74之基板G由真空隔絕室20搬入真空處理室10。又，反之由真空處理室10搬出基板G時，於處理容器10內藉由滑動受取部74a受取基板G之後，逆轉馬達(未圖示)，而可設為圖2所示縮退狀態。
於真空隔絕室20內部，在挾持基板搬送裝置70之位置設置：緩衝板81、82，及具備使該緩衝板81、82升降之緩衝升降機構的基板收付機構80，使基板搬送裝置70之滑板74載置之基板G之周邊部藉由緩衝板81、82由下 方予以支撐，而進行由滑板74使基板G往上推之動作，及使由大氣側搬送機構50受取之基板G下降至滑板74上之動作等之基板收付動作。
參照圖1，大氣側搬送機構50，係具備可旋動及伸縮的搬送臂51，進行由多數基板G被收納之基板架55取出未處理之1片基板，介由閘閥40傳送至真空隔絕室20內之基板搬送裝置70的動作，及由真空隔絕室20內之基板搬送裝置70受取處理完畢之基板G，介由閘閥40取出於大氣側，收納於基板架55的動作。
圖3、圖4為閘閥30a、30b之斷面構造圖。
閘閥30a，係由真空隔絕室20側開/關真空處理室10之側壁10a上設置之基板搬出入口90。閘閥30a具有：以關閉可使基板G以水平姿勢搬出入的開口90之方式，形成為橫長的閥體31a，及使該閥體31a介由一對曲柄32a、33a支撐的可升降移動之橫長的閥本體34a。
閥本體34a，係連接於汽缸35a之活塞桿36a之同時，藉由垂直設置之導軌37a導引為可滑動。亦即，作動汽缸35a，使活塞桿36a上下升降時，閥本體34a在導軌37a導引下可於垂直方向升降移動。
曲柄32a、33a，係分別被架設於閥本體34a之左側面與閥體31a之左側面之間，及閥本體34a之右側面與閥體31a之右側面之間(於圖3、圖4僅圖示右側面之曲柄32a、33a)。於閥體31a之上面，安裝滾輪38a用於迴避其與天井部91a間之摩擦。
閘閥30b，係配置於閘閥30a與真空隔絕室20之間，用於開/關區隔閘閥30a與閘閥30b之間隔壁92上形成之開口94。於圖3、圖4，符號93為設於搬出入基板G的真空隔絕室20之側壁的開口。
閘閥30b具有：以關閉可使基板G以水平姿勢搬出入的開口94之方式，形成為橫長的閥體31b，及使該閥體31b介由一對曲柄32b、33b支撐的可升降移動之橫長的閥本體34b。
閥本體34b，係連接於汽缸35b之活塞桿36b之同時，藉由垂直設置之導軌37b導引為可滑動。亦即，作動汽缸35b，使活塞桿36b上下升降時，閥本體34b在導軌37b導引下可於垂直方向升降移動。
曲柄32b、33b，係分別被架設於閥本體34b之左側面與閥體31b之左側面之間，及閥本體34b之右側面與閥體31b之右側面之間(於圖3、圖4僅圖示右側面之曲柄32b、33b)。於閥體31b之上面，安裝滾輪38b用於迴避其與天井部91b間之摩擦。
構成為由作動氣體供給源(未圖示)，使作動氣體均等分配於汽缸35a、35b之同時，汽缸35a之驅動力被傳送至活塞桿36a，汽缸35b之驅動力被傳送至活塞桿36b。因此，閘閥30a、30b之閥體31a、31b分別同步密封開口90及開口94或解除密封。閘閥30a、30b開放時，如圖3所示，閥體31a、31b處於較開口90、94更低之待機位置，閥本體34a、34b待機於較閥體31a、31b更低之 待機位置。
關閉閘閥30a、30b時，由圖3之狀態作動汽缸35a、35b使活塞桿36a、36b以特定衝成前進。之後，如圖4所示，閥本體34a、34b與閥體31a、31b由個別之原來位置，互相平行、垂直上升，閥體31a、31b之滾輪38a、38b接觸天井面91a、91b，之後，閥本體34a、34b接觸止動部39a、39b。
曲柄32a、33a與曲柄32b、33b作動，推壓閥體31a、31b朝向開口90、94，壓接於開口90之周圍(側壁10a)與開口94之周圍(間隔壁92)。於該動作時，藉由滾輪38a、38b於天井面91a、91b朝水平方向轉動，而使閥體31a、31b於水平方向移動，橫向壓接於開口90、94之周圍之壁。於開口90、94之周圍安裝有O型環等之密封構件(未圖示)，閥體31a、31b分別具有高氣密性而壓接於開口90、94之周圍，可以密封開口90、94。
由圖4之關閉狀態開放閘閥30a、30b時，作動汽缸35a、35b使活塞桿36a、36b以和往動時同一衝成下降，藉由密封過程之動作之相反動作，使閥本體34a、34b與閥體31a、31b分別回至原來之待機位置，開口90、94之密封被解除。
又，於如圖3、4所示閘閥30a、30b，係將一系統之作動氣體均等分配於汽缸35a、35b，同時作動閘閥30a、30b之構成，但亦可構成為，在汽缸35a、35b個別設置作動氣體供給源而供給作動氣體，使閘閥30a、30b隔開某 一特定時間間隔個別動作。
以下說明本實施形態之真空處理裝置100之基板G之處理順序。首先，基板搬送裝置70設為在真空隔絕室20內之縮退狀態，閘閥30a、30b之閥體31a、31b被關閉，處理容器10內部被真空泵60排氣成為必要之真空度。於此狀態下，開放排氣控制閥65介由排氣管27對閘閥30a之閥框體95a內進行減壓排氣。
大氣側搬送機構50，係藉由搬送臂51由基板架55取出未處理基板G，經由閘閥40之開口部41搬入真空隔絕室20內部，定位於基板搬送裝置70之滑板74之正上部。
之後，緩衝板81、82上升，由兩側將基板G之周邊部往上推，基板G由搬送臂51往上浮。
之後，使搬送臂51拉出至大氣側退避至真空隔絕室20外部之後，下降緩衝板81、82，基板G將被移行載置於基板搬送裝置70之滑板74(滑動受取部74a)上。
之後，開放閘閥40之閥體42設定真空隔絕室20為密閉狀態，開放開/關閥62~64之其中1個以上之同時，作動真空泵60使真空隔絕室20內排氣至和真空處理室10同一程度之真空度之後，解除閘閥30a、30b之閥體31a、31b對開口90、94之密封。此時，真空隔絕室20被真空排氣，真空處理室10之真空度或環境不會受損。
之後，經由開口93、90、94使基板搬送裝置70之滑板74進入真空處理室10內部，將基板G搬入真空處理室 10之處理平台13之正上部，介由設於真空處理室10內之突出銷(未圖示)等載置於處理平台13上。之後，使滑板74縮退、退避至真空隔絕室20內部，藉由閘閥30a、30b之閥體31a、31b對開口90、94施予密封，而密閉真空處理室10。
之後，於密閉之真空處理室10內由處理氣體供給部12導入必要之氣體形成處理氣體環境，對基板G進行必要之處理。
特定時間經過後，停止處理氣體之導入，下降閘閥30a、30b之閥體31a、31b解除開口90、94之密封。使真空隔絕室20內部之基板搬送裝置70之滑板74於處理容器10內部伸長為多段，以和上述搬入動作相反之順序使真空處理室10內之處理完畢之基板G由處理平台13移行至滑板74上，縮退至滑板74上，搬出真空隔絕室20內。之後，藉由閘閥30a、30b之閥體31a、31b關閉開口90、94，密閉真空處理室10。又，和上述同樣設定排氣控制閥65為開放，介由排氣管27對閘閥30a之閥框體95a進行減壓排氣。
之後，停止真空隔絕室20之排氣之同時，上升緩衝板81、82，支撐基板G之周邊部使其往上推，介由後述壓力調整管28、29(參照圖5)慢慢導入N2 氣體設為接近大氣壓力之後，開放閘閥40之閥體42，使大氣側搬送機構50之搬送臂51插入浮上之基板G之下側，於該狀態下降緩衝板81、82，使基板G移行至搬送臂51。
之後，使搬送臂51拉出至大氣側，將處理完畢之基板G由真空隔絕室20搬出至大氣側，收納於基板架55。
於上述構成之真空處理裝置100，以雙重配備閘閥30a、30b，關閉閘閥30a、30b之狀態下，真空處理室10與真空隔絕室20間之隔離可以確實被進行，可以盡量減輕水分自重複於大氣狀態與高真空狀態之真空隔絕室20混入至真空處理室10。
閘閥30a、30b之閥體31a、31b，密封時被按壓於差壓方向、亦即自大氣壓側之真空隔絕室20至真空側之真空處理室10之方向被按壓，因此更能確實執行閥體31a、31b之密封。
又，設置有排氣管27可對閘閥30a之閥框體95a內部進行減壓排氣，即使真空隔絕室20內處於大氣開放狀態下，在其和真空處理室10之間，可以存在內部被減壓至特定壓力的閘閥30a之閥框體95a，更能確實防止自真空隔絕室20至真空處理室10之空氣洩漏，能防止水分混入至真空處理室10。
以下參照圖5、6說明更能確實防止水分混入至真空處理室10時進行之真空隔絕室20之排氣與氣體置換之順序。圖5為真空隔絕室20之排氣路徑與淨化氣體供給路徑之概略構成圖。如上述說明，於真空隔絕室20連接配備導通度不同的排氣管21~23。具體言之為，於各排氣管21~23，於途中配備孔口(orifice，縮小部)(未圖示)，藉由變化各孔口之孔徑而調整排氣管21~23之流路導通 度。另外，藉由變化各排氣管21~23之管徑而調整成為所要之導通度亦可。
於排氣管21之途中配開/關閥62，於排氣管22之途中配開/關閥63，於排氣管23之途中配開/關閥64，各排氣管21~23連接於機械式昇壓泵(MBP)60a及乾燥泵(DP)60b(真空泵60)，可對真空隔絕室20內進行真空排氣。
於真空隔絕室20介由N2 氣體供給管24連接N2 氣體供給源26，可對真空隔絕室20內部供給N2 氣體作為淨化氣體。
真空隔絕室20，亦介由導通度大的壓力調整管28及導通度小的壓力調整管29連接N2 氣體供給源26，藉由切換開/關閥65與開/關閥66慢慢導入N2 氣體而對真空狀態之真空隔絕室20內抑制大氣開放時之急速壓力上升。
排氣管21作為流路導通度最大之高速排氣用的排氣路徑之功能。排氣管23，和排氣管21比較係流路導通度較小，排氣管22，和排氣管23比較係流路導通度更小的排氣管路。設置彼等排氣管21~23，藉由組合開/關閥62~64之開/關，可以做出多數個排氣路徑圖案。例如，本實施形態中，排氣管21之孔徑設為40mm，排氣管22之孔徑設為10mm，排氣管23之孔徑設為15mm。又，排氣管之數目不限定於3個，排氣管之數目設為n個時，藉由組合可以做出(2n -1)個排氣路徑圖案。
本實施形態中，關閉開/關閥62、64，開放開/關閥63之狀態下，藉由最小開口徑為10mm之排氣管22進行排氣，構成流路導通度為最小的排氣路徑(稱為第1排氣路徑)。
又，在關閉開/關閥62、63，開放開/關閥64之狀態下，藉由最小開口徑為15mm之排氣管23進行排氣，構成流路導通度較大的排氣路徑(稱為第2排氣路徑)，其之流路導通度稍微大於排氣管22之第1排氣路徑。
又，在關閉開/關閥62，開放開/關閥63、64之狀態下，排氣管22與排氣管23之最小開口徑之合計為25mm(10mm+15mm)，因而和排氣管23之第2排氣路徑比較，構成流路導通度稍大的排氣路徑(稱為第3排氣路徑)。
又，在關閉開/關閥63、64，僅開放開/關閥62之狀態下，藉由最小開口徑為40mm之排氣管21進行排氣，構成流路導通度更大的高速排氣路徑(稱為第4排氣路徑)。
如上述說明，設置流路導通度互異的排氣管21~23，藉由切換開/關閥62~64之開/關，可以構成多數個圖案之排氣路徑。因此，於排氣真空隔絕室20之過程，切換彼等第1~第4排氣路徑可防止急速壓力下降引起之水分霧化。因此，排氣過程之排氣路徑切換較好是以真空隔絕室20內之壓力為指標而進行。例如自大氣壓之101325Pa(760Torr)進行排氣，在對真空隔絕室20內進 行排氣過程，在大約至26664Pa(200Torr)為止容易引起水分霧化，因而在到達該壓力之降壓過程中，較好是避開第4排氣路徑之高速排氣。
圖6為使真空隔絕室20內自大氣開放至高真空狀態為止被排氣之順序之較佳例。又，進行自第1排氣路徑至第4排氣路徑之切換的壓力值，並非限定於以下之例，而可以適當設定。又，不使用壓力，而以例如時間計測進行自第1排氣路徑至第4排氣路徑之切換亦可。
首先，於步驟S11，開放閘閥40設定真空隔絕室20為大氣開放狀態，和大氣開放之同時，必要時開放氣體控制閥25，於真空隔絕室20內以特定流量導入淨化氣體之N2 氣體。如此則，可使真空隔絕室20內成為陽壓，可抑制來自潔淨室內之大氣之進入，可以防止水分或微粒之進入真真空隔絕室20內。又，閘閥30a、30b被關閉。
之後，於步驟S12，由大氣開放狀態關閉閘閥40，關閉真空隔絕室20。
之後，於步驟S13，關閉開/關閥62、64，開放開/關閥63，作動機械式昇壓泵(MBP)60a及乾燥泵(DP)60b，藉由第1排氣路徑進行真空隔絕室20內之排氣。於步驟S13之排氣，係使真空隔絕室20內之壓力例如下降至約79992Pa(600Torr)為止而予以實施。
真空隔絕室20內之壓力下降至約79992Pa(600Torr)之後，例如約3秒後，由步驟S13之狀態關閉開/關閥63，開放開/關閥64，藉由第2排氣路徑進行排氣(步驟 S14)。於步驟S14之排氣，使真空隔絕室20內之壓力例如下降至約53328Pa(400Torr)為止而予以實施。
真空隔絕室20內之壓力下降至約53328Pa(400Torr)之後，例如約5秒後，由步驟S14之狀態再度開放開/關閥63，切換為第3排氣路徑進行排氣(步驟S15)。該步驟S15之排氣，使真空隔絕室20內之壓力例如下降至約26664Pa(200Torr)為止而予以實施。
真空隔絕室20內之壓力下降至約26664Pa(200Torr)之後，例如約1秒後，由步驟S15之狀態關閉開/關閥63、64，僅開放開/關閥62，切換為第4排氣路徑進行高速排氣(步驟S16)。該步驟S15之排氣，使真空隔絕室20內之壓力由約26664Pa(200Torr)下降至特定之高真空狀態為止予以實施。。
如上述說明，於步驟S13~步驟S16，依據真空隔絕室20內之壓力切換第1排氣路徑至第4排氣路徑，則於排氣過程大氣中水分容易霧化的26664Pa(200Torr)附近為止之降壓過程，可由漸進式排氣慢慢提升排氣速度，在水分較難霧化的約26664Pa(200Torr)以下，則轉移為高速排氣，如此則，可以確實除去真空隔絕室20內之水分，可防止水分混入真空處理室10。
之後，進入步驟S16之排氣，在真空隔絕室20內部壓力到達53.328Pa(400mTorr)階段，開放氣體控制閥25以特定流量例如6000~8000mL/min、較好是7000mL/min將N2 氣體導入真空隔絕室20內(步驟S17)。又 ，導入之N2 氣體流量可依真空泵60之排氣能力設定，較好是由空氣與N2 之分壓比設為上述例示之流量。該N2 氣體之淨化，係藉由減壓下將真空隔絕室20內之環境替換為N2 ，而最後除去殘留於真空隔絕室20內之水分。該N2 氣體之淨化，較好是在真空隔絕室20內部壓力到達13.332Pa(100mTorr)為止之間實施特定時間例如約15~30秒，較好是約23秒。
於上述步驟S13~步驟S16之程序切換第1排氣路徑至第4排氣路徑而進行真空隔絕室20內之排氣，而且於步驟S17實施N2 氣體之淨化，如此則，可抑制真空隔絕室20內之水分之霧化與殘留之同時，可將真空隔絕室20內減壓至高真空狀態。因此，在真空隔絕室20內之減壓排氣後，開放閘閥30a、30b，在其與真空處理室10之間收付基板時，可確實防止水分混入真空處理室10。
又，本發明不限定於上述實施形態，可作各種變更實施。
例如上述實施形態中，以處理LCD基板之真空處理裝置為例說明，但並不限定於此，亦可為處理其他之FPD基板或半導體晶圓之真空處理裝置。又，FPD除LCD(液晶顯示裝置)以外，可為LED(發光二極體)、EL(Electro Luminescence(電激發光))顯示裝置、螢光顯示管(Vacuum Fluorescent Display，VFD)、PDP(電漿顯示裝置)等。
又，上述實施形態中，構成為在真空隔絕室20配備3 個流路導通度的排氣管21~23，但亦可配備4個以上。
例如上述實施形態中，以真空處理室10鄰接配置真空預備室20而構成之真空處理裝置100為例說明，但並不限定於此，真空處理室與真空預備室之間，存在配置真空搬送室而構成之真空處理裝置亦適用本發明。
(產業上可利用性)
本發明可用於具備真空處理室與真空預備室之真空處理裝置。
(發明效果)
依本發明，可以盡量減低水分自重複於大氣狀態與真空狀態之真空預備室，混入至真空處理室。
10‧‧‧真空處理室
20‧‧‧真空隔絕室
21、22、23‧‧‧排氣管
24‧‧‧N2 氣體供給管
26‧‧‧N2 氣體供給源
27‧‧‧排氣管
30a、30b、40‧‧‧閘閥
50‧‧‧大氣側搬送機構
60‧‧‧真空泵
70‧‧‧基板搬送裝置
74‧‧‧滑板
74a‧‧‧滑動受取部
80‧‧‧基板收付機構
81、82‧‧‧緩衝板
100‧‧‧真空處理裝置
G‧‧‧基板
圖1為本發明之一實施形態之真空處理裝置之外觀斜視圖。
圖2為圖1之真空處理裝置中之真空預備室與真空處理室之水平斷面圖。
圖3為閘閥開放狀態之概略斷面圖。
圖4為閘閥關閉放狀態之概略斷面圖。
圖5為真空隔絕室之氣體排氣系統與氣體導入系統之概略圖。
圖6為真空隔絕室之排氣順序之流程圖。
10‧‧‧真空處理室
11‧‧‧氣體控制閥
12‧‧‧處理氣體供給部
13‧‧‧處理平台
20‧‧‧真空隔絕室
21：22：23‧‧‧排氣管
24‧‧‧N2 氣體供給管
25‧‧‧氣體控制閥
26‧‧‧N2 氣體供給源
27‧‧‧排氣管
30a：30b：40‧‧‧閘閥
31a：31b‧‧‧閥體
41‧‧‧開口部
42‧‧‧閥體
60‧‧‧真空泵
61~65‧‧‧排氣控制閥
70‧‧‧基板搬送裝置
74‧‧‧滑板
74a‧‧‧滑動受取部
80‧‧‧基板收付機構
81：82‧‧‧緩衝板
95a：95b‧‧‧閥框體
G‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種真空處理裝置，其特徵為具備：真空處理室，於真空中對基板進行處理；真空預備室，在上述基板被搬出入上述真空處理室的過程暫時將其收容，其內部被交替保持於大氣開放狀態與真空狀態；及閘閥，在上述真空處理室與上述真空預備室之間被雙重配備；於上述真空預備室，被並聯連接著藉由使用孔口(orifice)而使流路導通度(flow conductance)被調整為不同的3個以上的排氣管；為防止上述真空預備室之內部之水分之霧化，上述3個以上的排氣管，係藉由選擇1個或2個以上之組合而使上述真空預備室內之排氣速度可以進行階段式切換而構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，具備：第1閘閥，用於開/關形成於上述真空處理室之開口；及第2閘閥，與該第1閘閥鄰接配備，用於開/關形成於和該第1閘閥之間的開口。
  3. 如申請專利範圍第2項之真空處理裝置，其中，上述第1閘閥與上述第2閘閥係同步開/關。
  4. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中， 上述第1閘閥與上述第2閘閥，密封時係自相對高壓之真空預備室側朝向低壓之真空處理室側押壓閥體。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之真空處理裝置，其中，於上述第1閘閥，被連接排氣管用於對閥容器內進行減壓排氣。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之真空處理裝置，其中，於上述真空預備室，被連接淨化氣體供給源用於導入淨化氣體。
  7. 一種真空處理裝置，其特徵為具備：真空處理室，於真空中對基板進行處理；真空預備室，在上述基板被搬出入上述真空處理室的過程暫時將其收容，其內部被交替保持於大氣開放狀態與真空狀態；被並聯連接於上述真空預備室，藉由使用孔口而使流路導通度被調整為不同的3個以上的排氣管；；及排氣手段，連接於上述各排氣管，用於對上述真空預備室內施予真空排氣；上述3個以上的排氣管，為防止上述真空預備室之內部中之水分之霧化，而藉由選擇1個或2個以上之組合可使上述真空預備室內之排氣速度之階段式切換成為可能而構成。
  8. 如申請專利範圍第7項之真空處理裝置，其中， 上述多數排氣管係有3個，上述3個排氣管係具備：第1排氣管；第2排氣管，其之流路導通度大於上述第1排氣管；及第3排氣管，其之流路導通度大於上述第2排氣管。
  9. 一種真空預備室之排氣方法，係使基板被搬出入真空處理室的過程暫時將其收容之同時，內部被交替保持於大氣開放狀態與真空狀態的真空預備室，排氣至上述真空狀態者；其特徵為：為防止上述真空預備室之內部之水分之霧化，係使用被並聯連接於上述真空預備室、藉由使用孔口而使流路導通度被調整成為不同的3個以上的排氣管，藉由選擇1個或2個以上之組合來切換排氣速度，使上述真空預備室內之排氣速度呈階段式變大而進行排氣。
  10. 如申請專利範圍第9項之真空預備室之排氣方法，其中，以上述真空預備室之壓力為基準進行上述排氣速度之切換。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之真空預備室之排氣方法，其中，在上述真空預備室內被減壓為特定壓力之階段，繼續排氣之同時，在該真空預備室內導入特定時間之淨化氣體。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4965358B2 (ja) * 2007-06-25 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5322254B2 (ja) * 2007-06-29 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
JP5005512B2 (ja) * 2007-11-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置および真空処理装置およびゲートバルブ装置における弁体の開放方法。
JP5059583B2 (ja) * 2007-12-26 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
KR200473996Y1 (ko) * 2008-12-22 2014-08-13 주식회사 테스 슬릿밸브
JP5546395B2 (ja) * 2010-09-07 2014-07-09 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
GB2492065A (en) 2011-06-16 2012-12-26 Edwards Ltd Noise reduction of a vacuum pumping system
CN102842637A (zh) * 2011-06-20 2012-12-26 理想能源设备(上海)有限公司 衬底处理装置和衬底处理方法
CN104928645A (zh) * 2015-04-07 2015-09-23 凌嘉科技股份有限公司 双门闸阀装置及具双门闸阀装置的镀膜设备
JP2017112237A (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 株式会社ディスコ 減圧処理装置
TWI840362B (zh) * 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
JP7378357B2 (ja) * 2020-06-17 2023-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法
KR20230001280A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 주식회사 원익아이피에스 챔버내부처리방법 및 기판처리방법
CN116624651A (zh) * 2022-02-10 2023-08-22 长鑫存储技术有限公司 一种气压平衡阀、气压平衡方法以及负载锁定室

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058524A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 金属酸化物誘電体材料の気相成長装置
JP2001291758A (ja) * 2000-11-27 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP3297632B2 (ja) * 1997-09-20 2002-07-02 松下電器産業株式会社 Ｃｄｍａ端末装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2939378B2 (ja) * 1991-11-21 1999-08-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2598353B2 (ja) * 1991-12-04 1997-04-09 アネルバ株式会社 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法
JP3154144B2 (ja) * 1992-09-21 2001-04-09 ソニー株式会社 チャンバー内の圧力変化方法及び圧力変化されるチャンバーを備えた装置
US5738767A (en) * 1994-01-11 1998-04-14 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system for flat panel displays
JPH08335572A (ja) * 1995-06-07 1996-12-17 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US6746196B1 (en) * 1999-01-12 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
US6267545B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
JP2002110560A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2002329763A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Yaskawa Electric Corp 気密室間の連結構造
JP2004087781A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
JP2004119595A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Sharp Corp 真空チャンバーの減圧方法および真空チャンバーの減圧装置
JP2004241566A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4319434B2 (ja) * 2003-03-11 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ及び真空容器
JP2005116854A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Canon Inc ロードロックチャンバー、露光装置、デバイスの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3297632B2 (ja) * 1997-09-20 2002-07-02 松下電器産業株式会社 Ｃｄｍａ端末装置
JP2000058524A (ja) * 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 金属酸化物誘電体材料の気相成長装置
JP2001291758A (ja) * 2000-11-27 2001-10-19 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101441995A (zh) 2009-05-27
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JP2007073541A (ja) 2007-03-22

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