JPH05243165A - 真空装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
真空装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05243165A JPH05243165A JP4507692A JP4507692A JPH05243165A JP H05243165 A JPH05243165 A JP H05243165A JP 4507692 A JP4507692 A JP 4507692A JP 4507692 A JP4507692 A JP 4507692A JP H05243165 A JPH05243165 A JP H05243165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust pipe
- vacuum
- vacuum chamber
- chamber
- fins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空装置及び半導体装置の製造方法に関し，
真空チャンバ内が排気管内の異物で汚染されないように
することを目的とする。 【構成】 真空チャンバ１と，真空チャンバ１に接続す
る排気管２を有し，排気管２は内壁にフィン21を有する
真空装置により構成する。また，上記の真空装置を使用
し，真空チャンバ１内に基板３を配置し, 排気する工程
を有する半導体装置の製造方法により構成する。
真空チャンバ内が排気管内の異物で汚染されないように
することを目的とする。 【構成】 真空チャンバ１と，真空チャンバ１に接続す
る排気管２を有し，排気管２は内壁にフィン21を有する
真空装置により構成する。また，上記の真空装置を使用
し，真空チャンバ１内に基板３を配置し, 排気する工程
を有する半導体装置の製造方法により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空装置及び半導体装置
の製造方法に関する。近年，半導体装置製造用真空装置
には，特にクリーン化に対して厳しい要求がなされてい
る。例えば，１６Ｍビットチップを製造するレチクル・
マスクにあっては表面に 0.5μｍ程度のゴミ一つも許容
されない。
の製造方法に関する。近年，半導体装置製造用真空装置
には，特にクリーン化に対して厳しい要求がなされてい
る。例えば，１６Ｍビットチップを製造するレチクル・
マスクにあっては表面に 0.5μｍ程度のゴミ一つも許容
されない。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では種々の処理に
真空装置が使用されるが，真空チャンバは使用回数が増
すにつれてその内壁に付着する異物が増え，特に，真空
排気管には反応生成物や装置の錆などの異物が堆積しや
すい。真空排気管に堆積する異物による真空チャンバ内
の汚染は，真空チャンバの急激な圧力変化により起こる
ことが多い。
真空装置が使用されるが，真空チャンバは使用回数が増
すにつれてその内壁に付着する異物が増え，特に，真空
排気管には反応生成物や装置の錆などの異物が堆積しや
すい。真空排気管に堆積する異物による真空チャンバ内
の汚染は，真空チャンバの急激な圧力変化により起こる
ことが多い。
【０００３】図６(a) 〜(d) は真空チャンバ内の汚染を
説明する図であり，１は真空チャンバ，1aは真空排気
管，６はベントバルブ，７はメインバルブ，13はゲート
板,13a はＯリングを表す。以下，これらの図を参照し
ながら説明する。
説明する図であり，１は真空チャンバ，1aは真空排気
管，６はベントバルブ，７はメインバルブ，13はゲート
板,13a はＯリングを表す。以下，これらの図を参照し
ながら説明する。
【０００４】図６(a) 参照 真空チャンバ１内が陽圧の状態でゲートを開いた時の真
空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模式的に示
している。真空排気管1a内の異物は真空チャンバ１内に
引き込まれて舞い上がる。その結果，真空チャンバ１内
に配置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染
する。
空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模式的に示
している。真空排気管1a内の異物は真空チャンバ１内に
引き込まれて舞い上がる。その結果，真空チャンバ１内
に配置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染
する。
【０００５】図６(b) 参照 真空チャンバ１内が陰圧の状態でゲートを開いた時の真
空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模式的に示
している。ゲートから真空チャンバ１内に引き込まれた
気流により真空排気管1a内の異物は舞い上がり，一部が
真空チャンバ１内に入り込む。その結果，真空チャンバ
１内に配置されている例えば半導体基板（図示せず）を
汚染する。
空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模式的に示
している。ゲートから真空チャンバ１内に引き込まれた
気流により真空排気管1a内の異物は舞い上がり，一部が
真空チャンバ１内に入り込む。その結果，真空チャンバ
１内に配置されている例えば半導体基板（図示せず）を
汚染する。
【０００６】図６(c) 参照 真空チャンバ１内が陽圧の状態でベントバルブ６を開い
た時の真空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模
式的に示している。真空排気管1a内の異物は真空チャン
バ１内からの気流に押されて舞い上がり，一部が真空チ
ャンバ１内に入り込む。その結果，真空チャンバ１内に
配置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染す
る。
た時の真空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模
式的に示している。真空排気管1a内の異物は真空チャン
バ１内からの気流に押されて舞い上がり，一部が真空チ
ャンバ１内に入り込む。その結果，真空チャンバ１内に
配置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染す
る。
【０００７】図６(d) 参照 真空チャンバ１内が陰圧の状態でベントバルブ６を開い
た時の真空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模
式的に示している。ベントバルブ６から引き込まれた気
流により真空排気管1a内の異物は舞い上がり，真空チャ
ンバ１内に流れ込む。その結果，真空チャンバ１内に配
置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染す
る。
た時の真空チャンバ１内及び真空排気管1a内の気流を模
式的に示している。ベントバルブ６から引き込まれた気
流により真空排気管1a内の異物は舞い上がり，真空チャ
ンバ１内に流れ込む。その結果，真空チャンバ１内に配
置されている例えば半導体基板（図示せず）を汚染す
る。
【０００８】従来，真空排気管1a内の異物が真空チャン
バ１内に入り込まないようにする対策として，ゆっくり
真空引きし，ゆっくりリークさせることが行われている
が，必ずしもそれだけでは十分でない。
バ１内に入り込まないようにする対策として，ゆっくり
真空引きし，ゆっくりリークさせることが行われている
が，必ずしもそれだけでは十分でない。
【０００９】さらに，不意の停電事故等により装置の運
転が止まった場合，安全装置が作動してガス導入バルブ
（図示せず）から不活性気体が供給され，真空チャンバ
１内を常圧に戻すことも行われるが，このような場合は
バックストリームによる真空チャンバ１内の圧力変化は
急激であり，真空排気管1a内の異物が真空チャンバ１内
に舞い上がって真空チャンバ１内を汚染する。
転が止まった場合，安全装置が作動してガス導入バルブ
（図示せず）から不活性気体が供給され，真空チャンバ
１内を常圧に戻すことも行われるが，このような場合は
バックストリームによる真空チャンバ１内の圧力変化は
急激であり，真空排気管1a内の異物が真空チャンバ１内
に舞い上がって真空チャンバ１内を汚染する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，たとえ真空排気管1a内の異物があったとしても，
それが真空チャンバ１内に入り込むのを防ぐようにした
真空装置を提供することを目的とする。また，そのよう
な真空装置を使用する半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
鑑み，たとえ真空排気管1a内の異物があったとしても，
それが真空チャンバ１内に入り込むのを防ぐようにした
真空装置を提供することを目的とする。また，そのよう
な真空装置を使用する半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は実施例を説明する
ための図，図２はフィン付き排気管の斜視図，図３(a),
(b)はフィン付き排気管の断面図，図４はフィン付き排
気管の他の例を示す断面図である。
ための図，図２はフィン付き排気管の斜視図，図３(a),
(b)はフィン付き排気管の断面図，図４はフィン付き排
気管の他の例を示す断面図である。
【００１２】上記課題は，真空チャンバ１と，該真空チ
ャンバ１に接続する排気管２を有し，該排気管２は内壁
にフィン21〜24を有する真空装置によって解決される。
また，前記の真空装置を使用し，該真空チャンバ１内に
基板３を配置し, 排気する工程を有する半導体装置の製
造方法によって解決される。
ャンバ１に接続する排気管２を有し，該排気管２は内壁
にフィン21〜24を有する真空装置によって解決される。
また，前記の真空装置を使用し，該真空チャンバ１内に
基板３を配置し, 排気する工程を有する半導体装置の製
造方法によって解決される。
【００１３】
【作用】図５(a), (b)はフィン付き排気管の作用を説明
するための図である。図５(a) は真空排気管の内壁に直
角にフィン21が配置されたフィン付き排気管を示す。例
えば左側からこのフィン付き排気管に入る気流は，その
一部がフィン21によって堰き止められ，巻き込みを生じ
る。フィン付き排気管内の異物はそこで巻き上がるが，
フィン21によって堰き止められ，次段には進みにくい。
フィン21を次々に通りフィン付き排気管２の右側に出て
きた気流は勢力が弱められており，フィン付き排気管２
内の異物を真空チャンバ１内に持ち込まない。
するための図である。図５(a) は真空排気管の内壁に直
角にフィン21が配置されたフィン付き排気管を示す。例
えば左側からこのフィン付き排気管に入る気流は，その
一部がフィン21によって堰き止められ，巻き込みを生じ
る。フィン付き排気管内の異物はそこで巻き上がるが，
フィン21によって堰き止められ，次段には進みにくい。
フィン21を次々に通りフィン付き排気管２の右側に出て
きた気流は勢力が弱められており，フィン付き排気管２
内の異物を真空チャンバ１内に持ち込まない。
【００１４】図５(b) は真空排気管の内壁に直角からず
れたある角度をもってフィン22が配置されたフィン付き
排気管２を示す。これは左側からこのフィン付き排気管
に入る気流が，フィン22によって堰き止められて巻き込
みを生じる効果を図５(a) に示したフィン付き排気管よ
りも大きくしたものである。
れたある角度をもってフィン22が配置されたフィン付き
排気管２を示す。これは左側からこのフィン付き排気管
に入る気流が，フィン22によって堰き止められて巻き込
みを生じる効果を図５(a) に示したフィン付き排気管よ
りも大きくしたものである。
【００１５】このように真空チャンバ１に接続する排気
管を内壁にフィンのついたフィン付き排気管２とするこ
とにより，真空排気管内の異物が真空チャンバ１内に入
り込むのを防ぐことができる。
管を内壁にフィンのついたフィン付き排気管２とするこ
とにより，真空排気管内の異物が真空チャンバ１内に入
り込むのを防ぐことができる。
【００１６】また，このような真空装置を使用し，真空
チャンバ１内に基板３を配置し, 排気するようにすれ
ば，基板が真空排気管内の異物により汚染されることが
ないから，信頼性の高い半導体装置やレチクル・マスク
を製造することができる。
チャンバ１内に基板３を配置し, 排気するようにすれ
ば，基板が真空排気管内の異物により汚染されることが
ないから，信頼性の高い半導体装置やレチクル・マスク
を製造することができる。
【００１７】
【実施例】図１は実施例を説明するための図であり，１
は処理室で真空チャンバ，1aは真空排気管, ２はフィン
付き排気管，３は基板，４は基板搭載台，5aはＯリン
グ，5bはチェーンブロック，６はベントバルブ，７はメ
インバルブ，８はガス導入バルブ，９は電極，10はＲＦ
電源，11は入り口，12は出口を表す。
は処理室で真空チャンバ，1aは真空排気管, ２はフィン
付き排気管，３は基板，４は基板搭載台，5aはＯリン
グ，5bはチェーンブロック，６はベントバルブ，７はメ
インバルブ，８はガス導入バルブ，９は電極，10はＲＦ
電源，11は入り口，12は出口を表す。
【００１８】この実施例は半導体基板のドライエッチン
グに本発明を適用する例を示す。１は処理室で真空チャ
ンバであり，一部に真空排気するための真空排気管1aが
形成されている。２はフィン付き排気管で真空排気管1a
に接続する。フィン付き排気管２は例えばＯリング5a,
チェーンブロック5bにより真空排気管1aに接続され，真
空が破れないようにする。
グに本発明を適用する例を示す。１は処理室で真空チャ
ンバであり，一部に真空排気するための真空排気管1aが
形成されている。２はフィン付き排気管で真空排気管1a
に接続する。フィン付き排気管２は例えばＯリング5a,
チェーンブロック5bにより真空排気管1aに接続され，真
空が破れないようにする。
【００１９】図２はフィン付き排気管の斜視図，図３
(a), (b)はフィン付き排気管の断面図である。フィン付
き排気管２の内壁には複数のフィンが内壁に直角をなす
ようにフィン21が形成されている。または直角から一方
向にずれた角度をなすようにフィン22が形成されてい
る。
(a), (b)はフィン付き排気管の断面図である。フィン付
き排気管２の内壁には複数のフィンが内壁に直角をなす
ようにフィン21が形成されている。または直角から一方
向にずれた角度をなすようにフィン22が形成されてい
る。
【００２０】基板３は例えばＳｉ基板で，素子を形成中
のものであり，基板搭載台４に搭載されている。電源９
及びＲＦ電源10はドライエッチングを行うプラズマ発生
のためのものである。
のものであり，基板搭載台４に搭載されている。電源９
及びＲＦ電源10はドライエッチングを行うプラズマ発生
のためのものである。
【００２１】処理室１を真空に排気した後，入り口11か
らＳｉ基板３を処理室１内に導入し，基板搭載台４に配
置する。入り口11の左には図示しないが真空に排気され
た前室があり，そこにまずＳｉ基板３を配置した後，真
空を破らずにＳｉ基板３が入り口11から処理室１内に搬
送される。
らＳｉ基板３を処理室１内に導入し，基板搭載台４に配
置する。入り口11の左には図示しないが真空に排気され
た前室があり，そこにまずＳｉ基板３を配置した後，真
空を破らずにＳｉ基板３が入り口11から処理室１内に搬
送される。
【００２２】ガス導入バルブ８からドライエッチング用
のガスを処理室１内に導入し，ＲＦ電源10及び電極10に
ＲＦパワーを供給してドライエッチングを行う。ドライ
エッチング終了後，Ｓｉ基板３を出口12から取り出す。
出口12の右には図示しないが真空に排気された後室があ
り，Ｓｉ基板３は真空を破らずに出口12から後室に搬送
される。
のガスを処理室１内に導入し，ＲＦ電源10及び電極10に
ＲＦパワーを供給してドライエッチングを行う。ドライ
エッチング終了後，Ｓｉ基板３を出口12から取り出す。
出口12の右には図示しないが真空に排気された後室があ
り，Ｓｉ基板３は真空を破らずに出口12から後室に搬送
される。
【００２３】真空チャンバ１の真空排気管1aに接続する
フィン付き排気管２の内壁に形成されたフィン21の作用
により, 真空引きするとき，フィン付き排気管内にある
異物は真空チャンバ１内に舞い込むことが防止される。
フィン付き排気管２の内壁に形成されたフィン21の作用
により, 真空引きするとき，フィン付き排気管内にある
異物は真空チャンバ１内に舞い込むことが防止される。
【００２４】また，停電のような不意の事故により，バ
ックストリームが真空チャンバ１内に導入される時，フ
ィン付き排気管２内にある異物は真空チャンバ１内に舞
い込むことが軽減される。
ックストリームが真空チャンバ１内に導入される時，フ
ィン付き排気管２内にある異物は真空チャンバ１内に舞
い込むことが軽減される。
【００２５】フィンが排気管の内壁の面となす角度は，
気流の方向に応じて変えるようにしてもよい。例えば図
５(b) に示したように，気流がフィンに沿って斜めに進
み，フィン付き排気管２の内壁に突き当たるように傾斜
したフィン22を形成するのは，気流の巻き込みが大き
く，フィン付き排気管２内の異物を真空チャンバ１内に
持ち込まなくする効果が大きい。
気流の方向に応じて変えるようにしてもよい。例えば図
５(b) に示したように，気流がフィンに沿って斜めに進
み，フィン付き排気管２の内壁に突き当たるように傾斜
したフィン22を形成するのは，気流の巻き込みが大き
く，フィン付き排気管２内の異物を真空チャンバ１内に
持ち込まなくする効果が大きい。
【００２６】図４はフィン付き排気管の他の例を示す断
面図である。この例は，フィン付き排気管２内に入る気
流について，右側から入るものに対して巻き込みが大き
くなるように角度のついたフィン23と，左側から入るも
のに対して巻き込みが大きくなるように角度のついたフ
ィン24とを同時に備えるようにしたものである。
面図である。この例は，フィン付き排気管２内に入る気
流について，右側から入るものに対して巻き込みが大き
くなるように角度のついたフィン23と，左側から入るも
のに対して巻き込みが大きくなるように角度のついたフ
ィン24とを同時に備えるようにしたものである。
【００２７】また，真空チャンバ１の一部に形成されて
いる真空排気管1aの内壁にフィンを設けるようにするこ
ともできる。さらに，処理室１の前室及び後室となる真
空チャンバに接続するフィン付き排気管を設けることも
効果がある。
いる真空排気管1aの内壁にフィンを設けるようにするこ
ともできる。さらに，処理室１の前室及び後室となる真
空チャンバに接続するフィン付き排気管を設けることも
効果がある。
【００２８】上記の例は半導体基板のドライエッチング
を例として説明したが，本発明はそれに限らず，真空装
置を使用する工程に適用することができる。例えば，レ
チクル基板の処理や，液晶パネルのガラス基板の処理等
にも適用できる。
を例として説明したが，本発明はそれに限らず，真空装
置を使用する工程に適用することができる。例えば，レ
チクル基板の処理や，液晶パネルのガラス基板の処理等
にも適用できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
真空チャンバ内の圧力の急激な変化に対して，真空排気
管から異物が真空チャンバ内に持ち込まれることを防止
することができる。本発明は真空装置を使用する処理一
般に適用することができ，特に半導体装置の微細化をす
すめる上で，効果が大きい。
真空チャンバ内の圧力の急激な変化に対して，真空排気
管から異物が真空チャンバ内に持ち込まれることを防止
することができる。本発明は真空装置を使用する処理一
般に適用することができ，特に半導体装置の微細化をす
すめる上で，効果が大きい。
【図１】実施例を説明するための図である。
【図２】フィン付き排気管の斜視図である。
【図３】(a), (b)はフィン付き排気管の断面図である。
【図４】フィン付き排気管の他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】(a), (b)はフィン付き排気管の作用を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】(a) 〜(d) は真空チャンバ内の汚染を説明する
ための図である。
ための図である。
１は処理室であって真空チャンバ 1aは真空排気管 ２はフィン付き排気管 ３は基板であってＳｉ基板 ４は基板搭載台 5aはＯリング 5bはチェーンブロック ６はベントバルブ ７はメインバルブ ８はガス導入バルブ ９は電極 10はＲＦ電源 11は入り口 12は出口 13はゲート板 13a はＯリング 21〜24はフィン
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバ(1) と，該真空チャンバ
(1) に接続する排気管(2) を有し，該排気管(2) は内壁
にフィン(21 〜24) を有することを特徴とする真空装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の真空装置を使用し，該真
空チャンバ(1) 内に基板(3) を配置し, 排気する工程を
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4507692A JPH05243165A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 真空装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4507692A JPH05243165A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 真空装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243165A true JPH05243165A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12709249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4507692A Withdrawn JPH05243165A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 真空装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101033055B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2011-05-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 장치, 진공 처리 시스템 및 진공실의 압력 제어 방법 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4507692A patent/JPH05243165A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101033055B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2011-05-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 장치, 진공 처리 시스템 및 진공실의 압력 제어 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4631250A (en) | Process for removing covering film and apparatus therefor | |
| KR100375080B1 (ko) | 기판주변의 불필요물 제거 방법 및 장치와 이를이용한도포방법 | |
| KR100702844B1 (ko) | 로드락 챔버 및 그를 이용한 반도체 제조설비 | |
| US4442338A (en) | Plasma etching apparatus | |
| EP1162650A2 (en) | Apparatus for surface conditioning | |
| US20020096195A1 (en) | Method and apparatus for critical flow particle removal | |
| KR960002601A (ko) | 반도체장치의 제조방법, 반도체기판의 처리방법, 분석방법 및 제조방법 | |
| KR930020603A (ko) | 드라이 에칭 방법 및 장치 | |
| US7208326B2 (en) | Edge protection process for semiconductor device fabrication | |
| JPH05243165A (ja) | 真空装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4116149B2 (ja) | 枚葉式ロードロック装置 | |
| JP3515176B2 (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
| KR20020047112A (ko) | 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소시키기 위한 방법 및장치 | |
| JPH02187025A (ja) | エッチング方法及びｘ線リソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JPS5830134A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP4337589B2 (ja) | 半導体ウェハの表面処理装置 | |
| KR101821526B1 (ko) | 배기 장치 | |
| US6273962B1 (en) | Method to reduce the particles in load-lock chamber | |
| JPS6067664A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH08276163A (ja) | 板状試料表面の処理方法 | |
| JPH0691053B2 (ja) | 半導体ウエハの処理装置 | |
| JPH07122503A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3330695B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS5878429A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JP2924191B2 (ja) | 半導体基板エッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |