JP2024008992A - 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法 - Google Patents

真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板に付着する水分を低減する。【解決手段】プロセスチャンバとロードロック室との間に配置され、プロセスチャンバとロードロック室との間で基板を搬送する真空搬送装置であって、容器と、搬送装置と、排気装置と、露点計と、制御装置とを備える。容器は、ゲートバルブを介してプロセスチャンバおよびロードロック室のそれぞれに接続されている。搬送装置は、容器内に設けられ、プロセスチャンバとロードロック室との間で基板を搬送する。排気装置は、容器内のガスを排気する。露点計は、容器内のガスの露点温度を測定する。制御装置は、露点計によって測定された露点温度に基づいてプロセスの実行が可能な状態であるか否かを判定し、プロセスの実行が可能な状態になった場合に、その旨を真空搬送装置のユーザに通知する。【選択図】図３

Description

本開示の種々の側面および実施形態は、真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法に関するものである。
近年、配線パターンの微細化に伴い、基板に付着した水分によって基板上に形成された配線が酸化することで、配線の品質が低下する場合がある。そのため、基板を搬送および保管するためのＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）では、基板が収容された内部に窒素ガスを充填することにより、基板に水分が付着しないようにしている。また、真空搬送装置内は低圧に制御されるため、真空搬送装置内を搬送される過程では、基板に付着する水分はあまり多くはない。
しかし、ＦＯＵＰから取り出されて真空搬送装置に搬送されるまでの間、および、真空搬送装置から取り出されてＦＯＵＰに収容されるまでの間は、基板が大気に晒されるため、基板に水分が多く付着する。
これを回避するため、ＦＯＵＰと真空搬送装置との間に、ＦＯＵＰと真空搬送装置との間の搬送経路を低湿度状態に保つミニエンバイロメント搬送装置を設ける技術が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。
特開２０１３－１１５０６５号公報
本開示は、基板に付着する水分を低減することができる真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法を提供する。
本開示の一側面は、プロセスチャンバとロードロック室との間に配置され、プロセスチャンバとロードロック室との間で基板を搬送する真空搬送装置であって、容器と、搬送装置と、排気装置と、露点計と、制御装置とを備える。容器は、ゲートバルブを介してプロセスチャンバおよびロードロック室のそれぞれに接続されている。搬送装置は、容器内に設けられ、プロセスチャンバとロードロック室との間で基板を搬送する。排気装置は、容器内のガスを排気する。露点計は、容器内のガスの露点温度を測定する。制御装置は、露点計によって測定された露点温度に基づいてプロセスの実行が可能な状態であるか否かを判定し、プロセスの実行が可能な状態になった場合に、その旨を真空搬送装置のユーザに通知する。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板に付着する水分を低減することができる。
図１は、実施形態に係る成膜システムの構成の一例を示す図である。 図２は、真空搬送装置、ロードロック室、および大気搬送室の一例を示すＸ－Ｘ断面図である。 図３は、プロセス開始前までの真空搬送装置の制御の一例を示すフローチャートである。 図４は、１つのプロセスチャンバでのプロセスが終了した場合において、プロセスチャンバと真空搬送装置との間のゲートバルブを開く際の真空搬送装置の制御の一例を示すフローチャートである。 図５は、プロセス実行中における容器内の露点温度の管理方法の一例を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本願の開示する真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法が限定されるものではない。
ところで、真空搬送装置は、大気解放された後に密閉され、真空搬送装置内のガスが排気されることにより、真空搬送装置内の圧力が下げられる。そのため、排気により真空搬送装置内のガスの濃度が低くなったとしても、真空搬送装置内のガスに含まれる水分の割合は、外気と同等である。配線パターンの微細化がさらに進むと、わずかな水分の付着でも、配線の特性が変化する場合がある。そのため、配線パターンの微細化がさらに進むと、真空搬送装置内を基板が搬送される過程で、配線の特性が変化する場合がある。
そこで、本開示は、基板に付着する水分をさらに低減することができる技術を提供する。
［成膜システム１００］
図１は、本開示の一実施形態における成膜システム１００の一例を示す模式図である。図２は、真空搬送装置２００、ロードロック室１０２、および大気搬送室１０３の一例を示すＸ－Ｘ断面図である。図１のＸ－Ｘ断面が図２に対応する。成膜システム１００は、マルチチャンバタイプの真空処理システムである。成膜システム１００は、複数のプロセスチャンバ１０１、複数のロードロック室１０２、大気搬送室１０３、ガス供給装置１１０、排気装置１２０、制御装置１３０、および真空搬送装置２００を備える。
複数のプロセスチャンバ１０１は、平面形状が七角形をなす真空搬送装置２００の４つの側壁に、それぞれゲートバルブＧ１を介して接続されている。それぞれのプロセスチャンバ１０１は、真空搬送装置２００を介して内部に搬入された基板Ｗに対して、成膜、エッチング、または改質等の処理を行う。本実施形態では、平面形状が七角形をなす真空搬送装置２００の４つの側壁に４つのプロセスチャンバ１０１が接続されるが、真空搬送装置２００に接続されるプロセスチャンバ１０１の数は、３つ以下であってもよく、５つ以上であってもよい。
複数のロードロック室１０２は、真空搬送装置２００の３つの側壁に、それぞれゲートバルブＧ２を介して接続されている。それぞれのロードロック室１０２には、ゲートバルブＧ３を介して大気搬送室１０３が接続されている。ロードロック室１０２は、大気搬送室１０３と真空搬送装置２００との間で基板Ｗを搬送する際に、大気雰囲気と真空雰囲気との間で雰囲気の切り替えを行う。本実施形態では、真空搬送装置２００の３つの側壁に３つのロードロック室１０２が接続されるが、真空搬送装置２００に接続されるロードロック室１０２の数は、２つ以下であってもよく、４つ以上であってもよい。
真空搬送装置２００は、容器２０１、搬送装置２０２、複数のヒータ２０３、および露点計２０４を有する。搬送装置２０２は、例えばロボットアームであり、それぞれのプロセスチャンバ１０１とそれぞれのロードロック室１０２との間で基板Ｗを搬送する。搬送装置２０２は、例えば、処理前の基板Ｗをロードロック室１０２から搬出し、プロセスチャンバ１０１内に搬入する。また、搬送装置２０２は、例えば、処理後の基板Ｗをプロセスチャンバ１０１から搬出し、基板Ｗに対して別な処理を行うプロセスチャンバ１０１内に搬入する。また、搬送装置２０２は、例えば、処理後の基板Ｗをプロセスチャンバ１０１から搬出し、ロードロック室１０２内に搬入する。
ヒータ２０３は、例えば棒状であり、容器２０１の側壁内に埋め込まれており、容器２０１の側壁を加熱する。これにより、容器２０１の壁面が加熱され、容器２０１の壁面に吸着していた水の分子が離脱しやすくなる。また、ヒータ２０３は、容器２０１の床や天井内にも埋め込まれ、容器２０１の床や天井を加熱してもよい。ヒータ２０３への電力の供給および供給停止は、制御装置１３０内の制御部１３２によって制御される。
露点計２０４は、容器２０１内に配置され、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdを測定する。本実施形態において、露点計２０４は、静電容量方式の露点計である。露点計２０４によって測定された露点温度Ｔdの情報は、制御装置１３０へ出力される。
容器２０１には、配管１２６を介して排気装置１２０が接続されている。排気装置１２０は、ＴＭＰ（TurboMolecular Pump）１２１、ＤＰ（Dry Pump）１２２、バルブ１２３、バルブ１２４、およびバルブ１２５を有する。ＴＭＰ１２１の吸気口は、バルブ１２４を介して配管１２６に接続されており、ＴＭＰ１２１の排気口は、バルブ１２５を介してＤＰ１２２に接続されている。また、配管１２６と、バルブ１２５とＤＰ１２２との間の配管との間には、配管１２７が接続されており、配管１２７には、バルブ１２３が設けられている。ＤＰ１２２は、数Ｔｏｒｒ程度の真空度まで容器２０１内のガスを排気することができる。一方、ＴＭＰ１２１は、１Ｔｏｒｒ以下の真空度まで容器２０１内のガスを排気することができる。ＴＭＰ１２１は、ＤＰ１２２よりも消費電力が大きい。ＴＭＰ１２１、ＤＰ１２２、バルブ１２３、バルブ１２４、およびバルブ１２５は、制御装置１３０内の制御部１３２によって制御される。
容器２０１には、配管１１３を介してガス供給装置１１０が接続されている。ガス供給装置１１０は、ＰＣＶ（Pressure Control Valve）１１１およびガス供給源１１２を有する。ガス供給源１１２は、窒素ガスや希ガス等の不活性ガスの供給源である。ＰＣＶ１１１は、容器２０１内の圧力が予め定められた圧力となるように、容器２０１内への不活性ガスの供給量を制御する。ＰＣＶ１１１は、制御装置１３０内の制御部１３２によって制御される。
大気搬送室１０３の側面には、基板Ｗを収容するキャリア（ＦＯＵＰ等）Ｃを取り付けるためのポート１０５が複数設けられている。大気搬送室１０３内には、基板Ｗのアライメントを行うためのアライメント室１０４が設けられている。また、大気搬送室１０３内には、ロボットアーム等の搬送装置１０６が設けられている。搬送装置１０６は、キャリアＣ、ロードロック室１０２、およびアライメント室１０４の間で基板Ｗを搬送する。大気搬送室１０３内には、低湿度のドライエアのダウンフローが形成されている。
制御装置１３０は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件等を含むレシピが格納されている。プロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピに基づいて、入出力インターフェイスを介して、成膜システム１００の各部を制御する。
制御装置１３０のプロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行することにより、判定部１３１および制御部１３２の機能を実現する。判定部１３１は、セットアップやメンテナンス等により真空搬送装置２００の容器２０１が大気解放された後に密閉された場合に露点温度Ｔdを露点計２０４から取得する。そして、判定部１３１は、取得された露点温度Ｔdが予め定められた第１の温度Ｔd1以下になったか否かを判定し、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になった場合に、その旨を制御部１３２に通知する。
また、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったことを制御部１３２に通知した後に、引き続き露点計２０４から露点温度Ｔdを取得する。そして、判定部１３１は、露点温度Ｔdが予め定められた第２の温度Ｔd2より高くなったか否かを判定し、露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2より高くなった場合に、その旨を制御部１３２に通知する。本実施形態において、第２の温度Ｔd2は、第１の温度Ｔd1よりも高い温度である。なお、他の形態として、第１の温度Ｔd1と第２の温度Ｔd2とは同じ温度であってもよい。
制御部１３２は、成膜システム１００の各部を制御する。例えば、制御部１３２は、判定部１３１からの通知に応じて、ＰＣＶ１１１、ＴＭＰ１２１、ＤＰ１２２、バルブ１２３、バルブ１２４、バルブ１２５、ヒータ２０３、ゲートバルブＧ１、およびゲートバルブＧ２等を制御する。制御部１３２による制御の詳細については、後述するフローチャートの中で説明する。
［プロセス開始前の準備］
図３は、プロセス開始前までの真空搬送装置２００の制御の一例を示すフローチャートである。例えば、セットアップやメンテナンス等により真空搬送装置２００内が大気解放された後に密閉された場合に、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を開始する。
まず、制御部１３２は、それぞれのヒータ２０３への電力供給を開始することにより、ヒータ２０３による容器２０１の加熱を開始する（Ｓ１００）。
次に、制御部１３２は、ＴＭＰ１２１およびＤＰ１２２による排気を開始する（Ｓ１０１）。ステップＳ１０１では、制御部１３２は、バルブ１２３を閉状態に制御し、バルブ１２４およびバルブ１２５を開状態に制御し、ＴＭＰ１２１およびＤＰ１２２を稼働させる。これにより、容器２０１内のガスが排気され、容器２０１内の圧力Ｐが下がる。
次に、制御部１３２は、容器２０１内に配置された図示しない圧力計の測定値を参照して、容器２０１内の圧力Ｐが予め定められた第１の圧力Ｐ1以下になったか否かを判定する（Ｓ１０２）。第１の圧力Ｐ1は、例えば０．０１Ｔｏｒｒ未満の圧力である。容器２０１内の圧力Ｐが第１の圧力Ｐ1より高い場合（Ｓ１０２：Ｎｏ）、再びステップＳ１０２の処理が実行される。
一方、容器２０１内の圧力Ｐが第１の圧力Ｐ1以下になった場合（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、ＰＣＶ１１１を制御して、容器２０１内に不活性ガスの供給を開始する（Ｓ１０３）。そして、制御部１３２は、ＰＣＶ１１１を制御して、容器２０１内の圧力Ｐが予め定められた第２の圧力Ｐ2となるように不活性ガスの供給量を制御する（Ｓ１０４）。第２の圧力Ｐ2は、例えば１～１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力である。
そして、制御部１３２は、バルブ１２３を開状態に制御し、バルブ１２４を閉状態に制御し、ＴＭＰ１２１を停止させる（Ｓ１０５）。ＴＭＰ１２１を停止させることにより、真空搬送装置２００の消費電力を削減することができる。
ここで、容器２０１は密閉されているものの、容器２０１とプロセスチャンバ１０１との接続部分や、容器２０１とロードロック室１０２との接続部分等に配置されたシール部材を介して外気が容器２０１内にわずかに侵入する場合がある。容器２０１内に外気が侵入すると、外気に含まれる水の分子の一部が容器２０１の内面に付着する。これにより、容器２０１内のガスを排気しても、容器２０１内の水分量がある程度以下に下がらない場合がある。
そこで、本実施形態では、容器２０１内のガスを排気すると共に、容器２０１内に不活性ガスを供給する。これにより、容器２０１内に侵入した外気に含まれる水の分子の容器２０１の内面への付着が抑制される。これにより、容器２０１内に侵入した外気に含まれる水の分子は排気装置１２０により迅速に排気され、容器２０１内の水分量をさらに低減することができる。
次に、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったか否かを判定する（Ｓ１０６）。露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1より高い場合（Ｓ１０６：Ｎｏ）、再びステップＳ１０６に示された処理が実行される。
一方、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になった場合（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったことを制御部１３２に通知する。制御部１３２は、それぞれのヒータ２０３への電力供給を停止することにより、ヒータ２０３による容器２０１の加熱を停止する（Ｓ１０７）。これにより、真空搬送装置２００の消費電力を削減することができる。
次に、制御部１３２は、プロセス開始の条件が全て満たされたか否かを判定する（Ｓ１０８）。プロセス開始の条件には、容器２０１内の露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になることの他に、それぞれのプロセスチャンバ１０１内の圧力調整や温度制御が完了していることや、ポート１０５にキャリアＣがセットされていること等が含まれる。
プロセス開始の条件の少なくとも一部が満たされていない場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2以上になったか否かを判定する（Ｓ１０９）。露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2未満である場合（Ｓ１０９：Ｎｏ）、再びステップＳ１０８に示された処理が実行される。
一方、露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2以上になった場合（Ｓ１０９：Ｙｅｓ）、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2以上になったことを制御部１３２に通知する。露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2以上になったということは、容器２０１の気密性を維持するシール部材のシール性が弱くなった等の何らかの原因により、外気の侵入量が増加したと考えられる。そのため、制御部１３２は、成膜システム１００のユーザにエラーを通知する（Ｓ１１０）。制御部１３２は、例えば図示しない表示装置等に、露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2以上になったことを表示することにより、成膜システム１００のユーザにエラーを通知する。そして、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を終了する。
一方、プロセス開始の条件が全て満たされた場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、制御部１３２は、例えば図示しない表示装置等に、プロセス開始の準備が整った旨を表示することで、成膜システム１００のユーザにプロセスの実行が可能であることを通知する（Ｓ１１１）。そして、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を終了する。
［プロセス実行中の真空搬送装置２００の制御］
図４は、１つのプロセスチャンバ１０１でのプロセスが終了した場合において、プロセスチャンバ１０１と真空搬送装置２００との間のゲートバルブＧ１を開く際の真空搬送装置２００の制御の一例を示すフローチャートである。例えば、１つのプロセスチャンバ１０１において基板Ｗに対して特定のプロセスの実行が終了した場合に、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を開始する。
まず、制御部１３２は、容器２０１内の圧力Ｐを上げるようにＰＣＶ１１１を制御する（Ｓ２００）。そして、制御部１３２は、容器２０１内に配置された図示しない圧力計の測定値を参照して、容器２０１内の圧力が予め定められた第３の圧力Ｐ3以上になったか否かを判定する（Ｓ２０１）。第３の圧力Ｐ3は、プロセスチャンバ１０１内の圧力よりも高く、かつ、大気圧よりも低い圧力である。容器２０１内の圧力が第３の圧力Ｐ3未満である場合（Ｓ２０１：Ｎｏ）、再びステップＳ２０１に示された処理が実行される。
一方、容器２０１内の圧力が第３の圧力Ｐ3以上になった場合（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、制御部１３２は、特定のプロセスが終了したプロセスチャンバ１０１と容器２０１との間のゲートバルブＧ１を開状態に制御することで、ゲートバルブＧ１を開く（Ｓ２０２）。そして、制御部１３２は、プロセスチャンバ１０１内から基板Ｗを搬出するように搬送装置２０２を制御する（Ｓ２０３）。そして、制御部１３２は、プロセスチャンバ１０１と容器２０１との間のゲートバルブＧ１を閉状態に制御することで、ゲートバルブＧ１を閉じる（Ｓ２０４）。
このように、本実施形態では、制御部１３２が、ゲートバルブＧ１を開く前に、容器２０１内の圧力がプロセスチャンバ１０１内の圧力よりも高くなるように制御する。これにより、ゲートバルブＧ１が開かれた際にプロセスチャンバ１０１内のパーティクルや残留ガス等が容器２０１内に侵入することが抑制される。これにより、プロセスチャンバ１０１内で発生したパーティクルが、容器２０１を介して他のプロセスチャンバ１０１内に侵入することが抑制される。
次に、基板Ｗの搬送先の装置と容器２０１との間のゲートバルブを開状態に制御することで、当該ゲートバルブを開く（Ｓ２０５）。ステップＳ２０５において、基板Ｗに対して、別なプロセスチャンバ１０１によって別なプロセスが実行される場合には、当該別なプロセスチャンバ１０１と容器２０１との間のゲートバルブＧ１が開かれる。また、基板ＷをキャリアＣに収容する場合には、ロードロック室１０２と容器２０１との間のゲートバルブＧ２が開かれる。
そして、制御部１３２は、別なプロセスチャンバ１０１内またはロードロック室１０２内に基板Ｗを搬入するように搬送装置２０２を制御する（Ｓ２０６）。そして、制御部１３２は、ゲートバルブを閉じる（Ｓ２０７）。
次に、制御部１３２は、ＰＣＶ１１１を制御して、容器２０１内の圧力Ｐが予め定められた第２の圧力Ｐ2となるように不活性ガスの供給量を制御する（Ｓ２０８）。そして、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を終了する。
以上、一実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における真空搬送装置２００は、プロセスチャンバ１０１とロードロック室１０２との間に配置され、プロセスチャンバ１０１とロードロック室１０２との間で基板Ｗを搬送する。真空搬送装置２００は、容器２０１と、搬送装置２０２と、排気装置１２０と、露点計２０４と、制御装置１３０とを備える。容器２０１は、ゲートバルブ（Ｇ１、Ｇ２）を介してプロセスチャンバ１０１およびロードロック室１０２のそれぞれに接続されている。搬送装置２０２は、容器２０１内に設けられ、プロセスチャンバ１０１とロードロック室１０２との間で基板Ｗを搬送する。排気装置１２０は、容器２０１内のガスを排気する。露点計２０４は、容器２０１内のガスの露点温度を測定する。制御装置１３０は、露点計２０４によって測定された露点温度に基づいてプロセスの実行が可能な状態であるか否かを判定し、プロセスの実行が可能な状態になった場合に、その旨を真空搬送装置２００のユーザに通知する。これにより、真空搬送装置２００は、基板Ｗに付着する水分を低減することができる。
また、上記した実施形態において、制御装置１３０は、判定部１３１および制御部１３２を有する。判定部１３１は、容器２０１内が大気解放され再び密閉された後に、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが予め定められた第１の温度Ｔd1以下になったか否かを判定する。制御部１３２は、判定部１３１により露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったと判定されることを条件の一つとして含む、予め定められた複数の条件が全て満たされた場合に、プロセスの実行が可能な状態になったことを真空搬送装置２００のユーザに通知する。これにより、真空搬送装置２００は、基板Ｗに付着する水分を低減することができる。
また、上記した実施形態において、制御部１３２は、プロセスチャンバ１０１による基板Ｗへの処理が行われている間に、制御部１３２により露点温度Ｔdが予め定められた第２の温度Ｔd2以上になったと判定された場合に、真空搬送装置２００のユーザにエラーを通知する。これにより、真空搬送装置２００は、容器２０１内の露点温度Ｔdが高い状態で容器２０１内を基板Ｗが通過することを防止することができる。
また、上記した実施形態において、容器２０１には、容器２０１の内側の壁面を加熱するヒータ２０３が設けられている。また、制御部１３２は、容器２０１内が大気解放され再び密閉された後に、ヒータ２０３に電力を供給することにより容器２０１の内側の壁面を加熱させる。これにより、容器２０１の内側の壁面に付着した水の分子を迅速に離脱させることができ、容器２０１内の水分を迅速に低減することができる。
また、上記した実施形態において、制御部１３２は、判定部１３１により容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったと判定された場合に、ヒータ２０３への電力供給を停止することによりヒータ２０３による容器２０１の内側の壁面の加熱を停止させる。これにより、真空搬送装置２００の消費電力を削減することができる。
また、上記した実施形態における真空搬送装置２００は、容器２０１内に不活性ガスを供給するガス供給装置１１０をさらに有する。これにより、シール部材等を介して容器２０１内に侵入した外気に含まれる水の分子の容器２０１の内面への付着が抑制される。
また、上記した実施形態において、ガス供給装置１１０は、ＰＣＶ１１１を有し、排気装置１２０は、ＴＭＰ１２１およびＤＰ１２２を有する。制御部１３２は、ＴＭＰ１２１およびＤＰ１２２を稼働させることにより容器２０１内のガスを排気させる。そして、制御部１３２は、容器２０１内の圧力Ｐが予め定められた第１の圧力Ｐ1以下になった場合に、ＴＭＰ１２１を停止させ、ＤＰ１２２が稼働している状態で、容器２０１内の圧力が第１の圧力Ｐ1よりも高い第２の圧力Ｐ2となるようにＰＣＶ１１１を制御する。これにより、容器２０１内の水分を迅速に低減することができると共に、真空搬送装置２００の消費電力を削減することができる。
また、上記した実施形態において、制御部１３２は、プロセスチャンバ１０１と容器２０１との間のゲートバルブＧ１が開かれる前に、容器２０１内の圧力がプロセスチャンバ１０１の圧力よりも高くなるように、ＰＣＶ１１１を制御する。これにより、プロセスチャンバ１０１と容器２０１との間のゲートバルブＧ１が開かれた際にプロセスチャンバ１０１内のパーティクルや残留ガス等が容器２０１内に侵入することが抑制される。
また、本実施形態における真空搬送装置２００の制御方法は、容器２０１内が大気解放され再び密閉された後に、容器２０１内に設けられた露点計２０４によって測定された容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが予め定められた第１の温度Ｔd1以下になったか否かを判定する工程と、露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下になったと判定されることを条件の一つとして含む、予め定められた複数の条件が全て満たされた場合に、プロセスの実行が可能な状態になったことを前記真空搬送装置のユーザに通知する工程とを含む。これにより、真空搬送装置２００は、基板Ｗに付着する水分を低減することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態では、容器２０１内に設けられた露点計２０４によって測定された露点温度Ｔdに基づいて、プロセスの実行が可能な状態であるか否かが判定されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、容器２０１内のガスに含まれる酸素の濃度を測定する酸素濃度計を容器２０１内に設け、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdおよび酸素濃度に基づいて、プロセスの実行が可能な状態であるか否かが判定されてもよい。
例えば、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが第１の温度Ｔd1以下であり、かつ、容器２０１内のガスの酸素濃度が第１の濃度以下である場合に、プロセス開始のための複数の条件の一つが満たされたと判定されてもよい。また、プロセス実行中に、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが第２の温度Ｔd2より高くなった場合、または、容器２０１内のガスの酸素濃度が第２の濃度より高くなった場合に、成膜システム１００のユーザにエラーを通知してプロセスを中断してもよい。これにより、真空搬送装置２００内に残留する酸素による基板Ｗの酸化も抑制される。
また、上記した実施形態では、セットアップやメンテナンス等により真空搬送装置２００の容器２０１が大気解放された後に密閉された場合の容器２０１内のガスの露点温度の管理を中心に説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、基板Ｗに対するプロセスの実行中においても、容器２０１内の露点温度の管理が実行されてもよい。
図５は、プロセス実行中における容器２０１内の露点温度の管理方法の一例を示すフローチャートである。例えば、プロセスが開始された場合に、制御装置１３０は、本フローチャートに示される処理を開始する。
まず、制御装置１３０の判定部１３１は、露点計２０４から出力された露点温度Ｔdに基づいて、露点温度Ｔdが予め定められた第３の温度Ｔd3以上になったか否かを判定する（Ｓ３００）。第３の温度Ｔd3は、例えば第２の温度Ｔd2と同じか第２の温度Ｔd2よりも高い温度である。露点温度Ｔdが第３の温度Ｔd3より低い場合（Ｓ３００：Ｎｏ）、再びステップＳ３００に示された処理が実行される。
一方、露点温度Ｔdが第３の温度Ｔd3以上になった場合（Ｓ３００：Ｙｅｓ）、判定部１３１は、露点温度Ｔdが第３の温度Ｔd3以上になったことを制御部１３２に通知する。制御部１３２は、新たなロットに含まれる基板ＷのキャリアＣからの取り出しを中断し、搬送中および処理中のロットに含まれる基板Ｗの処理が終了したか否かを判定する（Ｓ３０１）。処理中のロットに含まれる基板Ｗの処理が終了していない場合（Ｓ３０１：Ｎｏ）、引き続き処理中のロットに含まれる基板Ｗの処理が実行され、再びステップＳ３００に示された処理が実行される。
一方、処理中のロットに含まれる基板Ｗの処理が終了した場合（Ｓ３０１：Ｙｅｓ）、制御装置１３０は、再び図３で説明されたステップＳ１００～Ｓ１０７の処理を実行する。これにより、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdが再び第１の温度Ｔd1以下になる。そして、制御装置１３０は、次のロットに含まれる基板ＷのキャリアＣからの取り出しを再開し、基板Ｗに対するプロセスを再開する（Ｓ３０２）。そして、再びステップＳ３００に示された処理が実行される。
これにより、基板Ｗに対するプロセスが開始された後も、基板Ｗに付着する水分を低く保つことができる。なお、ステップＳ３０１では、ロット単位で処理の終了が判定されたが、基板Ｗ単位で処理の終了が判定されてもよい。即ち、ステップＳ３００において露点温度Ｔdが第３の温度Ｔd3以上になったと判定された場合、搬送中または処理中の基板Ｗと同じロットであってもキャリアＣ内から新たに基板Ｗを取り出すことが中断されてもよい。これにより、ロットの途中であっても、搬送中または処理中の基板Ｗの処理が終了し次第、容器２０１内のガスの露点温度Ｔdを第１の温度Ｔd1以下に迅速に回復させることができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｃ キャリア
Ｇ１ ゲートバルブ
Ｇ２ ゲートバルブ
Ｇ３ ゲートバルブ
Ｗ 基板
１００ 成膜システム
１０１ プロセスチャンバ
１０２ ロードロック室
１０３ 大気搬送室
１０４ アライメント室
１０５ ポート
１０６ 搬送装置
１１０ ガス供給装置
１１１ ＰＣＶ
１１２ ガス供給源
１１３ 配管
１２０ 排気装置
１２１ ＴＭＰ
１２２ ＤＰ
１２３ バルブ
１２４ バルブ
１２５ バルブ
１２６ 配管
１２７ 配管
１３０ 制御装置
１３１ 判定部
１３２ 制御部
２００ 真空搬送装置
２０１ 容器
２０２ 搬送装置
２０３ ヒータ
２０４ 露点計

Claims (9)

  1. プロセスチャンバとロードロック室との間に配置され、前記プロセスチャンバと前記ロードロック室との間で基板を搬送する真空搬送装置において、
    ゲートバルブを介して前記プロセスチャンバおよび前記ロードロック室のそれぞれに接続された容器と、
    前記容器内に設けられ、前記プロセスチャンバと前記ロードロック室との間で基板を搬送する搬送装置と、
    前記容器内のガスを排気する排気装置と、
    前記容器内のガスの露点温度を測定する露点計と、
    前記露点計によって測定された前記露点温度が所定範囲内の温度か否かに基づいてプロセスの実行が可能な状態であるか否かを判定する制御装置と
    を備える真空搬送装置。
  2. 前記制御装置は、
    前記容器内が大気解放され再び密閉された後に、前記露点温度が予め定められた第１の温度以下になったか否かを判定する判定部と、
    前記判定部により前記露点温度が前記第１の温度以下になったと判定されることを条件の一つとして含む、予め定められた複数の所定条件が満たされた場合に、プロセスの実行が可能な状態になったと判定する制御部と
    を有する請求項１に記載の真空搬送装置。
  3. 前記制御部は、
    前記プロセスチャンバによる前記基板への処理が行われている間に、前記判定部により前記露点温度が予め定められた第２の温度以上になったと判定された場合に、前記真空搬送装置のユーザにエラーを通知する請求項２に記載の真空搬送装置。
  4. 前記容器には、前記容器の内側の壁面を加熱するヒータが設けられており、
    前記制御部は、
    前記容器内が大気解放され再び密閉された後に、前記ヒータに電力を供給することにより前記壁面を加熱させる請求項２または３に記載の真空搬送装置。
  5. 前記制御部は、
    前記判定部により前記露点温度が前記第１の温度以下になったと判定された場合に、前記ヒータへの電力供給を停止することにより前記ヒータによる前記壁面の加熱を停止させる請求項４に記載の真空搬送装置。
  6. 前記容器内に不活性ガスを供給するガス供給装置をさらに有する請求項２から５のいずれか一項に記載の真空搬送装置。
  7. 前記ガス供給装置は、圧力制御バルブを有し、
    前記排気装置は、第１のポンプおよび第２のポンプを有し、
    前記制御部は、
    前記第１のポンプおよび前記第２のポンプを稼働させることにより前記容器内のガスを排気させ、前記容器内の圧力が予め定められた第１の圧力以下になった場合に、前記第１のポンプを停止させ、前記第２のポンプが稼働している状態で、前記容器内の圧力が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力となるように前記圧力制御バルブを制御する請求項６に記載の真空搬送装置。
  8. 前記制御部は、
    前記プロセスチャンバと前記容器との間のゲートバルブが開かれる前に、前記容器内の圧力が前記プロセスチャンバの圧力よりも高くなるように、圧力制御バルブを制御する請求項６または７に記載の真空搬送装置。
  9. プロセスチャンバとロードロック室との間に配置された容器と、
    前記容器内に設けられ、前記プロセスチャンバと前記ロードロック室との間で基板を搬送する搬送装置と、
    前記容器内のガスを排気する排気装置と
    を備える真空搬送装置の制御方法において、
    前記容器内が大気解放され再び密閉された後に、前記容器内に設けられた露点計によって測定された前記容器内のガスの露点温度が所定範囲内の温度になったか否かを判定する工程と、
    前記露点温度が前記所定範囲内の温度になったと判定されることを条件の一つとして含む、予め定められた複数の所定条件が満たされた場合に、プロセスの実行が可能な状態になったと判定する工程と
    を含む真空搬送装置の制御方法。
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