JP2006261473A - シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 - Google Patents
シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006261473A JP2006261473A JP2005078402A JP2005078402A JP2006261473A JP 2006261473 A JP2006261473 A JP 2006261473A JP 2005078402 A JP2005078402 A JP 2005078402A JP 2005078402 A JP2005078402 A JP 2005078402A JP 2006261473 A JP2006261473 A JP 2006261473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- substrate
- container
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 17
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- VYZKQGGPNIFCLD-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylhexane-2,2-diol Chemical compound CCCC(C)(C)C(C)(O)O VYZKQGGPNIFCLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N Diammonium sulfite Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])=O PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002101 Chitin Polymers 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 229920000007 Nylon MXD6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
【課題】 シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管において、シリコン酸化膜の膜厚の変化を防止する手段を提供する。
【解決手段】 シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法。
【選択図】 図１
【解決手段】 シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法。
【選択図】 図１
Description
本発明は、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を保管する方法に関する。
シリコン酸化膜はシリコン基板を酸化雰囲気中で加熱することで容易に形成することができる。このシリコン酸化膜は安定であり、その厚さは室温・清浄大気雰囲気では容易には変わることはない。従って、このシリコン酸化膜の厚さを基準として各種の薄膜厚さ測定器の校正に利用することができる。そのため近年、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を厚さ測定のためのスケールとして使用する動きがある。
シリコン酸化膜は安定であるが、大気中に漂う吸着性のガスが付着するとそのガスが酸化膜に強固に付着して容易にはとれなくなる場合が多い。薄膜厚さ測定器の中には、この付着層の厚さをシリコン酸化膜の厚さに加えて計測してしまうものがあり、計測値のばらつきの要因となる。付着層の厚さは、その試料が置かれていた環境によって大きく変わるため、もとが同じ酸化膜厚の基板でも環境によって厚さが異なって計測されてしまう。この問題は、スケール用基板におけるシリコン酸化膜の厚さを基準として機器類を校正していく場合に、はなはだ都合が悪い。この付着層の厚さは数ナノメートルのレベルであるが、スケール用基板におけるシリコン酸化膜の厚さがナノメートルレベルの薄さである場合には、特に、付着層の厚さの影響は大きくなる。
これまで、上記のようなスケール用基板の輸送および保管において、該基板は、簡便に大気中に保管されているに過ぎなかった。そのため、ユーザーがスケール用基板を使用する際には、表面の付着層（汚染層）を洗浄によって除去する必要があった。しかし洗浄方法によってはシリコン酸化膜がエッチングされて厚さが変わってしまう危険性があり、また、付着物の種類によって洗浄方法を選ぶ必要性があり、ユーザーにとって利便性の著しく欠けるものであった。さらに洗浄方法の判断はユーザーにゆだねられていたため、洗浄後のシリコン酸化膜の厚さが、製造出荷時と同等かどうかも不明であった。
半導体製造工程において、清浄なシリコン基板の輸送および保管方法として樹脂製容器に清浄気体を詰めて試料を保管する方法が常態化している。しかしながら、樹脂容器表面から微量のガス（容器材料のバインダーや成分ガスなど）が放出し、そのガス成分が基板の表面に付着することが避けられなかった。シリコン基板に付着する物質としては、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、トリエチルフタレート（ＴＥＰ）、トリメチルペンタンジオール（ＴＭＰＤ）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル−フェノール（ＢＨＴ）等が知られており、これらはシリコン基板を格納する容器を構成するプラスチックから発生される（非特許文献１）。そのためスケール用基板の輸送および保管方式として容器内保管方法は適切とはいえない。
Takeshi Hattori, "Characterization and Metrology for ULSI Technology" pp.278-279：2000 International Conference, edited by D. G. Seiler, A. C. Diebold, T. J. Shaffner, R. McDonald, W. M. Bullis, P. J. Smith, E.M.Secula
本発明の課題は、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管において、シリコン酸化膜の膜厚の変化を防止する手段を提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を水性媒体中に浸漬することにより、シリコン酸化膜への吸着性ガスの付着を防止できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の発明を包含する。
（１）シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法。
（２）水性媒体が水である（１）記載の方法。
（３）容器が有機高分子材料製である（１）または（２）記載の方法。
（４）容器がフッ素樹脂製である（３）記載の方法。
（５）容器が石英ガラス製である（３）記載の方法。
（６）容器が密封容器である、（１）〜（５）のいずれかに記載の方法。
（７）容器の内部に不活性ガスがさらに充填されている、（６）記載の方法。
（８）容器内に気相が実質的に存在しない、（６）記載の方法。
（９）シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を製造後、水性媒体中に浸漬するまでの工程が、不活性ガス雰囲気下または真空下で実施される、（１）〜（８）のいずれかに記載の方法。
（１）シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法。
（２）水性媒体が水である（１）記載の方法。
（３）容器が有機高分子材料製である（１）または（２）記載の方法。
（４）容器がフッ素樹脂製である（３）記載の方法。
（５）容器が石英ガラス製である（３）記載の方法。
（６）容器が密封容器である、（１）〜（５）のいずれかに記載の方法。
（７）容器の内部に不活性ガスがさらに充填されている、（６）記載の方法。
（８）容器内に気相が実質的に存在しない、（６）記載の方法。
（９）シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を製造後、水性媒体中に浸漬するまでの工程が、不活性ガス雰囲気下または真空下で実施される、（１）〜（８）のいずれかに記載の方法。
本発明により、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管において、シリコン酸化膜の膜厚の変化を防止することができる。
本発明は、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法に関する。
本発明において、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板とは、シリコン基板上にシリコン酸化膜が形成された基板を意味し、通常、シリコン基板を酸化雰囲気下で加熱することにより形成される。本明細書においては、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板をシリコン酸化膜付き基板と称する場合もある。本発明の方法により好適に保管されるシリコン酸化膜付き基板におけるシリコン酸化膜の膜厚は、特に制限されないが、通常、１〜１０ｎｍ、好ましくは１〜１００ｎｍである。本発明により、ナノメートルレベルの膜厚のシリコン酸化膜を有するシリコン基板の場合でも、これをスケールとして用いるのに問題を生じることなく保管することができる。本発明においてシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板は、主に、基板表面に金属薄膜を有しないものを対象とする。
本発明において、水性媒体とは、水を主成分とする液体媒体を意味し、通常、水を１質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上含む。本発明において、水には、イオン交換水、蒸留水、純水および超純水、脱気超純水が包含される。
水はできるだけ不純物の少ないものを使用することで、シリコン酸化膜表面に汚染物（金属イオンや微粒子）が付着することを避けることができる。また、水性媒体として超純水を使用した場合は、シリコン酸化膜表面から容易に水をきって清浄な表面を得ることができ、利便性がよい。
本発明においては、水性媒体、特に水において溶存酸素を低減させてもよい。溶存酸素量は室温で８ｐｐｍ前後であるが、中空糸などを用いた純水用脱気装置によって数ｐｐｂ以下にできる。脱気装置を用いた場合は、酸素のみならず窒素、二酸化炭素の溶存量も減少させることができる。溶存酸素については亜硫酸アンモニウムを添加することによって
も低減することができるため、本発明の一実施形態において、水性媒体は、亜硫酸アンモニウムを含む。この場合、亜硫酸アンモニウムの量は、水中にとけ込む酸素の量にもよるが、通常、０．０１〜０．１質量％である。本発明において、水性媒体中の溶存酸素濃度は、通常、０．００１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ、好ましくは０．１ｐｐｍ〜１ｐｐｍである。
も低減することができるため、本発明の一実施形態において、水性媒体は、亜硫酸アンモニウムを含む。この場合、亜硫酸アンモニウムの量は、水中にとけ込む酸素の量にもよるが、通常、０．０１〜０．１質量％である。本発明において、水性媒体中の溶存酸素濃度は、通常、０．００１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ、好ましくは０．１ｐｐｍ〜１ｐｐｍである。
溶存酸素の量を減らした水は半導体工場で多用されているため、半導体製造工程の一部として、あるいは半導体製造工場現場で、本方式を利用することが容易に実現できる。また、脱気した水を用いると超音波洗浄での微粒子の除去効率が高くなるので、酸化膜表面の汚染を抑制することができる。
ただし、本発明の方法は、基板表面の酸化を防止することを目的とするものではないので、溶存酸素濃度を特に低濃度にする必要はなく、上記のような溶存酸素濃度で支障はない。
水性媒体として、水、特に超純水において有機物含有量を低減させたものを使用してもよい。有機物とは、例えば、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、トリエチルフタレート（ＴＥＰ）、トリメチルペンタンジオール（ＴＭＰＤ）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル−フェノール（ＢＨＴ）等である。これらは超純水製造タンク内にクリーンルームの空気が出入りすることで水中に混入する。また水の配管類もプラスチックが多用されるのでここからも混入する。これら有機物を減らすことで、水中に保管されているシリコン基板表面に有機物が堆積する速度を抑制することができる。
有機物含有量の低減方式には、紫外線照射による有機物分解、オゾン添加による有機物分解の方法が知られている。とくに紫外線照射方式は有機物量低減方式として超純水製造装置に組み込まれる例が多い。また水中に混入することをさけるため、クリーンルームの空気が水に接触しないように純水貯蔵タンク内部の空間には窒素を封入することも行われている。
本発明において、水性媒体は、低級アルコールを含んでいてもよい。超純水に大気中の生菌が混入し繁殖すると有機物量が増大してしまうが、アルコールの添加により生菌の繁殖を抑制できる。また酸化膜の表面を親水性に保つ働きがある。
低級アルコールとしては、炭素数１〜５のアルコールが挙げられ、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ペンチルアルコールおよびアリルアルコールなどが挙げられる。アルコールの量は、通常、１０〜９９質量％、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜１質量％である。
本発明において、水性媒体は、半導体製造工程で微粒子除去効果があるために使用される気体溶存超純水、例えば、水素および窒素、アルゴンから選択される１種以上が溶解しているものでもよい。
これらの水は半導体工場で多用されているため、半導体製造工程の一部として、あるいは半導体製造工場現場で、本方式を利用することが容易に実現できる。とくに水素溶存水は基板表面に付着した微粒子除去効果があり、１ｐｐｍ以上の水素水では故意汚染のアルミナ粒子を1分間以内で９５％以上除去できるとの報告例がある（例えば、「ウエットサ
イエンスが開くプロダクトイノベーション」、大見忠弘：編著、サイペックREALIZE：発
行）。
イエンスが開くプロダクトイノベーション」、大見忠弘：編著、サイペックREALIZE：発
行）。
本発明において、水性媒体は、好ましくは水、特に超純水である。
本発明において、基板を保管するための容器としては、当技術分野で通常用いられるものを使用でき、例えば、無機材料製および有機材料製のものが挙げられる。無機材料としては、ガラス、石英ガラス、溶融石英、合成石英、アルミナ、サファイア、セラミクス、フォルステライト、感光性ガラスなどが挙げられ、有機材料としては、高分子材料が挙げられる。
本発明においては、好ましくは高分子材料製の容器を用いる。高分子材料としては、本発明の目的に適した性質を有するものの中から適宜選択することができ、合成ものでも天然のものでもよい。また、２種以上の材料を組合せたものであってもよい。具体的には、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(４．６フッ化、ＥＦＰ)、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（２フッ化、ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（３フッ化、ＰＣＴＦＥ）などのフッ素樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリブテン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコールおよびポリ酢酸ビニルなどのポリオレフィン、ナイロン（例えば、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロンＭＸＤ６）などのポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリトリメチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ乳酸、ＡＢＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂およびエポキシ樹脂など、ならびにセルロース、セルロースアセテート、キチン、綿、絹などが挙げられる。
本発明において、容器は、好ましくはフッ素樹脂製、特にポリテトラフルオロエチレン製、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体製、および石英ガラス製である。
容器の形状は、当業者であればシリコン酸化膜付き基板に合わせて適宜設計することができ、シリコン酸化膜付き基板を収容できるものであれば、特に制限されないが、液体を充填できて漏れがないこと、基板が単数または複数格納できてその液中に浸積できればよい。一実施形態において容器は、シリコン酸化膜付き基板を配置するための函体およびこれに嵌合する蓋体からなり、水性媒体を導入するための導入口を、好ましくは蓋体に有する。本発明において、容器は密封容器であることが好ましい。密封容器とは、シリコン酸化膜付き基板を保管している間、気体および液体が、内部から漏出したり外部から侵入したりしないよう、密封可能な容器を意味する。
本発明の一実施形態において、シリコン酸化膜付き基板を有する容器内は水性媒体で満たされており、容器内に気相が実質的に存在しない。容器内に気相が実質的に存在しないとは、気相の体積が、容器の容積に対して５％以下であることを意味する。別の実施形態において、シリコン酸化膜付き基板を有する容器内には、水性媒体に加えて、不活性ガスが充填されている。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素および水素などが挙げられる。不活性ガスの充填量は、シリコン酸化膜付き基板におけるシリコン酸化膜が水性媒体から露出しない限り特に制限されない。不活性ガスを充填することにより、封入された液体に、汚染物質を含む大気が接する機会が無くなるため、シリコン酸化膜付き基板表面の汚染を抑制することができる。また、実施形態として、不活性ガス雰囲気、たとえば高純度窒素ガス雰囲気中で、基板の容器への搬送、超純水の充填、蓋のはめ込みの一連の工程を行うだけでよいので、工程上も容易に実現できる。
容器へのシリコン酸化膜付き基板の配置および容器への水性媒体の導入は、いずれを先に実施してもよいが、好ましくはシリコン酸化膜付き基板の配置を先に行う。
本発明において、基板は、少なくともシリコン酸化膜付き基板におけるシリコン酸化膜を有する面が、水性媒体に覆われるように浸漬する。好ましくは、シリコン酸化膜付き基板の全体を水性媒体中に浸漬する。
本発明において、容器は、水性媒体およびシリコン酸化膜付き基板を導入する前に、あらかじめ洗浄してもよい。洗浄方法は、容器の材料により当技術分野で通常用いられる方法を使用できるが、例えば、アセトン、イソプロピルアルコールおよびメタノールなどの有機溶媒、塩酸および硝酸などの無機酸、水、オゾンを含む水、中性無リン洗浄液などの界面活性剤、前記液体中での超音波洗浄などで洗浄することにより実施できる。容器をあらかじめ洗浄することにより、シリコン酸化膜表面の汚染を防止することができる。
本発明の一実施形態では、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を製造後、水性媒体中に浸漬するまでの工程が、高純度窒素雰囲気下、不活性ガス雰囲気下または真空下で実施される。
高純度窒素雰囲気下とは、窒素濃度が、通常、９９．９９９％以上の純度、好ましくは気体中の残留酸素分圧が１ｐｐｍ以下の条件を意味する。不活性ガスについては、上記と同様である。
すなわち、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の製造後、水性媒体に浸漬するまでの間に、シリコン酸化膜が吸着性ガスと接触しないように、シリコン酸化膜付き基板の容器への配置および水性媒体の容器への導入を、吸着性ガスが存在しないか、また低濃度の条件下で実施する。
本発明において、吸着性ガスとは、シリコン酸化膜の表面に付着してシリコン酸化膜の膜厚の測定値を変化させうるガスを意味し、例えば、容器壁面からの放出ガス、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、トリエチルフタレート（ＴＥＰ）、トリメチルペンタンジオール（ＴＭＰＤ）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル−フェノール（ＢＨＴ）等などのプラスチック放出ガスやクリーンルーム内に存在するガスが挙げられる。
また、大気中の汚染物質がシリコン酸化膜の表面に付着して汚染されないよう、シリコン酸化膜の形成後、水性媒体に浸漬するまでの工程は、大気と遮断された条件下で実施するのが好ましい。
本発明の方法では、容器表面からの放出ガスが、導入した水性媒体に溶解するか、また壁面から放出すること自体を抑えられる。従って、放出ガスがシリコン酸化膜表面に吸着する量を著しく減少することができる。そして、シリコン酸化膜表面の汚染を防ぐこともできる。
本発明により、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、５００時間以上、好ましくは１０００時間以上の長期間にわたり、その膜厚を変化させることなく保管することができる。従って、シリコン酸化膜の厚さをスケールとして用いる用途に関して、スケールとしての信頼性を向上させることができる。また、本発明の方法により保管されたシリコン酸化膜付き基板は、汚染されていないことから、使用する前に洗浄する必要がなく、その点においても利便性がよい。
本発明の方法により保管されたシリコン酸化膜付き基板は、例えば、エリプソメーター、分光エリプソメーター、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、オージェ光電子分光法（ＡＥＳ）、ラザフォードバックスキャッタリング法（ＲＢＳ）、中エネルギーイオン散乱分光法（ＭＥＩＳ）、Ｘ線散乱角度分解法（ＸＲＲ）、電子線励起Ｘ線分光法における基準スケールとして使用することができる。
以下、本発明を実施例を参照することにより説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
図１に本発明の一実施形態を示す。ポリテトラフルオロエチレン樹脂製の函体および蓋体からなる密閉容器中にシリコン酸化膜付き基板を格納し、上部蓋体に存在する導入口より超純水を充填した。本実施形態では、容器は超純水で満たされており、容器内に気相は実質的に存在しない。その後、該導入口を同樹脂製のねじで閉じ、容器内を密閉状態にした。これにより外気から完全に遮断され、シリコン酸化膜付き基板表面は汚染されず、シリコン酸化膜の膜厚は変化しない。
図１に本発明の一実施形態を示す。ポリテトラフルオロエチレン樹脂製の函体および蓋体からなる密閉容器中にシリコン酸化膜付き基板を格納し、上部蓋体に存在する導入口より超純水を充填した。本実施形態では、容器は超純水で満たされており、容器内に気相は実質的に存在しない。その後、該導入口を同樹脂製のねじで閉じ、容器内を密閉状態にした。これにより外気から完全に遮断され、シリコン酸化膜付き基板表面は汚染されず、シリコン酸化膜の膜厚は変化しない。
（実施例２）
図２に本発明の一実施形態を示す。ポリテトラフルオロエチレン樹脂製の函体および蓋体からなる密閉容器中にシリコン酸化膜付き基板を格納し、上部蓋体に存在する導入口より超純水を充填した。本実施形態では、容器内の気相部に窒素が充填されている。本実施形態においても、シリコン酸化膜付き基板は超純水中に浸漬されているので汚染から保護され、シリコン酸化膜の膜厚は変化しない。
図２に本発明の一実施形態を示す。ポリテトラフルオロエチレン樹脂製の函体および蓋体からなる密閉容器中にシリコン酸化膜付き基板を格納し、上部蓋体に存在する導入口より超純水を充填した。本実施形態では、容器内の気相部に窒素が充填されている。本実施形態においても、シリコン酸化膜付き基板は超純水中に浸漬されているので汚染から保護され、シリコン酸化膜の膜厚は変化しない。
（実施例３）
シリコン酸化膜付き基板を２枚製造し、酸化膜の厚さを分光エリプソメーターで測定したところ、９ｎｍであった。
シリコン酸化膜付き基板を２枚製造し、酸化膜の厚さを分光エリプソメーターで測定したところ、９ｎｍであった。
上記シリコン酸化膜付き基板のうちの１枚を、窒素を充填したポリテトラフルオロエチレン樹脂製の容器に格納した。そして、随時取り出して酸化膜の厚さを分光エリプソメーターで計測した。膜厚の増分を図３に示す。これは容器壁面からの放出ガスがシリコン酸化膜表面に付着したことによる汚染であると考えられる。
ポリテトラフルオロエチレン樹脂製の容器に超純水を充填し、上記シリコン酸化膜付き基板のうちのもう一枚を浸漬して格納した。超純水における溶存酸素濃度を測定したところ、７ｐｐｍであった。超純水に浸漬したシリコン酸化膜付き基板におけるシリコン酸化膜の膜厚は、３５００時間後においても９ｎｍのまま変化しなかった。
以上から、窒素雰囲気下で保管されたシリコン酸化膜付き基板は、次第に膜厚が増加するのに対し、本発明の方法により保管されたシリコン酸化膜付き基板においては、膜厚が変化しないことが示された。
また、本発明の方法では、シリコン酸化膜の膜厚が５ｎｍおよび３ｎｍの場合も、同条件下で同様に、膜厚は変化しなかった。
（実施例４）
図４に、本発明を実施するための基板格納装置の一実施形態を表す概略図を示す。本実施形態の装置は、基板搬入室、基板酸化装置、基板搬送機および水性媒体充填室を備える。シリコン基板が基板搬入室に投入されると、基板搬送機により基板酸化装置に送られる
。シリコン基板は、基板酸化装置で酸化されて、シリコン基板上にシリコン酸化膜が形成される。製造されたシリコン酸化膜付き基板は、基板搬送機で基板酸化装置から取り出され、水性媒体充填室に運ばれる。ここでシリコン酸化膜付き基板が容器内に格納されるとともに、容器内に水性媒体が導入される。その後、水性媒体に浸漬されたシリコン酸化膜付き基板を有する容器は、この装置から搬出される。
図４に、本発明を実施するための基板格納装置の一実施形態を表す概略図を示す。本実施形態の装置は、基板搬入室、基板酸化装置、基板搬送機および水性媒体充填室を備える。シリコン基板が基板搬入室に投入されると、基板搬送機により基板酸化装置に送られる
。シリコン基板は、基板酸化装置で酸化されて、シリコン基板上にシリコン酸化膜が形成される。製造されたシリコン酸化膜付き基板は、基板搬送機で基板酸化装置から取り出され、水性媒体充填室に運ばれる。ここでシリコン酸化膜付き基板が容器内に格納されるとともに、容器内に水性媒体が導入される。その後、水性媒体に浸漬されたシリコン酸化膜付き基板を有する容器は、この装置から搬出される。
ここで基板搬入室、基板酸化装置、基板搬送機および水性媒体充填室内は、大気から遮蔽されおり、好ましくは不活性ガスで充填されている。従って、シリコン基板やシリコン酸化膜付き基板が外気に触れることはなく、この装置内で汚染によって酸化膜の膜厚増加が生じることはない。
ここで基板を格納する容器としては、直径５０ｍｍの基板用には合成石英製もしくはポリテトラフルオロエチレン樹脂製の容器を用いており、直径２００ｍｍの基板用には、ポリテトラフルオロエチレン樹脂製もしくは四フッ化エチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製を用いた。
Claims (9)
- シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、容器内で水性媒体中に浸漬することにより保管する方法。
- 水性媒体が水である請求項１記載の方法。
- 容器が有機高分子材料製である請求項１または２記載の方法。
- 容器がフッ素樹脂製である請求項３記載の方法。
- 容器が石英ガラス製である請求項３記載の方法。
- 容器が密封容器である、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
- 容器の内部に不活性ガスがさらに充填されている、請求項６記載の方法。
- 容器内に気相が実質的に存在しない、請求項６記載の方法。
- シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を製造後、水性媒体中に浸漬するまでの工程が、不活性ガス雰囲気下または真空下で実施される、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005078402A JP2006261473A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
| US11/372,026 US20060207688A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-03-10 | Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon |
| FR0602171A FR2883413A1 (fr) | 2005-03-18 | 2006-03-13 | Procede pour stocker un substrat de silicium sur lequel est forme un film d'oxyde de silicium |
| DE102006012445A DE102006012445A1 (de) | 2005-03-18 | 2006-03-17 | Verfahren zur Aufbewahrung eines Siliciumsubstrats mit einem darauf erzeugten Siliciumoxidfilm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005078402A JP2006261473A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006261473A true JP2006261473A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=36942467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005078402A Pending JP2006261473A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060207688A1 (ja) |
| JP (1) | JP2006261473A (ja) |
| DE (1) | DE102006012445A1 (ja) |
| FR (1) | FR2883413A1 (ja) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139034A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Nec Corp | 絶縁膜の製造方法 |
| JPS62206410A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Mimasu Handotai Kogyo Kk | ウエハ−厚さ測定方法及び装置 |
| JPH07283298A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-27 | Ebara Corp | 処理物の製造方法 |
| JPH0864666A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Fujitsu Ltd | 基板収納容器及び基板処理方法 |
| JPH08148550A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Sharp Corp | ウエハ運搬用容器 |
| JPH113877A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
| JP2002261058A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの製造方法 |
| JP2002267419A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Horiba Ltd | 膜厚測定装置 |
| JP2003037140A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚基準ウェーハの製造方法 |
| JP2003130809A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-08 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2003224245A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004103976A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の保管方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189527A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005078402A patent/JP2006261473A/ja active Pending
-
2006
- 2006-03-10 US US11/372,026 patent/US20060207688A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-13 FR FR0602171A patent/FR2883413A1/fr active Pending
- 2006-03-17 DE DE102006012445A patent/DE102006012445A1/de not_active Ceased
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139034A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Nec Corp | 絶縁膜の製造方法 |
| JPS62206410A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Mimasu Handotai Kogyo Kk | ウエハ−厚さ測定方法及び装置 |
| JPH07283298A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-27 | Ebara Corp | 処理物の製造方法 |
| JPH0864666A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Fujitsu Ltd | 基板収納容器及び基板処理方法 |
| JPH08148550A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Sharp Corp | ウエハ運搬用容器 |
| JPH113877A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
| JP2002261058A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの製造方法 |
| JP2002267419A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Horiba Ltd | 膜厚測定装置 |
| JP2003037140A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚基準ウェーハの製造方法 |
| JP2003130809A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-08 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2003224245A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004103976A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の保管方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060207688A1 (en) | 2006-09-21 |
| FR2883413A1 (fr) | 2006-09-22 |
| DE102006012445A1 (de) | 2006-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112189006B (zh) | 次氯酸季烷基铵溶液、其制造方法以及半导体晶圆的清洗方法 | |
| KR101412829B1 (ko) | 세정 장치, 측정 방법 및 교정 방법 | |
| TW200531180A (en) | Purging of a wafer conveyance container | |
| JP2007194626A (ja) | 半導体製造装置用のフッ素ゴム系成形品の洗浄方法および洗浄された成形品 | |
| US20090035497A1 (en) | Storage container for photomask-forming synthetic quartz glass substrate | |
| WO1992022084A1 (en) | Organic preclean for improving vapor phase wafer etch uniformity | |
| US11572331B2 (en) | Quaternary alkyl ammonium hypochlorite solution, method of producing the same, and method for processing semiconductor wafers | |
| JP7282862B2 (ja) | 薬液の精製方法 | |
| US9457385B2 (en) | Ultrasonic cleaning method and ultrasonic cleaning apparatus | |
| JP2006261473A (ja) | シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管方法 | |
| JP3644556B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP7029459B2 (ja) | 薬液収容体 | |
| JPH1012715A (ja) | 半導体ウェーハの保管方法及び保管容器 | |
| TW202422224A (zh) | 藥液的純化方法 | |
| WO2021182064A1 (ja) | 薬液の精製方法、薬液の製造方法、薬液 | |
| JPH05291387A (ja) | 基板用保管装置及び基板の保管方法 | |
| JP2001151274A (ja) | 保管容器 | |
| JP2000286335A (ja) | 基板収納容器 | |
| JP2019051974A (ja) | 容器の保管及び／又は運搬方法 | |
| TW202012252A (zh) | 具有活性表面之容器及形成此類容器之方法 | |
| JPH04259221A (ja) | 半導体ウェーハ用洗浄液 | |
| JP2000086805A (ja) | ポリビニルホルマール樹脂多孔質体の保存方法及び保存構造 | |
| JP2005277125A (ja) | キャリア及びキャリア洗浄方法 | |
| JPH09316229A (ja) | 高清浄度ポリビニルホルマール樹脂多孔質体 | |
| JPH04230029A (ja) | 研磨シリコンウエーハの貯蔵安定性表面を製造する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090731 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091222 |