JP4874842B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4874842B2 JP4874842B2 JP2007073223A JP2007073223A JP4874842B2 JP 4874842 B2 JP4874842 B2 JP 4874842B2 JP 2007073223 A JP2007073223 A JP 2007073223A JP 2007073223 A JP2007073223 A JP 2007073223A JP 4874842 B2 JP4874842 B2 JP 4874842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- etching gas
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
ウェハに単結晶薄膜を生成させるエピタキシャル成長には一般に常圧化学気相成長法が用いられ、場合によっては減圧化学気相成長(LPCVD)法が用いられる。チャンバ内にウェハを収容し、チャンバ内を常圧(0.1Mpa(760Torr))か、或いは所定の真空度の真空雰囲気に保持した状態でウェハを加熱し回転させながら、シリコン源とボロン化合物、砒素化合物、或いはリン化合物等のドーパントとを混合したプロセスガスを供給する。そして加熱されたウェハの表面でプロセスガスの熱分解反応或いは水素還元反応を行なって、ボロン(B)、リン(P)、或いは砒素(As)がドープされた気相成長膜を生成させることにより製造する。
図7は従来のエピタキシャル成長装置に用いられているウェハを載置するサセプタを断面した概念図である。
図7に示した、従来のエピタキシャル成長装置に用いられているウェハ301が載置されるサセプタ303には、効率良く且つ均一に図示しないヒータによってウェハ301を加熱するために、中央に貫通した開口部314が設けられている。そのため、ウェハ301とサセプタ303が接触している面の僅かな間隙を通り侵入するプロセスガスに、ウェハ301の裏面とサセプタ303の端部が晒され、シリコン生成物が付着してしまう。この結果、付着したシリコン生成物によってウェハ301とサセプタ303とが固着されてしまっていた。
この問題の対処法として、ウェハ301の裏面が露出している図示しないホルダの内部空間に水素(H2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)等のパージガスを供給してプロセスガスのウェハ301の裏面への侵入を阻止することで、ウェハ301の裏面にシリコン生成物を付着させないよう試みられていた。(特許文献1参照)。
また、上述の特許文献1の方式では、ホルダから排気されるパージガスの流れがプロセスガスの流れを阻害してしまうため、ウェハ周縁部のエピタキシャル成長膜を均一に成長させにくいという問題もあった。
このように、従来の気相成長装置及び気相成長方法に存在する、シリコン生成物によってウェハとサセプタが貼りついてしまうという問題を克服できる有効な技術が確立されていなかった。
チャンバと、
前記チャンバ内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、
前記チャンバに収容され、気相成長反応が行なわれるウェハを載置する開口が形成されたサセプタを有するホルダと、
前記ウェハを所定の温度に加熱するヒータと、
前記ホルダ内にエッチング性ガスを供給するエッチング性ガス供給部と、
前記エッチング性ガスを前記ホルダ内から排気するホルダ内ガス排気部と、
前記チャンバ内のガスを前記チャンバ外へ排気するチャンバ内ガス排気部と、
を備える気相成長装置であって、
前記ホルダは中空状に形成され、前記ホルダの内部に前記エッチング性ガス雰囲気の領域を保持するよう構成されており、
前記エッチング性ガス供給部は、先端の側面部分にエッチング性ガスの吐出部が備えられることを特徴とする。
また、ヒータ及びウェハに対して直進させないことで、流速の速いエッチング性ガスを吹き付けないようにすることができる。そのため、ウェハ及びヒータを局所的に冷却せず、設定したウェハの面内温度にするために均一になるように加熱することができる。
まず、実施形態1について図1に基づいて詳細に説明する。尚、図1では実施形態1を説明する上で必要な構成以外は省略し、気相成長装置を構成する各部材の縮尺等も実物とは一致させていない。以下、各図面においても同様である。
図1は実施形態1における気相成長装置の構成を示す概念図である。
図1における気相成長装置100は、ウェハ101収容するチャンバ102と、ウェハ101載置するサセプタ103を有する中空状のホルダ104と、ウェハ101を加熱するヒータ105と、HCl或いはH2SO4等を含む強酸性のエッチング性ガスをホルダ104の内部に供給するエッチング性ガス供給部106とを備えている。
また、チャンバ102は、気相成長反応に用いられるプロセスガスをチャンバ102内に供給するシャワーヘッド107に接続されたプロセスガス供給部108と、チャンバ102内のガスをチャンバ102外に排気するチャンバ内ガス排気部109を備えている。
さらに、ホルダ104には、円環状の底面110が形成されており、底面110には貫通した開口部111を有するホルダ内ガス排気部112を備えている。また、ホルダ104は回転胴113と接続し、チャンバ102外へと繋がっている。
エッチング性ガス供給部106の先端の側面部分には、エッチング性ガスの吐出部114が形成されている。このため、エッチング性ガスは吐出部114からウェハ101の裏面やヒータ105を包容するように供給され、ホルダ104内に広汎に行き渡るエッチング性ガス雰囲気を形成することができる。
1段目の開口部は所定の深さに形成され、ウェハ101を裏面から支持する。そして、サセプタ103の中央部には貫通した2段目の開口部111が形成されている。このため、サセプタ103に載置されたウェハ101の裏面は、サセプタ103によって支持されている部分以外はホルダ104の内部に露出する。
また、上述したようにウェハ101はホルダ104が回転することに付随して回転する。
そして、供給されたエッチング性ガスはホルダ104に設けられたホルダ内ガス排気部112からチャンバ102内へ排気される。
上述のように、吐出部114はホルダ104内の上部に設けられ、ホルダ内ガス排気部112はホルダ104の底面110に設けられている。
このため、エッチング性ガスのホルダ104内での流路はホルダ104内の上部から下部へと流れるように形成される。その結果、ホルダ104内に露出したウェハ101の裏面と十分に接触するエッチング性ガス雰囲気を形成することができる。その結果、ウェハ101の裏面にプロセスガスが進入することによるシリコン生成物の付着を防止することができる。
この点においても、本実施形態はH2、N2、Ar等を供給してプロセスガスをパージする、上述した従来の技術に対して有利である。
ドーパントガスはボロン系のジボラン(B2H6)、リン系のホスフィン(PH3)等が知られている。ジボランを添加すればp型、ホスフィンを添加すればn型の導電性を示す気相成長膜が生成される。
図2に示すように、エッチング性ガス供給部106はヒータ105の直下に設けられ、その先端の側面部分にエッチング性ガスを吐出する吐出部114が設けられている。このため、ホルダ104内にエッチング性ガスが略横向きに広がるように吐出され。この結果、エッチング性ガス雰囲気を広汎に形成することができ、ウェハ101の裏面の全面に広く接触させることができる。
また、吐出部114はエッチング性ガス供給部106の先端の側面部分に設けられているため、エッチング性ガスをウェハ101及びヒータ105に対して直進させず、流速の速いエッチング性ガスを直接吹き付けないようにすることができる。このため、ウェハ101及びヒータ105を局所的に冷却せず、設定したウェハ101の面内温度にするため均一に加熱できる。その結果、ウェハ101の面内温度分布の均一性を高めることができる。
さらに、上述のヒータ105の形状は、円形の抵抗体材料板に導電路を形成するようスリットを設けて形成した所定の略円形の輪郭の抵抗加熱体、或いは細長い棒状の抵抗加熱体を略円形の輪郭の形状になるように曲げ加工して形成したものであるため、ホルダ104内部を上部、下部に遮断する障壁とならない。エッチング性ガスは図2の矢印が示すようにヒータ105の隙間を通って、ウェハ101の裏面へと到達することができる。
尚、図2においては吐出部114を円形の貫通した開口を2箇所図示したが、設ける箇所や形状はこれに限るものではない。
ホルダ104は、その底面110の外周部に略等間隔に所定の内径の貫通した開口であるホルダ内ガス排気部112が複数設けられており、チャンバ102内と連通されている。そして、底面110の中央には回転胴113の内部と接続する開口が設けられており、エッチング性ガス供給部106の配管はこの開口を通り、チャンバ102外へと伸ばされている。エッチング性ガス供給部106からホルダ104内に供給されたエッチング性ガスは、ホルダ104内にエッチング性ガス雰囲気を形成してウェハ101の裏面に接触した後、ホルダ内ガス排気部112からチャンバ102内に排気される。
次に、実施形態2について図5及び図6に基づいて詳細に説明する。
図5はホルダ204内に供給したエッチング性ガスをホルダ内ガス排気部212を介してチャンバ202外へと排気する形態の気相成長装置の概念図である。また、図6はホルダ204の底面210を上方から見た概念図である。
図5における気相成長装置200は、中央部にエッチング性ガス供給部206の配管が貫通する底面210を有するホルダ204をチャンバ202内に収容する。そして、回転胴213が形成する空洞の上方の位置の底面210にホルダ内ガス排気部212が設けられ、ホルダ204内と回転胴213の内部空間とを連通している。このとき、エッチング性ガスの排気は、回転胴213に接続する図示しない真空ポンプによって行なわれることが好適である。
これにより、プロセスガス雰囲気の領域と、エッチング性ガス雰囲気の領域とを隔絶することができる。したがって、チャンバ202内の圧力とホルダ204内の圧力とを独立して設定することができる。そのため、ホルダ204内の圧力をチャンバ202内の圧力と同じか、或いはそれ以下に設定しておくことにより、ウェハ201をより安定してサセプタ203に載置しておくことができる。その結果、ウェハ201がサセプタ203からはずれたり、最悪の場合にはウェハ201がはずれた上、いずれかの部材に衝突して破損させたりする虞を低減することができる。
101、201…ウェハ
102、202…チャンバ
103、203…サセプタ
104、204…ホルダ
105…ヒータ
106、206…エッチング性ガス供給部
107…シャワーヘッド
108、208…プロセスガス供給部
109…チャンバ内ガス排気部
110、210…底面
111…開口部
112、212…ホルダ内ガス排気部
113、213…回転胴
114…吐出部
Claims (2)
- チャンバと、
前記チャンバ内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、
前記チャンバに収容され、気相成長反応が行なわれるウェハを載置する開口が形成されたサセプタを有するホルダと、
前記ウェハを所定の温度に加熱するヒータと、
前記ホルダ内にエッチング性ガスを供給するエッチング性ガス供給部と、
前記エッチング性ガスを前記ホルダ内から排気するホルダ内ガス排気部と、
前記チャンバ内のガスを前記チャンバ外へ排気するチャンバ内ガス排気部と、
を備える気相成長装置であって、
前記ホルダは中空状に形成され、前記ホルダの内部に前記エッチング性ガス雰囲気の領域を保持するよう構成されており、
前記エッチング性ガス供給部は、先端の側面部分にエッチング性ガスの吐出部が備えられることを特徴とする気相成長装置。 - 前記エッチング性ガスは、塩酸(HCl)或いは硫酸(H2SO4)を含むことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007073223A JP4874842B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007073223A JP4874842B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235585A JP2008235585A (ja) | 2008-10-02 |
JP4874842B2 true JP4874842B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=39908031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007073223A Expired - Fee Related JP4874842B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4874842B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5820143B2 (ja) | 2010-06-22 | 2015-11-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
KR102528559B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 대면적 기판 제조 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03214723A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
JP3102053B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2666609B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2990551B2 (ja) * | 1992-01-16 | 1999-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置 |
DE19847101C1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-05-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | CVD-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer mit einer epitaktischen Schicht versehenen Halbleiterscheibe |
JP4592198B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2010-12-01 | シャープ株式会社 | Iii−v族化合物半導体製造装置及びiii−v族化合物半導体の製造方法 |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007073223A patent/JP4874842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008235585A (ja) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1720200B1 (en) | Epitaxially growing equipment | |
KR20110079831A (ko) | 기상 에피택시 시스템 | |
WO2010129292A4 (en) | Cluster tool for leds | |
US20070006800A1 (en) | Methods of selectively forming an epitaxial semiconductor layer using ultra high vacuum chemical vapor deposition technique and batch-type ultra high vacuum chemical vapor deposition apparatus used therein | |
US8257499B2 (en) | Vapor phase deposition apparatus and vapor phase deposition method | |
KR20210132225A (ko) | 그래핀 트랜지스터 및 디바이스를 제조하는 방법 | |
US20080276860A1 (en) | Cross flow apparatus and method for hydride vapor phase deposition | |
JP4874842B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP2008211109A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP2007258694A (ja) | 気相成長装置及び支持台 | |
JP3953984B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP7190894B2 (ja) | SiC化学気相成長装置 | |
JP5032828B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP2007224375A (ja) | 気相成長装置 | |
JP5107685B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2008294217A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2011151118A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2004211160A (ja) | 化学蒸着方法および装置 | |
JP2006278660A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5264384B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP5252896B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2007234891A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013171972A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP2009071017A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2008243938A (ja) | 熱cvd方法および熱cvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4874842 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |