JP2020053476A - 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体に対し減圧下で所定の処理を行う真空処理装置であって、室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、前記ガス供給機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する。
【選択図】図4
Description
室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、前記ガス供給機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する。
また、本発明者らが、鋭意調査したところ、図1及び図2に示すような点が判明した。
また、図2は、真空搬送室が引ききり状態になるようにしていたアイドル状態から、窒素ガス供給を再開して復帰させたときにおける、再開からの経過時間と、真空搬送室内の圧力及び酸素濃度との関係を示す図である。
図1及び図2において、横軸は時刻、縦軸は、真空搬送室内の圧力及び酸素濃度を示す。また、図2の結果を得るための試験では、ウェハに対する処理が行われる動作状態において真空搬送室内の圧力が真空処理室に対して陽圧である106Paになるように、当該真空搬送室への窒素ガスの供給圧力を制御した。そして、真空搬送室内の圧力が106Paで安定してから、ロードロック室内で待機しているウェハを、真空搬送室を経由して真空処理室内に搬送し、真空処理室で処理を実施した後に真空処理室から真空搬送室へ戻した。
特許文献1は、この点に関し開示するものではない。
図3は、真空処理装置1の構成の概略を示す平面図である。真空処理装置1は、被処理体としてのウェハWに対して、例えば成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の所定の処理を減圧下で行うものである。
図4に示すように、真空搬送モジュール30の真空搬送室31を形成する筐体31aの例えば底面には、排気口31bが設けられている。排気口31bには、排気機構33が接続されており、真空搬送室31はこの排気機構33により一定の排気速度で排気される。排気機構33は、ターボ分子ポンプ等からなる真空排気装置33aと、真空排気装置33aと真空搬送室31を接続する排気管33bと、排気管33b内の排気路を開閉する開閉弁33cとを有する。
前述のように、排気機構33による排気速度が一定であることから、真空搬送室31内の圧力はガス供給機構34から供給される窒素ガスの供給圧力に応じて変化する。したがって、ガス供給機構34からの窒素ガスの供給圧力を制御することにより、真空搬送室31内の圧力は調整される。
真空搬送モジュール30の真空搬送室31を形成する筐体31a(図4参照)の外側には、処理モジュール40〜43、ロードロックモジュール12、13が、上記筐体の周囲を囲むように配置されている。ロードロックモジュール12、処理モジュール40〜43、ロードロックモジュール13は、例えばロードロックモジュール12から平面視において時計回転方向にこの順に並ぶように、また、上記筐体の側面部に対してそれぞれ対向するようにして配置されている。
なお、処理モジュール40〜43には、ウェハ処理の目的に応じた処理を行うモジュールを、任意に選択することができる。
それに対し、本実施形態の真空処理装置1では、以下の本発明者らが行った試験の結果を踏まえ、アイドル状態においてもガス供給機構34からのガス供給が行われるようガス供給機構34を制御する。これにより、アイドル状態における真空搬送室31の酸素濃度を、当該真空搬送室31を引ききり状態とする場合より低くなるように、調整する。
図5、図6及び前述の図1に示すように、真空搬送室31の設定圧力が大きく窒素が多く供給される場合(185Pa、220Paの場合)、引ききり状態にする場合に比べて、真空搬送室31内の酸素濃度が著しく低減している。
また、真空搬送室31内の設定圧力が小さく窒素が少量供給される場合(106Pa、53Pa、26Paの場合)も、引ききり状態にする場合に比べて、真空搬送室31内の酸素濃度が大きく低減している。
そして、窒素供給を維持していれば、真空搬送室31内の圧力が維持されるだけでなく、真空搬送室31内の酸素濃度も上昇せずに、真空搬送室31の設定圧力に応じた酸素濃度に維持されている。
図7は、第1の実施形態の変形例にかかる真空搬送室31の概略構成例を示す図である。
図7の真空搬送室31は、前述の図4に示した真空搬送室31の各構成部材に加えて、図7に示すように、真空搬送室31内の酸素濃度を検出する酸素濃度検出部としての酸素濃度センサ50が排気口31bの近傍に設けられている。
例えば、酸素濃度センサ50での検出結果が、酸素濃度が高いことを示している場合は、真空搬送室31の設定圧力を変更して大きくして、より多くの窒素ガスが真空搬送室31に供給されるようにする。これにより、アイドル状態中に酸素濃度が高くなっても低下させることができる。
図8は、第2の実施形態にかかる真空処理装置の構成の概略を示す説明図である。
図8に示す本実施形態の真空処理装置60は、前述の図3及び図4の真空処理装置1の各構成部材に加えて、図7のものと同様に、酸素濃度検出部としての酸素濃度センサ50が排気口31bの近傍に設けられている。また、本実施形態の真空処理装置60は、第1実施形態の真空処理装置1が有していた圧力制御弁34dに代えて、流量制御部としてのマスフローコントローラ61が給気管34bに設けられている。
それに対し、本実施形態の真空処理装置60では、アイドル状態における真空搬送室31の酸素濃度を引ききり状態よりも低い値に調整する際に、真空搬送室31内の目標の酸素濃度が設定される。そして、アイドル状態において、真空搬送室31内の酸素濃度を上記目標の酸素濃度にするため、酸素濃度センサ50での検出結果に基づいて、マスフローコントローラ61を制御し窒素ガスの真空搬送室31への供給流量を制御する。
真空搬送室31内の圧力が、動作状態のときよりもアイドル状態のときの方が小さくなるように、アイドル状態における真空搬送室31内の目標酸素濃度を設定してもよい。つまり、動作状態よりアイドル状態のときの窒素ガス供給流量を小さくしてもよい。これにより、アイドル状態において、窒素ガスの消費量を抑えながら、真空搬送室31の酸素濃度の上昇を抑えることができる。
第1の実施形態では、圧力センサでの検出結果に基づいてガス供給機構の圧力制御弁を制御し、第2の実施形態では、酸素濃度センサでの検出結果に基づいてガス供給機構のマスフローコントローラを制御していた。これらに代えて、圧力センサでの検出結果に基づいてガス供給機構のマスフローコントローラを制御してもよいし、酸素濃度センサでの検出結果に基づいてガス供給機構の圧力制御弁を制御するようにしてもよい。
室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、
前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、
少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、
前記ガス供給機構を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する、真空処理装置。
上記(1)によれば、アイドル状態における真空搬送室の酸素濃度が低いため、アイドル状態から動作状態に復帰してから間もなくであっても、真空搬送室の酸素濃度が低い。したがって、アイドル状態から復帰して間もない時点で、真空搬送室内において被処理体が酸化するのを抑制することができる。
当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われる動作状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記動作状態における当該真空搬送室の圧力を、前記真空処理室の圧力より大きくなるよう調整し、且つ
前記動作状態よりも前記アイドル状態のときの方が、前記真空搬送室の圧力が小さくなるように前記ガス供給機構を制御する、上記(1)に記載の真空処理装置
上記(2)によれば、アイドル状態のときのガス使用量を抑えながら、アイドル状態のときの酸素濃度の上昇を抑えることができる。
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記圧力検出部での検出結果に基づいて前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、上記(1)または(2)に記載の真空処理装置。
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記圧力検出部での検出結果に基づいて前記圧力制御弁を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、上記(3)に記載の真空処理装置。
前記アイドル状態における前記真空搬送室の設定圧力は、当該アイドル状態中に、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて変更される、上記(5)に記載の真空処理装置。
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて前記ガス供給機構を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、上記(1)または(2)に記載の真空処理装置。
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて前記流量制御部を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、上記(8)に記載の真空処理装置。
上記(12)によれば、アイドル状態における真空搬送室の酸素濃度が0.1ppm以下であれば、アイドル状態から動作状態に復帰して間もない時点の真空搬送室内の酸素濃度を、非常に小さくすることができる。したがって、上記時点において、被処理体が酸化するのを確実に抑制することができる。
前記真空処理装置は、
室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、
前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、
少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、を有し、
当該制御方法は、
前記真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する工程を有する、真空処理装置の制御方法。
30 真空搬送モジュール
31 真空搬送室
32 ウェハ搬送機構
34 ガス供給機構
40〜43 処理モジュール
44〜47 真空処理室
60 真空処理装置
100 制御部
W ウェハ
Claims (13)
- 被処理体に対し減圧下で所定の処理を行う真空処理装置であって、
室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、
前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、
少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、
前記ガス供給機構を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する、真空処理装置。 - 前記制御部は、
当該真空処理装置で被処理体に対する処理が行われる動作状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記動作状態における当該真空搬送室の圧力を、前記真空処理室の圧力より大きくなるよう調整し、且つ
前記動作状態よりも前記アイドル状態のときの方が、前記真空搬送室の圧力が小さくなるように前記ガス供給機構を制御する、請求項1に記載の真空処理装置。 - 前記真空搬送室の圧力を検出する圧力検出部を有し、
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記圧力検出部での検出結果に基づいて前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、請求項1または2に記載の真空処理装置。 - 前記ガス供給機構は、前記真空搬送室への前記所定のガスの供給圧力を調整する圧力制御弁を有し、
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記圧力検出部での検出結果に基づいて前記圧力制御弁を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、請求項3に記載の真空処理装置。 - 前記アイドル状態における前記真空搬送室の設定圧力は、当該アイドル状態中に所定のタイミングで変更される、請求項3または4に記載の真空処理装置。
- 前記アイドル状態における前記真空搬送室の設定圧力は、当該アイドル状態中に定期的に変更される、請求項5に記載の真空処理装置。
- 前記真空搬送室の酸素濃度を検出する酸素濃度検出部を有し、
前記アイドル状態における前記真空搬送室の設定圧力は、当該アイドル状態中に、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて変更される、請求項5に記載の真空処理装置。 - 前記真空搬送室の酸素濃度を検出する酸素濃度検出部を有し、
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて前記ガス供給機構を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、請求項1または2に記載の真空処理装置。 - 前記ガス供給機構は、前記真空搬送室への前記所定のガスの供給流量を制御する流量制御部を有し、
前記制御部は、前記アイドル状態において、前記酸素濃度検出部での検出結果に基づいて前記流量制御部を制御して、当該アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度を調整する、請求項8に記載の真空処理装置。 - 前記処理モジュールの前記真空処理室において、被処理体が400℃以上に加熱された状態で前記所定の処理が行われる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の真空処理装置。
- 前記制御部は、前記アイドル状態における前記真空搬送室の酸素濃度が設定値以下になるよう、前記ガス供給機構を制御する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の真空処理装置。
- 前記設定値は0.1ppmである、請求項11に記載の真空処理装置。
- 被処理体に対し減圧下で所定の処理を行う真空処理装置の制御方法であって、
前記真空処理装置は、
室内が減圧され被処理体に対して前記所定の処理が行われる真空処理室が形成された処理モジュールと、
前記真空処理室との間に仕切弁を介して設けられた室内が減圧状態に保たれ、且つ、当該室内に前記真空処理室との間で被処理体の搬送を行う搬送機構が設けられた真空搬送室が形成された真空搬送モジュールと、
少なくとも酸化防止用に用いられる所定のガスを前記真空搬送室に供給するガス供給機構と、を有し、
当該制御方法は、
前記真空処理装置で被処理体に対する処理が行われないアイドル状態において、前記真空搬送室に前記所定のガスが供給されるよう前記ガス供給機構を制御して、前記アイドル状態における当該真空搬送室の酸素濃度を、当該真空搬送室を引ききり状態とする場合よりも低くなるように、調整する工程を有する、真空処理装置の制御方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022111443A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019012978A1 (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
KR20210081729A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 테스트 시스템 및 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259098A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法 |
JPH0729962A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法及び装置 |
JPH09199569A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Yamaha Corp | ウエハ処理装置 |
JP2002329767A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2004281832A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置 |
JP2016004834A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP2016114389A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | リーク判定方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
WO2018167846A1 (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144757A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システム |
KR20020037695A (ko) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 히가시 데쓰로 | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 |
JP2002151569A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2006278619A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP4916140B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理システム |
KR101415262B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2014-07-04 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 기판 처리 장치의 유지 보수 시점을 모니터링하는 방법 |
SG11201800143RA (en) * | 2015-08-04 | 2018-02-27 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, and recording medium |
US20190362989A1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259098A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法 |
JPH0729962A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法及び装置 |
JPH09199569A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Yamaha Corp | ウエハ処理装置 |
JP2002329767A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2004281832A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置 |
JP2016004834A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP2016114389A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | リーク判定方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
WO2018167846A1 (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022111443A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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