JP5059583B2 - 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 146
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 82
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 24
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 55
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明の第1の実施の形態の真空装置を備えた基板処理システムを例に挙げて説明を行なう。図1は、基板処理システムとしての真空処理システム100を概略的に示す斜視図であり、図2は、各チャンバーの蓋体(図示省略)を開放した状態で内部を概略的に示す平面図である。この真空処理システム100は、複数のプロセスチャンバー1a,1b,1cを有するマルチチャンバー構造をなしている。真空処理システム100は、例えばFPD用のガラス基板(以下、単に「基板」と記す)Sに対してプラズマ処理を行なうためのプラズマ処理システムとして構成されている。なお、FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。
まず、搬送装置15の2枚のフォーク17a,17bを進退駆動させて、未処理基板を収容したカセット11aから基板Sを受け取り、ロードロック室5の上下2段の基板収容部27のバッファ28にそれぞれ載置する。
次に、図6〜図8を参照しながら、本発明の第2の実施の形態に係る圧力制御機構201について説明する。図6は、本実施の形態に係る圧力制御機構201の構成を示している。この圧力制御機構201は、第1の実施の形態の圧力制御機構200と同様に、真空処理システム100に適用可能なものである。従って、ここでは、第1の実施の形態との相違点を中心に説明を行う。図6〜図8中、第1の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
次に、図9および図10を参照しながら、本発明の第3の実施の形態に係る圧力制御機構202a,202bについて説明する。図9および図10は、本実施の形態に係る圧力制御機構202a,202bの構成を示している。この圧力制御機構202a,202bは、第1および第2の実施の形態の圧力制御機構200,201と同様に、真空処理システム100に適用可能なものである。従って、ここでは、第1および第2の実施の形態との相違点を中心に説明を行う。図9および図10中、第1の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
Claims (17)
- ガス供給源から供給される作動用ガスの圧力によって閉方向に駆動され、かつ閉状態が維持されるとともに、前記作動用ガスの供給が停止した場合は開放されるゲートバルブと、前記ゲートバルブによって真空状態に維持される真空室と、を備えた真空装置であって、
前記真空室内へ外部気体を導入するため該真空室の壁に貫通形成された連通孔と、
一端側が前記連通孔に接続され、他端側に真空リーク用ポートが形成された配管と、
前記配管に設置され、前記作動用ガスの供給経路から分岐した供給経路によって供給される第1の制御用ガスによって開閉して前記真空リーク用ポートからの外部気体の導入を切り替える第1の開閉機構と、
を備え、
前記第1の開閉機構は、前記第1の制御用ガスの供給圧力が所定の圧力以下になると開放されて外部気体を前記真空リーク用ポートから前記真空室へ導入させることを特徴とする真空装置。 - 前記真空装置は、前記ガス供給源から前記ゲートバルブに至る前記作動用ガスの供給経路の途中に、さらに逆止弁を備えていることを特徴とする請求項1に記載の真空装置。
- 前記第1の制御用ガスは、前記逆止弁よりも前記ガス供給源に近い位置において前記作動用ガスの供給経路から分岐した供給経路によって供給される、前記作動用ガスと同系統のガスであることを特徴とする請求項2に記載の真空装置。
- 前記真空装置は、前記作動用ガスの供給経路において前記逆止弁よりも前記ゲートバルブに近い位置に、前記作動用ガスを貯留しておくバッファタンクをさらに備えていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の真空装置。
- 前記真空装置は、前記第1の開閉機構の開閉を制御する開閉制御部をさらに備え、
前記開閉制御部は、前記第1の開閉機構への前記第1の制御用ガスの供給または遮断を切り替える第2の開閉機構と、
前記作動用ガスと同系統の第2の制御用ガスで作動して前記第2の開閉機構の切り替えを行なうアクチュエータと、
を備えており、
前記アクチュエータは、前記第2の制御用ガスの供給圧力が所定の圧力以下になると前記第2の開閉機構を切り替えて前記第1の開閉機構への前記第1の制御用ガスの供給を遮断させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の真空装置。 - 前記開閉制御部は、前記アクチュエータと前記第2の開閉機構との間に介在し、付勢力によって前記第2の開閉機構の切り替えのタイミングを調節する付勢部材をさらに備えていることを特徴とする請求項5に記載の真空装置。
- 前記真空リーク用ポートに不活性ガス供給源を接続したことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の真空装置。
- 被処理体に対して真空状態で所定の処理を行う真空処理システムであって、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の真空装置を備えていることを特徴とする真空処理システム。 - 前記真空室は、被処理体に対して所定の処理を行う真空処理室へ被処理体を搬送する真空搬送室であることを特徴とする請求項8に記載の真空処理システム。
- 前記真空室は、真空処理システム内へ被処理体を搬入出するために大気圧開放状態と真空状態とを切り替え可能に構成された真空予備室であることを特徴とする請求項8に記載の真空処理システム。
- 被処理体に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理システムであることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の真空処理システム。
- ガス供給源から供給される作動用ガスの圧力によって閉方向に駆動され、かつ閉状態が維持されるとともに、前記作動用ガスの供給が停止した場合は開放されるゲートバルブと、前記ゲートバルブによって真空状態に維持される真空室と、を備えた真空装置において前記真空室の圧力を制御する真空室の圧力制御方法であって、
前記真空装置は、前記真空室へ外部気体を導入するための連通孔と、
一端側が前記連通孔に接続され、他端側に真空リーク用ポートが形成された配管と、
前記配管に設置され、前記作動用ガスの供給経路から分岐した供給経路によって供給される第1の制御用ガスによって開閉して前記真空リーク用ポートからの外部気体の導入を切り替える第1の開閉機構と、
前記ガス供給源から前記ゲートバルブに至る前記作動用ガスの供給経路の途中に設けられた逆止弁と、
を備えており、
前記真空室を真空にした状態で、前記ガス供給源から供給される作動用ガスの圧力が低下した場合に、前記逆止弁によって前記作動用ガスの逆流を防止しつつ前記第1の開閉機構を開放して前記真空リーク用ポートから前記真空室へ外部気体を導入し、前記真空室の圧力を大気圧に近づけることを特徴とする真空室の圧力制御方法。 - 前記作動用ガスの供給経路において前記逆止弁よりも前記ゲートバルブに近い位置に、前記作動用ガスを貯留しておくバッファタンクを設け、前記作動用ガスを確保することを特徴とする請求項12に記載の真空室の圧力制御方法。
- 前記第1の制御用ガスは、前記逆止弁よりも前記ガス供給源に近い位置において前記作動用ガスの供給経路から分岐した供給経路によって供給される、前記作動用ガスと同系統のガスであり、前記第1の制御用ガスの供給圧力が所定の圧力以下になると、前記第1の開閉機構を開放して外部気体を前記真空リーク用ポートから前記真空室へ導入することを特徴とする請求項12または請求項13に記載の真空室の圧力制御方法。
- 前記真空装置は、前記第1の開閉機構の開閉を制御する開閉制御部をさらに備えており、
前記開閉制御部は、前記第1の開閉機構への前記第1の制御用ガスの供給または遮断を切り替える第2の開閉機構と、
前記作動用ガスと同系統の第2の制御用ガスで作動して前記第2の開閉機構の切り替えを行なうアクチュエータと、
を備えており、
前記第2の制御用ガスの供給圧力が所定の圧力以下になると前記アクチュエータが前記第2の開閉機構を切り替えて前記第1の開閉機構への前記第1の制御用ガスの供給を遮断させ、前記第1の開閉機構を開放して前記真空リーク用ポートから外部気体を前記真空室へ導入することを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の真空室の圧力制御方法。 - 前記アクチュエータと前記第2の開閉機構との間に付勢部材を介在させ、該付勢部材によって前記第2の開閉機構の切り替えのタイミングを調節することを特徴とする請求項15に記載の真空室の圧力制御方法。
- 前記真空リーク用ポートから導入される外部気体が不活性ガスであることを特徴とする請求項12から請求項16のいずれか1項に記載の真空室の圧力制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333439A JP5059583B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
KR1020080133089A KR101033055B1 (ko) | 2007-12-26 | 2008-12-24 | 진공 장치, 진공 처리 시스템 및 진공실의 압력 제어 방법 |
TW97150691A TWI471896B (zh) | 2007-12-26 | 2008-12-25 | Vacuum device, vacuum treatment system and vacuum chamber pressure control method |
CN2008101888363A CN101471241B (zh) | 2007-12-26 | 2008-12-26 | 真空装置、真空处理系统以及真空室的压力控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333439A JP5059583B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009158627A JP2009158627A (ja) | 2009-07-16 |
JP5059583B2 true JP5059583B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=40828574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007333439A Active JP5059583B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 真空装置、真空処理システムおよび真空室の圧力制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5059583B2 (ja) |
KR (1) | KR101033055B1 (ja) |
CN (1) | CN101471241B (ja) |
TW (1) | TWI471896B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4914486B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-04-11 | シーケーディ株式会社 | 電動真空弁による排気速度制御方法、電動真空弁による排気速度制御システム、排気速度制御に用いられる電動真空弁の弁開度設定点決定方法、及び、排気速度制御に用いられる排気速度決定プログラム |
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CN106876304B (zh) * | 2017-02-24 | 2019-09-10 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置 |
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CN109110418A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-01 | 爱发科真空技术(沈阳)有限公司 | 一种压力可控搬送室结构 |
CN110512190B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-02-15 | 上海华力微电子有限公司 | 集成气动阀组的改装机构、气动阀组装置、气相沉积设备 |
CN112768330B (zh) * | 2019-10-21 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种防止反应气体泄露的等离子体处理装置及其方法 |
JP7327425B2 (ja) * | 2021-02-19 | 2023-08-16 | 株式会社ダイフク | 搬送設備 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196150A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-08-06 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | ゲートバルブ |
JPH05243165A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 真空装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP4798981B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法,基板処理装置,基板処理装置の制御を行うプログラム |
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CN100511627C (zh) * | 2006-03-08 | 2009-07-08 | 平田机工株式会社 | 装料口 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007333439A patent/JP5059583B2/ja active Active
-
2008
- 2008-12-24 KR KR1020080133089A patent/KR101033055B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-25 TW TW97150691A patent/TWI471896B/zh active
- 2008-12-26 CN CN2008101888363A patent/CN101471241B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI471896B (zh) | 2015-02-01 |
JP2009158627A (ja) | 2009-07-16 |
CN101471241B (zh) | 2011-07-13 |
CN101471241A (zh) | 2009-07-01 |
TW200945410A (en) | 2009-11-01 |
KR101033055B1 (ko) | 2011-05-06 |
KR20090071436A (ko) | 2009-07-01 |
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