JPH09199569A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPH09199569A JPH09199569A JP2326096A JP2326096A JPH09199569A JP H09199569 A JPH09199569 A JP H09199569A JP 2326096 A JP2326096 A JP 2326096A JP 2326096 A JP2326096 A JP 2326096A JP H09199569 A JPH09199569 A JP H09199569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 搬送室を介して処理室間で被処理ウエハを移
動させる型のウエハ処理装置において、処理室から搬送
室に処理ガスが流入して被処理ウエハに悪影響を及ぼす
のを防ぐ。 【解決手段】 ガス供給装置１８から搬送室１０にＡｒ
等のパージガスを供給すると共に搬送室１０から真空ポ
ンプ１６で排気することにより搬送室１０の真空度を処
理室１４ａ〜１４ｅの一部又は全部のものに対して陽圧
に維持し、例えば２×１０-3Ｔｏｒｒとする。この状態
において、搬送室１０を介して処理室間でロボット１２
により被処理ウエハを移動させると、搬送室１０には、
陰圧状態にある処理室から処理ガスが流入しない。
動させる型のウエハ処理装置において、処理室から搬送
室に処理ガスが流入して被処理ウエハに悪影響を及ぼす
のを防ぐ。 【解決手段】 ガス供給装置１８から搬送室１０にＡｒ
等のパージガスを供給すると共に搬送室１０から真空ポ
ンプ１６で排気することにより搬送室１０の真空度を処
理室１４ａ〜１４ｅの一部又は全部のものに対して陽圧
に維持し、例えば２×１０-3Ｔｏｒｒとする。この状態
において、搬送室１０を介して処理室間でロボット１２
により被処理ウエハを移動させると、搬送室１０には、
陰圧状態にある処理室から処理ガスが流入しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、搬送室を介して
処理室間で被処理ウエハを移動させる型のウエハ処理装
置に関し、特に搬送室の真空度を処理室に対して陽圧に
維持することにより処理室から搬送室に処理ガスが流入
して被処理ウエハに悪影響を及ぼすのを防止するように
したものである。
処理室間で被処理ウエハを移動させる型のウエハ処理装
置に関し、特に搬送室の真空度を処理室に対して陽圧に
維持することにより処理室から搬送室に処理ガスが流入
して被処理ウエハに悪影響を及ぼすのを防止するように
したものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マルチチャンバ型スパッタ装置と
しては、図４に示すものが知られている。
しては、図４に示すものが知られている。
【０００３】搬送室１０の内部には、搬送ロボット１２
が設けられており、ロボット１２は、ゲートバルブ１０
Ａを開いた状態で被処理ウエハを搬送室１０に出し入れ
する。搬送室１０の周囲には、５つの処理室１４ａ〜１
４ｅが設けられており、処理室１４ａ〜１４ｅは、それ
ぞれゲートバルブ１０ａ〜１０ｅを介して搬送室１０と
連通可能である。
が設けられており、ロボット１２は、ゲートバルブ１０
Ａを開いた状態で被処理ウエハを搬送室１０に出し入れ
する。搬送室１０の周囲には、５つの処理室１４ａ〜１
４ｅが設けられており、処理室１４ａ〜１４ｅは、それ
ぞれゲートバルブ１０ａ〜１０ｅを介して搬送室１０と
連通可能である。
【０００４】搬送室１０には、真空ポンプ１６が設けら
れると共に、処理室１４ａ〜１４ｅには、それぞれ真空
ポンプ１６ａ〜１６ｅが設けられており、各室毎に独立
に排気可能である。搬送室１０は、ポンプ１６で排気さ
れることにより例えば２×１０-8Ｔｏｒｒ程度の高い真
空度に維持される。搬送室１０には、Ａｒガス等の処理
ガスが供給されることはない。１４ａ〜１４ｅ等の各処
理室は、１６ａ〜１６ｅ等の各ポンプにより処理に必要
な真空度に維持され、必要に応じて処理ガスが供給され
る。
れると共に、処理室１４ａ〜１４ｅには、それぞれ真空
ポンプ１６ａ〜１６ｅが設けられており、各室毎に独立
に排気可能である。搬送室１０は、ポンプ１６で排気さ
れることにより例えば２×１０-8Ｔｏｒｒ程度の高い真
空度に維持される。搬送室１０には、Ａｒガス等の処理
ガスが供給されることはない。１４ａ〜１４ｅ等の各処
理室は、１６ａ〜１６ｅ等の各ポンプにより処理に必要
な真空度に維持され、必要に応じて処理ガスが供給され
る。
【０００５】搬送室１０には、バッファ室（図示せず）
からプレクリーン室（図示せず）を介して被処理ウエハ
が供給される。供給された被処理ウエハは、ロボット１
２により処理室１４ａ〜１４ｅのうちの１つに挿入さ
れ、所望の処理が施される。この処理が終ると、被処理
ウエハは、ロボット１２により他の処理室に移され、他
の処理が施される。同様にして被処理ウエハには複数種
類の処理を施すことができる。必要とする１又は複数種
類の処理が終った被処理ウエハは、ロボット１２により
クールダウン室（図示せず）に送られ、更には該クール
ダウン室から前述のバッファ室に送られる。
からプレクリーン室（図示せず）を介して被処理ウエハ
が供給される。供給された被処理ウエハは、ロボット１
２により処理室１４ａ〜１４ｅのうちの１つに挿入さ
れ、所望の処理が施される。この処理が終ると、被処理
ウエハは、ロボット１２により他の処理室に移され、他
の処理が施される。同様にして被処理ウエハには複数種
類の処理を施すことができる。必要とする１又は複数種
類の処理が終った被処理ウエハは、ロボット１２により
クールダウン室（図示せず）に送られ、更には該クール
ダウン室から前述のバッファ室に送られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来装置によ
ると、処理室から搬送室１０に処理ガスが流入して被処
理ウエハに悪影響を及ぼすという問題点があった。
ると、処理室から搬送室１０に処理ガスが流入して被処
理ウエハに悪影響を及ぼすという問題点があった。
【０００７】一例として、被処理ウエハを処理室１４
ａ，１４ｂ，１４ｄ，１４ｅの順に移動させ、処理室１
４ａではＴｉの成膜処理を、処理室１４ｂではＴｉＯＮ
のスパッタ処理を、処理室１４ｄではＡｌのスパッタ処
理を、処理室１４ｅではＡｌのリフロー処理をそれぞれ
行なう場合について上記問題点を説明する。
ａ，１４ｂ，１４ｄ，１４ｅの順に移動させ、処理室１
４ａではＴｉの成膜処理を、処理室１４ｂではＴｉＯＮ
のスパッタ処理を、処理室１４ｄではＡｌのスパッタ処
理を、処理室１４ｅではＡｌのリフロー処理をそれぞれ
行なう場合について上記問題点を説明する。
【０００８】処理室１４ｂでＴｉＯＮのスパッタ処理を
行なうとき、ガス供給装置１８ａ，１８ｂ，１８ｃから
処理室１４ｂには処理ガスとしてＮ2 ，Ｏ2 ，Ａｒがそ
れぞれ供給される。スパッタ処理の終了後、処理ガスの
供給を停止し、この後処理室１４ｂからポンプ１６ｂで
排気する。そして、バルブ１０ｂを開け、ロボット１２
により被処理ウエハを取出し、バルブ１０ｂを閉じる。
この後、被処理ウエハは、処理室１４ｄに挿入され、Ａ
ｌのスパッタ処理を受ける。
行なうとき、ガス供給装置１８ａ，１８ｂ，１８ｃから
処理室１４ｂには処理ガスとしてＮ2 ，Ｏ2 ，Ａｒがそ
れぞれ供給される。スパッタ処理の終了後、処理ガスの
供給を停止し、この後処理室１４ｂからポンプ１６ｂで
排気する。そして、バルブ１０ｂを開け、ロボット１２
により被処理ウエハを取出し、バルブ１０ｂを閉じる。
この後、被処理ウエハは、処理室１４ｄに挿入され、Ａ
ｌのスパッタ処理を受ける。
【０００９】上記のように処理室１４ｂからポンプ１６
ｂで排気する際、Ｎ2 ，Ａｒガスに比べてＯ2 ガスの排
気速度が遅いため、十分な排気を行なうには莫大な時間
（例えば２×１０-8Ｔｏｒｒまで１時間）がかかり、ス
ループットが低下する。
ｂで排気する際、Ｎ2 ，Ａｒガスに比べてＯ2 ガスの排
気速度が遅いため、十分な排気を行なうには莫大な時間
（例えば２×１０-8Ｔｏｒｒまで１時間）がかかり、ス
ループットが低下する。
【００１０】通常、スループットの低下を抑制するた
め、真空度を犠牲にしており、例えば２〜３×１０-7Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度になったらバルブ１０ｂを開けて被
処理ウエハを取出す。このとき、搬送室１０の真空度
は、２×１０-8Ｔｏｒｒ程度であり、処理室１４ｂが搬
送室１０に対して陽圧になっており、Ｏ2 の平均自由行
程は、２５７０ｍ程度である。このため、微量ではある
が、Ｏ2 ガスが図４に破線で示すように処理室１４ｂか
ら搬送室１０に流入する。
め、真空度を犠牲にしており、例えば２〜３×１０-7Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度になったらバルブ１０ｂを開けて被
処理ウエハを取出す。このとき、搬送室１０の真空度
は、２×１０-8Ｔｏｒｒ程度であり、処理室１４ｂが搬
送室１０に対して陽圧になっており、Ｏ2 の平均自由行
程は、２５７０ｍ程度である。このため、微量ではある
が、Ｏ2 ガスが図４に破線で示すように処理室１４ｂか
ら搬送室１０に流入する。
【００１１】Ｏ2 ガスは、Ｎ2 ，Ａｒガスに比べて真空
ポンプで引きにくく、残留ガスの主成分として搬送室１
０内に残る。処理室１４ｂから処理室１４ｄに被処理ウ
エハを移した後、バルブ１０ｂ，１０ｄを閉じ、この後
処理室１４ｄにてＡｌスパッタ処理を行なう。この後、
処理室１４ｄから処理室１４ｅにＡｌスパッタ処理が終
った被処理ウエハを移すが、このときになっても搬送室
１０の真空度は５〜６×１０-8Ｔｏｒｒ程度にしか回復
していない。
ポンプで引きにくく、残留ガスの主成分として搬送室１
０内に残る。処理室１４ｂから処理室１４ｄに被処理ウ
エハを移した後、バルブ１０ｂ，１０ｄを閉じ、この後
処理室１４ｄにてＡｌスパッタ処理を行なう。この後、
処理室１４ｄから処理室１４ｅにＡｌスパッタ処理が終
った被処理ウエハを移すが、このときになっても搬送室
１０の真空度は５〜６×１０-8Ｔｏｒｒ程度にしか回復
していない。
【００１２】Ａｌスパッタ処理が終った被処理ウエハ
は、搬送室１０を通過するとき、搬送室１０内に残留す
るＯ2 ガスによりＡｌ層の表面が酸化される。このた
め、Ａｌスパッタ処理が終った被処理ウエハに処理室１
４ｅでＡｌリフロー処理を施すと、Ａｌ層のリフロー性
が良好でない不都合があった。
は、搬送室１０を通過するとき、搬送室１０内に残留す
るＯ2 ガスによりＡｌ層の表面が酸化される。このた
め、Ａｌスパッタ処理が終った被処理ウエハに処理室１
４ｅでＡｌリフロー処理を施すと、Ａｌ層のリフロー性
が良好でない不都合があった。
【００１３】次に、図５を参照して従来の他の例を説明
する。図５において、図４と同様の部分には同様の符号
を付してある。図５の例では、被処理ウエハを処理室１
４ａ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅの順に移動させ、処理室
１４ａではＴｉの成膜処理を、処理室１４ｃではＴｉの
窒化処理を、処理室１４ｄではＡｌのスパッタ処理を、
処理室１４ｅではＡｌのリフロー処理をそれぞれ行な
う。この場合について上記問題点を説明すると、次の通
りである。
する。図５において、図４と同様の部分には同様の符号
を付してある。図５の例では、被処理ウエハを処理室１
４ａ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅの順に移動させ、処理室
１４ａではＴｉの成膜処理を、処理室１４ｃではＴｉの
窒化処理を、処理室１４ｄではＡｌのスパッタ処理を、
処理室１４ｅではＡｌのリフロー処理をそれぞれ行な
う。この場合について上記問題点を説明すると、次の通
りである。
【００１４】処理室１４ｃにおける窒化処理では、処理
室１４ｃにガス供給装置１８ｄからＮＨ3 ガスを供給し
つつアニール処理を行なうことによりＴｉを窒化させ
る。窒化処理の終了後、処理室１４ｃから被処理ウエハ
を取出すときに破線で示すように処理室１４ｃから搬送
室１０にＮＨ3 ガスが流入して搬送室１０の雰囲気を悪
化させる。このため、処理室１４ｄ又は１４ｅから取出
した被処理ウエハ上のＡｌ層がＮＨ3 により腐蝕される
不都合があった。
室１４ｃにガス供給装置１８ｄからＮＨ3 ガスを供給し
つつアニール処理を行なうことによりＴｉを窒化させ
る。窒化処理の終了後、処理室１４ｃから被処理ウエハ
を取出すときに破線で示すように処理室１４ｃから搬送
室１０にＮＨ3 ガスが流入して搬送室１０の雰囲気を悪
化させる。このため、処理室１４ｄ又は１４ｅから取出
した被処理ウエハ上のＡｌ層がＮＨ3 により腐蝕される
不都合があった。
【００１５】この発明の目的は、搬送室の雰囲気悪化を
防止することができる新規なウエハ処理装置を提供する
ことにある。
防止することができる新規なウエハ処理装置を提供する
ことにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明は、搬送室を介
して複数の処理室間で被処理ウエハを移動させる型のウ
エハ処理装置において、前記搬送室の真空度を前記複数
の処理室のうちの少なくとも１つのものに対して陽圧に
維持する真空度設定手段を設けたことを特徴とするもの
である。
して複数の処理室間で被処理ウエハを移動させる型のウ
エハ処理装置において、前記搬送室の真空度を前記複数
の処理室のうちの少なくとも１つのものに対して陽圧に
維持する真空度設定手段を設けたことを特徴とするもの
である。
【００１７】この発明の構成によれば、搬送室の真空度
を所望の処理室に対して陽圧に維持するので、陰圧状態
にある処理室から搬送室に処理ガスが流入せず、搬送室
の雰囲気が悪化するのを防止することができる。
を所望の処理室に対して陽圧に維持するので、陰圧状態
にある処理室から搬送室に処理ガスが流入せず、搬送室
の雰囲気が悪化するのを防止することができる。
【００１８】真空度設定手段では、搬送室にパージガス
としてＡｒ等の不活性ガスを供給しつつ真空度を陽圧に
維持するようにしてもよい。このようにすると、搬送室
において酸化や腐蝕を効果的に抑制することができる。
としてＡｒ等の不活性ガスを供給しつつ真空度を陽圧に
維持するようにしてもよい。このようにすると、搬送室
において酸化や腐蝕を効果的に抑制することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るウエハ処
理装置としてのマルチチャンバ型スパッタ装置を示すも
ので、図４，５と同様の部分には同様の符号を付して詳
細な説明を省略する。
理装置としてのマルチチャンバ型スパッタ装置を示すも
ので、図４，５と同様の部分には同様の符号を付して詳
細な説明を省略する。
【００２０】図１の装置の特徴とするところは、ガス供
給装置１８から搬送室１０にパージガスとしてＡｒを供
給しつつ搬送室１０から真空ポンプ１６で排気すること
により搬送室１０の真空度を処理室１４ａ〜１４ｅに対
して陽圧に維持するようにしたことである。搬送室１０
の真空度は一例として２×１０-3Ｔｏｒｒに設定され
る。
給装置１８から搬送室１０にパージガスとしてＡｒを供
給しつつ搬送室１０から真空ポンプ１６で排気すること
により搬送室１０の真空度を処理室１４ａ〜１４ｅに対
して陽圧に維持するようにしたことである。搬送室１０
の真空度は一例として２×１０-3Ｔｏｒｒに設定され
る。
【００２１】第１の例では、被処理ウエハが搬送ロボッ
ト１２によりプレクリーン室（図示せず）からゲートバ
ルブ１０Ａ，１０ａを介して処理室１４ａに挿入され
る。そして、被処理ウエハは、処理室１４ａにおいてＴ
ｉの成膜処理を受ける。
ト１２によりプレクリーン室（図示せず）からゲートバ
ルブ１０Ａ，１０ａを介して処理室１４ａに挿入され
る。そして、被処理ウエハは、処理室１４ａにおいてＴ
ｉの成膜処理を受ける。
【００２２】次に、被処理ウエハは、搬送ロボット１２
により処理室１４ａからゲートバルブ１０ａ，１０ｂを
介して処理室１４ｂに挿入される。図２は、処理室１４
ｂにおける被処理ウエハ２０のセット状態を示すもの
で、ウエハ２０は、ウエハステージ２２上にクランプ２
４で固定される。ロボット１２の搬送アーム１２Ａを処
理室１４ｂから搬送室１０に戻した後、ゲートバルブ１
０ｂを閉状態とする。そして、真空ポンプ１６ｂで処理
室１４ｂから排気することにより処理室１４ｂの真空度
を所望の値に設定した後、処理室１４ｂにおいてＴｉＯ
Ｎのスパッタ処理を行なう。処理室１４ｂには、スパッ
タ処理中にガス供給装置１８ａ，１８ｂ，１８ｃから処
理ガスとしてそれぞれＮ2 ，Ｏ2 ，Ａｒが供給される。
により処理室１４ａからゲートバルブ１０ａ，１０ｂを
介して処理室１４ｂに挿入される。図２は、処理室１４
ｂにおける被処理ウエハ２０のセット状態を示すもの
で、ウエハ２０は、ウエハステージ２２上にクランプ２
４で固定される。ロボット１２の搬送アーム１２Ａを処
理室１４ｂから搬送室１０に戻した後、ゲートバルブ１
０ｂを閉状態とする。そして、真空ポンプ１６ｂで処理
室１４ｂから排気することにより処理室１４ｂの真空度
を所望の値に設定した後、処理室１４ｂにおいてＴｉＯ
Ｎのスパッタ処理を行なう。処理室１４ｂには、スパッ
タ処理中にガス供給装置１８ａ，１８ｂ，１８ｃから処
理ガスとしてそれぞれＮ2 ，Ｏ2 ，Ａｒが供給される。
【００２３】スパッタ処理の終了後、ガス供給装置１８
ａ〜１８ｃから処理室１４ｂへの処理ガスの供給を停止
する。そして、ガス供給停止状態においてポンプ１６ｂ
で処理室１４ｂから排気する。排気により処理室１４ｂ
の真空度が２〜３×１０-7Ｔｏｒｒに達すると、バルブ
１０ｂを開けると共にクランプ２４を外し、搬送アーム
１２Ａによりウエハ２０を処理室１４ｂから搬送室１０
に取出す。この後、バルブ１０ｂを閉じてからゲートバ
ルブ１０ｄを開け、搬送室１０から処理室１４ｄにウエ
ハ２０を挿入する。そして、バルブ１０ｄを閉じる。
ａ〜１８ｃから処理室１４ｂへの処理ガスの供給を停止
する。そして、ガス供給停止状態においてポンプ１６ｂ
で処理室１４ｂから排気する。排気により処理室１４ｂ
の真空度が２〜３×１０-7Ｔｏｒｒに達すると、バルブ
１０ｂを開けると共にクランプ２４を外し、搬送アーム
１２Ａによりウエハ２０を処理室１４ｂから搬送室１０
に取出す。この後、バルブ１０ｂを閉じてからゲートバ
ルブ１０ｄを開け、搬送室１０から処理室１４ｄにウエ
ハ２０を挿入する。そして、バルブ１０ｄを閉じる。
【００２４】処理室１０ｄでは、ウエハ２０にＡｌのス
パッタ処理を施す。このスパッタ処理が終ると、バルブ
１０ｄを開けて処理室１４ｄから搬送室１０にウエハ２
０を取出す。そして、バルブ１０ｄを閉じてからゲート
バルブ１０ｅを開け、搬送室１０から処理室１４ｅにウ
エハ２０を挿入し、バルブ１０ｅを閉じる。
パッタ処理を施す。このスパッタ処理が終ると、バルブ
１０ｄを開けて処理室１４ｄから搬送室１０にウエハ２
０を取出す。そして、バルブ１０ｄを閉じてからゲート
バルブ１０ｅを開け、搬送室１０から処理室１４ｅにウ
エハ２０を挿入し、バルブ１０ｅを閉じる。
【００２５】処理室１４ｅでは、ウエハ２０にＡｌリフ
ロー処理を施す。Ａｌリフロー処理が終ると、バルブ１
０ｅを開け、処理室１４ｅから搬送室１０にウエハ２０
を取出す。そして、バルブ１０ｅを閉じる。この後、ウ
エハ２０は、バルブ１０Ａを介してクールダウン室（図
示せず）に送られる。
ロー処理を施す。Ａｌリフロー処理が終ると、バルブ１
０ｅを開け、処理室１４ｅから搬送室１０にウエハ２０
を取出す。そして、バルブ１０ｅを閉じる。この後、ウ
エハ２０は、バルブ１０Ａを介してクールダウン室（図
示せず）に送られる。
【００２６】上記したのは、１枚のウエハ２０の処理の
流れであるが、複数枚の被処理ウエハを順次に流して各
ウエハ毎に処理室１４ａ〜１４ｅの処理を施すこともで
きる。
流れであるが、複数枚の被処理ウエハを順次に流して各
ウエハ毎に処理室１４ａ〜１４ｅの処理を施すこともで
きる。
【００２７】上記のようなウエハ処理を行なっていると
き、搬送室１０は、ガス供給装置１８からのＡｒガスの
供給を受けつつポンプ１６で排気されることにより例え
ば２×１０-3Ｔｏｒｒの真空度に維持される。このと
き、Ｏ2 の平均自由行程λは、２．５７ｃｍとなり、Ｏ
2 分子は、図３に示すようにバルブ１０ｂを開いても殆
どバルブ開口部の近傍でＡｒ分子と衝突し、これにより
Ａｒガスの流れる方向（搬送室１０から処理室１４ｂへ
の方向）に運動量を与えられる。
き、搬送室１０は、ガス供給装置１８からのＡｒガスの
供給を受けつつポンプ１６で排気されることにより例え
ば２×１０-3Ｔｏｒｒの真空度に維持される。このと
き、Ｏ2 の平均自由行程λは、２．５７ｃｍとなり、Ｏ
2 分子は、図３に示すようにバルブ１０ｂを開いても殆
どバルブ開口部の近傍でＡｒ分子と衝突し、これにより
Ａｒガスの流れる方向（搬送室１０から処理室１４ｂへ
の方向）に運動量を与えられる。
【００２８】ここで、１０λ＝２５．７ｃｍまでＡｒに
衝突せずに進めるＯ2 分子の数Ｎは、バルブ１０ｂを開
く直前の処理室１４ｂ内のＯ2 分子の数をＮO とする
と、次の数１の式で表わされる。
衝突せずに進めるＯ2 分子の数Ｎは、バルブ１０ｂを開
く直前の処理室１４ｂ内のＯ2 分子の数をＮO とする
と、次の数１の式で表わされる。
【００２９】
【数１】Ｎ／ＮO ＝４．５４×１０-5 また、１０λでのＯ2 の分圧ＰＯ2 は、バルブ１０ｂを
開く直前の処理室１４ｂの真空度を１０-7Ｔｏｒｒとす
ると、次の数２の式で表わされる。
開く直前の処理室１４ｂの真空度を１０-7Ｔｏｒｒとす
ると、次の数２の式で表わされる。
【００３０】
【数２】ＰＯ2 ／１０-7＝４．５４×１０-5 ＰＯ2 ＝４．５４×１０-12 Ｔｏｒｒ これは、２×１０-3ＴｏｒｒのＡｒガス中に含まれる水
分Ｈ2 Ｏの分圧がＡｒ精製器を使用していても２×１０
-8Ｔｏｒｒ程度であることと比べて桁違いに小さい数字
である。
分Ｈ2 Ｏの分圧がＡｒ精製器を使用していても２×１０
-8Ｔｏｒｒ程度であることと比べて桁違いに小さい数字
である。
【００３１】従って、搬送室１０内の酸化性の残留ガス
の主体は、Ａｒガス中のＨ2 Ｏとなり、従来の場合（搬
送室１０の真空度：２×１０-8Ｔｏｒｒ、Ｏ2 の平均自
由行程：２５７０ｍ）に比べて酸化性の残留ガスの分圧
としてはかなり改善されることになる。
の主体は、Ａｒガス中のＨ2 Ｏとなり、従来の場合（搬
送室１０の真空度：２×１０-8Ｔｏｒｒ、Ｏ2 の平均自
由行程：２５７０ｍ）に比べて酸化性の残留ガスの分圧
としてはかなり改善されることになる。
【００３２】この結果、バルブ１０ｂを開けた後でＡｌ
スパッタ処理済みのウエハを処理室１４ｄから搬送室１
０を介して処理室１４ｅに移しても、ウエハ上のＡｌ層
の表面が酸化されることは殆どなくなり、処理室１４ｅ
でのＡｌリフロー処理においては良好なリフロー性が得
られる。
スパッタ処理済みのウエハを処理室１４ｄから搬送室１
０を介して処理室１４ｅに移しても、ウエハ上のＡｌ層
の表面が酸化されることは殆どなくなり、処理室１４ｅ
でのＡｌリフロー処理においては良好なリフロー性が得
られる。
【００３３】第２の例では、第１の例で述べたと同様に
して処理室１４ａでウエハ２０にＴｉの成膜処理を施し
た後、ウエハ２０を処理室１４ａから処理室１４ｃに移
す。処理室１４ｃでは、ウエハ２０にＴｉの窒化処理を
施す。この窒化処理の際には、ガス供給装置１８ｄから
処理室１４ｃに処理ガスとしてＮＨ3 が供給される。
して処理室１４ａでウエハ２０にＴｉの成膜処理を施し
た後、ウエハ２０を処理室１４ａから処理室１４ｃに移
す。処理室１４ｃでは、ウエハ２０にＴｉの窒化処理を
施す。この窒化処理の際には、ガス供給装置１８ｄから
処理室１４ｃに処理ガスとしてＮＨ3 が供給される。
【００３４】窒化処理が終ると、バルブ１０ｃを開けて
処理室１４ｃから搬送室１０にウエハ２０を取出す。そ
して、バルブ１０ｃを閉じてからゲートバルブ１０ｄを
開け、搬送室１０から処理室１４ｄにウエハ２０を挿入
し、バルブ１０ｄを閉じる。
処理室１４ｃから搬送室１０にウエハ２０を取出す。そ
して、バルブ１０ｃを閉じてからゲートバルブ１０ｄを
開け、搬送室１０から処理室１４ｄにウエハ２０を挿入
し、バルブ１０ｄを閉じる。
【００３５】この後は、第１の例で述べたと同様にして
処理室１４ｄではＡｌスパッタ処理を行ない、処理室１
４ｅではＡｌリフロー処理を行なう。そして、Ａｌリフ
ロー処理が終ったウエハ２０は、処理室１４ｅから搬送
室１０を介してクールダウン室（図示せず）に送られ
る。
処理室１４ｄではＡｌスパッタ処理を行ない、処理室１
４ｅではＡｌリフロー処理を行なう。そして、Ａｌリフ
ロー処理が終ったウエハ２０は、処理室１４ｅから搬送
室１０を介してクールダウン室（図示せず）に送られ
る。
【００３６】上記した第２の例によると、バルブ１０ｃ
を開けた後で処理室１４ｄ又は１４ｅから処理済みのウ
エハを搬送室１０に取出しても、処理室１４ｃから搬送
室１０へのＮＨ3 ガスの流入が抑制されるため、ウエハ
上のＡｌ層がＮＨ3 により腐蝕されるような事態を未然
に防止することができる。
を開けた後で処理室１４ｄ又は１４ｅから処理済みのウ
エハを搬送室１０に取出しても、処理室１４ｃから搬送
室１０へのＮＨ3 ガスの流入が抑制されるため、ウエハ
上のＡｌ層がＮＨ3 により腐蝕されるような事態を未然
に防止することができる。
【００３７】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次のような変更が可能である。
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次のような変更が可能である。
【００３８】（１）搬送室の真空度を処理室に対して陽
圧に維持する場合、すべての処理室に対して陽圧にせ
ず、有害ガスを含む１又は複数の処理室に対して陽圧に
するだけでもよい。
圧に維持する場合、すべての処理室に対して陽圧にせ
ず、有害ガスを含む１又は複数の処理室に対して陽圧に
するだけでもよい。
【００３９】（２）搬送室の真空度を処理室に対して陽
圧に維持する場合、常時陽圧に維持するのではなく、有
害ガスを含む処理室のゲートバルブを開けてから閉じる
までの期間だけ陽圧に維持するようにしてもよい。
圧に維持する場合、常時陽圧に維持するのではなく、有
害ガスを含む処理室のゲートバルブを開けてから閉じる
までの期間だけ陽圧に維持するようにしてもよい。
【００４０】（３）この発明は、スパッタ装置に限ら
ず、化学気相堆積処理室及びエッチング処理室を備えた
ウエハ処理装置等にも適用できる。
ず、化学気相堆積処理室及びエッチング処理室を備えた
ウエハ処理装置等にも適用できる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、搬送
室の真空度を処理室に対して陽圧に維持するようにした
ので、処理室から搬送室へ処理ガスが流入して雰囲気を
悪化させるのを防止できる効果が得られる。
室の真空度を処理室に対して陽圧に維持するようにした
ので、処理室から搬送室へ処理ガスが流入して雰囲気を
悪化させるのを防止できる効果が得られる。
【００４２】また、Ａｒ等の不活性ガスによるパージを
行なうと、搬送室内での酸化や腐蝕を一層抑制できる効
果も得られる。
行なうと、搬送室内での酸化や腐蝕を一層抑制できる効
果も得られる。
【図１】 この発明に係るウエハ処理装置の処理室配置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 図１の装置における処理室の１つを示す断面
図である。
図である。
【図３】 図２の処理室に関してゲートバルブを開いた
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図４】 従来のウエハ処理装置の一動作例を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図５】 従来のウエハ処理装置の他の動作例を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
１０：搬送室、１０Ａ，１０ａ〜１０ｅ：ゲートバル
ブ、１２：搬送ロボット、１４ａ〜１４ｅ：処理室、１
６，１６ａ〜１６ｅ：真空ポンプ、１８，１８ａ〜１８
ｄ：ガス供給装置。
ブ、１２：搬送ロボット、１４ａ〜１４ｅ：処理室、１
６，１６ａ〜１６ｅ：真空ポンプ、１８，１８ａ〜１８
ｄ：ガス供給装置。
Claims (2)
- 【請求項１】 搬送室を介して複数の処理室間で被処理
ウエハを移動させる型のウエハ処理装置であって、 前記搬送室の真空度を前記複数の処理室のうちの少なく
とも１つのものに対して陽圧に維持する真空度設定手段
を備えたウエハ処理装置。 - 【請求項２】 前記真空度設定手段は、前記搬送室にパ
ージガスとして不活性ガスを供給しつつ前記真空度を維
持するものである請求項１記載のウエハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326096A JPH09199569A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326096A JPH09199569A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199569A true JPH09199569A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12105640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326096A Pending JPH09199569A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199569A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001925A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置の操作方法 |
| JP2013236094A (ja) * | 2013-07-04 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US9165758B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling system, peeling method, and computer storage medium |
| CN110943010A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置和真空处理装置的控制方法 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP2326096A patent/JPH09199569A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001925A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置の操作方法 |
| US9165758B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling system, peeling method, and computer storage medium |
| JP2013236094A (ja) * | 2013-07-04 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN110943010A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置和真空处理装置的控制方法 |
| JP2020053476A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法 |
| CN110943010B (zh) * | 2018-09-25 | 2023-05-26 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置和真空处理装置的控制方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060519 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061024 |