TW201537651A - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

本發明係即便利用排氣緩衝室施行氣體排氣的情況，仍可對該排氣緩衝室內充分且良好地施行清洗處理。 本發明的基板處理裝置係具備有：處理空間、氣體供應系統、排氣緩衝室、氣體排氣系統、及清洗氣體供應管。其中，該處理空間係對基板載置面上所載置基板施行處理。該氣體供應系統係從基板載置面的對向側朝處理空間內供應氣體。該排氣緩衝室係具有依包圍處理空間之側邊外周方式設置的空間，且供應給處理空間內的氣體會流入空間內的方式構成。該氣體排氣系統係將流入排氣緩衝室內的氣體予以排氣。該清洗氣體供應管係從連通於構成排氣緩衝室的空間，並對排氣緩衝室內供應清洗氣體。

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
一般在半導體裝置之製造步驟中，有使用對晶圓等基板施行成膜處理等製程處理的基板處理裝置。基板處理裝置係隨基板大型化與製程處理高精度化等，每次1片基板施行處理的單片式正普及中。
單片式基板處理裝置所執行的製程處理係例如利用交錯供應法進行的成膜處理。交錯供應處理係藉由對處理空間內的基板，以原料氣體供應步驟、迫淨步驟、反應氣體供應步驟、迫淨步驟為1循環，並重複既定次數(n循環)該循環，而施行在基板上的膜形成。所以，為能有效率地施行交錯供應處理，要求兼顧對處理空間內基板的氣體供應均勻化、以及從處理空間內進行殘留氣體排氣迅速化。就從此現象，單片式基板處理裝置係有構成經由當作氣體分散機構用的噴灑頭，從上方側朝處理空間供應處理氣體，且經由依包圍處理空間側邊外周狀態設置且排氣管連接於下游側的排氣緩衝室，從基板中心朝基板外周側(即處理空間側邊)排出氣體。
但是，此種基板處理裝置必需定期除去在噴灑頭、處理空間等所附著的不需要膜(反應副產物等)。就從此現象，有對單片式基板處理裝置，經由噴灑頭朝處理空間內供應清洗氣體，而對處理空間等施行清洗處理(例如參照專利文獻1)。又，此外亦有對較處理空間位於更靠氣體排氣方向下游側的排氣管內，直接供應清洗氣體，輕易除去副產物等附著，而對屬於較難清除地方的排氣管內施行清洗處理(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-109194號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-211168號公報
然而，上述習知技術會有無法充分且良好地對排氣緩衝室內施行清洗處理的可能性。
例如當對基板施行交錯供應處理時，依如上述對處理空間內交錯供應原料氣體與反應氣體。此時，若排氣緩衝室內有殘留任一氣體，被認為會導致在該排氣緩衝室內產生意料之外的反應。若產生意料之外的反應，則會在排氣緩衝室的內壁附著不需要膜、副產物等。特別係在排氣緩衝室內，不同於處理空間內，因為形成良質膜的溫度條件與壓力條件等並沒有整合，因而導致形成膜密度與膜厚等有出現變動 的特性不佳膜。此種膜會因切換氣體供應時的壓力變動等而輕易剝離，並侵入處理空間內，導致對基板上的膜特性造成不良影響，會有造成良率降低的可能性。
相關該等附著物，有考慮藉由經噴灑頭供應清洗氣體而除去。但是，因為活性清洗氣體在到達排氣緩衝室之前便會在處理空間內被去活化，因而會有對排氣緩衝室內的清洗處理嫌不足之可能性。又，即便直接對排氣管內供應清洗氣體，仍難謂可對位於其上游側的排氣緩衝室充分地施行清洗處理。
為能對排氣緩衝室內充分施行清洗處理，因而亦有考慮在裝置保養時由作業員利用手動操作進行附著物除去。但是，此情況，牽涉到停機時間(down time)大幅增加，衍生導致裝置運轉效率降低的問題。即，難謂能對排氣緩衝室內良好地施行清洗處理。
緣是，本發明目的在於提供：即便利用排氣緩衝室施行氣體排氣的情況，仍可對該排氣緩衝室內充分且良好地施行清洗處理的基板處理裝置、及半導體裝置之製造方法。
根據本發明一態樣所提供的基板處理裝置，係具備有：處理空間，用以對基板載置面上所載置之基板施行處理；氣體供應系統，從上述基板載置面的對向側，朝上述處理空間內供應氣體； 排氣緩衝室，至少構成具備有：在上述處理空間的側邊且連通於該處理空間的連通孔、以及朝阻斷通過上述連通孔的氣體流動之方向延伸之氣體流阻斷壁；氣體排氣系統，將流入上述排氣緩衝室內的氣體予以排氣；以及清洗氣體供應管，從在上述連通孔與上述氣體流阻斷壁之間設置的連接處，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體。
根據本發明另一態樣所提供的半導體裝置之製造方法，係包括有：基板處理步驟，用以對處理空間內載置於基板載置面上之基板，於從上述基板載置面的對向側供應氣體狀態下，利用具有依包圍上述處理空間側邊外周方式所設置的空間的排氣緩衝室，從上述處理空間內將氣體予以排氣，而對上述處理空間內的上述基板施行處理；以及排氣緩衝室清洗步驟，從構成上述排氣緩衝室的上述空間所連通之清洗氣體供應管，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體，而清洗上述排氣緩衝室內。
根據本發明，即便利用排氣緩衝室施行氣體排氣的情況，仍可對該排氣緩衝室內充分且良好地施行清洗處理。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔間板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧升降銷
209‧‧‧排氣緩衝室
209a‧‧‧氣體流阻斷壁
209b‧‧‧連通孔
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧風箱
221‧‧‧排氣孔
222‧‧‧第二排氣管
223‧‧‧APC
224、239‧‧‧真空泵
230‧‧‧噴灑頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導件
236‧‧‧第三排氣管
237、243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供應管
243‧‧‧原料氣體供應系統
243a‧‧‧第一氣體供應管
243b‧‧‧原料氣體供應源
243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
244‧‧‧反應氣體供應系統
244a‧‧‧第二氣體供應管
244b‧‧‧反應氣體供應源
244e‧‧‧遠端電漿單元(RPU)
245‧‧‧迫淨氣體供應系統
245a‧‧‧第三氣體供應管
245b‧‧‧迫淨氣體供應源
246a‧‧‧第一惰性氣體供應管
246b、247b‧‧‧惰性氣體供應源
247a‧‧‧第二惰性氣體供應管
248a‧‧‧處理空間清洗氣體供應管
248b‧‧‧處理空間清洗氣體供應源
249‧‧‧排氣緩衝室清洗氣體供應系統
249a‧‧‧清洗氣體供應管
249b‧‧‧排氣緩衝室清洗氣體供應源
249e‧‧‧氣體供應溝槽
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
261‧‧‧運算部
262‧‧‧記憶部
圖1係本發明一實施形態的單片式基板處理裝置的概略構造圖。
圖2係圖1所示基板處理裝置的排氣緩衝室整體形狀一具體例之立體示意圖。
圖3係圖1所示基板處理裝置的排氣緩衝室截面形狀一具體例之側剖面示意圖。
圖4係圖1所示基板處理裝置的排氣緩衝室平面形狀一具體例之平面示意圖。
圖5係本發明一實施形態的基板處理步驟及清洗步驟流程圖。
圖6係圖5所示成膜步驟的詳細流程圖。
<本發明一實施形態>
以下，針對本發明一實施形態，參照圖式進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
本實施形態的基板處理裝置係構成作為對處理對象的基板每次1片施行處理的單片式基板處理裝置。
作為處理對象的基板係可例如已植入半導體裝置(半導體元件)的半導體晶圓基板(以下簡稱「晶圓」)。
對此種基板所施行的處理係可例如蝕刻、灰化、成膜處理等，本實施形態特別係設為施行成膜處理者。成膜處理的典型例係有如交錯供應處理。
以下針對本實施形態基板處理裝置的構成，參照圖1進行說明。圖1所示係本實施形態單片式基板處理裝置的概略構造圖。
(處理容器)
如圖1所示，基板處理裝置100係具備有處理容器202。處理容器202係構成例如橫截面呈圓形的扁平密閉容器。又，處理容器202係由例如鋁(Al)、不銹鋼(SUS)等金屬材料構成。在處理容器202內形成：對當作基板用的矽晶圓等晶圓200施行處理之處理空間201；以及將晶圓200搬送至處理空間201時，使晶圓200通過的搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a與下部容器202b構成。在上部容器202a與下部容器202b之間設有隔間板204。
在上部容器202a內部的外周端緣附近設有排氣緩衝室209。相關排氣緩衝室209容後詳述。
在下部容器202b的側面設有連接閘閥205的基板搬入出口206，晶圓200係經由基板搬入出口206在與未圖示搬送室之間進行移動。在下部容器202b的底部複數設有升降銷207。又，下部容器202b係接地。
(基板支撐部)
在處理空間201內設有用以支撐晶圓200的基板支撐部210。基板支撐部210主要係具備有：載置晶圓200的基板載置面211、將基板載置面211保持於表面的基板載置台212、以及內設於基板載置台212當作加熱源用的加熱器213。在基板載置台212中，升降銷207貫通的貫通孔214分別設置於對應升降銷207的位置處。
基板載置台212係利用軸217支撐。軸217係貫通處理容器202 的底部，更在處理容器202的外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218產生動作而使軸217及基板載置台212進行升降，而可使基板載置面211上所載置的晶圓200進行升降。另外，軸217的下端部周圍係被風箱219覆蓋，俾使處理容器202內保持呈氣密。
基板載置台212係在晶圓200搬送時，基板載置面211會下降至基板搬入出口206相對向位置(晶圓搬送位置)，而當晶圓200處理時，便如圖1所示，晶圓200會上升至處理空間201內的處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，當使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，升降銷207的上端部會突出於基板載置面211的上面，形成升降銷207從下方支撐著晶圓200狀態。又，當使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207會埋入基板載置面211的上面，形成由基板載置面211從下方支撐晶圓200的狀態。另外，因為升降銷207係直接接觸晶圓200，因而最好由例如石英、氧化鋁等材質形成。
(噴灑頭)
在處理空間201的上部(氣體供應方向上游側)設有當作氣體分散機構用的噴灑頭230。在噴灑頭230的蓋231中設有氣體導入孔241，該氣體導入孔241連接著後述氣體供應系統。從氣體導入孔241導入的氣體供應給噴灑頭230的緩衝空間232。
噴灑頭230的蓋231由具導電性金屬形成，使用為在緩衝空間232或處理空間201內生成電漿用的電極。在蓋231與上部容器202a之間 設有絕緣塊233，而將蓋231與上部容器202a之間予以絕緣。
噴灑頭230係設有為使經由氣體導入孔241從氣體供應系統供應的氣體能分散用的分散板234。該分散板234的上游側係緩衝空間232，下游側則為處理空間201。在分散板234中設有複數貫通孔234a。分散板234係配置成與基板載置面211呈相對向狀態。
在緩衝空間232中設有形成所供應之氣體流動的氣體導件235。氣體導件235係以氣體導入孔241為頂點，直徑隨朝分散板234方向呈逐漸擴大的圓錐形狀。氣體導件235係形成下端位於較在分散板234最外周側所形成之貫通孔234a更靠外周側狀態。
(電漿生成部)
噴灑頭230的蓋231連接於整合器251、高頻電源252。而，藉由利用高頻電源252、整合器251進行阻抗調整，便在噴灑頭230、處理空間201中生成電漿。
(氣體供應系統)
在噴灑頭230的蓋231上所設置的氣體導入孔241係連接於共通氣體供應管242。共通氣體供應管242係藉由連接於氣體導入孔241，而連通於噴灑頭230內的緩衝空間232。又，在共通氣體供應管242連接有第一氣體供應管243a、第二氣體供應管244a、及第三氣體供應管245a。第二氣體供應管244a係經由遠端電漿單元(RPU)244e連接於共通氣體供應管242。
該等之中，從含有第一氣體供應管243a的原料氣體供應系統243主要供應原料氣體，且從含有第二氣體供應管244a的反應氣體供應系統244主要供應反應氣體。從含有第三氣體供應管245a的迫淨氣體供應系統245，在對晶圓200施行處理時主要供應惰性氣體，而在對噴灑頭230、處理空間201施行清洗時則主要供應清洗氣體。另外，相關從氣體供應系統供應的氣體，亦將原料氣體稱為「第一氣體」、反應氣體稱為「第二氣體」、惰性氣體稱為「第三氣體」、清洗氣體(處理空間201用)稱為「第四氣體」。又，亦將屬於氣體供應系統之一的後述排氣緩衝室清洗氣體供應系統所供應清洗氣體(排氣緩衝室209用)，稱為「第五氣體」。
(原料氣體供應系統)
對第一氣體供應管243a，從上游方向起依序設有：原料氣體供應源243b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)243c、及屬於開關閥的閥243d。然後，從第一氣體供應管243a，將原料氣體經由MFC243c、閥243d、共通氣體供應管242供應給噴灑頭230內。
原料氣體係處理氣體之一，例如屬於含有Si(矽)元素之原料的SiCl6(Disilicon hexachloride或Hexachlorodisilane)氣體(即SiCl6氣體)。另外，原料氣體係在常溫常壓下呈固體、液體、及氣體均可。當原料氣體在常溫常壓呈液體的情況，只要在第一氣體供應源243b與質量流量控制器243c之間設置未圖示氣化器即可。此處就氣體進行說明。
主要利用第一氣體供應管243a、MFC243c、及閥243d構成原料氣體供應系統243。另外，原料氣體供應系統243亦可考慮包含有：原料氣體供應源243b、後述第一惰性氣體供應系統。又，因為原料氣體供應系統243係供應屬於處理氣體之一的原料氣體，因而歸屬於處理氣體供應系統之一。
在較第一氣體供應管243a的閥243d更靠下游側，連接著第一惰性氣體供應管246a的下游端。在第一惰性氣體供應管246a中從上游方向起依序設有：惰性氣體供應源246b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)246c、及屬於開關閥的閥246d。然後，從第一惰性氣體供應管246a，將惰性氣體經由MFC246c、閥246d、第一氣體供應管243a供應給噴灑頭230內。
惰性氣體係發揮原料氣體之載氣的作用，較佳係使用不會與原料產生反應的氣體。具體係可使用例如氮(N2)氣體。又，除N2氣體之外，尚可使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
主要係由第一惰性氣體供應管246a、MFC246c及閥246d構成第一惰性氣體供應系統。另外，第一惰性氣體供應系統亦可考慮包括有惰性氣體供應源236b、第一氣體供應管243a。又，第一惰性氣體供應系統亦可考慮含於原料氣體供應系統243中。
(反應氣體供應系統)
在第二氣體供應管244a中於下游設有RPU244e。在上游從上游方 向起依序設有：反應氣體供應源244b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)244c、及屬於開關閥的閥244d。然後，從第二氣體供應管244a，將反應氣體經由MFC244c、閥244d、RPU244e、共通氣體供應管242供應給噴灑頭230內。反應氣體係利用遠端電漿單元244e而呈電漿狀態，並照射於晶圓200上。
反應氣體係屬於處理氣體之一，使用例如氨(NH3)氣體。
主要係由第二氣體供應管244a、MFC244c、閥244d構成反應氣體供應系統244。另外，反應氣體供應系統244亦可考慮包含有反應氣體供應源244b、RPU244e、及後述第二惰性氣體供應系統。又，因為反應氣體供應系統244係屬於供應屬於處理氣體之一的反應氣體，因而歸屬於處理氣體供應系統之一。
在較第二氣體供應管244a的閥244d更靠下游側，連接著第二惰性氣體供應管247a的下游端。在第二惰性氣體供應管247a中從上游方向起依序設有：惰性氣體供應源247b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)247c、及屬於開關閥的閥247d。然後，從第二惰性氣體供應管247a起，將惰性氣體經由MFC247c、閥247d、第二氣體供應管244a、及RPU244e供應給噴灑頭230內。
惰性氣體係發揮反應氣體之載氣或稀釋氣體的作用。具體係可使用例如氮(N2)氣體。又，除N2氣體之外，尚可使用例如：氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
主要係由第二惰性氣體供應管247a、MFC247c、及閥247d構成第二惰性氣體供應系統。另外，第二惰性氣體供應系統亦可考慮包括有：惰性氣體供應源247b、第二氣體供應管243a、及RPU244e。又，第二惰性氣體供應系統亦可考慮包含於反應氣體供應系統244中。
(迫淨氣體供應系統)
在第三氣體供應管245a中，從上游方向起依序設有：迫淨氣體供應源245b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)245c、及屬於開關閥的閥245d。然後，從第三氣體供應管245a，在基板處理步驟中將當作迫淨氣體用的惰性氣體，經由MFC245c、閥245d、及共通氣體供應管242供應給噴灑頭230內。又，在處理空間清洗步驟中，視需要將當作清洗氣體之載氣或稀釋氣體用的惰性氣體，經由MFC245c、閥245d、及共通氣體供應管242供應給噴灑頭230內。
從迫淨氣體供應源245b供應的惰性氣體，在基板處理步驟中，發揮將在處理容器202、噴灑頭230內滯留的氣體予以迫淨的迫淨氣體作用。又，在處理空間清洗步驟中，亦可發揮清洗氣體之載氣或稀釋氣體的作用。具體而言，惰性氣體係可使用例如氮(N2)氣體。又，除N2氣體之外，尚亦可使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
主要係利用第三氣體供應管245a、MFC245c、及閥245d構成迫淨 氣體供應系統245。另外，迫淨氣體供應系統245亦可考慮包含有迫淨氣體供應源245b、及後述處理空間清洗氣體供應系統。
(處理空間清洗氣體供應系統)
在較第三氣體供應管245a的閥245d更靠下游側，連接著處理空間清洗氣體供應管248a的下游端。在處理空間清洗氣體供應管248a中，從上游方向起依序設有：處理空間清洗氣體供應源248b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)248c、及屬於開關閥的閥248d。然後，第三氣體供應管245a在處理空間清洗步驟中，將清洗氣體經由MFC248c、閥248d、共通氣體供應管242供應給噴灑頭230內。
從處理空間清洗氣體供應源248b供應的清洗氣體，具有在處理空間清洗步驟中，將在噴灑頭230與處理容器202所附著的副產物等予以除去之清洗氣體作用。具體而言，清洗氣體係可考慮使用例如三氟化氮(NF3)氣體。又，亦可使用例如：氫氟酸(HF)氣體、三氟化氯氣體(ClF3)氣體、氟(F2)氣體等，且該等亦可組合使用。
主要係由處理空間清洗氣體供應管248a、MFC248c、及閥248d構成處理空間清洗氣體供應系統。另外，處理空間清洗氣體供應系統亦可考慮包含：處理空間清洗氣體供應源248b、及第三氣體供應管245a。又，處理空間清洗氣體供應系統亦可考慮包含於迫淨氣體供應系統245中。
(排氣緩衝室清洗氣體供應系統)
基板處理裝置100係在處理空間清洗氣體供應系統之外，尚具備有當作氣體供應系統用的排氣緩衝室清洗氣體供應系統249。在排氣緩衝室清洗氣體供應系統249中，含有直接連通於排氣緩衝室209上面側的排氣緩衝室清洗氣體供應管(以下簡稱「清洗氣體供應管」)249a。在清洗氣體供應管249a中，從上游方向起依序設有：排氣緩衝室清洗氣體供應源249b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)249c、及屬於開關閥的閥249d。然後，從清洗氣體供應管249a將清洗氣體經由MFC249c、及閥249d供應給排氣緩衝室209內。
從排氣緩衝室清洗氣體供應源249b供應的清洗氣體，發揮將排氣緩衝室209內壁附著的副產物等予以除去的清洗氣體作用。具體而言，清洗氣體係可考慮使用例如三氟化氮(NF3)氣體。又，亦可使用例如：氫氟酸(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣體等，又該等亦可組合使用。另外，當排氣緩衝室清洗氣體供應源249b係與處理空間清洗氣體供應源248b供應同種清洗氣體的情況，並非一定要另外設置處理空間清洗氣體供應源248b，亦可構成共用該等中之任一者。
主要係由清洗氣體供應管249a、MFC249c、及閥249d構成排氣緩衝室清洗氣體供應系統249。另外，排氣緩衝室清洗氣體供應系統249亦可考慮包含排氣緩衝室清洗氣體供應源249b。
(氣體排氣系統)
將處理容器202的環境予以排氣的排氣系統，具備連接於處理容 器202的複數排氣管。具體而言，具備有：連接於下部容器202b之搬送空間203的第一排氣管(但未圖示)、連接於上部容器202a之排氣緩衝室209的第二排氣管222、以及連接於噴灑頭230之緩衝空間232的第三排氣管236。
(第一氣體排氣系統)
第一排氣管係連接於搬送空間203的側面或底面。在第一排氣管中設有用以實現高真空或超高真空之真空泵用的未圖示之渦輪分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump)。又，在第一排氣管中，於TMP的下游側或上游側、或該等雙方設有未圖示之閥。另外，在第一排氣管中，除TMP之外，尚亦可設有未圖示乾式泵(DP：Dry Pump)。DP係在TMP產生動作時，便發揮輔助泵機能。即，TMP及DP係經由第一排氣管將搬送空間203的環境施行排氣。然後，此時因為屬於高真空(或超高真空)泵的TMP較難單獨實施直到大氣壓的排氣，因而使用DP作為施行排氣直到大氣壓之輔助泵用。
主要係由第一排氣管、TMP、DP、及閥構成第一氣體排氣系統。
(第二氣體排氣系統)
第二排氣管222係經由在排氣緩衝室209的上面或側邊設置之排氣孔221，連接於排氣緩衝室209內。在第二排氣管222設有屬於將連通於排氣緩衝室209的處理空間201內，控制於既定壓力之壓力控制器的APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)223。APC223係設有可調整開度的閥體(未圖示)，配合來自後述控制器260的指示，調 整第二排氣管222的氣導(conductance)。在第二排氣管222中，於APC223的下游側設有真空泵224。真空泵224係經由第二排氣管222，將排氣緩衝室209及其所連通的處理空間201之環境施行排氣。又，第二排氣管222中，在APC223的下游側或上游側、或該等雙方設置未圖示之閥。
主要係由第二排氣管222、APC223、真空泵224、及未圖示之閥構成第二氣體排氣系統。另外，真空泵224亦可構成共用第一氣體排氣系統的DP。
(第三氣體排氣系統)
第三排氣管236係連接於緩衝空間232的上面或側面。即，第三排氣管236係連接於噴灑頭230，藉此連通於噴灑頭230內的緩衝空間232。在第三排氣管236中設有閥237。又，在第三排氣管236中，於閥237的下游側設有壓力調整器238。又，在第三排氣管236中，於壓力調整器238的下游側設有真空泵239。真空泵239係經由第三排氣管236將緩衝空間232的環境施行排氣。
主要係由第三排氣管236、閥237、壓力調整器238、及真空泵239構成第三氣體排氣系統。另外，真空泵239亦可構成共用第一氣體排氣系統的DP。
(控制器)
基板處理裝置100係設有針對基板處理裝置100各部位動作進行 控制的控制器260。控制器260係至少設有運算部261及記憶部262。控制器260連接於上述各構成，配合上位控制器與使用者的指示，從記憶部262中呼叫出程式、配方(recipe)，並配合其內容控制著各構成的動作。具體而言，控制器260係針對閘閥205、升降機構218、加熱器213、高頻電源252、整合器251、MFC243c~248c、閥243d~248d、MFC249c、閥249d、APC223、TMP、DP、真空泵224,239、及閥237等的動作進行控制。
另外，控制器260亦可構成專用電腦，亦可構成通用電腦。例如準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟、硬碟等磁碟；CD、DVD等光碟；MO等光磁碟；USB記憶體、記憶卡等半導體記憶體)，藉由使用該外部記憶裝置在通用電腦中安裝程式，便可構成本實施形態的控制器260。
再者，供對電腦提供程式的手段並不僅侷限於經由外部記憶裝置提供的情況。例如亦可使用網際網路、專用線路等通信手段，在未經由外部記憶裝置的情況下提供程式。另外，記憶部262、外部記憶裝置亦可構成電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等統合簡稱為「記錄媒體」。另外，本說明書中使用「記錄媒體」用詞的情況，係有：僅包含記憶部262單體的情況、僅包含外部記憶裝置單體的情況、或包含該等二者的情況。
(2)排氣緩衝室之詳細構造
此處，針對在處理容器202的上部容器202a內所形成排氣緩衝室 209，參照圖2~圖4進行詳細說明。
圖2所示係本實施形態的排氣緩衝室整體形狀一具體例之立體示意圖。圖3所示係本實施形態的排氣緩衝室之截面形狀一具體例之側剖面示意圖。圖4所示係本實施形態的排氣緩衝室之平面形狀一具體例之平面示意圖。
(整體形狀)
排氣緩衝室209係當將處理空間201內的氣體朝向側邊周圍排出時具有緩衝空間的機能。所以，排氣緩衝室209係如圖2所示，具有設計成包圍處理空間201側邊外周狀態的空間。即，排氣緩衝室209係具有在處理空間201外周側形成俯視環狀(圓環狀)的空間。
(截面形狀)
排氣緩衝室209所具有的空間係如圖3所示，利用上部容器202a形成空間的頂板面及兩側壁面，且利用隔間板204形成空間的地板面。然後，在空間的內周側設有與處理空間201相連通的連通孔209b，構成透過該連通孔209b供應給處理空間201內的氣體能流入空間內。流入空間內的氣體會因構成該空間的外周側側壁面209a而被阻斷流動，並碰撞該側壁面209a。即，構成空間之一的側壁(外周側側壁)，具有朝阻斷通過連通孔209b的氣體流動之方向延伸的氣體流阻斷壁209a機能。又，在氣體流阻斷壁209a相對向的另一側壁(內周側的側壁)設有連通於處理空間201的連通孔209b。依此，排氣緩衝室209構成至少設有：在處理空間201側邊連通於該處理空間201的連通孔209b、 以及朝阻斷通過連通孔209b的氣體流動之方向延伸的氣體流阻斷壁209a。
另外，排氣緩衝室209所具有的空間係延伸構成包圍處理空間201側邊外周的狀態。所以，相關在空間的內周側側壁所設置連通孔209b，亦是延伸設計呈橫跨處理空間201的側邊外周整個周圍狀態。此時，若考慮排氣緩衝室209具有氣體排氣之緩衝空間的機能，則連通孔209b在側剖面高度方向的大小，最好較小於排氣緩衝室209所具有空間的側剖面高度方向大小(空間高度)。
(排氣系統連接)
在排氣緩衝室209所具有的空間中，如圖2所示，連接著第二氣體排氣系統的第二排氣管222。藉此，供應給處理空間201內的氣體，係經由處理空間201與排氣緩衝室209間成為氣體流路的連通孔209b，流入排氣緩衝室209內(參照圖中箭頭)，該流入的氣體經由第二排氣管222被排氣。藉由設為此種構造，處理空間201的氣體而可迅速排氣。又，可從晶圓朝外圓周方向均勻地排氣。所以，可對晶圓表面均勻地供應氣體，結果可對基板面內均勻地施行處理。
(清洗氣體供應系統連接)
再者，在排氣緩衝室209所具有空間的上面側，如圖2所示，連接著排氣緩衝室清洗氣體供應系統249的清洗氣體供應管249a。藉此，從排氣緩衝室清洗氣體供應源249b供應的清洗氣體，經由清洗氣體供應管249a供應給排氣緩衝室209。
排氣緩衝室209所連接的清洗氣體供應管249a係若朝圓環徑向截面觀看，便如圖3所示，在成為從處理空間201至排氣緩衝室209的氣體流路之連通孔209b、與構成排氣緩衝室209的空間中屬於外周側側壁的氣體流阻斷壁209a之間，設有對空間相連接處。即，清洗氣體供應管249a係在較連通孔209b更靠氣體流動方向下游側、且較氣體流阻斷壁209a更靠氣體流動方向上游側，進行朝排氣緩衝室209內供應清洗氣體。
另外，清洗氣體供應管249a欲達到清洗氣體朝排氣緩衝室209內的供應均勻化，最好經由氣體供應溝槽249e連接於排氣緩衝室209。
氣體供應溝槽249e係如圖2或圖3所示，形成於排氣緩衝室209所具有空間的頂板面。又，氣體供應溝槽249e係如圖4所示，在包圍處理空間201的圓周方向形成連續狀態。即，氣體供應溝槽249e係形成橫跨排氣緩衝室209整個周圍延伸狀態。相關構成氣體供應溝槽249e的溝槽截面形狀係在圓周方向呈連續前提下，其餘並無特別地限定，可為如圖例的角溝槽狀、亦可為其他形狀(例如圓溝槽狀)。
若經由此種氣體供應溝槽249e進行連接，則即便僅有單一個清洗氣體供應管249a連接於排氣緩衝室209的情況，來自該清洗氣體供應管249a的清洗氣體在氣體供應溝槽249e中傳播並遍佈整個周圍後，再供應給排氣緩衝室209內。所以，可達清洗氣體對排氣緩衝室209內的供應均勻化，能抑制清洗氣體集中供應於特定處(例如清洗氣體供 應管249a的連接處附近)。
但是，在能達清洗氣體供應均勻化之前提下，清洗氣體供應管249a未必一定要經由氣體供應溝槽249e連接於排氣緩衝室209。例如若能設置複數清洗氣體供應管249a，則亦可考慮各清洗氣體供應管249a與排氣緩衝室209構成在複數地方相連接狀態，此情況亦能使對排氣緩衝室209內的清洗氣體供應均勻化。
(3)基板處理步驟
其次，針對半導體裝置之製造方法一步驟，使用基板處理裝置100在晶圓200上形成薄膜的步驟進行說明。另外，以下說明中，構成基板處理裝置100的各部位動作係利用控制器260進行控制。
此處，針對原料氣體(第一處理氣體)係使用SiCl6氣體，反應氣體(第二處理氣體)係使用NH3氣體，利用交錯供應法在晶圓200上形成含矽膜之SiN(矽氮化)膜為例進行說明。
圖5所示係本實施形態的基板處理步驟及清洗步驟流程圖。圖6所示係圖5所示成膜步驟的詳細流程圖。
(基板搬入‧載置步驟：S102)
基板處理裝置100中，首先藉由使基板載置台212下降至晶圓200搬送位置，便使升降銷207貫通於基板載置台212的貫通孔214中。結果，升降銷207形成從基板載置台212表面剛好突出既定高度狀態。 接著，開啟閘閥205使搬送空間203連通於移載室(未圖示)。然後，使用晶圓移載機(未圖示)從該移載室將晶圓200搬入於搬送空間203中，並將晶圓200移載於升降銷207上。藉此，晶圓200便依水平姿勢被支撐於從基板載置台212表面突出的升降銷207上。
在將晶圓200搬入處理容器202內，便使晶圓移載機退縮於處理容器202外，關閉閘閥205而將處理容器202內密閉。然後，藉由使基板載置台212上升，而使晶圓200載置於在基板載置台212所設置的基板載置面211上，更藉由使基板載置台212上升，使晶圓200上升至前述處理空間201內的處理位置。
在將晶圓200搬入處理容器202內之際，將第一氣體排氣系統的閥呈開啟狀態(開閥)，使搬送空間203與TMP之間相連通，且使TMP與DP之間相連通。另一方面，將第一氣體排氣系統的閥以外排氣系統之閥呈關閉狀態(閉閥)。藉此，利用TMP及DP將搬送空間203的環境施行排氣，使處理容器202到達高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)。在此步驟中將處理容器202設為高真空(超高真空)狀態的理由，係為降低與同樣保持高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)的移載室間之壓力差。在此狀態下開啟閘閥205，並將晶圓200從移載室搬入搬送空間203。另外，TMP及DP為使不會因該等的動作啟動而衍生處理步驟延遲，而在圖5及圖6所示步驟中經常保持動作。
在晶圓200被搬入搬送空間203之後，若上升至處理空間201內的處理位置，將第一氣體排氣系統的閥設為關閉狀態。藉此，搬送空 間203與TMP間被阻斷，而結束利用TMP進行的搬送空間203排氣。另一方面，開啟第二氣體排氣系統的閥，使排氣緩衝室209與APC223之間相連通，且使APC223與真空泵224之間相連通。APC223係藉由調整第二排氣管222的氣導，而控制由真空泵224進行的排氣緩衝室209之排氣流量，將排氣緩衝室209所連通的處理空間201維持於既定壓力。另外，其他排氣系統的閥則維持關閉狀態。又，關閉第一氣體排氣系統的閥時，再將位於TMP上游側的閥設為關閉狀態後，藉由將位於TMP下游側的閥設為關閉狀態，使安定地維持TMP的動作。
另外，在該步驟中，亦可於對處理容器202內施行排氣狀態下，從惰性氣體供應系統朝處理容器202內供應惰性氣體的N2氣體。即，亦可在利用TMP或DP經由排氣緩衝室209對處理容器202內進行排氣狀態下，藉由至少開啟第三氣體供應系統的閥245d，而對處理容器202內供應N2氣體。藉此，可抑制微塵附著於晶圓200上。
再者，在將晶圓200載置於基板載置台212上之際，對基板載置台212內部埋藏的加熱器213供應電力，控制成晶圓200表面呈既定處理溫度。此時，加熱器213的溫度係根據利用未圖示溫度感測器所檢測到的溫度資訊，利用控制對加熱器213的通電程度而進行調整。
依此，在基板搬入‧載置步驟(S102)中，將處理空間201內控制呈既定處理壓力，且將晶圓200的表面溫度控制呈既定處理溫度。此處所謂「既定處理溫度、處理壓力」，係指在後述成膜步驟(S104)中，利用交錯供應法能形成SiN膜的處理溫度、處理壓力。即，第一處理氣 體(原料氣體)供應步驟(S202)所供應的原料氣體不會出現自分解程度的處理溫度、處理壓力。具體而言，處理溫度可考慮設為室溫以上且500℃以下、較佳係室溫以上且400℃以下，處理壓力可考慮設為50~5000Pa。該處理溫度、處理壓力係在後述成膜步驟(S104)中仍維持。
(成膜步驟：S104)
在基板搬入‧載置步驟(S102)之後，接著施行成膜步驟(S104)。以下，參照圖6，針對成膜步驟(S104)進行詳細說明。另外，成膜步驟(S104)係重複實施交錯供應不同處理氣體步驟的循環處理。
(第一處理氣體供應步驟：S202)
成膜步驟(S104)中，首先施行第一處理氣體(原料氣體)供應步驟(S202)。另外，當第一處理氣體係例如TiCl4等液體原料的情況，預先使原料氣化而生成原料氣體(即TiCl4氣體)(預備氣化)。原料氣體的預備氣化亦可與上述基板搬入‧載置步驟(S102)並行實施。理由係為使安定地生成原料氣體需要既定時間的緣故所致。
當供應第一處理氣體之際，藉由開啟閥243d，依原料氣體流量成為既定流量的方式調整質量流量控制器243c，開始朝處理空間201內供應原料氣體(SiCl6氣體)。原料氣體的供應流量係例如100~500sccm。原料氣體係利用噴灑頭230分散後再均勻地供應給處理空間201內的晶圓200上。
此時，開啟第一惰性氣體供應系統的閥246d，從第一惰性氣體供 應管246a供應惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體的供應流量係例如500~5000sccm。另外，亦可從迫淨氣體供應系統的第三氣體供應管245a流入惰性氣體。
多餘的原料氣體會從處理空間201內均勻地流入排氣緩衝室209，並在第二氣體排氣系統的第二排氣管222內流動被排氣。具體而言，第二氣體排氣系統的閥設為開啟狀態，利用APC223將處理空間201的壓力控制為既定壓力。另外，第二氣體排氣系統的閥以外排氣系統之閥全部均設為關閉。
此時處理空間201內的處理溫度、處理壓力係設定為原料氣體不會自分解程度的處理溫度、處理壓力。所以，在晶圓200上會吸附原料氣體的氣體分子。
從原料氣體開始供應起經既定時間後，關閉閥243d，停止原料氣體供應。原料氣體及載氣的供應時間係例如2~20秒。
(第一噴灑頭排氣步驟：S204)
停止原料氣體供應後，從第三氣體供應管245a供應惰性氣體(N2氣體)，施行噴灑頭230的迫淨。此時氣體排氣系統的閥係第二氣體排氣系統的閥呈關閉狀態，另一方面，第三氣體排氣系統的閥237呈開啟狀態。其他氣體排氣系統的閥則維持關閉狀態。即施行噴灑頭230迫淨時，阻斷排氣緩衝室209與APC223之間，停止利用APC223進行的壓力控制，另一方面，將緩衝空間232與真空泵239之間予以連 通。藉此，在噴灑頭230(緩衝空間232)內殘留的原料氣體，經由第三排氣管236，利用真空泵239被從噴灑頭230排氣。另外，此時，APC223下游側的閥亦可設為開啟。
第一噴灑頭排氣步驟(S204)中，惰性氣體(N2氣體)的供應流量係例如1000~10000sccm。又，惰性氣體的供應時間係例如2~10秒。
(第一處理空間排氣步驟：S206)
若噴灑頭230的迫淨結束，接著，從第三氣體供應管245a供應惰性氣體(N2氣體)，施行處理空間201的迫淨。此時第二氣體排氣系統的閥設為開啟狀態，利用APC223將處理空間201的壓力控制成為既定壓力狀態。另一方面，第二氣體排氣系統的閥以外的氣體排氣系統之閥全部設為關閉狀態。藉此，在第一處理氣體供應步驟(S202)未吸附於晶圓200的原料氣體，會利用第二氣體排氣系統的真空泵224，經由第二排氣管222及排氣緩衝室209被從處理空間201除去。
第一處理空間排氣步驟(S206)的惰性氣體(N2氣體)供應流量係例如1000~10000sccm。又，惰性氣體的供應時間係例如2~10秒。
另外，此處在第一噴灑頭排氣步驟(S204)之後施行第一處理空間排氣步驟(S206)，但施行該等步驟的順序亦可顛倒。又，該等步驟亦可同時實施。
(第二處理氣體供應步驟：S208)
若噴灑頭230及處理空間201的迫淨結束，接著，施行第二處理氣體(反應氣體)供應步驟(S208)。第二處理氣體供應步驟(S208)中，開啟閥244d，經由遠端電漿單元244e、噴灑頭230，開始朝處理空間201內供應反應氣體(NH3氣體)。此時，依反應氣體的流量成為既定流量方式調整MFC244c。反應氣體的供應流量係例如1000~10000sccm。
電漿狀態的反應氣體利用噴灑頭230分散後再均勻供應給處理空間201內的晶圓200上，並與晶圓200上所吸附的含原料氣體之膜產生反應，而在晶圓200上生成SiN膜。
此時，開啟第二惰性氣體供應系統的閥247d，從第二惰性氣體供應管247a供應惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體的供應流量係例如500~5000sccm。另外，亦可從迫淨氣體供應系統的第三氣體供應管245a流入惰性氣體。
多餘的反應氣體、反應副產物會從處理空間201內流入排氣緩衝室209，並在第二氣體排氣系統的第二排氣管222內流動再被排氣。具體而言，第二氣體排氣系統的閥設為開啟狀態，利用APC223進行控制成處理空間201的壓力成為既定壓力狀態。另外，第二氣體排氣系統的閥以外排氣系統之閥全部設為關閉。
從反應氣體的供應開始起經既定時間過後，關閉閥244d，停止反應氣體的供應。反應氣體及載氣的供應時間係例如2~20秒。
(第二噴灑頭排氣步驟：S210)
在反應氣體停止供應後，便施行第二噴灑頭排氣步驟(S210)，將噴灑頭230殘留的反應氣體與反應副產物予以除去。因為該第二噴灑頭排氣步驟(S210)由於只要施行與前所說明的第一噴灑頭排氣步驟(S204)同樣即可，因而在此省略說明。
(第二處理空間排氣步驟：S212)
待噴灑頭230的迫淨結束後，接著施行第二處理空間排氣步驟(S212)，將處理空間201中殘留的反應氣體與反應副產物予以除去。因為相關該第二處理空間排氣步驟(S212)亦是與前所說明的第一處理空間排氣步驟(S206)同樣實施即可，因而在此省略說明。
(判定步驟：S214)
將以上的第一處理氣體供應步驟(S202)、第一噴灑頭排氣步驟(S204)、第一處理空間排氣步驟(S206)、第二處理氣體供應步驟(S208)、第二噴灑頭排氣步驟(S210)、及第二處理空間排氣步驟(S212)設為1循環，控制器260判定是否該循環已實施既定次數(n循環)(S214)。若循環已實施既定次數，則在晶圓200上形成所需膜厚的矽氮化(SiN)膜。
(處理片數判定步驟：S106)
在由以上各步驟(S202~S214)構成的成膜步驟(S104)後，如圖5所示，接著判定經成膜步驟(S104)處理過的晶圓200是否已到達既定片數(S106)。
若經成膜步驟(S104)處理過的晶圓200尚未到達既定片數，之後便取出經處理完畢之晶圓200，為能開始進行下一個待機新晶圓200的處理，因而移往基板搬出入步驟(S108)。又，當對既定片數的晶圓200實施成膜步驟(S104)時，取出經處理完畢之晶圓200，因為處理容器202內呈現沒有存在晶圓200的狀態，因而移往基板搬出步驟(S110)。
(基板搬出入步驟：S108)
基板搬出入步驟(S108)中，使基板載置台212下降，使晶圓200支撐於從基板載置台212表面突出的升降銷207上。藉此，晶圓200便被從處理位置變為搬送位置。然後，開啟閘閥205，使用晶圓移載機，將晶圓200搬出於處理容器202外。此時，關閉閥245d，停止從第三氣體供應系統朝處理容器202內供應惰性氣體。
基板搬出入步驟(S108)中，在晶圓200從處理位置移動至搬送位置的期間，第二氣體排氣系統的閥設為關閉狀態，停止利用APC223進行的壓力控制。另一方面，第一氣體排氣系統的閥設為開啟狀態，利用TMP及DP進行搬送空間203的環境排氣，而將處理容器202維持於高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)，俾降低與同樣維持高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)的移載室間之壓力差。在該狀態下，開啟閘閥205，將晶圓200從處理容器202搬出至移載室。
然後，在基板搬出入步驟(S108)中，依照與前述基板搬入‧載置步驟(S102)情況為同樣順序，將下一個待機的新晶圓200搬入處理容器202，使該晶圓200上升至處理空間201內的處理位置，且將處理空間 201內形成既定處理溫度、處理壓力，成為可開始進行下一成膜步驟(S104)的狀態。然後，對處理空間201內的新晶圓200施行成膜步驟(S104)及處理片數判定步驟(S106)。
(基板搬出步驟：S110)
在基板搬出步驟(S110)中，依照與前述基板搬出入步驟(S108)的情況為同樣順序，將經處理完畢之晶圓200從處理容器202內取出並搬出至移載室中。但，不同於基板搬出入步驟(S108)的情況，在基板搬出步驟(S110)中，並未施行下一個待機的新晶圓200搬入處理容器202內，而是在處理容器202內呈現不存在晶圓200的狀態。
若基板搬出步驟(S110)已結束，之後移往清洗步驟。
(4)清洗步驟
接著，就半導體裝置之製造方法一步驟，針對基板處理裝置100的處理容器202內施行清洗處理之步驟，接著參照圖5進行說明。
(排氣緩衝室清洗步驟：S112)
在基板處理裝置100中，每次結束基板搬出步驟(S110)時(即每次對既定片數晶圓200實施成膜步驟(S104)，然後在處理容器202內沒有存在晶圓200的狀態下)，施行排氣緩衝室清洗步驟(S112)。
若對晶圓200實施成膜步驟(S104)，來自處理空間201內的排氣氣體係通過連通孔209b流入排氣緩衝室209內，碰撞氣體流阻斷壁209a 而阻斷流動後，在被從第二氣體排氣系統的第二排氣管222排氣之前，均暫時滯留於排氣緩衝室209內。所以，若對既定片數晶圓200重複實施成膜步驟(S104)，特別在排氣緩衝室209內的氣體流阻斷壁209a及其附近，較容易累積反應副產物、及殘留氣體彼此間的反應物等。因此現象，在基板處理裝置100中，每次對既定片數晶圓200實施成膜步驟(S104)時，施行排氣緩衝室清洗步驟(S112)，俾對排氣緩衝室209內施行清洗處理。
排氣緩衝室清洗步驟(S112)中，開啟排氣緩衝室清洗氣體供應系統249的閥249d，通過清洗氣體供應管249a，將來自排氣緩衝室清洗氣體供應源249b的清洗氣體供應給排氣緩衝室209內。被供應的清洗氣體會除去在排氣緩衝室209內壁附著的累積物(反應副產物等)。以下將依此從清洗氣體供應管249a朝排氣緩衝室209內供應清洗氣體的清洗處理，稱「第一清洗處理」。
此時，清洗氣體供應管249a係在連通孔209b與氣體流阻斷壁209a之間連接於排氣緩衝室209內。所以，清洗氣體係在較氣體流阻斷壁209a略靠氣體流動方向上游側供應給排氣緩衝室209內。所以，成為在氣體流阻斷壁209a附近供應清洗氣體，因為在去活化前便可使清洗氣體到達氣體流阻斷壁209a，因而能有效地除去氣體流阻斷壁209a的累積物。
再者，若清洗氣體供應管249a經由氣體供應溝槽249e連接於排氣緩衝室209，則清洗氣體會在氣體供應溝槽249e中傳播並遍佈於整 個周圍後，再供應給排氣緩衝室209內。所以，可對排氣緩衝室209內均勻地供應清洗氣體，藉此可橫跨整個周圍均勻地除去在排氣緩衝室209內壁附著的累積物。即，能抑制清洗氣體供應管249a連接地方附近的過度蝕刻情形，且可防止在遠離清洗氣體供應管249a連接處發生蝕刻不足情形。
再者，排氣緩衝室清洗步驟(S112)中，配合來自清洗氣體供應管249a的清洗氣體供應，於關閉閥243d、244d、246d、247d、248d的狀態下，將閥245d設為開啟狀態。依此，在處理空間201中，配合從清洗氣體供應管249a朝排氣緩衝室209內的清洗氣體供應，便從迫淨氣體供應系統245的迫淨氣體供應源245b，經由第三氣體供應管245a及共通氣體供應管242供應惰性氣體。另外，此處所謂「配合清洗氣體的供應」換言之係指「為防止供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體不會侵入處理空間201內」。所以，清洗氣體與惰性氣體的供應時序，具體係的在清洗氣體供應之前預先開始供應惰性氣體，然後開始供應清洗氣體，或者，最慢在開始供應清洗氣體之同時，開始供應惰性氣體。
此時，迫淨氣體供應系統245的MFC245c係依供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體，不會從連通孔209b進入於處理空間201內的方式，調整朝處理空間201內供應的惰性氣體供應量。具體而言，使惰性氣體供應量較多於清洗氣體供應量。
藉此，供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體僅使用為排氣緩衝室 209內的第一清洗處理，就排氣緩衝室209內壁的累積物確實除去係屬有效。又，在排氣緩衝室清洗步驟(S112)中，能防止供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體進入處理空間201內，藉此當執行後述處理空間清洗步驟(S116)等之時，可防範處理空間201內的排氣緩衝室209附近處發生過度蝕刻等情況於未然。
排氣緩衝室清洗步驟(S112)係如上述第一清洗處理施行既定時間後結束。既定時間係在能預先適當設定的前提下，其餘並無特別的限定。具體而言，藉由將排氣緩衝室清洗氣體供應系統249的閥249d、及迫淨氣體供應系統245的閥245d設為關閉狀態，便結束排氣緩衝室清洗步驟(S112)。
(處理次數判定步驟：S114)
在如上述排氣緩衝室清洗步驟(S112)之後，接著判定排氣緩衝室清洗步驟(S112)的實施次數是否已到達既定次數(S114)。
結果，若排氣緩衝室清洗步驟(S112)的實施次數已到達既定次數，便將實施次數的計數值加計1次份後，再處於能對下一個待機的新晶圓200，施行從基板搬入‧載置步驟(S102)開始的一連串各步驟(S102~S112)狀態。另一方面，若排氣緩衝室清洗步驟(S112)的實施次數已到達既定次數，則移往處理空間清洗步驟(S116)。
(處理空間清洗步驟：S116)
處理空間清洗步驟(S116)中，在關閉閥243d、244d、245d、246d、 247d、249d的狀態下，將閥248d呈開啟狀態。藉此形成對處理空間201從處理空間清洗氣體供應系統的處理空間清洗氣體供應源248b，經由第三氣體供應管245a及共通氣體供應管242供應清洗氣體。所供應的清洗氣體會將處理空間201內的附著物(反應副產物等)予以除去。依此，以下將施行從處理空間清洗氣體供應系統朝處理空間201內供應清洗氣體的清洗處理，稱為「第二清洗處理」。
但是，處理空間201內的附著物係屬於較排氣緩衝室209內的物質更難剝離之膜。理由係朝排氣緩衝室209內壁的附著物係在溫度、壓力不同於成膜條件的條件下附著，因而膜厚與膜密度等均未安定，另一方面，處理空間201內的附著物係在溫度、壓力與成膜條件相同條件下附著，因而形成膜厚與膜密度等均呈安定的膜之緣故所致。所以，在處理空間清洗步驟(S116)所施行第二清洗處理時使用的清洗氣體，相較於排氣緩衝室清洗步驟(S112)所施行第一清洗處理時使用的清洗氣體之下，需要較高的清洗力。
此處，當由處理空間清洗步驟(S116)施行第二清洗處理時，相較於排氣緩衝室清洗步驟(S112)所施行第一清洗處理之下，供應活性度更高的清洗氣體。此處所謂「活性度」係指清洗氣體的能量，若活性度高、高能量，則屬於高清洗力，即便緻密的膜仍可利用清洗處理除去。
高能量清洗氣體的供應係若個別設置處理空間清洗氣體供應源248b與排氣緩衝室清洗氣體供應源249b，則可利用從各自分別供應不同種類清洗氣體而實現。即，從處理空間清洗氣體供應源248b供應高 活性度、高能量的清洗氣體，並從排氣緩衝室清洗氣體供應源249b供應低活性度、低能量的清洗氣體。
但，高能量清洗氣體的供應係即便由處理空間清洗氣體供應源248b與排氣緩衝室清洗氣體供應源249b供應同種類清洗氣體的情況，藉由如下述便可實現。
具體而言，例如當利用處理空間清洗步驟(S116)施行第二清洗處理時，開啟加熱器213。藉此，可使在第二清洗處理時所供應的清洗氣體能量，成為較高於依排氣緩衝室清洗步驟(S112)施行第一清洗處理時所供應的清洗氣體能量。然後，藉由供應此種高能量清洗氣體，當施行第二清洗處理之際，相較於第一清洗處理之下，即便緻密的膜仍可利用清洗處理予以除去。
再者，例如為填補第二清洗處理時所供應之清洗氣體的能量，並不僅侷限於開啟加熱器213，亦可將該清洗氣體設為電漿狀態，俾形成較第一清洗處理時所供應清洗氣體更高能量。即，亦可當施行第二清洗處理時，若清洗氣體充滿噴灑頭230、處理空間201，則利用高頻電源252施加電力，且利用整合器251整合阻抗，而在噴灑頭230、處理空間201生成清洗氣體的電漿。又，若將第一清洗處理時所供應清洗氣體設定成為電漿狀態的情況，則於第二清洗處理時，可控制整合器251及高頻電源252俾成為更高能量電漿。
(第一清洗處理與第二清洗處理的實施頻度)
依上述，基板處理裝置100中，在利用排氣緩衝室清洗步驟(S112)實施第一清洗處理既定次數後，再利用處理空間清洗步驟(S116)施行第二清洗處理。即，控制該等各步驟(S112、S116)的控制器260係相關從清洗氣體供應管249a朝排氣緩衝室209內供應清洗氣體的第一清洗處理、與從處理空間清洗氣體供應系統朝處理空間201內供應清洗氣體的第二清洗處理，使該等的實施頻度不同，第一清洗處理的實施頻度較高於第二清洗處理的實施頻度。理由係如下述。
在排氣緩衝室209內壁的附著物，因為係在溫度、壓力不同於成膜條件的條件下附著，因而膜厚與膜密度等不會安定，若施加熱應力、物理性應力便容易剝落。另一方面，處理空間201內的附著物因為係在溫度、壓力與成膜條件相同條件下附著，因而成為膜厚與膜密度等呈安定的膜。即，在排氣緩衝室209內壁的附著物，相較於處理空間201內的附著物，較脆容易剝落。所以，判斷因切換氣體供應的壓力變動等情況，會導致排氣緩衝室209內壁的附著物剝落。由此現象，控制器260控制成第一清洗處理的實施頻度較高於第二清洗處理的實施頻度。
(5)實施形態的效果
根據本實施形態，可達以下所示一或複數項效果。
(a)根據本實施形態，對具有依包圍處理空間201側邊外周方式所設計之空間的排氣緩衝室209，使用連通於該排氣緩衝室209所具有之空間的清洗氣體供應管249a，直接供應清洗氣體。所以，即便在排氣 緩衝室209內壁有不需要的膜與副產物等依累積物形式附著的情況，仍可使清洗氣體在去活化之前到達排氣緩衝室209內，因而可確實地除去累積物，結果可對排氣緩衝室209內充分施行清洗處理。且，對排氣緩衝室209內的清洗處理係由排氣緩衝室清洗步驟(S112)實施，因而不同於在裝置保養時由作業員依手動操作實施的情況，能抑制裝置運轉效率降低，因而可謂能良好地執行此項清洗處理。
且，根據本實施形態，清洗氣體供應管249a係從在連通孔209b與氣體流阻斷壁209a之間設置的連接處(即較氣體流阻斷壁209a更靠氣體流動方向略上游側)，朝排氣緩衝室209內供應清洗氣體，因而對在排氣緩衝室209內特別容易附著累積物的氣體流阻斷壁209a，能有效地施行除去該累積物的清洗處理。
即，根據本實施形態，即便利用排氣緩衝室209施行從處理空間201進行氣體排氣時，仍可充分且良好地對該排氣緩衝室209內施行清洗處理。
(b)再者，根據本實施形態，因為清洗氣體供應管249a係在複數處、或經由在包圍處理空間201的圓周方向連續之氣體供應溝槽249e，連接於排氣緩衝室209，因而可達對排氣緩衝室209內的清洗氣體供應呈均勻化，俾可抑制清洗氣體集中供應於特定處(例如清洗氣體供應管249a連接處附近)。所以，可橫跨整個周圍均勻地除去排氣緩衝室209內的累積物。
(c)再者，根據本實施形態，因為配合從清洗氣體供應管249a朝排氣緩衝室209內供應清洗氣體，從迫淨氣體供應系統245的迫淨氣體供應源245b通過第三氣體供應管245a及共通氣體供應管242，朝處理空間201內供應惰性氣體，因而在排氣緩衝室清洗步驟(S112)中，可防止供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體進入處理空間201內。所以，即便對排氣緩衝室209內供應清洗氣體的情況，仍可防止施行處理空間清洗步驟(S116)等之時的處理空間201內，於排氣緩衝室209附近處發生過度蝕刻等情況於未然。
(d)再者，根據本實施形態，相關排氣緩衝室清洗步驟(S112)施行的第一清洗處理、與處理空間清洗步驟(S116)施行的第二清洗處理，係使該等的實施頻度不同，第一清洗處理的實施頻度較高於第二清洗處理的實施頻度。所以，即便排氣緩衝室209內壁的附著物相較於處理空間201內的附著物，呈現較脆弱且容易剝落的情況，仍可藉由提高對排氣緩衝室209的清洗頻度，而適當地除去排氣緩衝室209內的附著物。即，即便排氣緩衝室209內壁的附著物會有因切換氣體供應時的壓力變動等而有容易剝落可能性的情況下，仍可有效率防止該附著物侵入處理空間201內而對晶圓200上的膜特性造成不良影響，導致良率降低的情況於未然。
(e)再者，根據本實施形態，第一清洗處理所供應的清洗氣體活性度，較低於第二清洗處理所供應清洗氣體的活性度。即，因為排氣緩衝室209內壁的附著物相較於處理空間201內的附著物，呈脆弱且容易剝落，因而將第一清洗處理中供應給排氣緩衝室209內的清洗氣體 能量，設定為較低於第二清洗處理供應給處理空間201內的清洗氣體能量。藉此，即便朝排氣緩衝室209內直接供應清洗氣體的情況，仍可防止排氣緩衝室209內發生過度蝕刻。
(f)再者，根據本實施形態，藉由在處理空間清洗步驟(S116)施行第二清洗處理時開啟加熱器213，而可填補第二清洗處理時所供應的清洗氣體能量，即便在處理空間201內附著緻密膜的情況，仍可確實地除去該膜。
<本發明其他實施形態>
以上，針對本發明實施形態進行具體說明，惟本發明並不僅侷限於上述實施形態，在不脫逸主旨的範疇內均可進行各種變更。
例如上述實施形態中，基板處理裝置100所施行的處理係舉成膜處理為例，惟本發明並不僅侷限於此。即，除成膜處理之外，尚亦可為形成氧化膜、氮化膜的處理、形成含金屬之膜的處理。又，基板處理的具體內容並沒有限制，不僅成膜處理，亦可適當適用退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、微影處理等其他基板處理。又，本發明亦可適當適用於其他基板處理裝置，例如：退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿的處理裝置等其他基板處理裝置。又，本發明亦可混雜該等裝置。又，亦可將某實施形態的構成其中一部分，取代為其他實施形態的構成，又亦可在某實施形態的構成中追加其他實施形態的構成。又，相關各實施形態的構成其中一部分，亦可追加/削除/取代其他 構成。
<本發明較佳態樣>
以下，針對本發明較佳態樣附註如下。
[附註1]
根據本發明一態樣所提供的基板處理裝置，係具備有：處理空間，對基板載置面上所載置之基板施行處理；氣體供應系統，從上述基板載置面的對向側，朝上述處理空間內供應氣體；排氣緩衝室，至少構成具備有：在上述處理空間的側邊且連通於該處理空間的連通孔、以及朝阻斷通過上述連通孔的氣體流動之方向延伸之氣體流阻斷壁；氣體排氣系統，將流入上述排氣緩衝室內的氣體予以排氣；以及清洗氣體供應管，從在上述連通孔與上述氣體流阻斷壁之間設置的連接處，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體。
[附註2]
如附註1所記載的基板處理裝置，較佳上述排氣緩衝室係具有以上述氣體流阻斷壁為一側壁的空間，在該一側壁相對向的另一側壁上形成上述連通孔；且上述空間構成為依包圍上述處理空間之側邊外周的方式延伸。
[附註3]
根據本發明另一態樣所提供的基板處理裝置，係具備有：處理空間，對基板載置面上所載置之基板施行處理；氣體供應系統，從上述基板載置面的對向側，朝上述處理空間內供應氣體；排氣緩衝室，具有依包圍上述處理空間之側邊外周的方式設置之空間，且依對上述處理空間內供應的氣體流入上述空間內的方式構成；氣體排氣系統，將流入上述排氣緩衝室內的氣體予以排氣；以及清洗氣體供應管，其乃連通於構成上述排氣緩衝室的上述空間，將清洗氣體供應給上述排氣緩衝室內。
[附註4]
如附註3所記載的基板處理裝置，較佳上述清洗氣體供應管係在成為從上述處理空間至上述排氣緩衝室之氣體流路的連通孔、與構成上述排氣緩衝室的上述空間的外周側側壁之間，設有連通上述空間的連接處。
[附註5]
如附註1至4中任一項所記載的基板處理裝置，較佳上述清洗氣體供應管係在複數處、或經由在包圍上述處理空間的圓周方向連續的氣體供應溝槽，連接於上述排氣緩衝室。
[附註6]
如附註1至5中任一項所記載的基板處理裝置，較佳上述氣體供應系統係包括有對上述處理空間內供應惰性氣體的惰 性氣體供應系統；上述惰性氣體供應系統，係在從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內開始供應清洗氣體之前，或者，最慢在與該清洗氣體開始供應之同時，開始朝上述處理空間內供應惰性氣體。
[附註7]
如附註1至6中任一項所記載的基板處理裝置，較佳上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應清洗氣體的處理空間清洗氣體供應系統；且具備有：控制器，針對從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體的第一清洗處理；及從上述處理空間清洗氣體供應系統，朝上述處理空間內供應清洗氣體的第二清洗處理之實施進行控制。
[附註8]
如附註7所記載的基板處理裝置，較佳上述控制器係控制成上述第一清洗處理的實施頻度，較高於上述第二清洗處理的實施頻度。
[附註9]
如附註7或8所記載的基板處理裝置，較佳上述第一清洗處理所供應清洗氣體的活性度係較低於上述第二清洗處理所供應清洗氣體的活性度。
[附註10]
如附註7至9中任一項所記載的基板處理裝置，較佳在上述基板載置面中埋藏當作加熱源用的加熱器；上述加熱器係利用上述控制器而控制開啟/關閉；上述控制器係控制成在進行上述第二清洗處理之際開啟上述加熱器。
[附註11]
根據本發明另一態樣所提供的半導體裝置之製造方法，係包括有：基板處理步驟，對處理空間內載置於基板載置面上之基板，於從上述基板載置面的對向側供應氣體狀態下，利用具有依包圍上述處理空間側邊外周方式所設置之空間的排氣緩衝室，從上述處理空間內將氣體予以排氣，而對上述處理空間內的上述基板施行處理；以及排氣緩衝室清洗步驟，從構成上述排氣緩衝室的上述空間所連通之清洗氣體供應管，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體，而清洗上述排氣緩衝室內。
[附註12]
如附註11所記載的半導體裝置之製造方法，其中，上述排氣緩衝室清洗步驟中，在從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內開始供應清洗氣體之前，或者，最慢在與該清洗氣體開始供應之同時，開始從上述基板載置面相對向側朝上述處理空間內開始供應惰性氣體。
[附註13]
如附註11或12所記載的半導體裝置之製造方法，較佳包括有：處理空間清洗步驟，對上述處理空間內，在上述基板載置面上沒有基板的狀態下，從上述基板載置面相對向側供應清洗氣體，而清洗上述處理空間內；且，將上述排氣緩衝室清洗步驟的實施頻度，設為較高於上述處理空間清洗步驟的實施頻度。
[附註14]
根據本發明另一態樣所提供的程式，係使電腦執行：基板處理步驟，係對處理空間內載置於基板載置面上之基板，於從上述基板載置面的對向側供應氣體狀態下，利用具有依包圍上述處理空間側邊外周方式所設置之空間的排氣緩衝室，從上述處理空間內將氣體予以排氣，而對上述處理空間內的上述基板施行處理；以及排氣緩衝室清洗步驟，係從構成上述排氣緩衝室的上述空間所連通之清洗氣體供應管，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體，而清洗上述排氣緩衝室內。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔間板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧升降銷
209‧‧‧排氣緩衝室
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧風箱
221‧‧‧排氣孔
222‧‧‧第二排氣管
223‧‧‧APC
224、239‧‧‧真空泵
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導件
236‧‧‧第三排氣管
237、243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供應管
243‧‧‧原料氣體供應系統
243a‧‧‧第一氣體供應管
243b‧‧‧原料氣體供應源
243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c‧‧‧質量流量控制器(MFC)
244‧‧‧反應氣體供應系統
244a‧‧‧第二氣體供應管
244b‧‧‧反應氣體供應源
244e‧‧‧遠端電漿單元(RPU)
245‧‧‧迫淨氣體供應系統
245a‧‧‧第三氣體供應管
245b‧‧‧迫淨氣體供應源
246a‧‧‧第一惰性氣體供應管
246b、247b‧‧‧惰性氣體供應源
247a‧‧‧第二惰性氣體供應管
248a‧‧‧處理空間清洗氣體供應管
248b‧‧‧處理空間清洗氣體供應源
249‧‧‧排氣緩衝室清洗氣體供應系統
249a‧‧‧清洗氣體供應管
249b‧‧‧排氣緩衝室清洗氣體供應源
249e‧‧‧氣體供應溝槽
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
261‧‧‧運算部
262‧‧‧記憶部

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：處理空間，對基板載置面上所載置之基板施行處理；氣體供應系統，從上述基板載置面的對向側，朝上述處理空間內供應氣體；排氣緩衝室，構成至少具備有：在上述處理空間的側邊且連通於該處理空間之連通孔、以及朝阻斷通過上述連通孔的氣體流動之方向延伸之氣體流阻斷壁；氣體排氣系統，將流入上述排氣緩衝室內的氣體予以排氣；以及清洗氣體供應管，從在上述連通孔與上述氣體流阻斷壁之間設置的連接處，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述排氣緩衝室係具有依包圍上述處理空間側邊外周的方式所設置之空間，構成對上述處理空間內供應的氣體流入上述空間內。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述清洗氣體供應管係在複數地方、或經由在包圍上述處理空間的圓周方向連續的氣體供應溝槽，連接於上述排氣緩衝室。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有對上述處理空間內供應惰性氣體的惰性氣體供應系統；上述惰性氣體供應系統係在從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內開始供應清洗氣體之前，或者，最慢在與該清洗氣體開始供應之同時，開始朝上述處理空間內供應惰性氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中， 上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應清洗氣體的處理空間清洗氣體供應系統；且具備有：控制器，針對從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體的第一清洗處理；及從上述處理空間清洗氣體供應系統，朝上述處理空間內供應清洗氣體的第二清洗處理之實施進行控制；上述控制器係控制成上述第一清洗處理的實施頻度，較高於上述第二清洗處理的實施頻度。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述第一清洗處理所供應之清洗氣體的活性度，係較低於上述第二清洗處理所供應之清洗氣體的活性度。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，在上述基板載置面埋藏當作加熱源用的加熱器；上述加熱器係利用上述控制器而控制開啟/關閉；上述控制器係控制成在進行上述第二清洗處理之際而開啟上述加熱器。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述清洗氣體供應管係在複數地方、或經由在包圍上述處理空間的圓周方向連續的氣體供應溝槽，連接於上述排氣緩衝室。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有對上述處理空間內供應惰性氣體的惰性氣體供應系統；上述惰性氣體供應系統係在從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內開始供應清洗氣體之前，或者，最慢在與該清洗氣體開始供應之 同時，開始朝上述處理空間內供應惰性氣體。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應清洗氣體的處理空間清洗氣體供應系統；且具備有：控制器，針對從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體的第一清洗處理；及從上述處理空間清洗氣體供應系統，朝上述處理空間內供應清洗氣體的第二清洗處理之實施進行控制；上述控制器係控制成上述第一清洗處理的實施頻度，較高於上述第二清洗處理的實施頻度。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述第一清洗處理所供應之清洗氣體的活性度，係較低於上述第二清洗處理所供應之清洗氣體的活性度。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應惰性氣體的惰性氣體供應系統；上述惰性氣體供應系統係在從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內開始供應清洗氣體之前，或者，最慢在與該清洗氣體開始供應之同時，開始朝上述處理空間內供應惰性氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應清洗氣體的處理空間清洗氣體供應系統；且具備有：控制器，針對從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內供應清洗 氣體的第一清洗處理；及從上述處理空間清洗氣體供應系統，朝上述處理空間內供應清洗氣體的第二清洗處理之實施進行控制；上述控制器係控制成上述第一清洗處理的實施頻度，較高於上述第二清洗處理的實施頻度。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述第一清洗處理所供應之清洗氣體的活性度，係較低於上述第二清洗處理所供應之清洗氣體的活性度。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，在上述基板載置面埋藏當作加熱源用的加熱器；上述加熱器係利用上述控制器而控制開啟/關閉；上述控制器係控制成在進行上述第二清洗處理之際而開啟上述加熱器。
  16. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述氣體供應系統係包括有朝上述處理空間內供應清洗氣體的處理空間清洗氣體供應系統；且具備有：控制器，針對從上述清洗氣體供應管朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體的第一清洗處理；及從上述處理空間清洗氣體供應系統，朝上述處理空間內供應清洗氣體的第二清洗處理之實施進行控制；上述控制器係控制成上述第一清洗處理的實施頻度，較高於上述第二清洗處理的實施頻度。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，上述第一清洗處理所供應之清洗氣體的活性度，係較低於上述第二清洗處理所供應之清洗氣體的活性度。
  18. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，在上述基板載置面埋藏當作加熱源用的加熱器；上述加熱器係利用上述控制器而控制開啟/關閉；上述控制器係控制成在進行上述第二清洗處理之際而開啟上述加熱器。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，係包括有以下步驟：基板處理步驟，對處理空間內載置於基板載置面上之基板，於從上述基板載置面的對向側供應氣體狀態下，利用具有依包圍上述處理空間側邊外周方式所設置之空間的排氣緩衝室，從上述處理空間內將氣體予以排氣，而對上述處理空間內的上述基板施行處理；以及排氣緩衝室清洗步驟，從構成上述排氣緩衝室的上述空間所連通之清洗氣體供應管，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體，而清洗上述排氣緩衝室內。
  20. 一種程式，係使電腦執行以下步驟：基板處理步驟，對處理空間內載置於基板載置面上之基板，於從上述基板載置面的對向側供應氣體狀態下，利用具有依包圍上述處理空間側邊外周方式所設置之空間的排氣緩衝室，從上述處理空間內將氣體予以排氣，而對上述處理空間內的上述基板施行處理；以及排氣緩衝室清洗步驟，係從構成上述排氣緩衝室的上述空間所連通之清洗氣體供應管，朝上述排氣緩衝室內供應清洗氣體，而清洗上述排氣緩衝室內。
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