KR20020047112A - 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소시키기 위한 방법 및장치 - Google Patents

Abstract

반도체 웨이퍼를 집적 회로(IC)로 처리하기 위한 라인에는 웨이퍼가 처리 라인으로 전송되기 전에 웨이퍼로부터 잔류 오염물을 퍼지하는데 도움이 되는 입력-출력(I-O) 챔버가 제공되어 있다. 반도체 웨이퍼를 함유하는 카세트가 챔버의 상부로 분산되어진 후, 라인과 대기로부터 밀봉된다. 그리고 나서 질소와 같은 건조 불활성 가스는 비산 입자, 습기 및 유기질 기체와 같은 오염물을 변위하고 소제하기 위해서 웨이퍼 둘레에 커버링 블랭킷을 형성하도록 챔버의 상부로 분산된다. 퍼지 가스가 흐르면서, 가스와 잔류 오염물은 중간 압력 레벨이 도달될 때 까지 상당히 느린 속도로 챔버의 바닥으로부터 배기되며, 중간 압력 레벨에서는 잔류 습기 및 기체로부터 액체의 방울이 더 이상 응축될 수 없다. 그 다음에, 퍼지 가스의 유동은 중단되고 챔버내의 압력은 베이스 작동 값(예 토르의 분율)까지 상당히 빨리 감소되어지며, 그후에, 웨이퍼는 IC로 처리하기 위한 라인으로 전송될 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소시키기 위한 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS TO REDUCE CONTAMINANTS FROM SEMICONDUCTOR WAFERS}

현재의 집적회로(ICs)는 제곱센치미터의 칩 영역당 수 백만개의 디바이스(예를 들어, 메모리 셀)를 가진다. 상기 디바이스 자체는 마이크론 보다 상당히 작은 라인폭과 기타 표면 치수를 가질 수 있다. 그 결과로, 디바이스의 제조 중에 다양한 처리단계 이전 및 이들 단계 사이에 집적 회로로부터 오염물의 제거 및 세정이 이전 보다 훨씬 더 중요해졌다.

먼지, 연기, (보조 기구없이는 너무 작아 보이지 않는)비산 미립자, 및 습기와 유기질 기체와 같은 오염원들은 제조중에 집적회로에 매우 유해하다. 따라서, 반도체 제조공장에서는 정교한 공기 여과시스템을 갖추고 있으며 외과 수술실보다 더 청정한 상태로 세정하고 있다. 반도체 제조 공장에서 근무하는 작업자나 기술자들은 안면을 포함한 모든 신체와 몇몇의 경우에는 자체 호흡장비까지 갖추고 근무해야 할 필요가 있다. 이러한 반도체 웨이퍼의 오염물들은 반도체 웨이퍼를 하나의 제조공정 단위에서 다른 제조공정 단위로 이동하는 도중에 그 반도체 웨이퍼를 사람이 처리해야 하는 경우에 그러한 제조공정 사이에, 또는 특히 제조공정 이전에 계속적으로 문제시된다. 이는 집적회로 디바이스의 밀도가 증가됨으로써 디바이스의 크기가 너무 작아지는 경우에 특히 그러하다. 본 발명은 반도체 웨이퍼를 집적회로로 제조하는 과정에 있어서 반도체 웨이퍼의 오염을 더욱 더 줄이고자 하는 것이다.

본 발명은 비산 입자, 습기와 같은 오염물을 집적회로와의 조립 이전에 반도체 웨이퍼로부터 정화 및 세정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따라 제공된 입력-출력 챔버를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 집적회로로 처리하기 위한 장치의 일부가 절개된 개략도이고,

도 2는 도 1의 장치의 전면부와 본 발명에 따라 제공되는 입력-출력 챔버의 관련 가스 공급부와 펌프의 개략도이다.

본 발명의 하나의 양태에 따라, 반도체 처리 장치에는 원할 때마다 장치의 나머지가 밀봉될 수 있는 입력-출력(I-O) 챔버가 제공된다. I-O 챔버는 장치에 의하여 제공된 스테이션 또는 스테이션들에서 처리를 위한 반도체 웨이퍼를 포함하는 카세트 또는 카세트들을 작동자가 삽입하는 것을 허용하도록 용이하게 개방된다. 반도체 웨이퍼를 포함하는 카세트가 I-O 챔버에 배치된 후, I-O 챔버는 밀폐적으로 밀봉되어 본 발명에 따라 이벤트의 후속적인 순서가 수행된다. 질소와 같은 건조 불활성 퍼지 가스가 카세트 및 반도체 웨이퍼에 매우 근접되어 있는 확산기를 통하여 상기 챔버의 상부 근처의 챔버로 유동된다. 가스는 웨이퍼 둘레 및 웨이퍼 상으로 흐르는 커버링 블랭킷을 형성하여 존재할 수 있는 잔류 오염물을 제거하도록 한다. 소정의 포획된 오염물을 구비한 퍼지 가스는 상대적으로 낮은 속도로 챔버에서 초기단계동안 배기된다. 이러한 초기 가스 유동 및 가스 압력의 저속 펌프 다운(pump down) 동안, 미립자, 습기(예를 들면, 대기 습기로부터), 잔류 유기질 기체(예를 들면, 종전의 처리 단계로부터) 등이 웨이퍼로부터 제거되어 감소된다. 가스가 챔버내로 유입되는 동안, 가스 압력이 챔버내의 예비 결정된 중간 값으로감소되는데, 이러한 예비 결정된 중간 값 아래에서는 챔버내에 남아 있는 대기 습기가 웨이퍼상에서 더 이상 응축되지 않는다. 이러한 중간 압력에 도달하였을 때(예를 들면, 통상적으로 약 1분에서) 유입 가스는 턴 오프되고 챔버내의 압력이 그때 진공 베이스 압력(예를 들면 토르(Torr)의 분율(fraction))으로 신속히 감소된다. 진공 베이스 압력에 도달하자 마자(예를 들면, 약 2분 후 또는 고속 펌프 가스 배기가 보다 적은) I-O 챔버는 반도체 웨이퍼의 처리를 허용하기 위해 나머지 장치로 개방될 수 있다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 집적 회로의 제조 중에 반도체 웨이퍼로부터 잔류 오염물의 정화를 돕는 방법이 제공된다. 상기 방법은 하나 이상의 웨이퍼를 입력-출력(I-O) 챔버 내에 장착시키는 단계, 상기 챔버를 밀봉시키는 단계, 웨이퍼로부터 오염물을 제거하는 것을 돕도록 웨이퍼 위와 둘레에 유동하는 퍼지 가스의 커버링 블랭킷(covering blanket)을 형성하기 위해 챔버 내에서 웨이퍼에 근접하게 건조 불활성 퍼지 가스를 유동시키는 단계, 웨이퍼로부터 챔버 밖으로 퍼지 가스 및 잔류 오염물을 배기시키는 단계, 챔버 내의 압력을 중간 압력 레벨로 상당히 느리게 감소시키는 단계, 및 웨이퍼의 집적 회로의 제조 단계를 진행하도록 챔버 내의 가스 압력을 낮은 베이스 값으로 상당히 빨리 감소시키는 단계를 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 처리 라인에서 반도체 웨이퍼를 집적 회로로 처리하는 것을 돕는 장치가 제공된다.

상기 장치는 웨이퍼가 라인에서 처리되기 전에 웨이퍼의 오염을 제거하는 것을 돕기 위한 처리 라인에 인접한 입력-출력(I-O) 챔버, 미세한 외부 입자, 대기의습기, 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물의 정화를 돕도록 웨이퍼 위와 둘레에 가스 블랭킷을 형성하도록 건조 불활성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 웨이퍼로부터의 퍼지 가스, 잔류 습기 및 정화된 오염물을 펌핑하기 위한 펌프를 포함하며, I-O 챔버는 챔버가 대기에 개방되고 그 후 반도체 웨이퍼가 연속 처리를 위해 챔버 내에 위치되도록 밀폐될 수 있게 처리 라인으로부터 밀봉되며, 상기 펌프는 퍼지 가스 및 오염물을 상당히 느리게 배기시키고 챔버 내의 압력을 중간 레벨로 감소시키기 위해 초기에 제어되며, 가스 공급부는 중간 압력 레벨에 도달할 때 턴 오프되며, 그 후 펌프는 I-O 챔버가 웨이퍼의 처리를 위해 처리 라인에 개방될 수 있는 베이스 레벨의 압력으로 챔버 내의 가스를 상당히 빠르게 배기시킨다.

본 발명의 제 1 장치 양태에서 보면, 본 발명은 I-O 챔버, 가스 공급 라인과 펌프를 포함하는 장치에 관한 것이다. 입력-출력(I-O) 챔버는 밀폐적으로 밀봉가능함으로써 챔버는 대기에 개방되고 이후에 밀폐될 수 있다. 가스 공급 라인은 소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 제거하기 위해서 챔버내의 하나 이상의 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 가스 블랭킷을 형성하도록 건조 불활성 가스를 공급한다. 펌프는 하나 이상의 반도체 웨이퍼로부터의 정화 오염물, 약간의 잔류 습기 및 퍼지 가스를 펌프한다. 펌프는 초기 기간 동안 퍼지 가스와 오염물을 상당히 느리게 배기하고 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨까지 감소하도록 제어된다. 가스 공급 라인에 공급된 가스는 중간 압력 레벨이 도착할 때 턴 오프된다. 그런 후, 펌프는 챔버내의 가스를 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 빠르게 배기한다.

본 발명의 제 2 장치 양태에서 보면, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 집적 회로(IC)로 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 처리 라인, 입력-출력(I-O) 챔버, 건조 불활성 가스를 챔버로 공급하기 위한 가스 공급 라인과, 챔버내의 확산기, 펌프와 제어 회로를 포함한다. 입력-출력(I-O) 챔버는 반도체 웨이퍼가 라인내에서 처리되기 전, 반도체 웨이퍼의 오염물을 감소하기 위한 처리 라인에 인접해 있고 라인으로부터 밀폐적으로 밀봉가능하므로, 챔버는 대기에 개방될 수 있어 라인내에서 처리되어질 반도체 웨이퍼의 챔버로 반도체 웨이퍼를 놓도록 허용한다. 확산기는 소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 정화하는데 도움을 주기 위해서 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 블랭킷으로서 퍼지 가스를 분산한다. 펌프는 반도체 웨이퍼로부터 떨어진 잔류 오염물 및 퍼지 가스를 펌프한다. 제어 회로는 가스 공급 라인에 결합된 가스 공급부를 턴 온해서 펌프를 초기 기간 동안 저속 펌프 모드로 설정하고 제 2기간 동안 고속 펌프 모드로 설정하므로, 제 2기간의 종료부에서 반도체 웨이퍼는 처리 라인으로의 전송을 준비한다.

본 발명의 제 3 장치 양태에서 보면, 본 발명은 입력-출력(I-O) 챔버, 가스 공급 수단과 펌프 수단을 포함하는 장치에 관한 것이다. 입력-출력(I-O) 챔버는 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 수용한다. 챔버는 밀폐적으로 밀봉가능하므로 챔버는 대기에 개방되고 그 후에 밀폐될 수 있다. 가스 공급 수단은 소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 제거하기 위해서 하나 이상의 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 블랭킷을 형성하도록 퍼지 가스를 공급한다. 펌프는 하나 이상의 반도체 웨이퍼로부터의 정화 오염물, 약간의 잔류 습기 및 퍼지 가스를펌프한다. 펌프는 초기 기간 동안 퍼지 가스와 오염물을 상당히 느리게 배기하고 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨까지 감소하도록 제어된다. 가스 공급 수단은 중간 압력 레벨이 도착될 때 턴 오프되고, 그런 후, 펌프 수단은 챔버내의 가스를 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 빠르게 배기한다.

본 발명의 제 1 방법 양태에서 보면, 본 발명은 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 방법은 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 입력-출력(I-O) 챔버내에 위치시키는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 제거하기 위해서 상기 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 흐르는 퍼지 가스의 커버링 블랭킷을 형성하도록 상기 반도체 웨이퍼에 매우 인접하게 상기 챔버로 건조 불활성 가스를 유동시키는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼로부터 그리고 챔버로부터 퍼지 가스와 잔류 오염물을 배기시키는 단계와, 상기 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨로 상당히 느리게 감소시키는 단계와, 그런 후 상기 챔버내의 가스 압력을 상기 중간 압력 레벨로부터 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 감소시키는 단계를 포함한다.

본 발명의 제 2 방법 양태에서 보면, 본 발명은 처리 라인내에서 집적 회로(IC)로 반도체 웨이퍼를 처리하기 전에 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소하기 위한 방법에 관한 것이다. 방법은 처리 라인으로의 연속적인 전송을 위해서 밀폐적으로 밀봉가능한 입력-출력(I-O) 챔버내에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계와, 상기 라인과 외측 대기로부터 챔버를 밀봉시키는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼로부터 오염물 제거를 돕기 위해서 상기 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 흐르는 퍼지 가스의 커버링 블랭킷을 신속히 형성하도록 상기 반도체 웨이퍼에 매우 인접하게챔버로 건조 불활성 가스를 유동시키는 단계와, 액체의 방울이 더 이상 형성될 수 없는 중간 압력 레벨까지 상기 챔버내의 압력을 상당히 느리게 감소하면서 그리고 퍼지 가스가 여전히 흐르면서, 챔버로부터 그리고 반도체 웨이퍼로부터의 잔류 오염물과 퍼지 가스를 배기시키는 단계와, 상기 중간 압력 레벨이 도달될 때 퍼지 가스의 유입을 중단시키는 단계와, 그런 후 상기 챔버내의 압력을 상기 반도체 웨이퍼가 IC로 처리될 수 있는 라인으로 전송되도록 허용하는 낮은 베이스 압력 레벨까지 상당히 빠르게 감소시키는 단계를 포함한다.

첨부된 청구범위와 도면과 함께 주어진 이후의 상세한 설명을 살펴봄으로써 본 발명의 보다 나은 이해와 더불어 본 발명의 많은 장점의 완전한 이해를 최대로 얻을 수 있다.

이후 도 1을 참조하면, 일부가 절개된 개략적 형태의 장치(10)가 도시되고, 이 장치는 전체가 도면부호 12로 지시된 자동화된 반도체 처리 라인과, 본 발명에 따라 제공된 입력-출력 챔버(14)를 포함한다. 처리 라인(12)은 본 기술분야에서 널리 공지된 유형이며 여기에서는 상세히 설명하지 않는다.

입력-출력 챔버(14)는, 도시된 바에 의해, 듀얼 캐비티(16, 18; 상호 대칭 형상)와, 듀얼 가스 확산기(20, 22)를 가지며, 듀얼 가스 확산기는 질소와 같은 건조 불활성 가스의 조절된 유동과 일치하게 제공할 수 있고, 이는 도 2와 연관하여 상세히 설명될 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(14)는 라인(12)의 스테이션 또는 스테이션들(도시 안됨)에 있는 집적회로로 처리하기 위한 반도체 웨이퍼를 수용하는 하나 이상의 카세트(26)를 작업자가 챔버내의 제위치에서 놓여지게 하도록 파단선으로 도시된 바와 같이 세워질 수 있는 리드(24)를 갖는다.

챔버(14)로 놓여지기 전에, 반도체 웨이퍼(개별적으로 도시 안됨)를 유지하는 카세트(26)는 주위의 대기 온도를 받게 되며 얼마간의 습기 및 세심한 필터링후에도 공기내에 잔존하는 공기-함유 입자를 수용한다. 웨이퍼 자체도 이전 처리 단계(예컨데, 포토 마스킹)에서 잔류하는 유기질 기체와 같은 잔류 오염물을 함유할 수 있다. 이러한 유기적이며 수성의 기체가 반도체 웨이퍼에서 응축되는 경우에는 이후에 생산된 집적회로에 심각한 손상을 초래한다. 본 발명은 이를 방지하는데 도움이 되는 고효율의 시스템을 제공한다.

입력-출력 챔버(14)는 라인(12)과 외부 대기로부터 밀폐적으로 밀봉될 수 있다. 카세트(26) 및 그의 웨이퍼가 챔버(14)내에서 위치설정된 이후에 리드(24)가 닫혀졌을 때(실선 위치), 건조 불활성 퍼지 가스(예컨대, 질소)는 제어된 비율로 챔버(14)에 유도된다. 이러한 퍼지 가스는 카세트(26) 위와 주변의 확산기(20, 22)를 통해 각각 화살표(30, 32)로 도시된 바와 같이 유동되어 카세트(26) 및 웨이퍼를 신속하게 덮어서 오염물을 소제하도록 한다. 퍼지 가스가 챔버(14)로 유동하면 퍼지 가스는 대기를 이동한다. 동시에, 퍼지 가스, 이동된 공기와 포획된 오염물은 화살표(34, 36)로 나타낸 바와 같이 챔버(14)의 바닥에서의 제어된 상당히 느린 속도로 짧은 초기 기간동안 배기된다. 퍼지 가스 유입 비율에 따른 배기 비율은 압력이 챔버(14)내에서 너무 빨리 감소하지 않도록 제어되므로 액체의 방울로 나타날 수 있는 불필요한 증기의 응축을 초래하지 않도록 한다. 이와 더불어 속도는 충분히 빨라서 건조 퍼지 가스는 카세트(26)내의 웨이퍼를 매우 신속하게 덮으며 완전하게 둘러싸게 된다.

카세트(26)와 웨이퍼는 특징적으로 캐비티(16, 18) 내측에 위치되며 챔버의 상부 근방에서 각각의 확산기(20, 22) 주변에 근접한다. 그리하여, 중력의 하향 인력은 퍼지가스가 웨이퍼와 챔버로부터 오염물을 제거하는 것을 돕게 된다.

이후 도 2를 참조하면, 일부가 절개된 장치(10)의 전면도가 개략적으로 도시된다. 도 2에서는 입력-출력 챔버(14)와, 캐비티(16, 18)와 리드(24; 닫혀진 상태)와, 각각의 확산기(20, 22)와, 카세트(26; 처리 대기중인 반도체 웨이퍼를 포함)와, 가스 공급부(40)와, 가스 공급 라인(42)과, 펌프(44)와, 캐비티(16, 18)로부터 펌프(44)까지 인도하는 각각의 배기 파이프(46, 48)를 도시한다.

전술한 바와 같이, 카세트(26) 및 웨이퍼가 챔버(14)내에 배치된 후에, 리드(24)가 폐쇄되어 챔버(14)를 밀폐적으로 밀봉한다. 그 후에, 가스 공급부(40)가 턴 온되고 펌프(44)가 초기의 저속-펌프 모드로 된다. 동시에, 퍼지 가스가 화살표(43)로 나타낸 바와 같이 공급 라인(42)을 거쳐 각각의 확산기(20, 22)를 통과하여 카세트(26) (및 그 내부의 웨이퍼)를 신속하게 덮고 챔버(14)내의 주변 공기를 이동시키며, 그 이동되는 공기 및 오염물들은 펌프(44)에 의해 파이프(46, 48)를 통해 챔버(14)의 각각의 캐비티(16, 18)의 바닥으로부터 배기된다. 이러한 초기 상태에서 가스가 상당히 느리게 다른 곳(화살표(50)로 나타낸 바와 같은)으로 배기되어, 챔버내의 압력이 통상의 대기압으로부터 보다 낮은 값(레벨)인 중간 값까지 점차적으로 감소시킴으로써, 액체 방울(예를 들어, 공기중의 습기나 유기질 기체로부터의 액체 방울)이 웨이퍼상에 더 이상 형성되거나 응축되지 않게 한다. 이러한 중간 압력(값)에 (예를 들어, 통상적으로 약 1 분내에) 도달하였을 때, 가스 공급부(40)가 턴 오프되고 펌프(44)는 고속-펌프 모드로 되어, 챔버(14)내의 압력을 웨이퍼가 IC로 처리될 수 있는 보다 더 낮은 레벨(값)인 베이스 값까지 신속하게 감소시킨다. 이러한 보다 더 낮은 또는 베이스 값은 통상적으로 토르의 몇분의 1(토르의 분율) 이다. 베이스 압력 레벨에 (예를 들어, 고속-펌프 가스 배기의 약 2 분 후에 또는 그 보다 짧은 시간내에) 도달하였을 때, 펌프(44)는 턴 오프되고, I-O 챔버(14)와 처리 라인(12) 사이의 밀봉부가 개방되고, 반도체 웨이퍼는 집적회로의 처리를 위해 라인(12)내로 전달된다. 컴퓨터 제어가 가능하고 자동적으로 작동될 수 있는 가스 공급부(40) 및 펌프(44) 제어 회로는 이러한 부재들(도시하지 않음)과 함께 포함된다. 그러한 회로들과 적절한 작동예는 소위 당업계에 공지되어 있다. 라인(12)내에서의 처리 후에, 웨이퍼는 I-O 챔버(14)로 복귀되고, 라인(12)에 대한 밀봉부가 폐쇄되며, I-O 챔버(14)가 개방되고, 카세트(26; 처리된 웨이퍼와 함께)는 회수되어 다른 카세트(26) 및 처리를 기다리는 웨이퍼와 교체된다.

전술한 설명은 본 발명을 기술하기 위한 것이지 한정하기 위한 것은 아니다. 기재된 방법 및 장치의 여러 가지 변형 및 변경 실시예는, 당업자에게 용이하게 인식될 것이고, 이상에서 설명되고 이하의 청구범위에서 기술되는 본 발명의 범위 또는 사상내에서 만들어 질 수 있다. 예를 들어, 질소 이외의 퍼지 가스를 이용할 수 도 있고, 챔버 압력, 퍼지 가스 유동속도, 저속 및 고속 펌프 모드 속도, 시간들을 특정 집적회로 처리 라인의 필요에 따라 적절하게 조절할 수 있을 것이다. 또한, 입출력 챔버가 하나의 캐비티만을 가질 수도 있고, 그 챔버를 임의의 특정 처리 라인에 사용하는 것으로 한정하는 것은 아니다. 또한, 반도체 웨이퍼는 카세트 외의 다른 적절한 수단으로 전송 또는 지지될 수 있을 것이다.

Claims (14)

1. 밀폐적으로 밀봉가능함으로써 대기에 개방되고 이후에 밀폐될 수 있는 입력-출력(I-O) 챔버,

   소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 제거하기 위해서 상기 챔버내의 하나 이상의 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 가스 블랭킷을 형성하도록 건조 불활성 가스를 공급하도록 되어 있는 가스 공급 라인 및, 그리고

   하나 이상의 반도체 웨이퍼로부터의 정화 오염물, 약간의 잔류 습기 및 퍼지 가스를 펌프하기 위한 펌프를 포함하며,

   상기 펌프는 초기 기간 동안 퍼지 가스와 오염물을 상당히 느리게 배기하고 상기 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨까지 감소하도록 제어되며. 상기 가스 공급 라인에 공급된 가스는 중간 압력 레벨이 도착할 때 턴 오프되고, 그런 후, 상기 펌프는 상기 챔버내의 가스를 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 빠르게 배기하는 장치.
2. 반도체 웨이퍼를 집적 회로(IC)로 처리하기 위한 장치로서,

   처리 라인,

   상기 반도체 웨이퍼가 라인내에서 처리되기 전, 반도체 웨이퍼의 오염물을 감소하기 위한 처리 라인에 인접해 있고 라인으로부터 밀폐적으로 밀봉가능하므로, 대기에 개방될 수 있어 라인내에서 처리되어질 반도체 웨이퍼의 챔버로 반도체 웨이퍼를 놓도록 허용하는 입력-출력(I-O) 챔버,

   건조 불활성 가스를 상기 챔버로 공급하기 위한 가스 공급 라인과,

   소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 정화하는데 도움을 기간 위해서 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 블랭킷으로서 퍼지 가스를 분산하기 위한 확산기,

   상기 반도체 웨이퍼로부터 떨어진 잔류 오염물 및 퍼지 가스를 펌프하기 위한 펌프 및, 그리고

   상기 가스 공급 라인에 결합된 가스 공급부를 턴 온해서 펌프를 초기 기간 동안 저속 펌프 모드로 설정하고 제 2기간 동안 고속 펌프 모드로 설정하므로, 제 2기간의 종료부에서 반도체 웨이퍼는 처리 라인으로의 전송을 준비하는 제어 회로를 포함하는 장치.
3. 제 2항에 있어서, 상기 확산기는 I-O 챔버의 상부에 가까이 배치되어 있으며,

   상기 펌프는 상기 챔버의 바닥으로부터 오염물과 퍼지 가스를 배기하는 장치.
4. 제 2항에 있어서, 상기 제어 회로는 컴퓨터 제어가능하고, 상기 챔버내의 압력이 남아 있는 습기 또는 기체로부터 액체의 방울을 더 이상 응축할 수 없는 중간 압력 레벨에 도달할 때 초기 기간의 종료부에서 퍼지 가스의 흐름을 자동적으로 턴오프하며,

   상기 제어 회로는 상기 처리 라인이 상기 I-O 챔버에 개방될 수 있도록 베이스 압력 레벨이 도달될 때 제 2기간의 종료부에서 펌프를 자동적으로 턴 오프하는 장치.
5. 제 4항에 있어서, 상기 제 1기간는 약 1분이고,

   상기 제 2기간는 약 2분이고,

   상기 베이스 압력은 1토르 이하인 장치.
6. 하나 이상의 반도체를 수용하기 위한, 밀폐적으로 밀봉가능하므로 대기에 개방되고 그 후에 밀폐될 수 있는 입력-출력(I-O) 챔버,

   소량의 외부 입자, 대기 습기 및 잔류 유기질 기체와 같은 오염물을 제거하기 위해서 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 블랭킷을 형성하도록 퍼지 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단 및, 그리고

   약간의 잔류 습기 및 퍼지 가스를 펌프하여 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 정화하기 위한 펌프를 포함하며,

   상기 펌프는 초기 기간 동안 퍼지 가스와 오염물을 상당히 느리게 배기하고 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨까지 감소하도록 제어되며, 상기 가스 공급 수단은 중간 압력 레벨이 도착될 때 턴 오프되고, 그런 후, 펌프 수단은 챔버내의 가스를 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 빠르게 배기하는 장치.
7. 제 6항에 있어서, 상기 가스 공급 수단과 상기 펌프 수단을 제어하기 위한 컴퓨터-제어가능한 회로 수단을 조합적으로 더 포함하며,

   상기 회로 수단은 상기 챔버내의 압력이 남아 있는 습기 또는 기체로부터 액체의 방울을 더 이상 응축할 수 없는 중간 압력 레벨에 도달할 때 상기 가스 공급 수단을 턴 오프하고, 상기 베이스 압력 레벨이 도달될 때 펌프 수단을 자동적으로 턴 오프하는 장치.
8. 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 제거하는 방법으로서,

   하나 이상의 반도체 웨이퍼를 입력-출력(I-O) 챔버내에 위치시키는 단계와,

   상기 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소하기 위해서 상기 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 흐르는 퍼지 가스의 커버링 블랭킷을 형성하도록 상기 반도체 웨이퍼에 매우 인접하게 상기 챔버로 건조 불활성 가스를 유동시키는 단계와,

   상기 반도체 웨이퍼로부터 그리고 상기 챔버로부터 상기 퍼지 가스와 잔류 오염물을 배기시키는 단계와,

   상기 챔버내의 압력을 중간 압력 레벨로 상당히 느리게 감소시키는 단계와,

   그런 후 상기 챔버내의 가스 압력을 상기 중간 압력 레벨로부터 낮은 베이스 압력 레벨로 상당히 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
9. 제 8항에 있어서, 상기 퍼지 가스는 상기 I-O 챔버의 상부에 가깝게 배치된확산기를 통해서 분산되어지며,

   상기 반도체 웨이퍼는 상기 확산기에 근접한 상기 I-O 챔버의 상부에 가깝게 배치되어 있으며,

   가스와 오염물은 상기 챔버의 바닥으로부터 배기되며,

   상기 베이스 압력 레벨이 상기 반도체 웨이퍼를 집적 회로로 처리하는 동안에 사용된 압력 레벨과 거의 같으므로, 상기 웨이퍼는 추가의 오염물에 노출됨이 없이 상기 I-O 챔버에 결합된 처리 라인으로 전송될 수 있는 방법.
10. 제 8항에 있어서, 상기 챔버내의 압력을 제 1 시간 간격 동안 액체의 방울이 형성될 수 없는 중간 압력 레벨로 감소하고,

    상기 중간 압력 레벨이 도달될 때 퍼지 가스의 유입을 중단시키고,

    그런 후, 제 2시간 간격 동안 상기 압력을 베이스 압력 레벨로 빠르게 감소하는 방법.
11. 제 10항에 있어서, 상기 제 1시간 간격은 약 60초이고, 상기 제 1시간 간격은 약 2분인 방법.
12. 제 10항에 있어서, 상기 베이스 압력값은 토르의 분율인 방법.
13. 제 8항에 있어서, 상기 퍼지 가스는 질소인 방법.
14. 처리 라인내에서 집적 회로(IC)로 반도체 웨이퍼를 처리하기 전에 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소하기 위한 방법으로서,

    상기 처리 라인으로의 연속적인 전송을 위해서 밀폐적으로 밀봉가능한 입력-출력(I-O) 챔버내에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계와,

    상기 라인과 외측 대기로부터 챔버를 밀봉시키는 단계와,

    상기 반도체 웨이퍼로부터 오염물 제거를 돕기 위해서 상기 반도체 웨이퍼 위와 둘레에 흐르는 퍼지 가스의 커버링 블랭킷을 신속히 형성하도록 상기 반도체 웨이퍼에 매우 인접하게 챔버로 건조 불활성 가스를 유동시키는 단계와,

    액체의 방울이 형성될 수 없는 중간 압력 레벨까지 상기 챔버내의 압력을 상당히 느리게 감소하면서 그리고 상기 퍼지 가스가 여전히 흐르면서, 상기 챔버로부터 그리고 반도체 웨이퍼로부터의 잔류 오염물과 퍼지 가스를 배기시키는 단계와,

    상기 중간 압력 레벨이 도달될 때 상기 퍼지 가스의 유입을 중단시키는 단계와,

    그런 후 상기 챔버내의 압력을 상기 반도체 웨이퍼가 IC로 처리될 수 있는 라인으로 전송되도록 허용하는 낮은 베이스 압력 레벨까지 상당히 빠르게 감소시키는 단계를 포함하는 방법.