JPH0344058A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置技術に関し、特に、半導体装置の
ウェハ処理工程における薄膜形成技術やエツチング技術
などに適用して有効な技術に関する。

［従来の技術１ ウェハ処理工程における洗浄装置として、ウェハに対す
るウェット洗浄室およびドライ洗浄室と、この双方の処
理室間におけるウェノ＼の搬送手段とを備えているもの
がある（特開昭６１−’６７９２１号、同６１−２１０
６３７号、同６１−２１２３７５号、同６１−２２４３
２７号各公報記載）。

また、レジスト除去装置として、ウェハのレジスト除去
工程がウェット処理室およびドライ処理室によって行わ
れるものもある（実開昭６３−１５５６２９号公報記載
）。

更に、薄膜形成装置として、多数のサセプタを保持する
無端回動体の往路内において、サセプタに載置されたウ
ェハ上に絶縁膜を形成する膜形成部と、付着したサセプ
タ上の絶縁膜をウェットエツチングするサセプタ用エツ
チング部と、このサセプタのエツチング時にサセプタに
付着したエツチング液を水洗するサセプタ用洗浄部とが
配設されているものがある（実開昭６１−１７３１３３
号公報記載）。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、前記したような技術に対し、真空状態で所定
のウェハ処理をするスパッタ装置、ＣＶＤ装置、ドライ
エツチング装置などのドライ処理装置においては、その
ウェハのドライ処理の前工程ないし後工程においてウェ
ハの洗浄などを行うウェット処理機構が組み込まれてい
ない。

このため、ドライ処理装置によるドライ処理工程と洗浄
乾燥装置によるウェット処理工程間において、ウェハは
大気中に開放されて運搬され、あるいは−時的に保管さ
れて作業が中断されるため、作業効率の向上が妨げられ
ている。

一方、たとえば、スパッタ装置やＣＶＤ装置などにおい
ては、その前工程である洗浄乾燥装置によるウェット処
理工程後に、すなわち、ウェハに生じた自然酸化膜など
の除去後に、ウェハが大気開放状態における運搬や保管
などによって大気に曝されるため、薄膜形成前に自然酸
化膜がウェハに再び生じてしまう。

また、ドライエツチング装置においては、そのウェハの
Ａｌ膜などに対するドライエツチング処理工程後に、ウ
ェハが大気開放状態における運搬や保管などによって大
気に曝されるため、たとえばウェハに残留した塩素系エ
ツチングガス中の塩素と大気中の水分とが反応してＡｌ
１膜などの腐食（アフターコロ−ジョン〉が洗浄乾燥装
置によるウェット処理工程前に生じてしまう。

ところで、本発明者は、このような腐食は、バリヤメタ
ル構造多層膜、すなわち、たとえばＴｌ。

ＴｉＷ、ＭｏＳｉなどからなるバリヤメタル層とＡｊ！
−３ｉ層などとの多層膜においては、Ａ１Ｓｉなどの単
層膜に比べ、その腐食頻度が非常に高いということを知
った。

これは、異種金属による電池効果という要因の他に、多
層膜という構造的な要因によって腐食頻度が高いと考え
られる。

本発明の目的は、外気との反応によるウエノ）不良を生
じさせることなく、ウェハに対するドライ処理およびウ
ェット処理を行うことができ、またこの種の作業効率の
向上を図ることができる半導体装置技術を提供すること
にある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハに
対するドライ処理工程およびウェット処理工程と、この
ドライ処理工程およびウェット処理工程間におけるウェ
ハの搬送工程とからなる半導体装置の製造方法であって
、前記ドライ処理工程および前記ウェット処理工程並び
に前記搬送工程が夫々外気を遮断した処理装置内の所定
の雰囲気中において連続的に行われるものである。

また、本発明の半導体装置の製造装置は、ウェハに対す
るドライ処理機構およびウェット処理機構と、このドラ
イ処理機構およびウェット処理機構間におけるウェハの
搬送機構とが少なくとも組み込まれ、前記各機構内が夫
々外気と遮断可能とされているものである。

［作用］ 前記した本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェ
ハに対するドライ処理工程およびウェット処理工程並び
に搬送工程が夫々外気を遮断した処理装置内の所定の雰
囲気中において連続的に行われることにより、ウェハに
対するドライ処理工程およびウェット処理工程における
作業効率の向上を図ることができ、また外気との反応に
起因するウェハ不良、すなわち、たとえばウェハにおけ
る自然酸化膜や腐食などの発生を確実に防止することが
できる。

また、前記した本発明の半導体装置の製造装置によれば
、ウェハに対するドライ処理機構およびウェット処理機
構並びに搬送機構が組み込まれていることにより、ウェ
ハのドライ処理工程およびウェット処理工程における装
置の省スペース化や作業効率の向上を図ることができ、
また前記各機構内が夫々外気と遮断可能とされているこ
とにより、外気との反応に起因するウエノ＼不良を確実
に防止することが可能となる。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造装置
を示す模式図、第２図（ａ）、　（ｂ）、　（Ｃ）、　
（ｄ）は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するためのウェハの断面図である。

本実施例における半導体装置の製造装置は枚葉式とされ
、第１図に示すように真空排気が可能な真空ロード・ア
ンロードチャンバ１を備えている。

真空ロード・アンロードチャンバ１内には、仕切りバル
ブ２の開閉動作を通じて出し入れされるウェハカセット
３が設けられ、このウエノ＼カセット３にウェハ４が収
納されるようになっている。

真空ロード・アンロードチャンバ１は、仕切りバルブ５
を介して真空搬送室６　（搬送機構〉に隣接している。

真空排気が可能な真空搬送室６内には、ロボットアーム
などからなる搬送手段７が設置されている。

真空搬送室６の周囲には、真空ロードロック室８　（搬
送機構〉、エツチングチャンバ９　（ドライ処理機構〉
、スパッタチャンバ１０　（ドライ処理機構）が配設さ
れ、これらの真空ロードロック室８、エツチングチャン
バ９．スパッタチャンバ１０は仕切りバルブ１１，１２
．１３を夫々介して真空搬送室６に隣接している。

そして、真空ロード・アンロードチャンバ１と真空搬送
室６間、真空搬送室６と真空ロードロ・ツク室８間、真
空搬送室６とエツチングチャンバ９間、真空搬送室６と
スパッタチャンバ１０間において、ウェハ４が搬送手段
７により仕切りバルブ５．１１，１２．１３を夫々通じ
て任意のシーケンスで搬送される構造とされている。

前記真空ロードロック室８は、真空排気およびＡｒなど
の不活性ガスの導入が可能とされている。

また、真空ロードロック室８内には、ヒータなどの加熱
手段１４が設けられ、この加熱手段１４によりウェハ４
に吸着した水分が真空ベーク法によって除去されるよう
になっている。

真空ロードロック室８には、ウェット処理室１５　（ウ
ェット処理機構）が仕切りバルブ１６を介して隣接され
、この真空ロードロック室８とウェット処理室１５間に
おいてウェハ４が所定の搬送手段によって搬送されるよ
うになっている。

ウェット処理室１５内には、スピンナ洗浄を行う洗浄部
１５Ａおよびスピンドライヤを行う乾燥部１５Ｂが配設
されている。

また、ウェット処理室１５内は、Ｎ２　などの不活性ガ
スの導入によるパージが可能とされている。

そして、ウェット処理室１５内が大気圧ないし大気圧よ
り陽圧状態にＮ２　などの不活性ガスでパージされるこ
とにより、ウェット処理室１５内のウェハ４が外部大気
に接することなく、洗浄部１５Ａによって洗浄されて自
然酸化膜などが除去された後に、乾燥部１５Ｂのスピン
ナの回転による遠心力によってその洗浄時の付着水分が
除去される構造とされている。

このようにして、ウェット処理室１５において洗浄・乾
燥されたウェハ４は、真空状態とされた真空ロードロッ
ク室８においてその残存水分が加熱手段１４を用いた真
空ベーク法によって完全に除去された後に、搬送手段７
により真空状態の真空搬送室６を経てスパッタチャンバ
１０に搬送され、該スパッタチャンバ１０において、た
とえばＡｎ−Ｓｉ合金膜などからなる所定の金属薄膜が
スパッタリングによってＳｉなどのウェハ基板上に形成
される構造とされている。

その後に、スパックチャンバ１０内のウェハ４が、搬送
手段７により仕切りバルブ１３を通じて真空状態の真空
搬送室６を経た後に、仕切りバルブ５を通じて真空ロー
ド・アンロードチャンバｌに搬送されそのウェハカセッ
ト３に収納されて一連の処理が終了する構造とされてい
る。

次に、前記エツチングチャンバ９には、真空ロード・ア
ンロードチャンバ１内のウェハカセット３に収納された
ウェハ４が搬送手段７により仕切りバルブ５を通じて真
空状態の真空搬送室６を経た後に、仕切りバルブ１２を
通じて搬送されるようになっている。

このウェハカセット３に収納されるウェハ４は、たとえ
ば、第２図（ａ）に示すように、バリヤメタル構造の多
層膜２０上にホトレジスト膜２１が形成されたウェハ４
、すなわち、たとえば、Ｓｉなどのウェハ基板２２上に
堆積されたＴｉ、ＴｉＷ。

Ｍ　ｏ　Ｓ　ｉなどからなるバリヤメタル層２ＯＡと、
このバリヤメタル層２０上に堆積されたＡｊ！−Ｃｕ−
Ｓｉ合金などからなる上部層２０Ｂとからなる多層膜２
０上に、ホトレジスト膜２１が所定のパターンで形成さ
れたウェハ４である。

エツチングチャンバ９は、たとえば、所定の真１ 空度に維持されＢ　Ｃ１３＋　ＣＡ’２　などの塩素系
反応ガスが導入されてリアクティブイオンエツチングな
どが行われることにより、多層膜２０などの金属薄膜を
所定の配線パターンに形成する構造とされている。

また、エツチングチャンバ９は、そのウェハ４のドライ
エツチングおよびその塩素系反応ガスの強制排気後にお
いて、たとえばフレオン（登録商標）＋０２　などの混
合ガスが導入されてプラズマ放電されることにより、ウ
ェハ４のホトレジスト膜２１がアッシング法によって除
去される構造とされている。

そして、このようにしてエツチングチャンバ９において
、ホトレジスト膜２１が除去されたウェハ４が、外部大
気と遮断されている真空搬送室６および真空ロードロッ
ク室８を経てウェット処理室１５に搬送された後に、洗
浄処理などがなされる構造とされている。

すなわち、ウアハ４が、外部大気と遮断されているウェ
ット処理室１５における洗浄・乾燥工程、１２ 同様に外部大気と遮断されている真空ロードロック室８
における加熱乾燥工程を経た後に、真空状態の真空搬送
室６を経て真空ロード・アンロードチャンバ１内のウェ
ハカセット３に収納されて一連の処理が終了する構造と
されている。

次に、本実施例の製造装置により、たとえば、Ｓｉウェ
ハ基板上にＡｌ１などからなる金属薄膜を形成する製造
方法について説明する。

先ず、真空ロード・アンロードチャンバ１内のウェハカ
セット３に収納されているＳｉウェハ基板などのウェハ
４は、搬送手段７により、仕切りバルブ５を通じて真空
状態の真空搬送室６を経た後に、仕切りバルブ１１を通
じて真空状態の真空ロードロック室８に搬送される。

ウェハ４が搬送された真空ロードロック室８は、仕切り
バルブ１１の閉止後にＡｒなどの不活性ガスでベントさ
れる。

次いで、ウェハ４は、所定の搬送手段により仕切りバル
ブ１６を通じてウェット処理室１５に搬送される。

この際、ウェット処理室１５は、大気圧ないし大気圧よ
り陽圧状態にＮ２　などの不活性ガスで７Ｎｌ−ジされ
ている。

ウェハ４は、このように大気圧状態ないし大気圧より陽
圧状態とされ外部大気中と遮断されているウェット処理
室１５の雰囲気中において、洗浄部１５Ａによる前洗浄
（たとえば、）・ソ酸溶液による洗浄とその後の純水に
よる洗浄）がなされてウェハ基板の自然酸化膜などが除
去された後に、乾燥部１５Ｂのスピンナの回転による遠
心力でその付着水分が除去される。

次いで、ウェハ４が所定の搬送手段により、仕切りバル
ブ１６を通じて真空ロードロック室８に搬送された後に
、該真空ロードロ・ツク室８が真空排気される。

この際に、ウェハ４はその真空中において加熱手段１４
により加熱乾燥され、ウエノＸ４に残存していた水分が
完全に除去される。

次いで、真空ロードロック室８内のウエノ蔑４は、搬送
手段７により、仕切りバルブ１１を通じて真空状態の真
空搬送室６を経た後に、仕切りノくルブ１３を通じて真
空状態のスパツタチャンノく１０に搬送される。

そして、スパッタチャンバ１０において、たとえば、Ａ
ｊ！−３ｉ合金などからなる所定の金属薄膜がスパッタ
リングによってウエノ＼基板上に形成される。

このように、前記した本実施例の製造装置によれば、ウ
ェハ４のドライ処理がなされるスパッタチャンバ１０と
、ウェハ４のウェット処理がなされるウェット処理室１
５と、スパツタチャンノく１０およびウェット処理室１
５間においてウエノ＼４が搬送される真空搬送室６およ
び真空ロードロ・ツク室８とが組み込まれていることに
より、この種のウェハのドライスパッタ処理工程および
その前工程のウェット処理工程を行う装置の省スペース
化を図ることができ、またそのドライ処理工程およびウ
ェット処理工程の連続化による作業効率の向上を図るこ
とができる。

また、前記した本実施例の製造装置および製造５ 方法によれば、ウェット処理室１５内におけるウェハ４
のウェット処理中（ウェハ４の洗浄・乾燥処理中）およ
び処理後において、ウェハ４は製造装置の外部大気中に
開放されることな（、すなわち外部大気中の０２　など
に接することなく、真空ロードロック室８．真空搬送室
６を経てスパックチャンバ１０に連続的に搬送されて金
属薄膜が形成される。

したがって、ウェット処理室１５内におけるウアハ４の
自然酸化膜などの除去後、スパッタチャンバ１０におけ
る金属薄膜の形成前において、外部大気との接触によっ
てウェハ４に自然酸化膜などが再び生じるのを確実に防
止することができ、そのウェハ基板と金属薄膜とのコン
タクト抵抗を小さくすることができる。

次に、本実施例の製造装置により、たとえば、バリヤメ
タル構造の多層膜２０をドライエツチング処理する場合
について説明する。

先ず、真空ロード・アンロードチャンバ１内のウェハカ
セット３には、第２図（ａ）に示すように、６ バリヤメタル構造の多層膜２０上にホトレジスト膜２１
が所定のパターンで形成されたウェハ４が収納されてい
る。

このバリヤメタル構造の多層膜２０は、バリヤメタル層
２ＯＡと上部層２０Ｂとが所定の真空チャンバ内におい
て外部大気に開放されることなく連続して形成されてい
る。

すなわち、多層膜２０の上部層２０Ｂは、所定の真空チ
ャンバ内でのバリヤメタル層２０Δの成膜後に、ウェハ
基板を外部大気に開放させることなくその真空チャンバ
内で引き続き成膜されて形成されている。

これは、このような連続的な成膜による多層膜２０は、
バリヤメタル層２ＯＡの成膜後に外部大気に開放させそ
の後に上部層２０Ｂを形成した多層膜２０に比べ、後述
する多層膜２０の腐食、すなわち、ウェハ４の表面上の
残留塩素２３がバリヤメタル層２ＯＡと上部層２０Ｂ間
の境界面に拡散することによる多層膜２０の腐食の防止
が確実に図られることが知れたからである。

この場合に、その連続的な成膜による多層膜２０は、た
とえば前記した本実施例の製造装置および製造方法など
により形成することができる。

したがって、本実施例におけるスパッタチャンバ１０は
、連続的な成膜による多層膜２０の形成が可能とされて
いる。

前記真空ロード・アンロードチャンバ１内のウェハカセ
ット３に収納されたウェハ４は、搬送手段７により、仕
切りバルブ５を通じて真空状態の真空搬送室６を経た後
に、仕切りバルブ１２を通じて真空状態のエツチングチ
ャンバ９に搬送される。

ウェハ４が搬送されたエツチングチャンバ９は、所定の
真空度とされＢ（ｕ３＋ＣＬ　などの塩素系反応ガスが
導入されてリアクティブイオンエツチングが行われるこ
とにより、ウェハ４の多層膜２０に所定の配線パターン
が形成される。

このエツチングの際に、ウェハ４の表面上には、第２図
ら）に示すようにその塩素系反応ガス中の塩素２３が吸
着して残留する。

次いで、エツチングチャンバ９は、エツチング時の塩素
系反応ガスが強制排気された後に、フレオン（登録商標
）＋０２混合ガスが導入されてプラズマ放電され、第２
図（Ｃ）に示すようにホトレジスト膜２１がアッシング
法によって除去される。

このホトレジスト膜２１の除去後においてもウェハ４の
表面上には、第２図（Ｃ）に示すようにエツチング時の
塩素系反応ガス中の塩素２３が引続き残留し、またホト
レジスト膜２１の除去時の混合ガス（フレオン）中の塩
素２３が新たに残留する。

次いで、エツチングチャンバ９内のウェハ４は、搬送手
段７により、仕切りバルブ１２を通じて真空状態の真空
搬送室６を経た後に、仕切りバルブ１１を通じて真空状
態の真空ロードロック室８に搬送される。

ウェハ４が搬送された真空ロードロック室８は、仕切り
バルブ１１の閉止後にＡｒなどの不活性ガスがベントさ
れる。

次いで、ウェハ４は、所定の搬送手段により仕切りバル
ブ１６を通じてウェット処理室１５に搬　１９− 送される。

この際、ウェット処理室１５内は、大気圧ないし大気圧
より陽圧状態にＮ２　などの不活性ガスによってパージ
されている。

ウェハ４は、このように大気圧状態ないし大気圧より陽
圧状態とされ外部大気中と遮断されているウェット処理
室１５の雰囲気中において、洗浄部１５Ａによる水洗が
なされてウェハ４の残留塩素などが除去された後に、乾
燥部１５Ｂのスピンナの回転による遠心力でその付着水
分が除去される。

次いで、ウェハ４が所定の搬送手段によって真空ロード
ロック室８に搬送された後に、該真空ロードロック室８
が真空排気される。

この際に、ウェハ４はその真空中において加熱手段１４
により加熱乾燥されて、ウェハ４に残存していた水分が
確実に除去される。

次いで、真空ロードロック室８内のウェハ４は、搬送手
段７により、仕切りバルブ１１を通じて真空状態の真空
搬送室６を経た後に、仕切りバルブ０ ５を通じて真空ロード・アンロードチャンバ１に搬送さ
れそのウェハカセット３に収納されて一連の処理が終了
する。

このように、前記した本実施例の製造装置によれば、ウ
ェハ４のドライ処理がなされるエツチングチャンバ９と
、ウェハ４のウェット処理がなされるウェット処理室１
５’と、スパッタチャンバ１０およびウェット処理室１
５間においてウェハ４が搬送される真空搬送室６および
真空ロードロック室８とが紐み込まれていることにより
、この種のウェハのドライエツチング処理工程およびそ
の後工程のウェット処理工程を行う装置の省スペース化
を図ることができ、またそのドライ処理工程およびウェ
ット処理工程の連続化による作業効率の向上を図ること
ができる。

また、前記した本実施例の製造装置および製造方法によ
れば、エツチングチャンバ９内におけるウェハ４のドラ
イ処理中（ウェハ４のエツチングおよびホトレジスト膜
２１の除去中）および処理後において、ウェハ４は製造
装置の外部大気中に開放されることなく、すなわち外部
大気中の水分などに接することなく、ウェット処理室１
５に搬送されて洗浄・乾燥された後に、真空ロードロッ
ク室８に搬送されて加熱乾燥される。

したがって、エツチングチャンバ９におけるドライ処理
工程後、ウェット処理室１５における洗浄処理工程前に
おいて、ウェハ４に残留した塩素、すなわちエツチング
時におけるＢ　Ｃ１３＋　Ｃｊ！２などの反応ガスおよ
びホトレジスト膜２１の除去時におけるフレオン（登録
商標）＋０２　などの混合ガスの吸着によってウェハ４
に残留した塩素２３が外部大気中の水分と反応して多層
膜２０が腐食されるのを確実に防止することができる。

特に、本実施例のようなバリヤメタル構造の多層膜２０
においては、ウェハ４の表面上の残留塩素２３がバリヤ
メタル層２ＯＡと上部層２０Ｂ間の境界面に拡散して多
層膜２０を腐食させることが考えられるが、本実施例に
よれば、そのような多層構造特有な要因による腐食を確
実に防止することができるので、腐食発生頻度の高いバ
リヤメタル構造のドライエツチング法に最適に利用する
ことができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であること（まいうまでもない。

たとえば、前記実施例においては、スパッタやドライエ
ツチング処理に適用されているが、たとえば本発明にお
いては、ＣＶＤ処理に適用することが可能である。

また、前記実施例においては、加熱機構１４が真空ロッ
クロード室１４に設けられている構造とされているが、
たとえば本発明においては、ウェット処理室１５に加熱
手段１４が設けられている構造とすることも可能である
。

［発明の効果コ 本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。

３ すなわち、ウェハに対するドライ処理工程およびウェッ
ト処理工程並びに搬送工程が夫々外気を遮断した処理装
置内の所定の雰囲気中において連続的に行われることに
より、ウェハに対するドライ処理工程およびウェット処
理工程における作業効率の向上を図ることができ、また
外気との反応に起因するウニハネ良、すなわち、たとえ
ばウェハにおける自然酸化膜や腐食などの発生を確実に
防止することができる。

また、前記した本発明の半導体装置の製造装置によれば
、ウェハに対するドライ処理機構およびウェット処理機
構並びに搬送機構が組み込まれていることにより、ウェ
ハのドライ処理工程およびウェット処理工程における装
置の省スペース化や作業効率の向上を図ることができ、
また前記各機構内が夫々外気と遮断可能とされているこ
とにより、外気との反応に起因するウェハ不良を確実に
防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の２４ 製造装置を示す模式図、 第２図（ａ）、　（ｂ）、　（Ｃ）、　（ｄ）は本発明
の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するため
のウェハの断面図である。 １・・・真空ｏ−ド・アンロードチャンバ　２゜５．１
１．１２，１３．１６・・・仕切りバルブ、３・・・ウ
ェハカセット、４・・・ウェハ　６・・・真空搬送室（
搬送機構）、７・・・搬送手段、８・・・真空ロードロ
ック室（搬送機構）、９・・エツチングチャンバ（ドラ
イ処理機構）、ｌＯ・・・スパッタチャンバ（ドライ処
理機構）、１４・・・加熱手段、１５・・・ウェット処
理室（ウェット処理機構）、１５Ａ・・・洗浄部、１５
Ｂ・・・乾燥部、２０・・・多層膜、２ＯＡ・・・バリ
ヤメタル層、２０Ｂ・・・上部層、２１・・・ホトレジ
スト膜、２２・・・ウェハ基板、２３・・・塩素。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ウェハに対するドライ処理工程およびウェット処理
   工程と、このドライ処理工程およびウェット処理工程間
   におけるウェハの搬送工程とからなる半導体装置の製造
   方法であって、前記ドライ処理工程および前記ウェット
   処理工程並びに前記搬送工程が夫々外気を遮断した処理
   装置内の所定の雰囲気中において連続的に行われること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、前記ドライ処理工程がウェハ上に薄膜を形成する処
   理工程であり、前記ウェット処理工程が前記ウェハの薄
   膜形成前における洗浄工程および洗浄後の乾燥工程であ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
   法。 ３、前記ドライ処理工程がウェハ上の薄膜に対するエッ
   チング処理工程であり、前記ウェット処理工程が前記エ
   ッチング処理工程後における洗浄工程であることを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ４、前記ウェハ上の薄膜が金属薄膜であることを特徴と
   する請求項２、または３記載の半導体装置の製造方法。 ５、前記ウェハ上の薄膜がバリヤメタル構造とされてい
   ることを特徴とする請求項２、３、または４記載の半導
   体装置の製造方法。 ６、ウェハに対するドライ処理機構およびウェット処理
   機構と、このドライ処理機構およびウェット処理機構間
   におけるウェハの搬送機構とが少なくとも組み込まれ、
   前記各機構内が夫々外気と遮断可能とされていることを
   特徴とする半導体装置の製造装置。 ７、前記ドライ処理機構およびウェット処理機構間に前
   記搬送機構としての真空ロードロック室が介在されてい
   ることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造装
   置。 ８、前記真空ロードロック室が、前記ウェット処理機構
   による洗浄処理後のウェハをその真空中において加熱し
   て乾燥させる加熱手段を有していることを特徴とする請
   求項７記載の半導体装置の製造装置。