JPH0864666A - 基板収納容器及び基板処理方法 - Google Patents
基板収納容器及び基板処理方法Info
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- JPH0864666A JPH0864666A JP19842894A JP19842894A JPH0864666A JP H0864666 A JPH0864666 A JP H0864666A JP 19842894 A JP19842894 A JP 19842894A JP 19842894 A JP19842894 A JP 19842894A JP H0864666 A JPH0864666 A JP H0864666A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 脱ガスが少なく, 微粒子汚染, ガス状物質汚
染, 自然酸化膜の成長等の影響を除去した収納容器と，
それを用いた基板処理方法を提供する。 【構成】 １）基板を収納する密閉容器であって，高純
度乾燥気体供給系と超高純度水蒸気供給装置とを備えて
いる基板収納容器， ２）基板を密閉容器に収納し該密閉容器内に超高純度水
蒸気を満たして無水フッ酸処理装置に搬送する過程と，
次いで該基板を大気中に開放しないで無水フッ酸処理を
行う過程を有する基板処理方法， ３）無水フッ酸処理洗浄装置を大気と隔離された隔離容
器内に入れて基板の処理を行い，該基板を大気と隔離さ
れた状態で密閉容器に移し替えて高純度乾燥気体を充填
して搬送し，大気と隔離して成膜装置に移し替える基板
処理方法。
染, 自然酸化膜の成長等の影響を除去した収納容器と，
それを用いた基板処理方法を提供する。 【構成】 １）基板を収納する密閉容器であって，高純
度乾燥気体供給系と超高純度水蒸気供給装置とを備えて
いる基板収納容器， ２）基板を密閉容器に収納し該密閉容器内に超高純度水
蒸気を満たして無水フッ酸処理装置に搬送する過程と，
次いで該基板を大気中に開放しないで無水フッ酸処理を
行う過程を有する基板処理方法， ３）無水フッ酸処理洗浄装置を大気と隔離された隔離容
器内に入れて基板の処理を行い，該基板を大気と隔離さ
れた状態で密閉容器に移し替えて高純度乾燥気体を充填
して搬送し，大気と隔離して成膜装置に移し替える基板
処理方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はクリンルームの雰囲気内
に浮遊するガス状物質等による汚染から半導体基板を隔
離する収納容器と基板処理方法に関する。
に浮遊するガス状物質等による汚染から半導体基板を隔
離する収納容器と基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造工程において
は，各処理装置が孤立して配置されており, 装置間の搬
送中, または装置の処理チャンバから出た基板がクリン
ルームの雰囲気や装置内の汚染された雰囲気に曝され
て, 表面が汚染されていた。
は，各処理装置が孤立して配置されており, 装置間の搬
送中, または装置の処理チャンバから出た基板がクリン
ルームの雰囲気や装置内の汚染された雰囲気に曝され
て, 表面が汚染されていた。
【０００３】これらの汚染から基板表面を保護する目的
で，現状では，装置から出された基板を窒素ボックスに
保管したり, あるいは極端に汚染を嫌う工程では装置間
を直接接続してクラスタツール化した構成をとってい
る。
で，現状では，装置から出された基板を窒素ボックスに
保管したり, あるいは極端に汚染を嫌う工程では装置間
を直接接続してクラスタツール化した構成をとってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記孤立装置の従来例
では, 処理装置内の雰囲気が汚染されているため，基板
は装置から出る時点で汚染されている。また，基板は収
納容器 (保管容器) や，基板を多数一括収納する基板キ
ャリアからの脱ガスにより汚染される。保管容器や基板
キャリアは, 有機溶剤による洗浄により脱ガス量が多
い。
では, 処理装置内の雰囲気が汚染されているため，基板
は装置から出る時点で汚染されている。また，基板は収
納容器 (保管容器) や，基板を多数一括収納する基板キ
ャリアからの脱ガスにより汚染される。保管容器や基板
キャリアは, 有機溶剤による洗浄により脱ガス量が多
い。
【０００５】窒素ボックス等の特殊雰囲気内の不純物濃
度を下げるためには大量の高純度不活性ガスを必要と
し, コストアップとなり，また安全上問題がある。汚染
を防ぐために洗浄装置と成膜装置を一体化し，大気開放
しないで処理を行う方法が主流であるが，装置が大型化
し，メンテナンス性も悪く, 故障が各装置の累乗で効く
ため生産性が落ちる。
度を下げるためには大量の高純度不活性ガスを必要と
し, コストアップとなり，また安全上問題がある。汚染
を防ぐために洗浄装置と成膜装置を一体化し，大気開放
しないで処理を行う方法が主流であるが，装置が大型化
し，メンテナンス性も悪く, 故障が各装置の累乗で効く
ため生産性が落ちる。
【０００６】更に, スループットの高い洗浄装置とそれ
の低い成膜装置を接続することは，洗浄装置の台数が余
分になり，コストアップの要因となる。本発明は脱ガス
が少なく, 微粒子汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の
成長等の影響を除去した収納容器と，それを用いた基板
処理方法を提供する。
の低い成膜装置を接続することは，洗浄装置の台数が余
分になり，コストアップの要因となる。本発明は脱ガス
が少なく, 微粒子汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の
成長等の影響を除去した収納容器と，それを用いた基板
処理方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）基板を収納する密閉容器であって，乾燥気体供給系
と水蒸気供給装置とを備えている基板収納容器，あるい
は ２）前記水蒸気供給装置は乾燥気体供給系の途中に設け
られた純水バブリング部である前記１記載の基板収納容
器，あるいは ３）前記純水バブリング部は，純水加熱機構を備え且つ
その後にエア冷却コイルを備えた前記２記載の基板収納
容器，あるいは ４）前記密閉容器が樹脂で作成され，その内部に金属箔
型が嵌め込まれている前記１記載の基板収納容器，ある
いは ５）前記密閉容器内に，内部雰囲気中の不純物を測定す
るセンサを有し，該センサが前記基板上に形成されてい
る前記１記載の基板収納容器，あるいは ６）基板を密閉容器に収納し該密閉容器内に水蒸気を満
たして無水フッ酸処理装置に搬送する過程と，次いで該
基板を大気中に開放しないで無水フッ酸処理を行う過程
を有する基板処理方法，あるいは ７）無水フッ酸処理洗浄装置を大気と隔離された隔離容
器内に入れて基板の処理を行い，該基板を大気と隔離さ
れた状態で密閉容器に移し替えて乾燥気体を充填して搬
送し，大気と隔離して成膜装置に移し替える基板処理方
法により達成される。
と水蒸気供給装置とを備えている基板収納容器，あるい
は ２）前記水蒸気供給装置は乾燥気体供給系の途中に設け
られた純水バブリング部である前記１記載の基板収納容
器，あるいは ３）前記純水バブリング部は，純水加熱機構を備え且つ
その後にエア冷却コイルを備えた前記２記載の基板収納
容器，あるいは ４）前記密閉容器が樹脂で作成され，その内部に金属箔
型が嵌め込まれている前記１記載の基板収納容器，ある
いは ５）前記密閉容器内に，内部雰囲気中の不純物を測定す
るセンサを有し，該センサが前記基板上に形成されてい
る前記１記載の基板収納容器，あるいは ６）基板を密閉容器に収納し該密閉容器内に水蒸気を満
たして無水フッ酸処理装置に搬送する過程と，次いで該
基板を大気中に開放しないで無水フッ酸処理を行う過程
を有する基板処理方法，あるいは ７）無水フッ酸処理洗浄装置を大気と隔離された隔離容
器内に入れて基板の処理を行い，該基板を大気と隔離さ
れた状態で密閉容器に移し替えて乾燥気体を充填して搬
送し，大気と隔離して成膜装置に移し替える基板処理方
法により達成される。
【０００８】
【作用】本発明は，特殊雰囲気（超高純度水蒸気）のま
まで搬送できるため，次工程の無水フッ酸処理のエッチ
レートを上げ，また，大気と隔離された状態で移し替え
を行って処理装置からの汚染を防止でき，容器の材質に
水分の吸着の少ないものを使っているため，雰囲気の純
度向上のために行う高純度窒素のパージ量を削減でき
る。
まで搬送できるため，次工程の無水フッ酸処理のエッチ
レートを上げ，また，大気と隔離された状態で移し替え
を行って処理装置からの汚染を防止でき，容器の材質に
水分の吸着の少ないものを使っているため，雰囲気の純
度向上のために行う高純度窒素のパージ量を削減でき
る。
【０００９】さらに，装置をクラスタツール化しないで
すむため，前記の洗浄装置の台数を削減でき, 各装置に
融通性ができ, 処理の稼働率も上がる。
すむため，前記の洗浄装置の台数を削減でき, 各装置に
融通性ができ, 処理の稼働率も上がる。
【００１０】
【実施例】本発明のシステムは, 基板上に半導体装置を
作成する工程において，クリーンルーム環境での微粒子
汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の成長等の影響を除
去するために，基板を周囲の環境から隔離し，不活性ガ
ス・超低湿度エア・高湿度エアで満たした密閉容器と,
密閉容器に基板を出し入れし，パージするためのパージ
ステーションと, 密閉容器とプロセス装置とを連結する
インタフェイスと,密閉容器を大気と隔離したまま搬送
する搬送装置とからなる。
作成する工程において，クリーンルーム環境での微粒子
汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の成長等の影響を除
去するために，基板を周囲の環境から隔離し，不活性ガ
ス・超低湿度エア・高湿度エアで満たした密閉容器と,
密閉容器に基板を出し入れし，パージするためのパージ
ステーションと, 密閉容器とプロセス装置とを連結する
インタフェイスと,密閉容器を大気と隔離したまま搬送
する搬送装置とからなる。
【００１１】以下に各部の実施例を図１を用いて説明す
る。 (1) 収納容器（保管容器） 収納容器 1は基板が25枚セットできるキャリア 2が入
り, アルミニウム合金製の容器本体1Aと, 容器を密閉す
る扉1Bと，容器本体と扉とをシールするシール部1Cと，
扉を着脱するロック機構1Dとで構成される。扉は容器外
形部にヒンジにより回転自在で，ロック機構により固定
開放される。また，容器には外部より加圧されたガスを
供給するガス供給口1Eと，内圧を一定にする加圧防止弁
1Fを備え,供給口には微粒子防止のメンブレンフィルタ1
Gを埋め込んでいる。
る。 (1) 収納容器（保管容器） 収納容器 1は基板が25枚セットできるキャリア 2が入
り, アルミニウム合金製の容器本体1Aと, 容器を密閉す
る扉1Bと，容器本体と扉とをシールするシール部1Cと，
扉を着脱するロック機構1Dとで構成される。扉は容器外
形部にヒンジにより回転自在で，ロック機構により固定
開放される。また，容器には外部より加圧されたガスを
供給するガス供給口1Eと，内圧を一定にする加圧防止弁
1Fを備え,供給口には微粒子防止のメンブレンフィルタ1
Gを埋め込んでいる。
【００１２】また，バージの際の排気口1Hを備え，気体
はバルブ1J, フィルタ1Kを通して外に排出される。容器
の材質はポリプロピレンや超高密度ポリエチレンやフッ
素樹脂等の水分の吸着が少ないものを使って, 大気から
高純度ガスへの置換効率が高くパージ量もパージ時間も
少なくてすむようにしている。
はバルブ1J, フィルタ1Kを通して外に排出される。容器
の材質はポリプロピレンや超高密度ポリエチレンやフッ
素樹脂等の水分の吸着が少ないものを使って, 大気から
高純度ガスへの置換効率が高くパージ量もパージ時間も
少なくてすむようにしている。
【００１３】さらに，軽量化のために, 樹脂性容器の内
側に, アルミニウム合金の不動態化処理をした薄板を,
容器の内面に合わせた形状に加工し，容器に着脱できる
ようにしている。このようにすると, 容器内が汚れたと
きはこの内型を交換すれば洗浄が省略できる。 (2) パージステーション パージステーションは, ガス源より供給される高圧ガス
をレギュレータや流量計を通して保管容器に供給し，パ
ージしていないときは純度維持のため微小な量の放出を
行う。
側に, アルミニウム合金の不動態化処理をした薄板を,
容器の内面に合わせた形状に加工し，容器に着脱できる
ようにしている。このようにすると, 容器内が汚れたと
きはこの内型を交換すれば洗浄が省略できる。 (2) パージステーション パージステーションは, ガス源より供給される高圧ガス
をレギュレータや流量計を通して保管容器に供給し，パ
ージしていないときは純度維持のため微小な量の放出を
行う。
【００１４】ガス源には乾燥気体を使用し，超純水中を
バブリングさせて供給し，エア中の水溶性不純物を除去
するとともに，加湿された有機物等の疏水性物質を付け
ないようにする。この超純水バブリング槽には加熱ヒー
タを設けて温度と湿度を任意に制御する。
バブリングさせて供給し，エア中の水溶性不純物を除去
するとともに，加湿された有機物等の疏水性物質を付け
ないようにする。この超純水バブリング槽には加熱ヒー
タを設けて温度と湿度を任意に制御する。
【００１５】また，パージステーションにはマスフロー
コントローラを設置し，時間とともにパージ量を減少さ
せる方法をとり，パージの効率を上げている。基板キャ
リアからの脱ガスにより，容器内雰囲気の純度が下がる
ため，高純度環境が要求されるところでは, 搬送用の密
閉容器と保管用の密閉容器に分離し，大気から隔離した
環境で移し替える。このようにすると, キャリアは常時
隔離環境に置かれ完全に脱ガスしている。 (3）密閉容器等の洗浄 実施例の隔離システムの容器等の構成要素は, 微粒子汚
染, 有機汚染, 金属汚染, アルカリや酸汚染のないよう
に, 以下の方法で洗浄する。
コントローラを設置し，時間とともにパージ量を減少さ
せる方法をとり，パージの効率を上げている。基板キャ
リアからの脱ガスにより，容器内雰囲気の純度が下がる
ため，高純度環境が要求されるところでは, 搬送用の密
閉容器と保管用の密閉容器に分離し，大気から隔離した
環境で移し替える。このようにすると, キャリアは常時
隔離環境に置かれ完全に脱ガスしている。 (3）密閉容器等の洗浄 実施例の隔離システムの容器等の構成要素は, 微粒子汚
染, 有機汚染, 金属汚染, アルカリや酸汚染のないよう
に, 以下の方法で洗浄する。
【００１６】 汚れのひどいときは，有機溶剤で脱脂
する。 高級アルコール系の界面活性剤入り洗浄剤 (例え
ば,DKBクリア; 第１工業製薬製) を用いて超音波洗浄ま
たはブラシ洗浄を行う。
する。 高級アルコール系の界面活性剤入り洗浄剤 (例え
ば,DKBクリア; 第１工業製薬製) を用いて超音波洗浄ま
たはブラシ洗浄を行う。
【００１７】 超純水を流しながらリンスする。 窒素パージしたベークチャンバで乾燥させる。 窒素パージして冷却する。 (4）不純物濃度測定部 図２は不純物濃度測定系の模式説明図である。
【００１８】図において, 21はシリコン(Si)基板, 22は
その上に被着された二酸化シリコン(SiO2)膜, 23はアル
ミニウム(Al)製のセンサ, 24はキャパシタ, 25は容量測
定器, 26発光素子, 27は受光素子である。
その上に被着された二酸化シリコン(SiO2)膜, 23はアル
ミニウム(Al)製のセンサ, 24はキャパシタ, 25は容量測
定器, 26発光素子, 27は受光素子である。
【００１９】基板の保管環境が, 清浄に保持されている
かを検出し，保証する手段として,基板に静電容量型セ
ンサ23を組み込んだ状態で他の基板と同じ配置で設置さ
れるようにしているため，実際の基板が受ける汚染と同
様な汚染が観測できる。
かを検出し，保証する手段として,基板に静電容量型セ
ンサ23を組み込んだ状態で他の基板と同じ配置で設置さ
れるようにしているため，実際の基板が受ける汚染と同
様な汚染が観測できる。
【００２０】また，有機物等の導電性のないものの汚染
については，基板内に組み込んだ発光素子26と受光素子
27とからなる検出系により汚染量を検出する。 (5) 単一プロセス装置との一体化 無水フッ酸処理装置は, 枚葉式で小型化のため基板キャ
リアステーションとフッ酸処理部とから構成され, 基板
キャリアステーションに隔離雰囲気内で密閉容器を設置
し，ロードロック機能を持たせる。密閉容器とフッ酸処
理部との間には, 大気に開放される空間が必ず存在する
ため，密閉容器を無水フッ酸処理装置に接続した時点で
この空間を窒素パージする手段を設ける。
については，基板内に組み込んだ発光素子26と受光素子
27とからなる検出系により汚染量を検出する。 (5) 単一プロセス装置との一体化 無水フッ酸処理装置は, 枚葉式で小型化のため基板キャ
リアステーションとフッ酸処理部とから構成され, 基板
キャリアステーションに隔離雰囲気内で密閉容器を設置
し，ロードロック機能を持たせる。密閉容器とフッ酸処
理部との間には, 大気に開放される空間が必ず存在する
ため，密閉容器を無水フッ酸処理装置に接続した時点で
この空間を窒素パージする手段を設ける。
【００２１】また，密閉容器を他の洗浄装置, 拡散装
置, CVD 装置, PVD 装置と一体化したラインを構成する
と，クラスタツール化やインライン化に比べて装置の自
由な組み合わせが可能となり，装置の効率的な運用がで
き，生産性を向上させることができる。
置, CVD 装置, PVD 装置と一体化したラインを構成する
と，クラスタツール化やインライン化に比べて装置の自
由な組み合わせが可能となり，装置の効率的な運用がで
き，生産性を向上させることができる。
【００２２】次に, 実工程として, ポリシリコン膜の成
長から無水フッ酸処理を行い, 次いでタングステンシリ
サイド(WSi) 成長を行う過程に本発明を適用した例を説
明する。
長から無水フッ酸処理を行い, 次いでタングステンシリ
サイド(WSi) 成長を行う過程に本発明を適用した例を説
明する。
【００２３】ポリシリコン成長後の基板は高温で大気に
開放されるが, 開放時の環境が悪いと冷却過程で汚染物
質が付着する。この汚染物質の中で, 次工程の無水フッ
酸処理で除去出来ないもの, またはエッチレートの低い
ものやエッチング開始時間が遅れるものが付着すると，
ポリシリコン表面に汚染物質が残り, WSi との密着性が
低下する。
開放されるが, 開放時の環境が悪いと冷却過程で汚染物
質が付着する。この汚染物質の中で, 次工程の無水フッ
酸処理で除去出来ないもの, またはエッチレートの低い
ものやエッチング開始時間が遅れるものが付着すると，
ポリシリコン表面に汚染物質が残り, WSi との密着性が
低下する。
【００２４】さらに，無水フッ酸処理により，自然酸化
膜や汚染物質を除去した後, WSi 成長までの間に自然酸
化膜や汚染物質が付着すると, WSi との密着性が低下す
る。ポリシリコン成長装置は，基板キャリアを設置する
キャリアステーションと,真空成長炉と，成長炉内で基
板を保持する石英製の台と, 基板を基板キャリアと石英
台との間をハンドリングする移替機と，基板の存在する
範囲を微粒子なしに保持するための清浄空気供給装置と
から構成される。
膜や汚染物質を除去した後, WSi 成長までの間に自然酸
化膜や汚染物質が付着すると, WSi との密着性が低下す
る。ポリシリコン成長装置は，基板キャリアを設置する
キャリアステーションと,真空成長炉と，成長炉内で基
板を保持する石英製の台と, 基板を基板キャリアと石英
台との間をハンドリングする移替機と，基板の存在する
範囲を微粒子なしに保持するための清浄空気供給装置と
から構成される。
【００２５】清浄空気供給装置は，有機物を除去でき且
つ脱ガスの少ない材質のフィルタ(高純度の石英フィル
タまたはメンブレンフィルタまたはイオン交換樹脂製フ
ィルタ) を使用する。
つ脱ガスの少ない材質のフィルタ(高純度の石英フィル
タまたはメンブレンフィルタまたはイオン交換樹脂製フ
ィルタ) を使用する。
【００２６】また，ポリシリコン成長装置全体を不活性
ガスで満たす密閉構造とし，キャリアの出し入れを密閉
型ボックスで行う。ポリシリコン成長装置と無水フッ酸
処理装置間の搬送, 保管は, 窒素パージされ，窒素を密
閉したアルミニウム合金製容器で保管する。高純度フィ
ルタを用いてクリーンルーム内の空気をろ過することで
有機物がなく，加湿環境で保管すると有機汚染に対して
効果がある。また，水分の多い環境での保管により, 基
板表面に水が吸着し, 次工程の無水フッ酸処理での自然
酸化膜や汚染物質に対するエッチレートが上がり，処理
効率を向上する。
ガスで満たす密閉構造とし，キャリアの出し入れを密閉
型ボックスで行う。ポリシリコン成長装置と無水フッ酸
処理装置間の搬送, 保管は, 窒素パージされ，窒素を密
閉したアルミニウム合金製容器で保管する。高純度フィ
ルタを用いてクリーンルーム内の空気をろ過することで
有機物がなく，加湿環境で保管すると有機汚染に対して
効果がある。また，水分の多い環境での保管により, 基
板表面に水が吸着し, 次工程の無水フッ酸処理での自然
酸化膜や汚染物質に対するエッチレートが上がり，処理
効率を向上する。
【００２７】無水フッ酸処理装置は，基板キャリアステ
ーションと，窒素パージをしている処理チャンバと，基
板キャリアステーションと処理チャンバ間のハンドリン
グを行う移替機と, 基板の存在する範囲を微粒子なしに
保持するための清浄空気供給装置とから構成される。こ
こでも，基板キャリアステーションに存在する基板が，
処理チャンバに入る前後において装置内の汚染環境に曝
されることで，処理前には汚染によるエッチレートの低
下とエッチング開始時間の遅れを生じ, 処理後には除去
した自然酸化膜が再成長する。このため，有機物質汚染
と自然酸化膜成長を防止するため, 除湿機と高純度フィ
ルタを組み合わせた清浄空気供給装置を備えている。
ーションと，窒素パージをしている処理チャンバと，基
板キャリアステーションと処理チャンバ間のハンドリン
グを行う移替機と, 基板の存在する範囲を微粒子なしに
保持するための清浄空気供給装置とから構成される。こ
こでも，基板キャリアステーションに存在する基板が，
処理チャンバに入る前後において装置内の汚染環境に曝
されることで，処理前には汚染によるエッチレートの低
下とエッチング開始時間の遅れを生じ, 処理後には除去
した自然酸化膜が再成長する。このため，有機物質汚染
と自然酸化膜成長を防止するため, 除湿機と高純度フィ
ルタを組み合わせた清浄空気供給装置を備えている。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば，脱ガスが少なく, 微粒
子汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の成長等の影響を
除去した収納容器が得られ，無水フッ酸処理のエッチレ
ートを上げて処理効率を向上し，また，処理装置からの
汚染を防止でき且つ高純度窒素のパージ量を削減でき
る。
子汚染, ガス状物質汚染, 自然酸化膜の成長等の影響を
除去した収納容器が得られ，無水フッ酸処理のエッチレ
ートを上げて処理効率を向上し，また，処理装置からの
汚染を防止でき且つ高純度窒素のパージ量を削減でき
る。
【００２９】さらに本発明の収納容器により，装置をク
ラスタツール化しないですむため各装置に融通性がで
き, 装置および処理の稼働率が上がる。
ラスタツール化しないですむため各装置に融通性がで
き, 装置および処理の稼働率が上がる。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 不純物濃度測定系の説明図
1 収納容器 1A 容器本体 1B 蓋 1C シール部 1D ロック機構 1E 気体導入口 1F 加圧防止弁 1G フィルタ 2 基板キャリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ６５Ｄ 85/86
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を収納する密閉容器であって，乾燥
気体供給系と水蒸気供給系とを備えていることを特徴と
する基板収納容器。 - 【請求項２】 前記度水蒸気供給装置は乾燥気体供給系
の途中に設けられた純水バブリング部であることを特徴
する請求項１記載の基板収納容器。 - 【請求項３】 前記純水バブリング部は，純水加熱機構
を備え且つその後にエア冷却コイルを備えたことを特徴
とする請求項２記載の基板収納容器。 - 【請求項４】 前記密閉容器が樹脂で作成され，その内
部に金属箔型が嵌め込まれていることを特徴とする請求
項１記載の基板収納容器。 - 【請求項５】 前記密閉容器内に，内部雰囲気中の不純
物を測定するセンサを有し，該センサが前記基板上に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の基板収納
容器。 - 【請求項６】 基板を密閉容器に収納し該密閉容器内に
水蒸気を満たして無水フッ酸処理装置に搬送する過程
と，次いで該基板を大気中に開放しないで無水フッ酸処
理を行う過程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項７】 無水フッ酸処理洗浄装置を大気と隔離さ
れた隔離容器内に入れて基板の処理を行い，該基板を大
気と隔離された状態で密閉容器に移し替えて乾燥気体を
充填して搬送し，大気と隔離して成膜装置に移し替える
ことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19842894A JPH0864666A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 基板収納容器及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19842894A JPH0864666A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 基板収納容器及び基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864666A true JPH0864666A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16390932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19842894A Withdrawn JPH0864666A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 基板収納容器及び基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864666A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001500669A (ja) * | 1996-09-13 | 2001-01-16 | セミファブ | 分子状汚染制御システム |
| JP2006261473A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
| JP2009541998A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | レチクル保管庫をパージするためのシステム |
| CN106298586A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片表面hf酸处理系统 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP19842894A patent/JPH0864666A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001500669A (ja) * | 1996-09-13 | 2001-01-16 | セミファブ | 分子状汚染制御システム |
| JP2006261473A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
| JP2009541998A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | レチクル保管庫をパージするためのシステム |
| CN106298586A (zh) * | 2015-06-04 | 2017-01-04 | 有研半导体材料有限公司 | 一种硅片表面hf酸处理系统 |
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