JP5820143B2 - 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Description
図1に本実施形態の半導体製造装置である成膜装置の断面図を示す。図に示すように、例えばφ150mmのSiCウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。
本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させている。
本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、ソースガス、クリーニングガスの供給を停止した後、ウェーハの外周下方に、キャリアガスが供給されている。
本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させている。
本実施形態においては、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられ、同様にウェーハの外周下方に、クリーニングガスを噴出させるが、クリーニングガスの噴出速度を変動させるために、クリーニングガスの噴出面積を変動させている。
本実施形態において、実施形態1と同様の半導体製造装置が用いられるが、反応室のクリーニング中に、ウェーハwの外周下方にクリーニングガスを噴出させる点で実施形態1と異なっている。
11a…石英カバー
12…プロセスガス供給機構
12a…ガス供給口
13…ガス排出機構
13a…ガス排出口
14…整流板
15…サセプタ
16…リング
17…回転駆動制御機構
18a…インヒータ
18b…アウトヒータ
19…温度制御機構
20…リフレクタ
21…突き上げピン
22、32、52…供給リング
22a、32a…開口部
22b…ガス流路
22c…導入口
23…供給ユニット
32d…枝部
41…堆積物
51…噴出速度変動機構
52a…内側壁
52b…外側壁
52c…噴出口
Claims (9)
- SiCウェーハ上にSiC膜を形成する成膜処理が行われる反応室と、
前記反応室の上部に設けられ、前記SiCウェーハ上に整流状態でプロセスガスが供給されるように、前記プロセスガスを前記反応室の内部に導入するプロセスガス供給機構と、
前記反応室の下部に設けられ、前記反応室より余剰の前記プロセスガス及び反応副生成物を排出するガス排出機構と、
前記SiCウェーハを保持する支持部材と、
前記支持部材の外周に設けられ、前記支持部材の上端よりも低い位置で、前記反応室の内壁方向で水平から下方45度までの方向にクリーニングガスを前記プロセスガスの供給と同時に噴出するクリーニングガス供給機構と、
前記SiCウェーハを加熱するヒータと、
前記SiCウェーハを回転させるための回転駆動機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記クリーニングガス供給機構は、
前記反応室の下方より前記クリーニングガスを供給する供給ユニットと、
前記クリーニングガスを噴出する噴出口と、
前記供給ユニットから前記噴出口までの内部流路を有する供給リングと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記クリーニングガス供給機構は、前記クリーニングガスの噴出速度を変動させる噴出速度制御機構を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記噴出速度制御機構は、前記噴出口の噴出面積を変動させることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記噴出速度制御機構は、前記クリーニングガスの供給量を変動させることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体製造装置。
- 反応室内にSiCウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、
前記SiCウェーハの表面に、整流状態でソースガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給し、
前記SiCウェーハを回転させながら加熱して、前記SiCウェーハの表面にSiC膜を成膜し、
余剰の前記プロセスガス及び反応副生成物を、前記SiCウェーハの外周より下方に排出するとともに、前記支持部材の上端よりも低い位置で前記反応室の内壁方向で水平から下方45度までの方向にクリーニングガスを供給する、
ことを特徴とする半導体製造方法。 - 前記クリーニングガスは、HClガスを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体製造方法。
- 前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、SiCウェーハ上に供給されるキャリアガスの流量を増大させることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体製造方法。
- 前記ソースガスの供給を停止するとともに、前記クリーニングガスの供給を停止し、前記支持部材の上端よりも低い位置で前記反応室の内壁方向にキャリアガスを供給することを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の半導体製造方法。
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