CN106876304B - 一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置,涉及湿法刻蚀技术领域,解决了现有湿法刻蚀设备的腔体的抽换气系统调节能力有限,无法在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下,保证腔体内的压力平衡,从而导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部,对技术人员造成伤害,对环境造成污染的技术问题。该湿法刻蚀排气系统包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,抽换气管道与所述腔体相连,真空罩体与所述抽换气管道相连;抽换气管道通过第一阀控单元与腔体连通,抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。本发明应用于湿法刻蚀。
Description
技术领域
本发明涉及湿法刻蚀技术领域,尤其涉及一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置。
背景技术
目前,在薄膜晶体管液晶显示器的生产过程中,常采用湿法刻蚀工艺在基板上形成特定图案,具体地,将光刻胶覆盖在基板上的部分金属膜层上,然后使未被光刻胶覆盖部分的金属膜层与酸性溶液进行反应,以去除多余的金属膜层。通常上述湿法刻蚀反应是在湿法刻蚀设备的腔体内进行的。
如图1所示,现有的湿法刻蚀设备包括腔体1,以及在腔体1的外侧设置的抽气装置2,以利用抽气装置2将湿法刻蚀反应产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体抽离腔体1,以保证腔体1内的气压稳定。
然而,发明人发现,在使用湿法刻蚀工艺刻蚀基板的过程中,局部过刻现象的严重程度和影响范围均与湿法刻蚀设备的腔体1的抽换气大小成正相关关系,而将抽气装置2的抽换气阀门21完全关闭,可以有效改善局部过刻现象,但若将抽换气阀门21完全关闭,则会使腔体1内的气压持续增大,导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体在气压作用下泄漏到腔体1外部,从而对技术人员造成伤害,对环境造成污染。
发明内容
本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置,用于在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下,保证湿法刻蚀设备的腔体内压力平衡,避免湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部。
为达到上述目的,本发明提供一种湿法刻蚀排气系统,采用如下技术方案:
该湿法刻蚀排气系统包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,所述抽换气管道与所述腔体相连,所述真空罩体与所述抽换气管道相连;
所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通,所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。
与现有技术相比,本发明提供的湿法刻蚀排气系统具有以下有益效果:
在本发明提供的湿法刻蚀排气系统中,不仅包括与湿法刻蚀设备的腔体相连的抽换气管道,还包括罩在腔体的腔门上的真空罩体,该真空罩体与抽换气管道相连,并且抽换气管道不仅通过第一阀控单元与腔体连通、还通过第二阀控单元与真空罩体连通,从而使得在湿法刻蚀过程中,可完全关闭第一阀控单元,以改善湿法刻蚀过程中的局部过刻现象,同时可打开第二阀控单元,通过真空罩体收集从腔体的腔门泄漏出的湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体,并通过抽换气管道及时将挥发性酸性气体以及反应副产物气体排出,从而在保证湿法刻蚀设备的腔体内压力平衡的情况下,避免了湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部,避免了对技术人员造成伤害,保护了环境。
本发明还提供一种湿法刻蚀装置包括上述湿法刻蚀排气系统。
与现有技术相比,本发明提供的湿法刻蚀装置的有益效果与上述湿法刻蚀排气系统的有益相同,故此处不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的湿法刻蚀设备的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的湿法刻蚀设备的结构示意图。
附图标记说明:
1—腔体, 11—腔门, 2—抽气装置,
21—抽换气阀门, 3—抽换气管道, 4—真空罩体,
5—第一阀控单元, 51—第一过滤冷却装置, 52—第一控制阀门,
6—第二阀控单元, 61—第二过滤冷却装置, 62—第二控制阀门,
7—可伸缩软管, 8—大气压鼓风装置, 9—升降架。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种湿法刻蚀排气系统,具体地,如图2所示,该法刻蚀排气系统包括:抽换气管道3和罩在湿法刻蚀设备的腔体1的腔门11上的真空罩体4;其中,抽换气管道3与腔体1相连,真空罩体4与抽换气管道3相连;抽换气管道3通过第一阀控单元5与腔体1连通,抽换气管道3通过第二阀控单元6与真空罩体4连通。
示例性地,在湿法刻蚀过程中,将需要刻蚀的产品放入腔体1中之后,可同时打开第一阀控单元5和第二阀控单元6,通过抽换气管道3将湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体排出,也可将第一阀控单元5关闭,打开第二阀控单元6,通过真空罩体4收集湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体,并通过抽换气管道3将上述气体排出。
在本实施例提供的湿法刻蚀排气系统中,不仅包括与湿法刻蚀设备的腔体1相连的抽换气管道3,还包括罩在腔体1的腔门11上的真空罩体4,该真空罩体与抽换气管道3相连,并且抽换气管道3不仅通过第一阀控单元5与腔体1连通、还通过第二阀控单元6与真空罩体4连通,从而使得在湿法刻蚀过程中,可完全关闭第一阀控单元5,以改善湿法刻蚀过程中的局部过刻现象,同时可打开第二阀控单元6,通过真空罩体4收集从腔体1的腔门11泄漏出的湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体,并通过抽换气管道3及时将挥发性酸性气体以及反应副产物气体排出,从而在保证湿法刻蚀设备的腔体1内压力平衡的情况下,避免了湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部,避免了对技术人员造成伤害,保护了环境。
示例性地,如图2所示,真空罩体4可通过可伸缩软管7与抽换气管道3相连,从而可通过可伸缩软管7调整真空罩体4的位置,使真空罩体4完全罩住腔门11。
示例性地,如图2所示,上述第一阀控单元5和第二阀控单元6沿气体排出方向依次安装在抽换气管道3上,其中,第一阀控单元5包括沿气体排出方向依次安装在抽换气管道3上的第一过滤冷却装置51和第一控制阀门52,第二阀控单元6包括沿气体排出方向依次安装在抽换气管道3上的第二过滤冷却装置61和第二控制阀门62,以使得需要排出的气体均可先通过过滤冷却之后,再通过抽换气管道3排出。
示例性地,如图1所示,该湿法刻蚀排气系统还包括设置在真空罩体4外,且与真空罩体4相连的大气压鼓风装置8,从而可以通过大气压鼓风装置8,平衡真空罩体4内的气压大小,避免因真空罩体4处于持续抽真空状态而形成局部负压,进而对腔体1与外部的气压平衡造成影响的情况发生。具体地,该大气压鼓风装置8可以是对真空罩体2充大气的管路或鼓风机等,本领域技术人员可根据实际情况进行选择,本发明实施例对此不进行限定。
示例性地,还可在真空罩体与腔体的接触位置设置密封圈,以进一步加强该湿法刻蚀排气系统的密封性,从而有效避免湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到环境中。
此外,如图1所示,上述湿法刻蚀排气系统还可包括用于控制真空罩体4升降的升降架9,升降架9与真空罩体4相连,通过升降架9可便于升降真空罩体4,以使得在湿法刻蚀设备需要调试以及维护时,便于工作人员操作。
需要补充的是,由于湿法刻蚀过程中产生的气体中含有挥发性酸性气体,因此优选使用耐酸性材质的真空罩体,例如PVC等耐酸性材质,从而可以使得该真空罩体不易被腐蚀,使用寿命更长。
类似地,上述连接真空罩体与抽换气管道的可伸缩软管也优先选用耐酸性材质的可伸缩软管,从而使得该可伸缩软管也不易被腐蚀,使用寿命更长。
本发明实施例还提供一种湿法刻蚀装置,该湿法刻蚀装置包括上述湿法刻蚀排气系统,对于该湿法刻蚀装置的其他结构,本领域技术人员可参照现有的湿法刻蚀装置,本发明实施例对此不进行限定。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种湿法刻蚀排气系统,其特征在于,包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,所述抽换气管道与所述腔体相连,所述真空罩体与所述抽换气管道相连;
所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通,所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通;
所述真空罩体与所述腔体的接触位置还设置有密封圈。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述湿法刻蚀排气系统还包括设置在所述真空罩体外,且与所述真空罩体相连的大气压鼓风装置。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述湿法刻蚀排气系统还包括用于控制所述真空罩体升降的升降架,所述升降架与所述真空罩体相连。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述真空罩体的材质为耐酸性材质。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述第一阀控单元和所述第二阀控单元沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上。
6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述第一阀控单元包括沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上的第一过滤冷却装置和第一控制阀门。
7.根据权利要求5所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述第二阀控单元包括沿气体排出方向依次安装在所述抽换气管道上的第二过滤冷却装置和第二控制阀门。
8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述真空罩体通过可伸缩软管与所述抽换气管道相连。
9.一种湿法刻蚀装置,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的湿法刻蚀排气系统。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1494115A (zh) * | 2002-10-30 | 2004-05-05 | 矽统科技股份有限公司 | 湿蚀刻装置 |
CN101471241A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 东京毅力科创株式会社 | 真空装置、真空处理系统以及真空室的压力控制方法 |
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