JP3644556B2 - 成膜装置 - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置に係る。より詳細には、成膜装置の内部への不純物コンタミを防止できる成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の成膜装置として、図1に複数の室101〜107を有する成膜装置を示す。図6は、図1のA−A’部分の模式的な断面図である。また、図7は、図6のD−D’部分の模式的な平面図であり、図8は、図6のE領域の拡大図である。
【0003】
ここでは、図1のうち搬送室107と成膜室104のシール部を例にとって説明する。従来のシール部は、図8に示すとおり、成膜室の壁部材604’と成膜室の蓋604”を、一重のOリング632(図7)をもって封止していた。そのため、成膜室604(104)の内部を減圧した場合、Oリングを通して大気成分が透過するため、あるいはOリング自体からガス放出があるため、成膜室内の到達真空度を十分に下げることが困難であった。したがって、成膜室内に配置した基体の表面上には、有機系不純物や水分子が付着しやすい状況にあった。その結果、このような基体上に膜を形成すると、膜の諸特性が悪く、かつそのバラツキも大きくなるという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】
本発明は、成膜装置の内部への不純物コンタミを防止できる成膜装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の成膜装置は、シール部に各々がシール機能を有する二重のOリングを有し、前記二重のOリングの間を排気するための排気手段を備え、前記二重のOリングを構成する外側Oリングの断面径が内側Oリングの断面径以上であるため、成膜装置の内部への不純物コンタミ量を低減できる。
また、各Oリングの接触部において、Oリングがシールする隙間は内側の方が狭いことを特徴とする。
【0006】
また、本発明の成膜装置は、前記内側Oリングの断面径を前記外側Oリングの断面径で割った値が0.25以上であるため、不純物コンタミ量が低くてかつ安定な状態が得られる。
【0007】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をより詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限定されることはない。
【0008】
(実施例1)
本例の成膜装置(図2)は、図1に示した成膜装置において、少なくとも搬送室107と成膜室104のシール部に、各々二重のOリング131a,131bおよび132a,132bを設置した点が、従来の成膜装置(図6)と異なる。
【0009】
図3は、図2のB−B’部分の模式的な平面図であり、図4は、図2のC領域の拡大図である。本例のシール部は、図4に示すとおり、成膜室の壁部材104’と成膜室の蓋104”を、二重のOリング132a,132b(図3)をもって封止した。二重のOリングを構成する内側Oリング132aと外側Oリング132bの断面径を一致させ、5mmのものを用いた。また、二重のOリング132a,132bの全周の長さは約2000mmであり、二重のOリング132a,132bの材質はフッ素系ゴム(製品名、バイトン)とした(図3)。さらに、二重のOリングを構成する内側Oリング132aと外側Oリング132bの間には、不図示の排気手段(例えば、真空ポンプ)に通ずる配管133を設け、二重Oリングの間の空間134を約1Torrに減圧した(図4)。
【0010】
このようなシール部を有する成膜室104で、基体125上にアルミニウム膜を形成し、膜中に含まれるコンタミ量を調べた。基体125としては、10mm角のガラス基板(コーニング社製、#7059)を用いた。
【0011】
以下では、実験手順にしたがって説明する。
【0012】
(1)次の▲1▼及び▲2▼に示した処理を順次行い、基体を洗浄した。
▲1▼基体が入ったカセット(材質:シリコン樹脂)を超純水(比抵抗:18MΩ)浸漬させ、超純水中に超音波振動(0.8MHz)を10分間加えた。
▲2▼上記▲1▼の処理を終えた基体をスピン乾燥(850rpm、2分間)した。
【0013】
(2)上記(1)の処理を終えた基体121が入ったカセット122をロード室101内へ挿入した後、ロード室内を1×10-6Torrまで減圧した。
【0014】
(3)ロード室101内において、不図示のUVランプ(波長が250nm〜600nmを有するダニエルソン社製、型番PSS−275)で基体上に紫外線を10分間照射した後、次の条件で不図示のオゾンガスをロード室内に導入することでオゾンガスに基体121を曝した。
・供給ガス:O3100ppm/O2:N2=1:4
・オゾンガスの不純物濃度:1ppb以下
・気密室の内圧:700Torr
・供給時間:10分間
但し、O3、O2及びN2以外のガス成分がオゾンガスに含まれる不純物であり、例えばH2O、CO2、CH4が挙げられる。
【0015】
(4)上記(3)の処理を終えた基体121は、基体搬送手段123を用いて、前もって超高真空に排気してある搬送室107を介して、前もって超高真空に排気してある成膜室104に移した。搬送室及び成膜室の到達圧力は1×10-8Torr以下、H2O分圧は1×10-9Torr以下とした。
【0016】
(5)成膜室104において、電力密度1.5W/cm2、周波数13.56MHzの高周波電力(又は、電力密度4W/cm2の直流電力)を、Alターゲット127が配置されたカソード128に供給し、プラズマを発生させ、加熱された基体(150℃)125上に厚さ200nmのアルミニウム膜を形成した。
【0017】
(6)上記(5)で作製したアルミニウム膜に含有させるコンタミ量を、SIMS(パーキンエルマ社製、SIMS6600)で調べた。
【0018】
(比較例1)
本例では、二重のOリング(図1〜図4)の代わりに一重のOリング(図6〜図8)631、632を用いた点が実施例1と異なる。すなわち、実施例1の中間排気を行わなかった。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0019】
(比較例2)
本例では、二重のOリングの間の空間134を排気手段で排気しなかった点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0020】
(実施例2)
本例では、外側Oリング132bの断面径は5mmに固定したまま、内側Oリング132aの断面径を外側Oリング132bの断面径で割った値が0.8となる内側Oリング132a用いた点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0021】
(実施例3)
本例では、外側Oリング132bの断面径は5mmに固定したまま、内側Oリング132aの断面径を外側Oリング132bの断面径で割った値が0.5となる内側Oリング132a用いた点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0022】
(実施例4)
本例では、外側Oリング132bの断面径は5mmに固定したまま、内側Oリング132aの断面径を外側Oリング132bの断面径で割った値が0.25となる内側Oリング132a用いた点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0023】
(実施例5)
本例では、外側Oリング132bの断面径は5mmに固定したまま、内側Oリング132aの断面径を外側Oリング132bの断面径で割った値が2となる内側Oリング132a用いた点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0024】
(実施例6)
本例では、外側Oリング132bの断面径は5mmに固定したまま、内側Oリング132aの断面径を外側Oリング132bの断面径で割った値が3となる内側Oリング132a用いた点が実施例1と異なる。
他の点は、実施例1と同様とした。
【0025】
図5は、各実施例及び比較例で作製したアルミニウム膜に含まれたコンタミ量を測定した結果である。図5において、●印は炭素原子、▲印は酸素原子、■印は窒素原子の値を示す。但し、縦軸は、比較例1の試料で観測された量(炭素原子=4×1018[atms/cm3]、酸素原子=5×1018[atms/cm3]、窒素原子=2×1017[atms/cm3])で規格化した数値で示した。
【0026】
図5から、以下の点が明らかとなった。
【0027】
(a)一重のOリング(比較例1)を二重のOリング(比較例2)に代えただけではコンタミ量は変化せず、さらに二重のOリングの間の空間134を排気する排気手段を設けた(実施例1)ときコンタミ量が減少することが分かった。
【0028】
(b)内側Oリングの断面径を外側Oリングの断面径で割った値が1より大きい場合(実施例5、6)は、一重のOリング(比較例1)の場合よりコンタミ量が増加する。一方、内側Oリングの断面径を外側Oリングの断面径で割った値が1以下の場合(実施例1〜4)は、コンタミ量が減少する。特に、内側Oリングの断面径を外側Oリングの断面径で割った値が0.25以上の時、不純物コンタミ量が低くてかつ安定な状態が得られることが分かった。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、成膜装置の内部への不純物コンタミを防止できる成膜装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る、少なくとも搬送室と成膜室に二重Oリングを設置したクラスターツール型の成膜装置の模式的な平面図である。
【図2】図1のA−A’部分の模式的な断面図である。
【図3】図2のB−B’部分の模式的な平面図である。
【図4】図2のC領域の拡大図である。
【図5】各実施例及び比較例で作製したアルミニウム膜に含まれたコンタミ量の測定結果を示すグラフである。
【図6】比較例1に係る、少なくとも搬送室と成膜室に一重Oリングを設置したクラスターツール型の成膜装置の模式的な断面図である。
【図7】図6のD−D’部分の模式的な平面図である。
【図8】図6のE領域の拡大図である。
【符号の説明】
101、601 ロード室、
102 アンロード室、
103〜106、604 成膜室、
104’、604’ 成膜室の壁部材、
104”、604” 成膜室の蓋、
107、607 搬送室
107’、607’ 搬送室の壁部材、
107”、607” 搬送室の蓋、
111〜114、611、614 ゲートバルブ、
117〜119、617〜619 排気手段、
121、125、621、625 基体、
123、623 基体搬送手段、
126、626 基体処理台、
127、627 Alターゲット、
128、628 カソード電極、
129、629 ガス配管、
131a、131b、132a、132b 二重のOリング、
133 不図示の中間排気手段に通ずる配管、
134 二重のOリングの間の空間、
631、632 一重のOリング。

Claims (3)

  1. シール部に各々がシール機能を有する二重のOリングを有し、前記二重のOリングの間を排気するための排気手段を備え、前記二重のOリングを構成する外側Oリングの断面径が内側Oリングの断面径以上であることを特徴とする成膜装置。
  2. 各Oリングの接触部において、Oリングがシールする隙間は内側の方が狭いことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記内側Oリングの断面径を前記外側Oリングの断面径で割った値が、0.25以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
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TWI316097B (en) 2002-06-21 2009-10-21 Ebara Corp Substrate holder and plating apparatus
JP4162440B2 (ja) * 2002-07-22 2008-10-08 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
US9624596B2 (en) 2002-07-22 2017-04-18 Ebara Corporation Electrochemical deposition method
JP2006124792A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
JP5353555B2 (ja) * 2009-08-21 2013-11-27 株式会社島津製作所 電子線装置
JP5806827B2 (ja) * 2011-03-18 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法
JP5456730B2 (ja) * 2011-07-20 2014-04-02 株式会社アルバック トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2015074796A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 国立大学法人東北大学 原子層堆積装置
US20220260156A1 (en) * 2021-02-12 2022-08-18 Kla Corporation Dual Vacuum Seal

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