JPS63175427A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS63175427A JPS63175427A JP590387A JP590387A JPS63175427A JP S63175427 A JPS63175427 A JP S63175427A JP 590387 A JP590387 A JP 590387A JP 590387 A JP590387 A JP 590387A JP S63175427 A JPS63175427 A JP S63175427A
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- electrode
- wafer
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- dry etching
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Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平行平板型ドライエツチング装置に関し、特に
プラズマの発生機構及びプラズマにより発生するイオン
の加速機構を改善したドライエツチング装置に関する。
プラズマの発生機構及びプラズマにより発生するイオン
の加速機構を改善したドライエツチング装置に関する。
従来、プラズマを発生させ、このプラズマでイオンを発
生させてエツチングを行うドライエツチング装置は、Ｒ
Ｆ電力が印加されがつウェハを載置する電極と、電気的
に接地された対向電極との間でプラズマを発生させるよ
うに構成されている。
生させてエツチングを行うドライエツチング装置は、Ｒ
Ｆ電力が印加されがつウェハを載置する電極と、電気的
に接地された対向電極との間でプラズマを発生させるよ
うに構成されている。
例えば、第３図に示すように、真空処理室１内にウェハ
載置電極２と対向電極３とを対向配置し、真空処理室１
内を排気手段４により真空引き可能にするとともに、ウ
ェハ載置電極２に整合回路６を通してＲＦ電源７を接続
し、一方対向電極３を接地した構成としている。
載置電極２と対向電極３とを対向配置し、真空処理室１
内を排気手段４により真空引き可能にするとともに、ウ
ェハ載置電極２に整合回路６を通してＲＦ電源７を接続
し、一方対向電極３を接地した構成としている。
図において、５は被エツチング材としてのウェハである
。
。
上述した従来のドライエツチング装置では、両電極２，
３間で発生するプラズマ雰囲気中にウェハ５が置かれる
ことになるため、プラズマによるウェハへのダメージが
生じるという問題がある。
３間で発生するプラズマ雰囲気中にウェハ５が置かれる
ことになるため、プラズマによるウェハへのダメージが
生じるという問題がある。
また、ウェハのダメージの原因となるイオン衝撃の強弱
を決定するイオンシース層の形成は、ＲＦ電電力及反応
ガス及びガス流量、真空処理室内圧力等で決定され、イ
オンの加速を直接に制御することができないという問題
がある。
を決定するイオンシース層の形成は、ＲＦ電電力及反応
ガス及びガス流量、真空処理室内圧力等で決定され、イ
オンの加速を直接に制御することができないという問題
がある。
本発明はウェハへのダメージを低減して良好なエツチン
グを可能とするドライエツチング装置を提供することを
目的としている。
グを可能とするドライエツチング装置を提供することを
目的としている。
本発明のドライエツチング装置は、ウェハを載置する電
極と、この電極に対向して配置され電気的に接地された
対向電極との間に上下動機構を具備したメツシュ状のＲ
ＦＦ加電極を設け、かつウェハを載置する電極にバイア
ス電圧を印加する構成とし、このＲＦＦ加電極によりウ
ェハに対するダメージの低減を図っている。
極と、この電極に対向して配置され電気的に接地された
対向電極との間に上下動機構を具備したメツシュ状のＲ
ＦＦ加電極を設け、かつウェハを載置する電極にバイア
ス電圧を印加する構成とし、このＲＦＦ加電極によりウ
ェハに対するダメージの低減を図っている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
（第１実施例）
第１図は本発明の第１実施例の縦断面図である。
図示のように、真空処理室１内の下部には被エツチング
材であるウェハ５を載置するウェハ載置電極２を配設し
、これに対向した上部には電気的に接地された対向電極
３を配設している。これらの電極２．３間には、上下動
機構１１によって上下に位置移動される電極固定治具１
２を設け、この電極固定治具１２にはメツシュ状をした
ＲＦＦ加電極８を支持させている。このＲＦＦ加電極８
は前記電極固定治具１２及び電力導入部９を介して整合
回路６及びＲＦＦ源７に接続され、所要のＲＦ電力が印
加される。
材であるウェハ５を載置するウェハ載置電極２を配設し
、これに対向した上部には電気的に接地された対向電極
３を配設している。これらの電極２．３間には、上下動
機構１１によって上下に位置移動される電極固定治具１
２を設け、この電極固定治具１２にはメツシュ状をした
ＲＦＦ加電極８を支持させている。このＲＦＦ加電極８
は前記電極固定治具１２及び電力導入部９を介して整合
回路６及びＲＦＦ源７に接続され、所要のＲＦ電力が印
加される。
また、前記ウェハ載置電極２にはＤＣバイアス電源１０
が接続され、ＤＣバイアスが印加される。
が接続され、ＤＣバイアスが印加される。
なお、反応ガスは対向電極３に設けたガス供給路１７を
通して真空処理室１に供給され、排気手段４により排気
される。これにより、真空処理室１内は所要のガス圧力
雰囲気に保持される。
通して真空処理室１に供給され、排気手段４により排気
される。これにより、真空処理室１内は所要のガス圧力
雰囲気に保持される。
この構成のドライエツチング装置によれば、ＲＦプラズ
マは対向電極３とＲＦＦ加電極８との間で形成され０、
ＲＦＦ加電極８上にイオンシース層が発生する。プラズ
マにより解離した反応ガスイオンはこのイオンシース層
で加速され、ＲＦＦ加電極８の網目を通過し、ウェハ載
置電極２上のウェハ５に達し、所要の機構によりエツチ
ングが行われる。イオンシース層はＲＦＦ加電極８の位
置を適宜移動させることにより調整できる。ウェハ載置
電極２にはＤＣバイアス電圧が印加されて治り、到達す
るイオンのエネルギを適切に制御スる５ことができる。
マは対向電極３とＲＦＦ加電極８との間で形成され０、
ＲＦＦ加電極８上にイオンシース層が発生する。プラズ
マにより解離した反応ガスイオンはこのイオンシース層
で加速され、ＲＦＦ加電極８の網目を通過し、ウェハ載
置電極２上のウェハ５に達し、所要の機構によりエツチ
ングが行われる。イオンシース層はＲＦＦ加電極８の位
置を適宜移動させることにより調整できる。ウェハ載置
電極２にはＤＣバイアス電圧が印加されて治り、到達す
るイオンのエネルギを適切に制御スる５ことができる。
したがって、ウェハ５はプラズマに直接晒されることは
なく、またイオンのエネルギをＤＣバイアス電圧によっ
て制御できるので、ウェハに対するダメージを低減でき
、良好なドライエツチングを実現できる。
なく、またイオンのエネルギをＤＣバイアス電圧によっ
て制御できるので、ウェハに対するダメージを低減でき
、良好なドライエツチングを実現できる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２実施例の縦断面図であり、第１図
と同一部分には同一符号を付しである。
と同一部分には同一符号を付しである。
ここでは、対向電極３は昇降機構１４を介して真空処理
室１に支持しており、その上下位置を任意に変化させる
ことができる。この昇降機構１４はベローズ１６で覆い
、反応ガスの洩れを防いでいる。また、メツシュ状に形
成したＲＦＦ加電極８は、電気的に絶縁された上でＲＦ
Ｆ加電極固定治具１３及び上下動機構１１により対向電
極３に支持しており、対向電極３に対するＲＦＦ加電極
８の相対上下位置を変化させることができる。
室１に支持しており、その上下位置を任意に変化させる
ことができる。この昇降機構１４はベローズ１６で覆い
、反応ガスの洩れを防いでいる。また、メツシュ状に形
成したＲＦＦ加電極８は、電気的に絶縁された上でＲＦ
Ｆ加電極固定治具１３及び上下動機構１１により対向電
極３に支持しており、対向電極３に対するＲＦＦ加電極
８の相対上下位置を変化させることができる。
なお、ウェハ載置電極２には整合回路６を通して低周波
電源１５を接続し、ここから低周波電力が供給されイオ
ンのエネルギを制御する。
電源１５を接続し、ここから低周波電力が供給されイオ
ンのエネルギを制御する。
この実施例では対向電極３を昇降機構１４で支持してい
るため、対向電極３とＲＦＦ加電極８との放電間隔を変
えることなしにＲＦＦ加電極８をウェハに極く近いとこ
ろまで下降できるので、電気的に中性な反応ガスの活性
種がエツチングに寄与する効果を高められる利点がある
。
るため、対向電極３とＲＦＦ加電極８との放電間隔を変
えることなしにＲＦＦ加電極８をウェハに極く近いとこ
ろまで下降できるので、電気的に中性な反応ガスの活性
種がエツチングに寄与する効果を高められる利点がある
。
また、低周波電源を用いてウェハ載置電極２にバイアス
を与えていることにより、高いイオン性の効果が得られ
、異方性エツチングができる利点がある。
を与えていることにより、高いイオン性の効果が得られ
、異方性エツチングができる利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェハ載置電極と電気的
に接地された対向電極との間に上下動可能なＲＦ印加電
極を設け、この対向電極とＲＦ印加電極との間でプラズ
マを発生させているので、ウェハが直接プラズマに暴露
されることなくエツチングを行う効果がある。また、ウ
ェハ載置電極にバイアスを印加することにより、プラズ
マにより発生したエツチングに寄与するイオンのエネル
ギを制御でき、過大なイオンエネルギによるウェハへの
ダメージを低減させることができる効果がある。
に接地された対向電極との間に上下動可能なＲＦ印加電
極を設け、この対向電極とＲＦ印加電極との間でプラズ
マを発生させているので、ウェハが直接プラズマに暴露
されることなくエツチングを行う効果がある。また、ウ
ェハ載置電極にバイアスを印加することにより、プラズ
マにより発生したエツチングに寄与するイオンのエネル
ギを制御でき、過大なイオンエネルギによるウェハへの
ダメージを低減させることができる効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の縦断面図、第２図は本発
明の第２実施例の縦断面図、第３図は従来のドライエツ
チング装置の縦断面図である。 １・・・真空処理室、２・・・ウェハ載置電極、３・・
・対向電極、４・・・排気手段、５・・・ウェハ、６・
・・整合回路、７・・・ＲＦ電源、８・・・ＲＦ印加電
極、９・・・電力導入部、１０・・・ＤＣバイアス電源
、１１・・・上下動機構、１２・・・電極固定治具、１
３・・・ＲＦ印加電極固定治具、１４・・・昇降機構、
１５・・・低周波電源、１６・・・ベローズ、１７・・
・ガス供給路。 第１図 髪 第２図 ↓
明の第２実施例の縦断面図、第３図は従来のドライエツ
チング装置の縦断面図である。 １・・・真空処理室、２・・・ウェハ載置電極、３・・
・対向電極、４・・・排気手段、５・・・ウェハ、６・
・・整合回路、７・・・ＲＦ電源、８・・・ＲＦ印加電
極、９・・・電力導入部、１０・・・ＤＣバイアス電源
、１１・・・上下動機構、１２・・・電極固定治具、１
３・・・ＲＦ印加電極固定治具、１４・・・昇降機構、
１５・・・低周波電源、１６・・・ベローズ、１７・・
・ガス供給路。 第１図 髪 第２図 ↓
Claims (2)
- （１）ウェハを載置する電極と、この電極に対向して配
置され電気的に接地された対向電極と、これら両電極の
間に上下動可能に支持したメッシュ状のＲＦ印加電極と
を備え、かつ前記ウェハ載置電極にバイアス電圧を印加
したことを特徴とするドライエッチング装置。 - （２）対向電極を上下動可能に構成し、この対向電極に
ＲＦ印加電極を相対移動可能に支持してなる特許請求の
範囲第１項記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP590387A JPS63175427A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP590387A JPS63175427A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63175427A true JPS63175427A (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=11623856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP590387A Pending JPS63175427A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63175427A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298131A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Ulvac Corp | 真空処理装置 |
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
| JPH10321605A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20060054514A (ko) * | 2004-11-16 | 2006-05-22 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
| KR100709577B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-04-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마를 이용한 식각방법 |
| JP2007289816A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Maruyama Mfg Co Ltd | 背負バンドの取付構造 |
| JP2012044023A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toray Ind Inc | プラズマ処理装置およびそれを用いた薄膜の製造方法 |
| JP2012054377A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP590387A patent/JPS63175427A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
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| JPH0298131A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Ulvac Corp | 真空処理装置 |
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
| JPH10321605A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR100709577B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2007-04-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마를 이용한 식각방법 |
| KR20060054514A (ko) * | 2004-11-16 | 2006-05-22 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
| JP2007289816A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Maruyama Mfg Co Ltd | 背負バンドの取付構造 |
| JP2012044023A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toray Ind Inc | プラズマ処理装置およびそれを用いた薄膜の製造方法 |
| JP2012054377A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Toray Ind Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
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