JPH11251397A - 被処理体の搬出方法及び処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 臭素を含む処理ガスで処理された被処理体を
収容するカセットチャンバの内壁面が腐食され難い被処
理体の搬出方法及び搬送装置を提供する。 【解決手段】 処理装置１００のトランスファチャンバ
（ＴＣ）１０２ａの周囲には，プロセスチャンバ（Ｐ
Ｃ）１０４ａ，１０６ａとカセットチャンバ（ＣＣ）１
１２ａ，１１４ａが配置される。ＴＣ１０２ａ内の搬送
アーム１１６により，ＰＣ１１０ａ内でＨＢｒで処理さ
れたウェハＷをＣＣ１１４ａ内のカセット１２０に回収
した後，ゲートバルブＧ４を閉じる。ガス供給管１２６
とフィルタ１２４を介してＣＣ１１４ａ内に大気を導入
し，ＣＣ１１４ａ内をパージする。排気管１３８を介し
てＣＣ１１４ａ内を真空引きする。ＣＣ１１４ａ内にＮ
₂を導入してドアバルブＤ２を開放し，カセット１２０
をＣＣ１１４ａの外部に搬出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，被処理体の搬出方
法及び処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近，半導体装置の製造工程において
は，スループットの向上や半導体装置の汚染防止などの
観点から，真空搬送室などのトランスファチャンバを中
心として，その周囲にエッチング装置の処理室などの各
種プロセスチャンバと，カセットチャンバを接続した，
いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処
理装置が使用されている。この処理装置は，トランスフ
ァチャンバ内に配置された搬送機構，例えば搬送アーム
の作動により，カセットチャンバ内のカセットに収容さ
れた被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」
と称する。）をトランスファチャンバ内を介して各プロ
セスチャンバ内に搬送し，該ウェハに対して所定の処理
を施した後，そのウェハを再びカセットに回収するよう
に構成されている。

【０００３】そして，上記処理装置では，所定枚数のウ
ェハをカセットに収容すると，まずトランスファチャン
バとカセットチャンバとの間に介装されたゲートバルブ
を閉じてカセットチャンバ内を気密に隔離する。次い
で，カセットチャンバ内に窒素（Ｎ₂）などのパージガ
スを導入してカセットチャンバ内を大気圧と略同一の圧
力雰囲気にまで昇圧させた後，カセットチャンバ内を開
閉自在に密閉するドアバルブを開放して，カセットをカ
セットチャンバの外部に搬送している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
た処理装置は，カセットに所定枚数のウェハを収容した
後に，そのカセットをカセットチャンバの外部に搬出す
るため，処理が終了したウェハがカセットチャンバ内に
長時間滞在することになる。従って，臭化水素（ＨＢ
ｒ）などの臭素（Ｂｒ）を含む処理ガスでエッチング処
理が施されたウェハがカセットチャンバ内に相対的に長
時間滞在すると，ウェハに付着していた臭素や臭素化合
物がカセットチャンバ内に飛散する時間も長くなる。そ
の結果，それら臭素や臭素化合物がカセットチャンバの
内壁面や，カセットチャンバ内に配された各種部材や，
カセットに付着し，腐食を引き起こすと共に，付着物が
剥がれた場合には，パーティクルが発生して歩留りが低
下する。

【０００５】また，カセットに収容するウェハの枚数を
減少させたり，枚葉式にウェハをカセットチャンバの外
部に搬送して，カセットチャンバ内でのウェハの滞在時
間を減少させると，上記臭素や臭素化合物がカセットチ
ャンバ内に飛散する時間が短縮される反面，次のような
問題が生じる。すなわち，カセットチャンバ内へカセッ
トあるいはウェハを搬入する際には，カセットチャンバ
内をトランスファチャンバ内と略同一の減圧雰囲気にま
で真空引きし，カセットチャンバ内からカセットあるい
はウェハを搬出する際には，カセットチャンバ内を大気
圧と略同一の圧力雰囲気にまで昇圧させるため，上記の
ような構成とすると，カセットチャンバ内の真空引きと
昇圧を頻繁に行わなければならず，スループットが低下
する。

【０００６】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものであり，臭素を含む処理
ガスで処理された被処理体から臭素や，臭化水素などの
臭素化合物がカセットチャンバ内に飛散しても，それら
臭素や臭素化合物がカセットチャンバの内壁面やカセッ
トチャンバ内の各種部材やカセットに付着して腐食した
り，パーティクルが発生することを抑制することがで
き，処理装置の高寿命化や歩留りの向上を図ることが可
能な，新規かつ改良された被処理体の搬出方法及び処理
装置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，被処理体の搬出方法であって，臭素を含む
処理ガスで処理された被処理体を真空予備室内に収容す
る工程と，真空予備室内を気密に隔離する工程と，真空
予備室内に大気を導入した後，真空予備室内を真空引き
し，真空予備室内をパージする工程を含むことを特徴と
する被処理体の搬出方法が提供される。

【０００８】かかる構成によれば，臭素を含む処理ガス
で処理された被処理体が滞在する真空予備室内，例えば
請求項３に記載の発明のようにカセットチャンバ内に大
気を導入した後，そのカセットチャンバ内を真空引きす
るため，被処理体から飛散し，カセットチャンバ内に浮
遊している臭素や臭素化合物をカセットチャンバ外に迅
速に排出することができる。その結果，臭素や臭素化合
物がカセットチャンバの内壁面や，カセットチャンバ内
に配された各種部材や，カセットなどに付着し難くな
り，それらカセットチャンバの内壁面などが腐食するこ
と抑制できるため，搬送装置の寿命を延長することがで
きる。また，カセットチャンバの内壁面などに付着した
臭素や臭素化合物が剥がれると，パーティクルが生じる
が，上述の如くカセットチャンバの内壁面などに臭素や
臭素化合物が付着し難いため，パーティクルの発生を抑
制することができる。その結果，パーティクルが被処理
体に付着し難くなるため，歩留りを向上させることがで
きる。

【０００９】また，上述の如く，カセットチャンバ内に
大気を導入するため，臭素や臭素化合物がカセットチャ
ンバの内壁面や，カセットチャンバ内に配された各種部
材や，カセットなどに付着しても，それら臭素や臭素化
合物が大気に含まれる物質，例えば水と反応して剥が
れ，カセットチャンバ内に浮遊し易くなる。その結果，
上記カセットチャンバ内の真空引きによる臭素や臭素化
合物の排出を一層効果的に行うことができ，さらに搬送
装置の高寿命化と歩留りの向上を図ることができる。ま
た，上記カセットチャンバ内のパージを被処理体を収容
するカセット単位で行えば，スループットに影響を及ぼ
すことなく，上記腐食やパーティクルの発生を抑制でき
る。

【００１０】さらに，真空予備室内を大気でパージする
工程を，例えば請求項２に記載の発明のように，複数回
反復し，臭素や臭素化合物と大気の反応と，真空予備室
内のガスの排気を繰り返せば，真空予備室の内壁面など
の腐食や，パーティクルの発生をより確実に抑制でき
る。

【００１１】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項４に記載の発明のように，臭素を含む処理ガスで処理
された被処理体を収容する真空室と，真空室内を大気で
パージする大気導入手段とを備えたことを特徴とする処
理装置が提供される。

【００１２】かかる構成によれば，臭素を含む処理ガス
で処理された被処理体が滞在する真空室内，例えば請求
項５に記載の発明のようにカセットチャンバ内に大気導
入手段を接続したため，その大気導入手段からカセット
チャンバ内に大気を導入してカセットチャンバ内をパー
ジすれば，上述した請求項１に記載の発明と同様に，被
処理体から飛散した臭素や臭素化合物と，大気中の物質
が反応して，カセットチャンバの内壁面などが腐食した
り，カセットチャンバ内にパーティクルが発生すること
を抑制できる。その結果，処理装置の寿命を延長するこ
とができると共に，歩留りを向上させることができる。

【００１３】また，本発明の第３の観点によれば，請求
項６に記載の発明のように，臭素を含む処理ガスで被処
理体に処理を施す真空処理室と，真空処理室内を大気で
パージする大気導入手段とを備えたことを特徴とする処
理装置が提供される。

【００１４】かかる構成によれば，臭素を含む処理ガス
で被処理体に処理を施す真空処理室内に大気導入手段を
接続したため，例えば真空処理室をメンテナンスする際
に，真空処理室の開放前に大気導入手段から真空処理室
内に大気を導入して真空処理室内をパージすれば，真空
処理室の開放時に臭素や臭素化合物が大気中に放出され
ることを防止できる。

【００１５】なお，本明細書において，パージとは，上
記真空予備室内や真空室内にパージガスを導入するこ
と，あるいはそれら真空予備室内や真空室内のガスをパ
ージガスに置換することをいう。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかる被処理体の搬出方法及び処理装置を
クラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置１
００に適用した実施の形態について詳細に説明する。

【００１７】（１）処理装置１００の全体構成 まず，図１を参照しながら，本実施の形態を適用可能な
処理装置１００の全体構成について説明する。処理装置
１００は，ウェハＷに対して所定の処理を連続的に施す
ための装置の集合体で，トランスファチャンバ１０２ａ
を囲う容器（以下，「トランスファチャンバ容器」とい
う。）１０２内に形成されたのトランスファチャンバ１
０２ａを中心として，そのトランスファチャンバ１０２
ａの周囲に，例えばプロセスチャンバ１０４ａを有する
第１エッチング装置１０４と，プロセスチャンバ１０６
ａを有する第２エッチング装置１０６が配置されてい
る。さらに，トランスファチャンバ１０２ａの周囲に
は，カセットチャンバ１１２ａを有する第１カセット容
器１１２と，カセットチャンバ１１４ａを有する第２カ
セット容器１１４が配置されている。

【００１８】また，トランスファチャンバ１０２ａ内と
プロセスチャンバ１０４ａは，ゲートバルブＧ１を介し
て連通し，トランスファチャンバ１０２ａ内とプロセス
チャンバ１０６ａは，ゲートバルブＧ２を介して連通し
ている。さらに，トランスファチャンバ１０２ａ内とカ
セットチャンバ１１２ａは，ゲートバルブＧ３を介して
連通し，トランスファチャンバ１０２ａ内とカセットチ
ャンバ１１４ａは，ゲートバルブＧ４を介して連通して
いる。

【００１９】また，トランスファチャンバ１０２ａ内に
は，ウェハＷを搬送する搬送アーム１１６が設けられて
いる。また，カセットチャンバ１１２ａ内とカセットチ
ャンバ１１４ａ内には，未処理のウェハＷを収容し，あ
るいは処理済みのウェハＷを回収するカセット１２０が
配置されている。さらに，カセット１２０は，それぞれ
に対応するカセットチャンバ１１２ａのドアバルブＤ
１，あるいはカセットチャンバ１１４ａのドアバルブＤ
２を介して搬入出される。また，第１及び第２カセット
容器１１２，１１４のドアバルブＤ１，Ｄ２側には，遮
断壁１２２が設けられており，この遮断壁１２２によっ
て空気清浄度の高いクリーンルームと，処理装置１００
が配置される空間が分離されている。

【００２０】（２）カセットチャンバ１１４ａの装置構
成 次に，図２を参照しながら，本実施の形態が適用される
カセットチャンバ１１４ａの装置構成について説明す
る。なお，同図では，カセット１２０やカセット１２０
を載置するステージなどの構成は省略されている。ま
た，カセットチャンバ１１４ａとカセットチャンバ１１
２ａは，略同一に構成されている。

【００２１】同図に示すように，カセットチャンバ１１
４ａ内には，大気をカセットチャンバ１１４ａ内に均一
に吐出すると共に，塵埃を除去するためのフィルタ１２
４が設けられている。このフィルタ１２４には，ガス供
給管１２６が接続されており，フィルタ１２４と遮断壁
１２２外部の大気とは，そのガス供給管１２６を介して
連通している。また，ガス供給管１２６には，切り替え
バルブ１２８と，開閉バルブ１３２と，流量調整バルブ
１３４が順次介装されている。さらに，切り替えバルブ
１２８には，不図示の窒素などの不活性ガスを供給する
ガス供給源に接続された分岐管１３６が接続されてい
る。なお，図示のように，ガス供給管１２６の大気側開
口部１２６ａは，遮断壁１２２の外部に設けられている
ことが好ましい。

【００２２】また，カセットチャンバ１１４ａ内には，
排気管１３８が接続されており，この排気管１３８に
は，開閉バルブ１４０を介して真空引き機構Ｐ１４２が
接続されている。さらに，カセットチャンバ１１４ａ内
には，カセットチャンバ１１４ａ内の圧力雰囲気を測定
するための不図示の圧力センサが接続されている。

【００２３】（３）ウェハＷの搬出方法 次に，図１及び図２を参照しながら，本実施の形態にか
かるウェハＷの搬出方法について説明する。 （工程１）まず，図１に示すように，例えばプロセスチ
ャンバ１０４ａ内で臭素ガスを使用して所定のエッチン
グ処理が施されたウェハＷを，搬送アーム１１６の作動
により，カセットチャンバ１１４ａ内のカセット１２０
に回収する。

【００２４】（工程２）次いで，カセット１２０に所定
枚数，例えば２５枚のウェハＷを収容した後，ゲートバ
ルブＧ４を閉じて，トランスファチャンバ１０２ａ内と
カセットチャンバ１１４ａ内を気密に隔離する。この
際，カセットチャンバ１１４ａ内は，トランスファチャ
ンバ１０２ａ内と略同一の減圧雰囲気，例えば２００ｍ
Ｔｏｒｒに維持されている。

【００２５】（工程３）次いで，開閉バルブ１３２を開
放し，かつ流量調整バルブ１３４を調整すると，ガス供
給管１２６の大気側開口部１２６ａから遮断壁１２２外
部の大気が侵入する。そして，そのガス供給管１２６内
の大気は，フィルタ１２４からカセットチャンバ１１４
ａ内に均一に吐出され，カセットチャンバ１１４ａ内が
パージされる。この際，ガス供給管１２６と分岐管１３
６は，切り替えバルブ１２８の切り替えによって遮断さ
れている。従って，カセットチャンバ１１４ａ内は，例
えば５００Ｔｏｒｒにまで昇圧される。また，カセット
チャンバ１１４ａ内に導入されるクリーンルームの大気
は，例えば３０％の水蒸気を含んでいる。そして，カセ
ットチャンバ１１４ａ内が上記圧力雰囲気に達した後に
開閉バルブ１３２を閉じて，カセットチャンバ１１４ａ
内への大気の導入を停止する。その後，開閉バルブ１４
０を開放し，カセットチャンバ１１４ａ内が例えば２０
０ｍＴｏｒｒになるまでカセットチャンバ１１４ａ内を
真空引きした後，開閉バルブ１４０を閉じる。

【００２６】通常，カセットチャンバ１１４ａ内には，
ウェハＷ表面に付着していた臭素や臭素化合物が浮遊し
ているが，上記工程を行うことにより，それら臭素や臭
素化合物をカセットチャンバ１１４ａ外に排出すること
ができる。その結果，それら臭素や臭素化合物がカセッ
トチャンバ１１４ａの内壁面や，カセットチャンバ１１
４ａ内に配置された各種部材や，カセット１２０に付着
しなくなり，パーティクルの発生も抑制できる。また，
大気中の水分とウェハＷに付着している臭素や臭素化合
物が反応すると，それら臭素や臭素化合物が浮遊し易く
なるので，一層，臭素や臭素化合物の排出が効果的に行
われる。その結果，それらカセットチャンバ１１４ａの
内壁面や，カセットチャンバ１１４ａ内の各種部材や，
カセット１２０の腐食を抑制することができ，処理装置
１００の高寿命化を図ることができる。さらに，パーテ
ィクルが発生し難くなるため，歩留りも向上させること
ができる。さらにまた，後述のドアバルブＤ２の開放時
に，臭素や臭素化合物がカセット１２０の搬送経路に放
出されることも防止できる。

【００２７】（工程４）次いで，切り替えバルブ１２８
を切り替えて，カセットチャンバ１１４ａ内に窒素を導
入し，カセットチャンバ１１４ａ内をパージする。そし
て，カセットチャンバ１１４ａ内が実質的に７６０Ｔｏ
ｒｒ程度に達した後，窒素の供給を停止すると共に，ド
アバルブＤ２を開放して，カセットチャンバ１１４ａ内
のカセット１２０をカセットチャンバ１１４ａ外部に搬
出する。かかる構成により，ドアバルブＤ２の開放時に
は，カセットチャンバ１１４ａ内をカセット１２０の搬
送経路と略同一の圧力雰囲気に維持することができ，カ
セット１２０の搬出を迅速に行うことができる。

【００２８】本実施の形態にかかるウェハＷの搬出方法
は，以上のように構成されており，カセットチャンバ１
１２ａ，１１４ａ内を大気でパージするため，カセット
チャンバ１１２ａ，１１４ａ内に収容したウェハＷから
臭素や臭素化合物が飛散しても，付着物やパーティクル
の原因となることを抑制できる。その結果，ウェハＷが
トランスファチャンバ１０２ａ内や，プロセスチャンバ
１０４ａ，１０６ａ内よりも相対的に長い時間滞在する
カセットチャンバ１１２ａ，１１４ａの内壁面や，カセ
ットチャンバ１１２ａ，１１４ａ内に配された各種部材
や，カセット１２０の腐食を抑制して，処理装置１００
の高寿命化を図ることができると共に，パーティクルの
減少により歩留りを向上させることができる。

【００２９】

【実施例】次に，上述した本実施の形態にかかるウェハ
Ｗの搬出方法の実施例について説明する。本実施例で
は，後述する条件で処理を施したウェハＷをカセットチ
ャンバ１１４ａ内のカセット１２０に回収した後にカセ
ットチャンバ１１４ａ内を大気でパージし，そのパージ
後のウェハＷ上の臭化水素濃度を測定した。ところで，
発明者の知見によれば，カセットチャンバ１１４ａ内に
飛散する臭素や臭化化合物は，通常，ウェハＷ上に形成
されたフォトレジスト膜に付着した状態でカセットチャ
ンバ１１４ａ内に運ばれる。そして，そのフォトレジス
ト膜に付着した臭素や臭素化合物の一部がカセットチャ
ンバ１１４ａ内に飛散すると，上述の如くカセットチャ
ンバ１１４ａの内壁面などの付着して腐食を引き起こし
たり，パーティクルを生じさせたりする。そこで，ウェ
ハＷのフォトレジスト膜上，すなわちフォトレジスト膜
から飛散した臭素や臭素化合物の量を測定すれば，カセ
ットチャンバ１１４ａ内に飛散する臭素や臭素化合物の
量を知ることができる。また，本実施例では，エッチン
グ処理時の処理ガスとして臭化水素を使用したため，上
記フォトレジスト膜から飛散した臭化水素の量を測定す
れば，カセットチャンバ１１４ａ内に飛散した臭素や臭
素化合物の量を知ることができる。

【００３０】（ａ）エッチング条件 まず，ウェハＷに施したエッチング条件について説明す
る。被処理体は，被処理面にフォトレジストパターンで
被覆されたポリシリコン膜が形成された直径２００ｍｍ
のウェハＷを使用した。また，エッチング処理は，上記
第４エッチング装置１１０のプロセスチャンバ１１０ａ
内で行い，このプロセスチャンバ１１０ａ内には，不図
示の下部電極と上部電極を対向に配置した。さらに，処
理ガスは，臭化水素を使用し，プロセスチャンバ１１０
ａ内の圧力雰囲気は，６０ｍＴｏｒｒに設定した。さら
に，ウェハＷを載置する下部電極には，１３．５６ＭＨ
ｚで２８０Ｗの高周波電力を印加し，ウェハＷに対して
１４０秒間のプラズマエッチング処理を施した。

【００３１】（ｂ）カセットチャンバ１１４ａ内の大気
のパージ条件 次に，カセットチャンバ１１４ａ内の大気のパージ条件
について説明する。カセットチャンバ１１４ａは，カセ
ットチャンバ１１４ａ内に２５枚のウェハＷを載置した
カセット１２０を収容できる。また，本実施例では，カ
セットチャンバ１１４ａ内に上記エッチング処理が施さ
れたウェハＷを２５枚載置したカセット１２０を収容し
た。さらに，カセット１２０内に上記２５枚のウェハＷ
を回収した直後にゲートバルブＧ４を閉じた。この時の
カセットチャンバ１１４ａ内の圧力雰囲気は，２００ｍ
Ｔｏｒｒであった。

【００３２】その後，カセットチャンバ１１４ａ内がそ
れぞれ５０Ｔｏｒｒと，２００Ｔｏｒｒと，５００Ｔｏ
ｒｒに達するまで，カセットチャンバ１１４ａ内に大気
を導入し，カセットチャンバ１１４ａ内をパージした。
さらに，カセットチャンバ１１４ａ内が所定の各圧力雰
囲気に達した後，カセットチャンバ１１４ａ内が２００
ｍＴｏｒｒの圧力雰囲気になるまで真空引きした。その
後，カセットチャンバ１１４ａ内が７６０ｍＴｏｒｒの
圧力雰囲気になるまで，カセットチャンバ１１４ａ内に
窒素を導入した後，ドアバルブＤ２を開放した。

【００３３】（ｃ）臭化水素濃度の測定条件 次に，臭化水素濃度の測定条件について説明する。臭化
水素濃度の測定には，ＨＮＯ₃用の検知管を使用し，こ
の検知管によってカセットチャンバ１１４ａ内から搬出
された直後のウェハＷの被処理面上３ｍｍの高さの雰囲
気を各５回吸引して臭素（気体）濃度を測定し，この臭
素濃度の平均値から臭化水素濃度を算出した。

【００３４】（ｄ）臭化水素濃度の測定結果 次に，図３を参照しながら，上記各条件に基づいて測定
したウェハＷ上の残留臭化水素濃度の測定結果について
説明する。まず，カセットチャンバ１１４ａ内を大気で
パージしなかった場合，すなわち上記プロセスで，ゲー
トバルブＧ４を閉じた直後にカセットチャンバ１１４ａ
内に窒素を導入してカセットチャンバ１１４ａ内を７６
０Ｔｏｒｒにまで昇圧し，ドアバルブＤ２を開放してカ
セット１２０を搬出した場合には，ウェハＷ上の臭化水
素濃度は，１．１ｐｐｍ程度だった。

【００３５】これに対して，上記プロセスで，カセット
チャンバ１１４ａ内が５０ｍＴｏｒｒの圧力雰囲気に達
するまでカセットチャンバ１１４ａ内を大気でパージし
た場合には，ウェハＷ上の臭化水素濃度は，１．０ｐｐ
ｍ程度で微量の減少に止まったが，同様にしてカセット
チャンバ１１４ａ内が２００ｍＴｏｒｒの圧力雰囲気に
達するまでカセットチャンバ１１４ａ内を大気でパージ
した場合には，上記臭化水素濃度は，０．５ｐｐｍ程度
まで減少し，大気でパージしなかった場合と比較して臭
化水素濃度が半分以下にまで減少した。さらに，カセッ
トチャンバ１１４ａ内が５００ｍＴｏｒｒの圧力雰囲気
に達するまでカセットチャンバ１１４ａ内を大気でパー
ジした場合には，ウェハＷ上の臭化水素濃度は，大気で
パージしなかった場合と比較して約１／５の０．２ｐｐ
ｍ程度にまで減少した。

【００３６】以上の結果より，ウェハＷ上の臭化水素濃
度は，カセットチャンバ１１４ａ内をパージする大気の
導入圧力雰囲気，すなわち大気の導入量の増加に伴って
減少することがわかった。ただし，そのウェハＷ上の臭
化水素濃度は，上記大気の導入量が少ないほど低下が著
しく，大気の導入量が多くなるほど低下が緩慢となっ
た。また，カセットチャンバ１１４ａ内への大気の導入
時間は，その大気の導入量の増加に比例して長くなるた
め，大気の導入量を増加させるとカセットチャンバ１１
４ａ内からカセット１２０を搬出するまでに時間がかか
り，スループットを低下させる原因となる。従って，同
図に示すように，カセットチャンバ１１４ａ内が２００
Ｔｏｒｒ〜５００Ｔｏｒｒの圧力雰囲気となるようにカ
セットチャンバ１１４ａ内を大気でパージすれば，スル
ープットに影響を与えることなく，カセットチャンバ１
１４ａ内に飛散した臭素や臭化化合物がカセットチャン
バ１１４ａの内壁面などに付着したり，パーティクルが
発生することを抑制できる。

【００３７】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それ
ら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属
するものと了解される。

【００３８】例えば，上記実施の形態において，カセッ
トチャンバ内を大気でパージする工程と，そのパージ後
カセットチャンバ内を真空引きする工程をそれぞれ１回
のみ行う構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されるものではなく，それらカセットチャン
バ内を大気でパージする工程と，カセットチャンバ内を
真空引きする工程をそれぞれ２回以上行う構成としても
本発明は実施することができ，この場合には，カセット
チャンバ内に飛散する臭素や臭化化合物の量をさらに減
少させることができる。

【００３９】また，上記実施の形態において，カセット
チャンバ内を大気のみでパージする構成を例に挙げて説
明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，例えばカセットチャンバ内を大気に窒素などの不活
性ガスを混合してパージしても本発明を実施することが
できる。

【００４０】さらに，上記実施の形態において，カセッ
トチャンバ内を大気でパージする工程の前に，カセット
チャンバ内を真空引きしない構成を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではない。カ
セットチャンバ内の圧力が高い場合などには，カセット
チャンバ内を大気でパージする前にカセットチャンバ内
を所定の減圧雰囲気にまで真空引きを行っても本発明を
実施することができる。

【００４１】さらにまた，上記実施の形態において，ド
アバルブを開放する工程の前にカセットチャンバ内を窒
素でパージする構成を例に挙げて説明したが，本発明は
かかる構成に限定されるものではなく，大気でパージす
る構成としても本発明を実施することができる。

【００４２】また，上記実施の形態において，カセット
チャンバ内のみを大気でパージする構成を例に挙げて説
明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，臭素を含むガスで処理された被処理体が通過するト
ランスファチャンバや，ロードロック室とプロセスチャ
ンバから構成される装置のロードロック室にも本発明を
適用することができる。すなわち，本発明は，カセット
チャンバや，トランスファチャンバや，ロードロック室
などの各種真空予備室に適用することができる。この場
合には，トランスファチャンバやロードロック室でのパ
ーティクルの発生や，それらの内壁面などの腐食も防止
することができる。また，プロセスチャンバをメンテナ
ンスする際に，プロセスチャンバの開放前にプロセスチ
ャンバ内への大気の導入と，プロセスチャンバ内の真空
引きを行った後，プロセスチャンバを開放すれば，その
プロセスチャンバの開放時に臭素や臭素化合物が大気中
に放出されることを防止できる。

【００４３】さらに，上記実施の形態において，クラス
タ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置を例に挙
げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもの
ではなく，臭素を含むガスで処理された被処理体を扱う
処理装置であれば，いかなる処理装置にも適用すること
ができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば，臭素を含むガスで処理
された被処理体を収容するカセットチャンバ内を大気で
パージするため，被処理体に付着した臭素や臭素化合物
がカセットチャンバ内に飛散しても，それら臭素や臭素
化合物がカセットチャンバの内壁面やカセットチャンバ
内に配された各種部材やカセットなどに付着することを
抑制できる。その結果，上記カセットチャンバの内壁面
などの腐食を軽減することができるため，臭素を含むガ
スで処理された被処理体を扱う処理装置の寿命を大幅に
延長することができる。さらに，カセットチャンバ内で
のパーティクルの発生を抑制できるため，歩留りを向上
させることができる。また，カセットチャンバ内に大気
を導入した後に，そのカセットチャンバ内を真空引きす
れば，臭素や臭素化合物と反応した大気を迅速にカセッ
トチャンバ外部に排気することができ，上記腐食やパー
ティクルの発生をさらに抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能な処理装置を示す概略的な上
部断面図である。

【図２】図１に示すカセットチャンバを説明するための
概略的な説明図である。

【図３】図１に示すカセットチャンバ内の大気導入時の
圧力雰囲気とウェハの臭化水素濃度との関係を説明する
ため概略的な説明図である。

【符号の説明】

１００ 処理装置 １０２ａ トランスファチャンバ（真空搬送室） １０４ａ，１０６ａ プロセスチャンバ（処理室） １１２ａ，１１４ａ カセットチャンバ １１６ 搬送アーム １２０ カセット １２２ 遮断壁 １２４ フィルタ １２６ ガス供給管 １３８ 排気管 Ｇ３，Ｇ４ ゲートバルブ Ｄ１，Ｄ２ ドアバルブ Ｗ ウェハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体の搬出方法であって，臭素を含
   む処理ガスで処理された前記被処理体を真空予備室内に
   収容する工程と，前記真空予備室内を気密に隔離する工
   程と，前記真空予備室内に大気を導入した後，前記真空
   予備室内を真空引きし，前記真空予備室内をパージする
   工程を含むことを特徴とする，被処理体の搬出方法。
2. 【請求項２】 前記真空予備室内を大気でパージする工
   程は，複数回反復されることを特徴とする，請求項１に
   記載の被処理体の搬出方法。
3. 【請求項３】 前記真空予備室は，カセットチャンバで
   あることを特徴とする，請求項１又は２に記載の被処理
   体の搬出方法。
4. 【請求項４】 臭素を含む処理ガスで処理された被処理
   体を収容する真空室と，前記真空室内を大気でパージす
   る大気導入手段とを備えたことを特徴とする，処理装
   置。
5. 【請求項５】 前記真空室は，カセットチャンバである
   ことを特徴とする，請求項４に記載の処理装置。
6. 【請求項６】 臭素を含む処理ガスで被処理体に処理を
   施す真空処理室と，前記真空処理室内を大気でパージす
   る大気導入手段とを備えたことを特徴とする，処理装
   置。