JP2010177357A - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents

真空処理装置および真空処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010177357A
JP2010177357A JP2009016878A JP2009016878A JP2010177357A JP 2010177357 A JP2010177357 A JP 2010177357A JP 2009016878 A JP2009016878 A JP 2009016878A JP 2009016878 A JP2009016878 A JP 2009016878A JP 2010177357 A JP2010177357 A JP 2010177357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atmosphere
lock chamber
pressure
chamber
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009016878A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Sakuragi
崇弘 櫻木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2009016878A priority Critical patent/JP2010177357A/ja
Publication of JP2010177357A publication Critical patent/JP2010177357A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能な室の内圧を切り替える際の開閉バルブの開動作に伴う発塵、あるいは開閉バルブ連通時の断熱膨張に伴う結露を防止する。
【解決手段】真空処理室1にウエハを搬入出するためのロック室3と、カセット内のウエハを、大気ローダ5、前記ロック室および真空搬送室7を介して前記真空処理室に搬入し、前記処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出するための搬送制御を行う制御手段を備えた真空処理装置において、前記搬送制御手段は、前記ロック室内の圧力を大気圧に切り替えるとき、不活性ガス供給ライン11の開閉バルブを一旦開放してロック室内の圧力を圧力計で設定した所定値に設定した後、大気連通ライン18を開放したときロック室内に結露が生じるか否かを判定し、結露が生じると判定したとき大気連通ラインを介して供給される大気の流量を前記大気連通ラインに挿入された流量制御手段で制限する。
【選択図】図1

Description

本発明は、真空処理技術に係り、特に大気雰囲気と真空雰囲気間で試料を搬入出する真空処理技術に関する。
半導体ウエハ上に形成されるパターン寸法の微細化、高集積化に伴い、近年では微少な異物(パーティクル)であっても、ウエハのそれぞれの製造工程に重大な影響を及ぼすようになった。例えば、半導体デバイスを形成するウエハ上に異物が付着すると、付着した異物がマスクとなって異常な電気回路が形成される。このような場合には、半導体デバイスの製造歩留まりが悪化する。このため、異物をどのように排除するかが大きな問題となっている。
一般に、半導体処理装置においては、真空処理室に真空搬送室を接続し、この真空搬送室に、真空雰囲気または大気雰囲気に切り替えることのできるロック室を接続する。ロック室には大気圧状態にある大気ローダが連結されており、大気ローダは取り込んだウエハをロック室に搬入し、またロック室から搬出できるようになっている。なお、ロック室と大気ローダ間およびロック室と前記真空搬送室間はゲートバルブ(開閉ドア)により連通・遮断が可能となっている。
このような真空処理装置において、前記各室間でウエハを搬送する際に、ゲートバルブを開いて二つの室間を連通すると、その際に二室間の圧力差により気流が生じる。この気流により室内にある異物が巻き上げられると、巻き上げられた異物がウエハに付着することになる。
このような問題に関して、特許文献1には、大気ローダ室とロック室間を小さな圧力差で開作動するリリーフ弁を備えたバイパスラインで接続すること、ゲートバルブ(開閉ドア)を開いてローダ室とロック室を連通するに先立って、ロック室にガスを供給してロック室の圧力をローダ室の圧力と同等かそれ以上の圧力にすると、リリーフ弁が開作動して、過剰分のガスが流れて、両室の圧力差を略ゼロとすること、およびこれによりゲートバルブ(開閉ドア)開放時における異物の巻き上げを抑制することが示されている。
特開平8−291384号公報
前記従来技術においては、ローダ室とロック室を連通するに先立って、例えばバイパスラインを介してロック室からローダ室に向かってガスを流す。このとき、バイバスラインを流れるガスに水分が含まれており、さらにバイパスラインを連通するときに断熱膨張が起こると結露が生じることがある。このように、ゲートバルブを開放して2つの室を連通させるに際しては、二室間を流れるガス流に伴って発生する異物の巻き上げを抑制すると同時に、バイパスライン連通時における断熱膨張に伴う結露を考慮しなければならない。
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能なロック室の圧力を切り替える際におけるゲートバルブ(開閉バルブ)の開動作に伴う発塵、あるいは開閉バルブ開放時に通流するガスの断熱膨張に伴う結露を防止することのできるプラズマ処理技術を提供するものである。
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
真空処理室にウエハを搬入出するため大気圧雰囲気および真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、カセット内のウエハを、大気ローダ、前記ロック室および真空搬送室を介して前記真空処理室に搬入し、前記真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出するための搬送制御を行う制御手段を備えた真空処理装置において、流量制御手段および開閉バルブを介して前記ロック室と不活性ガス供給源とを連通する不活性ガス供給ライン、流量制御手段および開閉バルブを介してロック室と大気とを連通する大気連通ライン、ロック室内の圧力を所定値に設定するための圧力計、および大気中の水分の露点を計測する露点計を備え、前記制御手段は、前記ロック室内の圧力を大気圧に切り替えるとき、不活性ガス供給ラインの開閉バルブを一旦開放してロック室内の圧力を前記圧力計で設定した所定値に設定した後、大気連通ラインを開放したときロック室内に結露が生じるか否かを判定し、結露が生じると判定したとき大気連通ラインを介して供給される大気の流量を前記大気連通ラインに挿入された流量制御手段により制限する。
本発明は、以上の構成を備えるため、大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能なロック室の圧力を切り替える際におけるゲートバルブ(開閉バルブ)の開動作に伴う発塵、あるいは開閉バルブ開放時に通流するガスの断熱膨張に伴う結露を防止することができる。
エッチング装置を説明する図である。 ロック室に対する給排気系を説明する図である。 ロック室に対する給排気系の動作を説明する図である。
以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図1は、エッチング装置を説明する図である。このエッチング装置は4つの真空処理室1a,1b,1c,1dを備え、各真空処理室は共通の真空搬送室7に接続されている。真空搬送室7には、その内部が真空雰囲気と大気雰囲気とに切り替え可能な2つのロック室3a,3bが接続されている。また、各ロック室3a,3bには共通の大気ローダ5が接続されており、この大気ローダ5には3つのカセット積載部6a,6b,6cが設置されている。
真空搬送室7は、図示しない搬送ロボットを備えており、該搬送ロボットによりウエハを真空処理室1a,1b,1cに搬入出する。大気ローダ5は、図示しない大気ロボットを備えており、カセット積載部6a,6b,6cに載置されたカセットとロック室3の間でウエハを搬入出する。ロック室3a,3bは、それぞれ真空搬送室側ゲートバルブ2a,2bと大気側ゲートバルブ4a,4bを備え、これらを閉じることにより密閉可能となっている
図2は、ロック室3b(ロック室3aに同じ)に対する給排気系を説明する図である。ロック室3bは、真空搬送室7側ゲートバルブ2bと大気側ゲートバルブ4bを閉鎖することにより密閉可能である。
また、ロック室3bには、室内を真空雰囲気と大気雰囲気とに切り替えるためにNガス供給ライン11と排気ライン14が設置されている。Nガス供給ライン11にはMFC(マスフローコントローラ)等の流量制御手段10、開閉バルブ9、およびフィルタ8が設置されており、Nガスの供給によりロック室3b内を大気圧雰囲気にすることができる。排気ライン14には開閉バルブ13が設置されており、図示しない真空ポンプにより真空排気される。
また、前記Nガス供給ライン11と排気ライン14とは別に、ロック室3bと大気とを連通する大気直通ライン18を設置する。大気連通ライン18には、流量制御手段17、開閉バルブ15、およびフィルタ16を設置し、開閉バルブ15の開閉により、ロック室3bと大気の間の連通・遮断を可能とする。なお、ロック室3bには圧力スイッチを備えた圧力計を設置し、ロック室内の圧力を設定可能としている。また、ロック室近傍には露点計を搭載し大気中の水分の露点を測定可能としている。
図3は、ロック室に対する給排気系を制御する制御手段の動作を説明する図である。ここでは、ウエハをロック室3bから大気ローダ5に搬出する場合を例に説明する。
ウエハを真空搬送室からロック室に搬送したとき、ロック室3bは真空雰囲気である。ここで、Nガス供給ライン11よりNガスの供給を開始し(ステップS1)、真空雰囲気から大気雰囲気に切り替える。Nガスの供給は圧力計12が予め設定された圧力値に達したことを検知したとき停止する(ステップS2,S3)。設定圧力値は大気圧程度の値とする。
ここで、前記圧力計12、図示しない大気圧力計および露点計の計測値をもとに、大気連通ライン18を開放したときに断熱膨張による結露が生じるか否かを演算し(ステップS4)、演算結果が結露が生じる、であれば流量制御手段17により流量を制限して結露を抑制する(ステップS5)。
この演算に際しては、前記圧力計12により測定されるロック室内圧力と大気圧の比および大気の温度を用いて断熱膨張した後の気体の温度を計算する。計算式は気体の断熱過程の式であるPV/T=一定を用いる。また、露点計により大気中の水分の露点を計測する。次に計測した露点と前記演算により求めた断熱膨張後の気体の温度を比較する。比較した結果、露点が計算値より大きければ断熱膨張により結露が生じず、露点が計算値より小さければ断熱膨張により結露が生じると判断する。
演算結果が結露が生じない、であると、大気連通ラインのバルブを開放する(ステップS6)。このとき、ロック室内の圧力が大気圧よりも高い場合にはロック室から大気側へ、ロック室内の圧力が大気圧よりも低い場合には大気側からロック室内へ、それぞれ少量の気体が流入する。すなわち、連通ラインを開放することにより、ロック室内の圧力と大気圧との差をなくすることができる。また、断熱膨張により結露が生じる場合には、連通ラインに設けられた流量制御手段によりロック室内に流入・流出する気体の流量を制限することにより結露を防止することができる。なお、大気連通ラインにはフィルタを設けることにより、外部の異物がロック室内に入り込むことを防止するのが望ましい。
ロック室内の圧力と大気圧との圧力差がほとんどなくなった後、ロック室の大気側ゲートバルブを開放する(ステップS7)。このとき、ロック室と大気との間には圧力差がないので、ゲートバルブの開動作に伴う気体の流動が生じることはなく、ゲートバルブの開放による発塵を防止できる。
なお、ロック室に大気連通ラインを2本取付け、一方をロック室から大気側への流路専用、他方を大気側からロック室への流路専用とすることができる。この場合にはそれぞれの専用の流路を、発塵を抑制できる最適の位置に配置することができる。なお、前記専用の流路においては、流量制御手段の上流にフィルタを設置するのが好ましい。
以上説明したように、本実施形態においては、ロック室にNなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインおよびロック室内を減圧排気する排気ラインの外に、ロック室と大気とを連通する大気連通ラインを備える。大気連通ラインは流量制御手段、開閉バルブ、フィルタを備え、前記開閉バルブは大気側ゲートバルブを開放する前に開放してロック室と大気とを連通可能とする。さらに、露点計を取付け、ロック室に取付けられた圧力計とにより断熱膨張による結露が生じるか否かを演算する。
ウエハを搬入・搬出するに際して、不活性ガス供給ラインを介してロック室に不活性ガスを供給してロック室内を大気雰囲気に切り替えるに場合には、大気側ゲートバルブを開放する前に、大気連通ラインを介してロック室と大気とを連通することによりロック室と大気との間の圧力差をなくすことができる。このためゲートバルブを開くときに気体が流動せず、発塵を防止することができる。
また、ロック室と大気との連通の際には、ロック室に取付けられた圧力計と露点計により断熱膨張により結露が生じるかを演算し、結露が生じると判断した場合には、大気との連通ラインを開放するときに連通ラインを流れる気体の流量を制御する。これにより、断熱膨張による結露を防止することができる。
1a〜1d 真空処理室
2a、2b ゲートバルブ
3a、3b ロック室
4a、4b ゲートバルブ
5 大気ローダ
6a〜6c カセット積載部
7 真空搬送室
8 フィルタ
9 開閉バルブ
10 流量制御手段
11 不活性ガス供給ライン
12 圧力スイッチ
13 開閉バルブ
14 排気ライン
15 開閉バルブ
16 フィルタ
17 流量制御手段
18 大気連通ライン

Claims (3)

  1. 真空処理室にウエハを搬入出するため大気圧雰囲気および真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、
    カセット内のウエハを、大気ローダ、前記ロック室および真空搬送室を介して前記真空処理室に搬入し、前記真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出するための搬送制御を行う制御手段を備えた真空処理装置において、
    流量制御手段および開閉バルブを介して前記ロック室と不活性ガス供給源とを連通する不活性ガス供給ライン、流量制御手段および開閉バルブを介してロック室と大気とを連通する大気連通ライン、ロック室内の圧力を所定値に設定するための圧力計、および大気中の水分の露点を計測する露点計を備え、
    前記制御手段は、前記ロック室内の圧力を大気圧に切り替えるとき、不活性ガス供給ラインの開閉バルブを開放してロック室内の圧力を前記圧力計で設定した所定値に設定した後、大気連通ラインを開放したときロック室内に結露が生じるか否かを判定し、結露が生じると判定したとき大気連通ラインを介して供給される大気の流量を前記大気連通ラインに挿入された流量制御手段により制限することを特徴とする真空処理装置。
  2. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記制御手段は、前記圧力計で設定した値と大気圧力の比および大気温度をもとに断熱膨張した後の気体温度を演算し、該演算結果が大気中の水分の露点より低いとき、前記流量制御手段により大気連通ラインを流れる流量を制限することを特徴とする真空処理装置。
  3. 真空処理室にウエハを搬入出するための大気圧雰囲気および真空雰囲気に切り替え可能なロック室を備え、カセット内のウエハを、大気ローダ、前記ロック室および真空搬送室を介して前記真空処理室に搬入し、前記真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出するための搬送制御を行う真空処理方法において、
    流量制御手段および開閉バルブを介して前記ロック室と不活性ガス供給源とを連通する不活性ガス供給ライン、流量制御手段および開閉バルブを介してロック室と大気とを連通する大気連通ライン、ロック室内の圧力を所定値に設定するための圧力計、および大気中の水分の露点を計測する露点計を備え、
    前記ロック室内の圧力を大気圧に切り替えるとき、不活性ガス供給ラインの開閉バルブを一旦開放してロック室内の圧力を前記圧力計で設定した所定値に設定した後に大気連通ラインを開放したときロック室内に結露が生じるか否かを判定し、結露が生じると判定したとき大気連通ラインを介して供給される大気の流量を前記大気連通ラインに挿入された流量制御手段により制限することを特徴とする真空処理方法。
JP2009016878A 2009-01-28 2009-01-28 真空処理装置および真空処理方法 Pending JP2010177357A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009016878A JP2010177357A (ja) 2009-01-28 2009-01-28 真空処理装置および真空処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009016878A JP2010177357A (ja) 2009-01-28 2009-01-28 真空処理装置および真空処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010177357A true JP2010177357A (ja) 2010-08-12

Family

ID=42708022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009016878A Pending JP2010177357A (ja) 2009-01-28 2009-01-28 真空処理装置および真空処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010177357A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107851597A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
CN108122811A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 台湾积体电路制造股份有限公司 用于腔室门的隔热罩和使用隔热罩制造的装置
CN109712907A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备
WO2021054260A1 (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107851597A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
CN107851597B (zh) * 2015-08-04 2021-10-01 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
CN108122811A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 台湾积体电路制造股份有限公司 用于腔室门的隔热罩和使用隔热罩制造的装置
US10734246B2 (en) 2016-11-30 2020-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
US11031252B2 (en) 2016-11-30 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
CN109712907A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备
CN109712907B (zh) * 2017-10-26 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力稳定控制系统及方法、半导体加工设备
WO2021054260A1 (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法
JP7379042B2 (ja) 2019-09-20 2023-11-14 東京エレクトロン株式会社 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6459462B2 (ja) リーク判定方法、基板処理装置及び記憶媒体
KR102430903B1 (ko) 팩토리 인터페이스 챔버 필터 퍼지를 이용한 기판 프로세싱 장치 및 방법들
JP6108643B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラム
JP2007186757A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
WO2012077547A1 (ja) ロードロック装置
JPH07211761A (ja) 処理装置内の被処理体の搬送方法
JP2007035874A (ja) 真空処理システム
KR102203557B1 (ko) 배기 시스템 및 이것을 사용한 기판 처리 장치
US8029874B2 (en) Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere
JP2010177357A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
CN110943010B (zh) 真空处理装置和真空处理装置的控制方法
US8597401B2 (en) Exhausting method and gas processing apparatus
US20070175395A1 (en) Semiconductor device manufacturing equipment including a vacuum apparatus and a method of operating the same
JP4606947B2 (ja) リークレート測定方法並びにリークレート測定に用いるプログラムおよび記憶媒体
JP2012049306A (ja) プラズマ処理装置
JP2017045766A (ja) 真空処理装置および半導体装置の製造方法
JP3153323B2 (ja) 気密室の常圧復帰装置及びその常圧復帰方法
KR20070054437A (ko) Lpcvd 장치의 압력 조절 시스템
WO2002082521A1 (fr) Procede de traitement et processeur
JP7383554B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR20060057460A (ko) 반도체소자 제조용 증착설비
JP2005217063A (ja) 基板処理方法
JP2024008992A (ja) 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法
KR20230026743A (ko) 기판 처리 장치
TW202201594A (zh) 用於管理基板釋氣的系統和方法