JPS61216327A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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- JPS61216327A JPS61216327A JP5582085A JP5582085A JPS61216327A JP S61216327 A JPS61216327 A JP S61216327A JP 5582085 A JP5582085 A JP 5582085A JP 5582085 A JP5582085 A JP 5582085A JP S61216327 A JPS61216327 A JP S61216327A
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- Japan
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- processing chamber
- plasma
- adhesives
- electrode
- reactive gas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法及び装置に関するものであ
る。
る。
真空下でガスをプラズマ化し、プラズマ構成暑の優れた
特性を利用して試料の表面加工及び表面改質、或は試料
に反応物を薄膜形成させる技術及びその装置が種々の分
野で実用化している。特にプラズマ構成種が物質の微細
加工に適していること、或はプラズマ化したある種のガ
スは反応性に富んでいることの理由で半導体装Ｉ（ＶＬ
ＳＩ）の製造のドライエツチング及び気相成長による薄
膜形成に採り入れられ今では不可欠の技術となっている
。
特性を利用して試料の表面加工及び表面改質、或は試料
に反応物を薄膜形成させる技術及びその装置が種々の分
野で実用化している。特にプラズマ構成種が物質の微細
加工に適していること、或はプラズマ化したある種のガ
スは反応性に富んでいることの理由で半導体装Ｉ（ＶＬ
ＳＩ）の製造のドライエツチング及び気相成長による薄
膜形成に採り入れられ今では不可欠の技術となっている
。
ＶＬ８ Ｉの高集積化のためそのパターンは益々微細化
し、例えば４Ｍｂｉｔｄ−ＲＡＭでは最少加工寸法は０
．７〜０．８μｍに到っている。かかる超微細な分野に
おいては塵埃はＶＬＳ Ｉ製造の歩留唆 り？支配するもので大赦であり清浄な環境が要求される
。
し、例えば４Ｍｂｉｔｄ−ＲＡＭでは最少加工寸法は０
．７〜０．８μｍに到っている。かかる超微細な分野に
おいては塵埃はＶＬＳ Ｉ製造の歩留唆 り？支配するもので大赦であり清浄な環境が要求される
。
一方、特に半導体ウェハを加工するドライエツチングＭ
！或はウェハに反応物を堆積するＩＩ１ｗＩｌ形成装置
では、プラズマ化したガスからの反応重合物、プラズマ
化したガスとウェハ構成々分との反込物、ウェハ或はプ
ラズマに晒される試料からの飛散物等が装ａｆ構成壁表
面に堆積付着するのが実従来は、上述の堆積杓を除去（
いわゆるクリーニング）するのに処理装置の蓋を開き、
水、アルコール或はアセトン等の薬液を浸した防塵布な
用い人手によって拭き取っている。クリーニングのｌＪ
Ｒ度は試着の材質及び加工寸法によって異なるが多いも
のは数回のプラズマ処理毎に実施する必要がある。クリ
ーニング作業は第１に処理装置を停止し、装Ｒの真空を
破って大気に開放するため装Ｒの構成材料が大気のガス
及び水分を吸着したり、ＩＪ液の湿分を吸着するため、
再度真空状態を得るのに長時間なｒし、処理袋ｒの稼動
率を引き下げ。
！或はウェハに反応物を堆積するＩＩ１ｗＩｌ形成装置
では、プラズマ化したガスからの反応重合物、プラズマ
化したガスとウェハ構成々分との反込物、ウェハ或はプ
ラズマに晒される試料からの飛散物等が装ａｆ構成壁表
面に堆積付着するのが実従来は、上述の堆積杓を除去（
いわゆるクリーニング）するのに処理装置の蓋を開き、
水、アルコール或はアセトン等の薬液を浸した防塵布な
用い人手によって拭き取っている。クリーニングのｌＪ
Ｒ度は試着の材質及び加工寸法によって異なるが多いも
のは数回のプラズマ処理毎に実施する必要がある。クリ
ーニング作業は第１に処理装置を停止し、装Ｒの真空を
破って大気に開放するため装Ｒの構成材料が大気のガス
及び水分を吸着したり、ＩＪ液の湿分を吸着するため、
再度真空状態を得るのに長時間なｒし、処理袋ｒの稼動
率を引き下げ。
ＩＥ２に！Ｉｌ′構成材料への吸着成分が微妙に処理特
性を狂わせ処理性の再現性をＭ（する、という問題を有
していた。
性を狂わせ処理性の再現性をＭ（する、という問題を有
していた。
大発明の目的は、処理室の真空をブレークすることなく
クリーニングできろようにすることで、プラズマ処理’
ＪＷの稼動率を向上できるプラズマ処理方法及び装置を
提供することにある。
クリーニングできろようにすることで、プラズマ処理’
ＪＷの稼動率を向上できるプラズマ処理方法及び装置を
提供することにある。
本発明は、プラズマ処理方法を、ガスをプラズマ化し該
プラズマにより試料が処理される処理室内に反応性ガス
を導入する工程と、前記処理室内の堆積付着物の付着部
分に対応して放電を生じさせ前記反応性ガスをプラズマ
化する工程と、腋プラズマにより前記堆積付着物を除去
する工程とを有することを特徴とす６方法とし、プラズ
マ処理装置を、ガスをプラズマ化しりプラズマにより試
料が処理される処理室内に、該処理室内の堆積付着物の
付着部分に対応して放電電極を設けたことを特徴とする
！！！Ｗとしたことで、処理室の真空をブレークするこ
とな（クリーニングできるようにしたものである。
プラズマにより試料が処理される処理室内に反応性ガス
を導入する工程と、前記処理室内の堆積付着物の付着部
分に対応して放電を生じさせ前記反応性ガスをプラズマ
化する工程と、腋プラズマにより前記堆積付着物を除去
する工程とを有することを特徴とす６方法とし、プラズ
マ処理装置を、ガスをプラズマ化しりプラズマにより試
料が処理される処理室内に、該処理室内の堆積付着物の
付着部分に対応して放電電極を設けたことを特徴とする
！！！Ｗとしたことで、処理室の真空をブレークするこ
とな（クリーニングできるようにしたものである。
本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、プラズマ処理装置１は、処理室２の底壁の一
端に処理室２内の減圧排気のための排気ノズル３を有し
、処理室２内には、この場合、上下方向に対向して対向
電［！４と試料電極５とが設けられる。この場合、試料
電極５は、試料９の載置台としても機能する。対向電極
４は、ガスの供給路４１に連通した多数のガス供給ノズ
ルＣを有し電気的には接地される。試料電極５は、整合
装置６を介して交流電源７に接続される処理室２とは絶
縁物８によって電気的に絶縁される。試料９は、この場
合、被処理面上向姿勢にて試料電極５の上面に載置され
る。
端に処理室２内の減圧排気のための排気ノズル３を有し
、処理室２内には、この場合、上下方向に対向して対向
電［！４と試料電極５とが設けられる。この場合、試料
電極５は、試料９の載置台としても機能する。対向電極
４は、ガスの供給路４１に連通した多数のガス供給ノズ
ルＣを有し電気的には接地される。試料電極５は、整合
装置６を介して交流電源７に接続される処理室２とは絶
縁物８によって電気的に絶縁される。試料９は、この場
合、被処理面上向姿勢にて試料電極５の上面に載置され
る。
第１図で、処理室２内には、処理室２内の堆積付着物の
付着部分、この場合は、処理室２の側壁内面に対応して
放電電極■が、この場合、処理室２の側壁内面に沿って
上下動可能に設けられている。放電電極Ｕは、この場合
、リング状の電極である。放電電極１１の内径は、対向
電極４と試料電極５とが通温可能な寸法であり、外径は
、処理室２の側壁内面と所定間隔を保持するのに充分な
大きさである。また、放電側１１の厚さは、試料９のプ
ラズマ処理を阻害しないように該処理時に試料電極５の
下方位置で待機できる程度の厚さである。ロッド１３は
、その上端部を処理室２内に突出して上下動可能に設け
られている。シール機構、例えば、金属ベローズ１４は
、ロッド１３の一部を含みロッドｌの途中部と処理室２
の底壁との間に設けられている。これにより、ロッド１
３は、処理室２内の気密を保持して上下動可能となって
い為。
付着部分、この場合は、処理室２の側壁内面に対応して
放電電極■が、この場合、処理室２の側壁内面に沿って
上下動可能に設けられている。放電電極Ｕは、この場合
、リング状の電極である。放電電極１１の内径は、対向
電極４と試料電極５とが通温可能な寸法であり、外径は
、処理室２の側壁内面と所定間隔を保持するのに充分な
大きさである。また、放電側１１の厚さは、試料９のプ
ラズマ処理を阻害しないように該処理時に試料電極５の
下方位置で待機できる程度の厚さである。ロッド１３は
、その上端部を処理室２内に突出して上下動可能に設け
られている。シール機構、例えば、金属ベローズ１４は
、ロッド１３の一部を含みロッドｌの途中部と処理室２
の底壁との間に設けられている。これにより、ロッド１
３は、処理室２内の気密を保持して上下動可能となって
い為。
放電電極１１は、ロッドｌの上端に、二の場合、水平を
保持して設けられている。放電電極１１とロッド口の処
理室２内にある上端部とは、カバー材１８゜１９で覆わ
れている。カバー１８．１９は、放電電極１１とロッド
１３とを形成する材料からの汚染を、試料９のプラズマ
処理が受けないように機能する。駆ＩＩＩ＋ＩＪＷ１１
ｓは、処理室２外に設置Ｗされている。駆動袋ｒ！Ｌ１
５には、ロッド１３の下端が連接されている。
保持して設けられている。放電電極１１とロッド口の処
理室２内にある上端部とは、カバー材１８゜１９で覆わ
れている。カバー１８．１９は、放電電極１１とロッド
１３とを形成する材料からの汚染を、試料９のプラズマ
処理が受けないように機能する。駆ＩＩＩ＋ＩＪＷ１１
ｓは、処理室２外に設置Ｗされている。駆動袋ｒ！Ｌ１
５には、ロッド１３の下端が連接されている。
ロッド１３は、整合装置１７を介して高周波電源１６に
電気的に接続されている。この場合、カバー材１９は、
金属ベローズ１４とロッド肋との電気絶縁体としても機
能する。クリーニング用の反応性ガスの供給ノズル１０
は、この場合、処理室２の頂壁に設けられている。
電気的に接続されている。この場合、カバー材１９は、
金属ベローズ１４とロッド肋との電気絶縁体としても機
能する。クリーニング用の反応性ガスの供給ノズル１０
は、この場合、処理室２の頂壁に設けられている。
第１図で、例えば、基板等の試料９は処理室２の一部に
設けら−ｎたゲートバルブ（図示せず）が開いた状態で
通常の搬送手段（図示せず）によって試料電極５上に載
置される。その後、ゲートバルブを閉じてプラズマ処理
に通したガスをガス供給路４１を経てガス供給ノズル松
から処理室２内へ供給しつつ排気ノズル３にｔＩ！続さ
れた排気！Ｉｉ置（図示省略）を作動させることで、処
理室２内の圧力は、所定の処理圧力に調整される。一方
、試料電極５には、電力が印加される。二の印加により
対向電極４と試料電極５との電極間には、グロー放電が
生じる。供給されたガスは、この放電によりプラズマ化
されドライエツチング或はプラズマ気相成長に適した活
性種が生じる。この活性種によつて試料９の被処理面に
は、その処理目的に応じてエツチング或は気相成長によ
る薄膜堆積のプラズマ処理が施される。このとき交流電
力が外向電極４に印加され、試料電極５が接地される；
ともある。また処理室構成壁は一般には電気的に接地さ
れるが、構成壁の一部が石英ガラス等の電気不良導体で
構成され、したがって電気的にフローティング状態とな
っていることもある。
設けら−ｎたゲートバルブ（図示せず）が開いた状態で
通常の搬送手段（図示せず）によって試料電極５上に載
置される。その後、ゲートバルブを閉じてプラズマ処理
に通したガスをガス供給路４１を経てガス供給ノズル松
から処理室２内へ供給しつつ排気ノズル３にｔＩ！続さ
れた排気！Ｉｉ置（図示省略）を作動させることで、処
理室２内の圧力は、所定の処理圧力に調整される。一方
、試料電極５には、電力が印加される。二の印加により
対向電極４と試料電極５との電極間には、グロー放電が
生じる。供給されたガスは、この放電によりプラズマ化
されドライエツチング或はプラズマ気相成長に適した活
性種が生じる。この活性種によつて試料９の被処理面に
は、その処理目的に応じてエツチング或は気相成長によ
る薄膜堆積のプラズマ処理が施される。このとき交流電
力が外向電極４に印加され、試料電極５が接地される；
ともある。また処理室構成壁は一般には電気的に接地さ
れるが、構成壁の一部が石英ガラス等の電気不良導体で
構成され、したがって電気的にフローティング状態とな
っていることもある。
プラズマ処理が完了したら交流電力の印加及びガスの供
給を停止し、必要に応じて処理室２内の圧力を調整した
後に試料９は処理室２外へ搬出される。これらのプラズ
マ処理の際に種々の反応物或は飛散物等が処理室構成Ｍ
！！面に堆積付着する。
給を停止し、必要に応じて処理室２内の圧力を調整した
後に試料９は処理室２外へ搬出される。これらのプラズ
マ処理の際に種々の反応物或は飛散物等が処理室構成Ｍ
！！面に堆積付着する。
試料９を数回プラズマ処理した後に処理室２内のクリー
ニングを実施する。すなわち、処理室２内の残ガスを十
分排気した後に、堆積付着物の分解屓応に適した反応性
ガスを供給ノズル１０から供給し、＃気装ｆｆ１（図示
せず、この排気装置はプラズマ処理時の排気装置と別系
統であっても可）の排気によって処理室２内の圧力を所
定の圧力にｌＩ整し、高周波電源１６に電力を投入し、
整合装置！１７及びロッドＵを経て高周波電力を放電電
極Ｕに印加する。
ニングを実施する。すなわち、処理室２内の残ガスを十
分排気した後に、堆積付着物の分解屓応に適した反応性
ガスを供給ノズル１０から供給し、＃気装ｆｆ１（図示
せず、この排気装置はプラズマ処理時の排気装置と別系
統であっても可）の排気によって処理室２内の圧力を所
定の圧力にｌＩ整し、高周波電源１６に電力を投入し、
整合装置！１７及びロッドＵを経て高周波電力を放電電
極Ｕに印加する。
このようになすと処理室２の側壁内面と放電電極１１と
の間に高周波電界によるグロー放電を生じ、供給ノズル
１０から導入された反応性ガスはプラズマ化し、さらに
反応性の強い活性種を創り出す。
の間に高周波電界によるグロー放電を生じ、供給ノズル
１０から導入された反応性ガスはプラズマ化し、さらに
反応性の強い活性種を創り出す。
この活性種は処理室２の側壁内面の堆積付着物と反応し
、これを揮発性の物質に分解変換するため堆積付着物は
徐々に除去され処理室２の側壁内部の一部はクリーニン
グさｎる。このとき放電電極１１はこれを支えるロッド
Ｂを介し駆動袋ｇ！１５によって徐々に押しあげられ人
の位置からＢの位置に移動する。また放電型［！１１は
環状体であるため、高さＡからＢまでの処理室２のｇ１
１１００全面をクリーニングできる。このとき、ロッド
ｌは１個でもよいが、複数とした場合が好適である。放
電電極１１及びロッド１３は、カバー正、１９で覆われ
ているため、これらの材料から処理室２が汚染さｎるこ
とはない。さらに放電電極１１の移動の際に金属ベロー
ズ１４が十分に追従しクリーニング時及びプラズマ処理
時に処理室ｚ内への大気の漏れ込みはない。クリーニン
グが終了すると放電電極■は、処理室ｚ内への試料９の
搬入出に邪魔にならぬ位置Ａまで降されて待機させられ
る。
、これを揮発性の物質に分解変換するため堆積付着物は
徐々に除去され処理室２の側壁内部の一部はクリーニン
グさｎる。このとき放電電極１１はこれを支えるロッド
Ｂを介し駆動袋ｇ！１５によって徐々に押しあげられ人
の位置からＢの位置に移動する。また放電型［！１１は
環状体であるため、高さＡからＢまでの処理室２のｇ１
１１００全面をクリーニングできる。このとき、ロッド
ｌは１個でもよいが、複数とした場合が好適である。放
電電極１１及びロッド１３は、カバー正、１９で覆われ
ているため、これらの材料から処理室２が汚染さｎるこ
とはない。さらに放電電極１１の移動の際に金属ベロー
ズ１４が十分に追従しクリーニング時及びプラズマ処理
時に処理室ｚ内への大気の漏れ込みはない。クリーニン
グが終了すると放電電極■は、処理室ｚ内への試料９の
搬入出に邪魔にならぬ位置Ａまで降されて待機させられ
る。
本実施例では１次のような効果を得ることができる。
（１１処理室の真空をブレークすることなくクリーニン
グできるため、プラズマ処′！ＩＪ！１置の稼動率を向
上できる。
グできるため、プラズマ処′！ＩＪ！１置の稼動率を向
上できる。
（２１処理室の真空をブレークすることなくクリーニン
グできるため、大気中の吸着成分の装置構成材料への吸
着が生ぜず処理特性を良好に保持でき処理性の再現性の
悪化を防止できる。
グできるため、大気中の吸着成分の装置構成材料への吸
着が生ぜず処理特性を良好に保持でき処理性の再現性の
悪化を防止できる。
（３） ｆｉ処理室クリーニング作業を容易に自動化
でき省力化が図れる。
でき省力化が図れる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示すものである０本
実施例ではロッドｌ′及び放電型′ｌ＃ｕ’の内部に、
処理室２外部から供給されるクリーニング用の反応性ガ
スの通路田な有し、皺通路Ｉと導通し、反応性ガスを処
理室２内へ供給するための複数個のノズルガが設けられ
る。未実施例ではクリーニング用の反応性ガスは第１図
中の供給ノズル１０から供給するのではな畷、放電電極
Ｕ′と処理室２の側壁内面とで挾まｎたグロー放電領域
に直接供給されるので、上記一実施例での場合に比べて
少量の反応性ガスで効果的なりリーニングを行うことが
できる。
実施例ではロッドｌ′及び放電型′ｌ＃ｕ’の内部に、
処理室２外部から供給されるクリーニング用の反応性ガ
スの通路田な有し、皺通路Ｉと導通し、反応性ガスを処
理室２内へ供給するための複数個のノズルガが設けられ
る。未実施例ではクリーニング用の反応性ガスは第１図
中の供給ノズル１０から供給するのではな畷、放電電極
Ｕ′と処理室２の側壁内面とで挾まｎたグロー放電領域
に直接供給されるので、上記一実施例での場合に比べて
少量の反応性ガスで効果的なりリーニングを行うことが
できる。
第３図は、本発明の第３の実施例を示すものである。本
実施例では第２図に示す実施例の放電電極ｌｌ’の内部
にさらに環状の永久磁石ｎがＮ［！からＳ極へ向う磁力
線が上下方向になるとと４設けられる。電界と磁界が直
交する場合、荷電粒子、待に電子がサイクロイド運動を
なし中性分子との衝突頻度が増すためプラズマ密度、す
なわちガス中の活性種が増加することは衆知である。本
実施例でも永久磁石ｎは、その磁界が放電電１＃■′と
処理室２の側壁内面とで作られる電界に直交するよう配
置されるので、上記第２の実施例に比較し強いプラズマ
となりクリーニング作用を更に強めることができる。
実施例では第２図に示す実施例の放電電極ｌｌ’の内部
にさらに環状の永久磁石ｎがＮ［！からＳ極へ向う磁力
線が上下方向になるとと４設けられる。電界と磁界が直
交する場合、荷電粒子、待に電子がサイクロイド運動を
なし中性分子との衝突頻度が増すためプラズマ密度、す
なわちガス中の活性種が増加することは衆知である。本
実施例でも永久磁石ｎは、その磁界が放電電１＃■′と
処理室２の側壁内面とで作られる電界に直交するよう配
置されるので、上記第２の実施例に比較し強いプラズマ
となりクリーニング作用を更に強めることができる。
ｔＪ１図、＄２図、第３図ではクリーニングを行う場所
を処理室２の側壁内面を想定して図示したが、反応性ガ
スの供給ノズルの位置及び永久磁石の配置を考慮すれば
処理室２の頂壁内面及び対向電極４．試料ａＳＳの側面
ともクリーニングできる。
を処理室２の側壁内面を想定して図示したが、反応性ガ
スの供給ノズルの位置及び永久磁石の配置を考慮すれば
処理室２の頂壁内面及び対向電極４．試料ａＳＳの側面
ともクリーニングできる。
第４図は１本発明の第４の実施例を示すもので、放電電
極１１１は外側面、上面、内側面に複数個の反応性ガス
の供給ノズルガ・Ｊｌ、 ２１−ｂ、 ２１・Ｃを有
して構成される。このように構成することにより放電電
極Ｕ′が上昇し処理室２の頂壁内面に近づ畷と両者の間
にグロー放電を生じ、供給ノズル２１−ｂから供給され
た反応性ガスは活性化され、処理室２の頂壁内面の堆積
付着物をクリーニングできる。同様に放電電極■′が上
昇する際、試料電極５及び対向電極４の近傍でグロー放
電を生じ、これにより対向型［！４と試料電極５との側
面の堆積付着物をクリーニングできる。この場合、クリ
ーニング実施時には対向型［！４及び試料電極５は各々
電気的接地状態にあることが望ましい。
極１１１は外側面、上面、内側面に複数個の反応性ガス
の供給ノズルガ・Ｊｌ、 ２１−ｂ、 ２１・Ｃを有
して構成される。このように構成することにより放電電
極Ｕ′が上昇し処理室２の頂壁内面に近づ畷と両者の間
にグロー放電を生じ、供給ノズル２１−ｂから供給され
た反応性ガスは活性化され、処理室２の頂壁内面の堆積
付着物をクリーニングできる。同様に放電電極■′が上
昇する際、試料電極５及び対向電極４の近傍でグロー放
電を生じ、これにより対向型［！４と試料電極５との側
面の堆積付着物をクリーニングできる。この場合、クリ
ーニング実施時には対向型［！４及び試料電極５は各々
電気的接地状態にあることが望ましい。
第５図及びｊＩａ図は、第４図の実施例に永久磁石を配
置した第５及び第６の実施例である。ｇＪ５図では放電
電極Ｈの内外側面に永久磁石２２−ａ、２２・Ｃとそ、
れぞれの磁極が逆になるように配置される。
置した第５及び第６の実施例である。ｇＪ５図では放電
電極Ｈの内外側面に永久磁石２２−ａ、２２・Ｃとそ、
れぞれの磁極が逆になるように配置される。
この２個の永久磁石によって処理室２の側壁内面。
頂壁内面、対向型１ｉ４及び試料ＩＩ極極側側面それぞ
れ平行な３つの磁界を形成で一１第４図の実施例に比較
してクリーニング効果を更に高めることができる。ｊ！
６図では３個の永久磁石２２ ａ ＊ ２２ ｂ ＊２
２ＣをそれぞれのＴｌｌＨｆ１が隣りあう磁石の磁極と
同種になるとと曵装置される。二〇により処理室２の側
壁内面、頂壁内面、対向型ｆｉ４及び試料電極５の側面
に平行な磁界強度が強めらｎ、上記第５図の実施例より
プラズマが更に強められ強力なりリーニング作用を発揮
できる。
れ平行な３つの磁界を形成で一１第４図の実施例に比較
してクリーニング効果を更に高めることができる。ｊ！
６図では３個の永久磁石２２ ａ ＊ ２２ ｂ ＊２
２ＣをそれぞれのＴｌｌＨｆ１が隣りあう磁石の磁極と
同種になるとと曵装置される。二〇により処理室２の側
壁内面、頂壁内面、対向型ｆｉ４及び試料電極５の側面
に平行な磁界強度が強めらｎ、上記第５図の実施例より
プラズマが更に強められ強力なりリーニング作用を発揮
できる。
なお永久磁石は第４図のごとく電極戎の中に埋設するこ
ともでき、あるいは第５． ＩＩ６図のごとく電極表面
に配設することもできる。
ともでき、あるいは第５． ＩＩ６図のごとく電極表面
に配設することもできる。
プラズマ処理による堆積付着物は、炭素、水素を含む有
機反応重合物である場合が非常に多い。
機反応重合物である場合が非常に多い。
これらの重合物をクリーニングするための反応性ガスと
しては、少な（ともその−成分が酸素ガス。
しては、少な（ともその−成分が酸素ガス。
オゾンガス或はこれらの励起物であわば１重合物中の炭
素或は水素は直接的に反応し揮発性の酸化物として分解
するばかりか、これらの分解により重合物の分子間結合
の鎖が切断されるため、炭素。
素或は水素は直接的に反応し揮発性の酸化物として分解
するばかりか、これらの分解により重合物の分子間結合
の鎖が切断されるため、炭素。
水素以外の成分も効果的に分解し除去される。
以上の実施例では、プラズマ処理のエネルギー源が交流
電源である場合について説明したが、直流電源、光エネ
ルギー発生源、マイクロ波発生源の場合に対しても上記
作用、効果に基本的な変化はない。試料電極と放電電極
とをスイッチングを介して同一の電源１例えば、高周波
′Ｊ１ｒＮに接続するようにしても良い。
電源である場合について説明したが、直流電源、光エネ
ルギー発生源、マイクロ波発生源の場合に対しても上記
作用、効果に基本的な変化はない。試料電極と放電電極
とをスイッチングを介して同一の電源１例えば、高周波
′Ｊ１ｒＮに接続するようにしても良い。
末父明は、以上説明したように、処理室の真空をブレー
クすることなくクリーニングできるので、プラズマ処理
袋Ｓの稼動率を向上できるという効果がある。
クすることなくクリーニングできるので、プラズマ処理
袋Ｓの稼動率を向上できるという効果がある。
１３１図は、本発明を実施したプラズマ処理装置の一例
を示す処理室部の縦断面図、ｇＪ２図〜ＩＩ６図は、本
発明を実施したプラズマ処理装置のｇＪ２〜第６の例を
それぞれ示す要部拡大縦断面図である。 ２・・・・・・処理室、１０・・・・・・供給ノズル、
１１．１１’、 １１’・・・・・・放電電極、１６・
曲・高周波Ｗ＊代理人 弁理士 小 川 勝 男１．
′）＼、 ・ す３凶 第４図
を示す処理室部の縦断面図、ｇＪ２図〜ＩＩ６図は、本
発明を実施したプラズマ処理装置のｇＪ２〜第６の例を
それぞれ示す要部拡大縦断面図である。 ２・・・・・・処理室、１０・・・・・・供給ノズル、
１１．１１’、 １１’・・・・・・放電電極、１６・
曲・高周波Ｗ＊代理人 弁理士 小 川 勝 男１．
′）＼、 ・ す３凶 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガスをプラズマ化し該プラズマにより試料が処理さ
れる処理室内に反応性ガスを導入する工程と、前記処理
室内の堆積付着物の付着部分に対応して放電を生じさせ
前記反応性ガスをプラズマ化する工程と、該プラズマに
より前記堆積付着物を除去する工程とを有することを特
徴とするプラズマ処理方法。 ２、ガスをプラズマ化し該プラズマにより試料が処理さ
れる処理室内に、該処理室内の堆積付着物の付着部分に
対応して放電電極を設けたことを特徴とするプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582085A JPS61216327A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582085A JPS61216327A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216327A true JPS61216327A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13009582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5582085A Pending JPS61216327A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216327A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348832A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPH01173723A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Kyocera Corp | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
| JPH0214522A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置のクリーニング方法 |
| KR100688479B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 균일한 클리닝 가스 공급을 위한 플라즈마 화학 기상 증착챔버 |
| JP2012028737A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5582085A patent/JPS61216327A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348832A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPH0588539B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1993-12-22 | Tokyo Electron Ltd | |
| JPH01173723A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Kyocera Corp | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
| JPH0214522A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置のクリーニング方法 |
| KR100688479B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 균일한 클리닝 가스 공급을 위한 플라즈마 화학 기상 증착챔버 |
| JP2012028737A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
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