JP2002343265A - イオン源及びフィラメントの交換方法 - Google Patents
イオン源及びフィラメントの交換方法Info
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- JP2002343265A JP2002343265A JP2001143317A JP2001143317A JP2002343265A JP 2002343265 A JP2002343265 A JP 2002343265A JP 2001143317 A JP2001143317 A JP 2001143317A JP 2001143317 A JP2001143317 A JP 2001143317A JP 2002343265 A JP2002343265 A JP 2002343265A
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- plasma
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ発生室を大気開放することなく、フ
ィラメントの交換を短時間で行う。 【構成】 プラズマ発生室２に隣接して設けられた真空
ボックス５と、この真空ボックス５とプラズマ発生室２
とを気密状態で区画開閉するゲートバルブ６と、真空ボ
ックス５内に設けられフィラメント３を支持すると共に
開いた状態のゲートバルブ６を通過させてフィラメント
３を真空ボックス５内とプラズマ発生室２内間とで移動
させる支持アーム７と、真空ボックス５を開放するため
の蓋部材８と、フィラメント交換後に真空ボックス５内
を真空状態とするための大気吸引手段９とを備えた。
ィラメントの交換を短時間で行う。 【構成】 プラズマ発生室２に隣接して設けられた真空
ボックス５と、この真空ボックス５とプラズマ発生室２
とを気密状態で区画開閉するゲートバルブ６と、真空ボ
ックス５内に設けられフィラメント３を支持すると共に
開いた状態のゲートバルブ６を通過させてフィラメント
３を真空ボックス５内とプラズマ発生室２内間とで移動
させる支持アーム７と、真空ボックス５を開放するため
の蓋部材８と、フィラメント交換後に真空ボックス５内
を真空状態とするための大気吸引手段９とを備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ発生室内に作
動ガスを満たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラ
ズマ化させ、このプラズマよりイオンビームを引き出す
イオン源に係り、特にフィラメントの交換を好適に行う
ことができるように改良されたイオン源に関するもので
ある。
動ガスを満たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラ
ズマ化させ、このプラズマよりイオンビームを引き出す
イオン源に係り、特にフィラメントの交換を好適に行う
ことができるように改良されたイオン源に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオン源は、プラズマ発生室内
で作動ガスをプラズマ化させ、このプラズマに電場を与
えてイオンを引出すものである。プラズマ発生室に満た
される作動ガスは、所望のイオンの元になる元素が水素
と化合したガスであり、例えば、燐イオンを得るために
はＰＨ3 、硼素イオンを得るためにはＢ2 Ｈ6 が用いら
れる。
で作動ガスをプラズマ化させ、このプラズマに電場を与
えてイオンを引出すものである。プラズマ発生室に満た
される作動ガスは、所望のイオンの元になる元素が水素
と化合したガスであり、例えば、燐イオンを得るために
はＰＨ3 、硼素イオンを得るためにはＢ2 Ｈ6 が用いら
れる。
【０００３】これらの作動ガスを電離させるためにプラ
ズマ発生室内でアーク放電が行われる。電離されてプラ
ズマとなった作動ガス構成元素のイオンは、引き出し用
の電場で加速され、プラズマ発生室外に引き出される。
ズマ発生室内でアーク放電が行われる。電離されてプラ
ズマとなった作動ガス構成元素のイオンは、引き出し用
の電場で加速され、プラズマ発生室外に引き出される。
【０００４】ところで、上述のイオン源では、装置の運
転に伴って、アーク放電を行うためのフィラメントが劣
化するため、定期的なフィラメントの交換が必要であ
る。従来、フィラメントの交換作業は、プラズマ発生室
を大気開放して行われていた。
転に伴って、アーク放電を行うためのフィラメントが劣
化するため、定期的なフィラメントの交換が必要であ
る。従来、フィラメントの交換作業は、プラズマ発生室
を大気開放して行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マ発生室を大気開放すると、作動ガスの種類によって
は、プラズマ発生室内の表面に酸化膜や窒化膜が生成さ
れたり、様々な不純物がプラズマ発生室内に入り、汚染
された状態となる。この種のイオン源は半導体基板材料
へのイオンドーピング等のプロセスに用いるものであ
り、高純度雰囲気を要求し、極度に汚染を嫌う。このた
め、プラズマ発生室を大気開放して真空チャンバ内壁全
体の掃除を行った後、再び真空排気して運転を開始する
までの立ち上げに丸一日かかっていた。
マ発生室を大気開放すると、作動ガスの種類によって
は、プラズマ発生室内の表面に酸化膜や窒化膜が生成さ
れたり、様々な不純物がプラズマ発生室内に入り、汚染
された状態となる。この種のイオン源は半導体基板材料
へのイオンドーピング等のプロセスに用いるものであ
り、高純度雰囲気を要求し、極度に汚染を嫌う。このた
め、プラズマ発生室を大気開放して真空チャンバ内壁全
体の掃除を行った後、再び真空排気して運転を開始する
までの立ち上げに丸一日かかっていた。
【０００６】このように従来のイオン源は、フィラメン
トの交換を行うために、運転を停止し、分解掃除を行
い、長時間をかけて立ち上げる必要があった。
トの交換を行うために、運転を停止し、分解掃除を行
い、長時間をかけて立ち上げる必要があった。
【０００７】そこで、本発明は、上記課題を解決するた
めに案出されたものであり、その目的は、プラズマ発生
室を大気開放することなく、フィラメントの交換を短時
間で行うことができるイオン源及びフィラメントの交換
方法を提供することにある。
めに案出されたものであり、その目的は、プラズマ発生
室を大気開放することなく、フィラメントの交換を短時
間で行うことができるイオン源及びフィラメントの交換
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、プラズマ発生室内に作動ガスを満
たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラズマ化さ
せ、このプラズマよりイオンビームを引き出すイオン源
において、上記プラズマ発生室に隣接して設けられた真
空ボックスと、この真空ボックスと上記プラズマ発生室
とを気密状態で区画開閉するゲートバルブと、上記真空
ボックス内に設けられフィラメントを支持すると共に開
いた状態の上記ゲートバルブを通過させて上記フィラメ
ントを真空ボックス内とプラズマ発生室内間で移動させ
る支持アームと、上記真空ボックスを開放するための蓋
部材と、フィラメント交換後に上記真空ボックス内を真
空状態とするための大気吸引手段とを備えたものであ
る。
に請求項１の発明は、プラズマ発生室内に作動ガスを満
たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラズマ化さ
せ、このプラズマよりイオンビームを引き出すイオン源
において、上記プラズマ発生室に隣接して設けられた真
空ボックスと、この真空ボックスと上記プラズマ発生室
とを気密状態で区画開閉するゲートバルブと、上記真空
ボックス内に設けられフィラメントを支持すると共に開
いた状態の上記ゲートバルブを通過させて上記フィラメ
ントを真空ボックス内とプラズマ発生室内間で移動させ
る支持アームと、上記真空ボックスを開放するための蓋
部材と、フィラメント交換後に上記真空ボックス内を真
空状態とするための大気吸引手段とを備えたものであ
る。
【０００９】上記構成によれば、フィラメントを真空ボ
ックス内に移動させて、ゲートバルブを閉塞した後に、
真空ボックスを開けてフィラメントを交換することによ
って、プラズマ発生室を大気開放することなくフィラメ
ントの交換を行うことができ、プラズマ発生室の分解掃
除等を行う必要がなく、短時間で交換作業を行うことが
できる。
ックス内に移動させて、ゲートバルブを閉塞した後に、
真空ボックスを開けてフィラメントを交換することによ
って、プラズマ発生室を大気開放することなくフィラメ
ントの交換を行うことができ、プラズマ発生室の分解掃
除等を行う必要がなく、短時間で交換作業を行うことが
できる。
【００１０】請求項２の発明は、プラズマ発生室に隣接
して設けられた真空ボックス内に基端部が支持された支
持アームを作動させてその支持アームの先端に支持され
たフィラメントを上記プラズマ発生室と上記真空ボック
スとを気密状態で区画開閉するゲートバルブを通過させ
上記真空ボックス内に移動させて、上記ゲートバルブを
閉塞した後に、上記真空ボックスの蓋部材を開けて上記
フィラメントを交換し、その後上記蓋部材を閉めて、大
気吸引手段で真空ボックス内を真空状態にした後、上記
ゲートバルブを開けて、フィラメントをプラズマ発生室
内に移動させるようにしたイオン源のフィラメント交換
方法である。
して設けられた真空ボックス内に基端部が支持された支
持アームを作動させてその支持アームの先端に支持され
たフィラメントを上記プラズマ発生室と上記真空ボック
スとを気密状態で区画開閉するゲートバルブを通過させ
上記真空ボックス内に移動させて、上記ゲートバルブを
閉塞した後に、上記真空ボックスの蓋部材を開けて上記
フィラメントを交換し、その後上記蓋部材を閉めて、大
気吸引手段で真空ボックス内を真空状態にした後、上記
ゲートバルブを開けて、フィラメントをプラズマ発生室
内に移動させるようにしたイオン源のフィラメント交換
方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の好適な実施の形態を
添付図面に基づいて詳述する。
添付図面に基づいて詳述する。
【００１２】図１は本発明に係るイオン源の実施の形態
を示した斜視図、図２は本発明に係るイオン源の運転時
の状態を示した断面図、図３は図２のＡ−Ａ線を示した
断面図である。
を示した斜視図、図２は本発明に係るイオン源の運転時
の状態を示した断面図、図３は図２のＡ−Ａ線を示した
断面図である。
【００１３】まず、本実施の形態に係るイオン源の構成
を説明する。
を説明する。
【００１４】イオン源１には、プラズマ発生室２が設け
られている。プラズマ発生室２は、上部が閉じられ且つ
下部が開放された円筒状に形成されており、その内部に
は、図示しない作動ガス注入部より注入された作動ガス
が満たされている。
られている。プラズマ発生室２は、上部が閉じられ且つ
下部が開放された円筒状に形成されており、その内部に
は、図示しない作動ガス注入部より注入された作動ガス
が満たされている。
【００１５】プラズマ発生室２の上部中央には、アーク
放電用のカソード電極となるフィラメント３が配置され
ている。これに対するアーク放電用のアノード電極はプ
ラズマ発生室２の側壁４に沿って環状に設けられてい
る。プラズマ発生室２の側壁４にはプラズマを閉じ込め
るための磁場を形成する環状の磁石が多段に設けられて
いる。
放電用のカソード電極となるフィラメント３が配置され
ている。これに対するアーク放電用のアノード電極はプ
ラズマ発生室２の側壁４に沿って環状に設けられてい
る。プラズマ発生室２の側壁４にはプラズマを閉じ込め
るための磁場を形成する環状の磁石が多段に設けられて
いる。
【００１６】プラズマ発生室２の下部には、イオンを加
速する引出し電極が、開放された部分を覆うように設け
られている。この引出し電極は、イオンビームを通過さ
せる多数の穴を有するグリッド電極である。引出し電極
の外方にはプラズマ発生室２に連通するプロセス室が設
けられており、このプロセス室内にはイオンビームの照
射対象である半導体基板を置くようになっている。プロ
セス室は真空排気系に連通している。
速する引出し電極が、開放された部分を覆うように設け
られている。この引出し電極は、イオンビームを通過さ
せる多数の穴を有するグリッド電極である。引出し電極
の外方にはプラズマ発生室２に連通するプロセス室が設
けられており、このプロセス室内にはイオンビームの照
射対象である半導体基板を置くようになっている。プロ
セス室は真空排気系に連通している。
【００１７】上記構成によれば、アノード電極にアーク
放電電圧を印加して、アーク放電によりプラズマ発生室
２内の作動ガスをプラズマ化させ、発生したプラズマ
は、環状の磁石が形成する磁場によって閉じ込められ、
引出し電極の電位によって加速され、均一な流れのイオ
ンビームとなってプロセス室に引き出される。
放電電圧を印加して、アーク放電によりプラズマ発生室
２内の作動ガスをプラズマ化させ、発生したプラズマ
は、環状の磁石が形成する磁場によって閉じ込められ、
引出し電極の電位によって加速され、均一な流れのイオ
ンビームとなってプロセス室に引き出される。
【００１８】ところで、本発明は、プラズマ発生室２に
隣接して設けられた真空ボックス５と、この真空ボック
ス５と上記プラズマ発生室２とを気密状態で区画開閉す
るゲートバルブ６と、上記真空ボックス５内に設けられ
フィラメント３を支持すると共に開いた状態の上記ゲー
トバルブ６を通過させて上記フィラメント３を真空ボッ
クス５内とプラズマ発生室２内間で移動させる支持アー
ム７と、上記真空ボックス５を開放するための蓋部材８
と、フィラメント２の交換後に上記真空ボックス５内を
真空状態とするための大気吸引手段９とでなるフィラメ
ント交換機構１１を備えたことを特徴とする。
隣接して設けられた真空ボックス５と、この真空ボック
ス５と上記プラズマ発生室２とを気密状態で区画開閉す
るゲートバルブ６と、上記真空ボックス５内に設けられ
フィラメント３を支持すると共に開いた状態の上記ゲー
トバルブ６を通過させて上記フィラメント３を真空ボッ
クス５内とプラズマ発生室２内間で移動させる支持アー
ム７と、上記真空ボックス５を開放するための蓋部材８
と、フィラメント２の交換後に上記真空ボックス５内を
真空状態とするための大気吸引手段９とでなるフィラメ
ント交換機構１１を備えたことを特徴とする。
【００１９】真空ボックス５は、直方体状に形成されて
おり、プラズマ発生室２の上部に、フィラメント３の導
入部となるゲートバルブ６を覆うように配置されてい
る。
おり、プラズマ発生室２の上部に、フィラメント３の導
入部となるゲートバルブ６を覆うように配置されてい
る。
【００２０】ゲートバルブ６は、プラズマ発生室２の上
部壁１２の真空ボックス５に覆われた部分に形成された
開口部１４とこの開口部１４を閉塞する閉塞板１５とで
構成されている。開口部１４は長穴状に形成されてお
り、この開口部１４を通過して、フィラメント３がプラ
ズマ発生室２と真空ボックス５間で移動することとな
る。閉塞板１５は開口部１４と同形に形成され、プラズ
マ発生室２と真空ボックス５内とを気密に区画するよう
になっている。
部壁１２の真空ボックス５に覆われた部分に形成された
開口部１４とこの開口部１４を閉塞する閉塞板１５とで
構成されている。開口部１４は長穴状に形成されてお
り、この開口部１４を通過して、フィラメント３がプラ
ズマ発生室２と真空ボックス５間で移動することとな
る。閉塞板１５は開口部１４と同形に形成され、プラズ
マ発生室２と真空ボックス５内とを気密に区画するよう
になっている。
【００２１】真空ボックス５内の両側壁１６間には、閉
塞板１５を移動して開口部１４を開閉させるための回転
ロッド１７が掛け渡されている。閉塞板１５は、回転ロ
ッド１７にブラケット１９を介して一体的に固定されて
いる。回転ロッド１７は、その少なくとも一方が側壁１
６を気密状態で貫通して、外部に突出しており、その突
出部分１８を操作して回転ロッド１７を回転させ閉塞板
１５を移動させるようになっている。
塞板１５を移動して開口部１４を開閉させるための回転
ロッド１７が掛け渡されている。閉塞板１５は、回転ロ
ッド１７にブラケット１９を介して一体的に固定されて
いる。回転ロッド１７は、その少なくとも一方が側壁１
６を気密状態で貫通して、外部に突出しており、その突
出部分１８を操作して回転ロッド１７を回転させ閉塞板
１５を移動させるようになっている。
【００２２】支持アーム７は、Ｌ字状に形成された一対
のパイプにて構成されており、その内部にはフィラメン
ト３に接続される導線が挿入されている。支持アーム７
の基端部は、真空ボックス５の側壁２１に設けられた回
転板２２に支持されている。回転板２２は、円盤状に形
成されており、側壁２１に対して気密状態を保持しなが
ら回転すると共に、フィラメント３に接続される導線を
気密状態で貫通させるようになっている。一対の支持ア
ーム７の先端には、フィラメント３が掛け渡されてい
る。
のパイプにて構成されており、その内部にはフィラメン
ト３に接続される導線が挿入されている。支持アーム７
の基端部は、真空ボックス５の側壁２１に設けられた回
転板２２に支持されている。回転板２２は、円盤状に形
成されており、側壁２１に対して気密状態を保持しなが
ら回転すると共に、フィラメント３に接続される導線を
気密状態で貫通させるようになっている。一対の支持ア
ーム７の先端には、フィラメント３が掛け渡されてい
る。
【００２３】支持アーム７は、先端部が下方を向いてい
る場合は、フィラメント３がプラズマ発生室２内に位置
し、回転板２２の回転時には、フィラメント３が開口部
１４を周囲に接触しないように回転し、先端部が側方を
向いている場合（支持アーム７が真空ボックス５内に収
容されている場合）は、フィラメント３が真空ボックス
５の内壁に接触しないような長さとなっている。
る場合は、フィラメント３がプラズマ発生室２内に位置
し、回転板２２の回転時には、フィラメント３が開口部
１４を周囲に接触しないように回転し、先端部が側方を
向いている場合（支持アーム７が真空ボックス５内に収
容されている場合）は、フィラメント３が真空ボックス
５の内壁に接触しないような長さとなっている。
【００２４】蓋部材８は、真空ボックス５の上部に形成
されており、その外周に沿ってビード等が周設され、真
空ボックス５内外を気密状態で区画可能となっている。
なお、蓋部材８の形成位置は、真空ボックス５の上部に
限られるものではなく、フィラメント３の交換が可能な
位置であれば、側部であっても構わない。
されており、その外周に沿ってビード等が周設され、真
空ボックス５内外を気密状態で区画可能となっている。
なお、蓋部材８の形成位置は、真空ボックス５の上部に
限られるものではなく、フィラメント３の交換が可能な
位置であれば、側部であっても構わない。
【００２５】大気吸引手段９は、真空ボックス５の内部
に開口して接続された大気吸引管２３と、この大気吸引
管２３の途中に接続された開閉弁２４と、ブロア等の吸
引装置（図示せず）とで構成されている。
に開口して接続された大気吸引管２３と、この大気吸引
管２３の途中に接続された開閉弁２４と、ブロア等の吸
引装置（図示せず）とで構成されている。
【００２６】次に、上記構成によるイオン源１のフィラ
メント３の交換作業手順とその作用を説明する。
メント３の交換作業手順とその作用を説明する。
【００２７】まず、運転を停止した後に、図４に示すよ
うに、回転板２２を９０度回転させて、支持アーム７を
回動させる。これによって、支持アーム７の先端に支持
されたフィラメント３がプラズマ発生室２と真空ボック
ス５とを気密状態で区画開閉するゲートバルブ６の開口
部１４を通過して真空ボックス５内に移動して収容され
ることとなる。
うに、回転板２２を９０度回転させて、支持アーム７を
回動させる。これによって、支持アーム７の先端に支持
されたフィラメント３がプラズマ発生室２と真空ボック
ス５とを気密状態で区画開閉するゲートバルブ６の開口
部１４を通過して真空ボックス５内に移動して収容され
ることとなる。
【００２８】その後、図５に示すように、回転ロッド１
７を回転させて、閉塞板１５を開口部１４に嵌合させ、
プラズマ発生室２と真空ボックス５内とを気密状態で区
画する。
７を回転させて、閉塞板１５を開口部１４に嵌合させ、
プラズマ発生室２と真空ボックス５内とを気密状態で区
画する。
【００２９】そして、図６に示すように、真空ボックス
５のみを大気吸引管２３及び開閉弁２４によって大気開
放した後、蓋部材８を開けて支持アーム７の先端のフィ
ラメント３を交換する。
５のみを大気吸引管２３及び開閉弁２４によって大気開
放した後、蓋部材８を開けて支持アーム７の先端のフィ
ラメント３を交換する。
【００３０】交換後は、真空ボックス５内の掃除を行っ
た後に、蓋部材８を閉じて、大気吸引手段９を構成する
吸引手段で真空ボックス５内の空気を吸い出し、開閉弁
２４を閉じて、真空ボックス５内を真空状態に戻す。そ
して、ゲートバルブ６を開けて、真空ボックス５とプラ
ズマ発生室２とを連通させる。その後、支持アーム７が
下方に向くように、回転板２２を９０度回転させて、フ
ィラメント３をプラズマ発生室２内に移動させ、フィラ
メント３の交換作業が終了する。
た後に、蓋部材８を閉じて、大気吸引手段９を構成する
吸引手段で真空ボックス５内の空気を吸い出し、開閉弁
２４を閉じて、真空ボックス５内を真空状態に戻す。そ
して、ゲートバルブ６を開けて、真空ボックス５とプラ
ズマ発生室２とを連通させる。その後、支持アーム７が
下方に向くように、回転板２２を９０度回転させて、フ
ィラメント３をプラズマ発生室２内に移動させ、フィラ
メント３の交換作業が終了する。
【００３１】上述のように、イオン源１によれば、真空
ボックス５内のみを大気開放するだけでフィラメント３
の交換が行える。従って、プラズマ発生室２を大気開放
する必要がないので、プラズマ発生室２内の汚染を防止
できる。よって、従来行われていたプラズマ発生室２の
分解掃除等を行わなくてよいので、作業時間の大幅な短
縮が達成されると共に、すぐに運転を開始できるので、
運転効率の向上が図れる。
ボックス５内のみを大気開放するだけでフィラメント３
の交換が行える。従って、プラズマ発生室２を大気開放
する必要がないので、プラズマ発生室２内の汚染を防止
できる。よって、従来行われていたプラズマ発生室２の
分解掃除等を行わなくてよいので、作業時間の大幅な短
縮が達成されると共に、すぐに運転を開始できるので、
運転効率の向上が図れる。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、フィラメ
ントを真空ボックス内に移動させて、ゲートバルブを閉
塞した後に、真空ボックスを開けてフィラメントを交換
することによって、プラズマ発生室を大気開放すること
なく、プラズマ発生室内の汚染を防止できるので、プラ
ズマ発生室の分解掃除等を行う必要がなく、作業短時間
で交換作業を終わらせることができ、運転効率の向上が
図れるといった優れた効果を発揮する。
ントを真空ボックス内に移動させて、ゲートバルブを閉
塞した後に、真空ボックスを開けてフィラメントを交換
することによって、プラズマ発生室を大気開放すること
なく、プラズマ発生室内の汚染を防止できるので、プラ
ズマ発生室の分解掃除等を行う必要がなく、作業短時間
で交換作業を終わらせることができ、運転効率の向上が
図れるといった優れた効果を発揮する。
【図１】本発明に係るイオン源の実施の形態を示した斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明に係るイオン源の運転時の状態を示した
断面図である。
断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線を示した断面図である。
【図４】本発明に係るイオン源のフィラメント交換時の
第一工程の状態を示した断面図である。
第一工程の状態を示した断面図である。
【図５】本発明に係るイオン源のフィラメント交換時の
第二工程の状態を示した断面図である。
第二工程の状態を示した断面図である。
【図６】本発明に係るイオン源のフィラメント交換時の
第三工程の状態を示した断面図である。
第三工程の状態を示した断面図である。
１ イオン源 ２ プラズマ発生室 ３ フィラメント ５ 真空ボックス ６ ゲートバルブ ７ 支持アーム ８ 蓋部材 ９ 大気吸引手段
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ発生室内に作動ガスを満たし、
アーク放電によりこの作動ガスをプラズマ化させ、この
プラズマよりイオンビームを引き出すイオン源におい
て、上記プラズマ発生室に隣接して設けられた真空ボッ
クスと、この真空ボックスと上記プラズマ発生室とを気
密状態で区画開閉するゲートバルブと、上記真空ボック
ス内に設けられフィラメントを支持すると共に開いた状
態の上記ゲートバルブを通過させて上記フィラメントを
真空ボックス内とプラズマ発生室内間で移動させる支持
アームと、上記真空ボックスを開放するための蓋部材
と、フィラメント交換後に上記真空ボックス内を真空状
態とするための大気吸引手段とを備えたことを特徴とす
るイオン源。 - 【請求項２】 プラズマ発生室に隣接して設けられた真
空ボックス内に基端部が支持された支持アームを作動さ
せてその支持アームの先端に支持されたフィラメントを
上記プラズマ発生室と上記真空ボックスとを気密状態で
区画開閉するゲートバルブを通過させ上記真空ボックス
内に移動させて、上記ゲートバルブを閉塞した後に、上
記真空ボックスの蓋部材を開けて上記フィラメントを交
換し、その後上記蓋部材を閉めて、大気吸引手段で真空
ボックス内を真空状態にした後、上記ゲートバルブを開
けて、フィラメントをプラズマ発生室内に移動させるよ
うにしたことを特徴とするイオン源のフィラメント交換
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001143317A JP4649774B2 (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | イオン源及びフィラメントの交換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001143317A JP4649774B2 (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | イオン源及びフィラメントの交換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343265A true JP2002343265A (ja) | 2002-11-29 |
| JP4649774B2 JP4649774B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=18989486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2008246380A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Ihi Corp | 真空処理装置及びそのメンテナンス方法 |
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