JPH0298131A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH0298131A JPH0298131A JP25053988A JP25053988A JPH0298131A JP H0298131 A JPH0298131 A JP H0298131A JP 25053988 A JP25053988 A JP 25053988A JP 25053988 A JP25053988 A JP 25053988A JP H0298131 A JPH0298131 A JP H0298131A
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- JP
- Japan
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- electrode
- anode
- members
- discharge
- ashing
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- Pending
Links
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、リング状をしたアノード電極を改良して、
基板をアッシング又はエツチングする真空処理装置に関
するものである。
基板をアッシング又はエツチングする真空処理装置に関
するものである。
（従来の技術）
従来のこの種の真空処理装置は第３図及び第４図に示さ
れている。これらの図において、アッシング又はエツチ
ング用ガスを導入する真空槽（図示せず）内には、長方
形の電極面１ａをもったカソード電極１が配設され、ま
た、電極面１ａと同形状をした基板２もカソード電極】
の電極面１ａと距離をおいて対向するように配設されて
いる。
れている。これらの図において、アッシング又はエツチ
ング用ガスを導入する真空槽（図示せず）内には、長方
形の電極面１ａをもったカソード電極１が配設され、ま
た、電極面１ａと同形状をした基板２もカソード電極】
の電極面１ａと距離をおいて対向するように配設されて
いる。
カソード電極１閏囲の真空槽内の空間、即ちカソード電
極ｌの電極面１ａと、基板２との間の筒状空間の周囲に
は、長形リング状のアノード電極３がこの筒状空間を囲
むように配設されている。
極ｌの電極面１ａと、基板２との間の筒状空間の周囲に
は、長形リング状のアノード電極３がこの筒状空間を囲
むように配設されている。
したがって、カソード電極ｌとアノード電極３との間に
電位差をつけると、これらの間で放電が起こり、アッシ
ング又はエツチング用ガスが励起又は電離されて、プラ
ズマが発生するようになる。
電位差をつけると、これらの間で放電が起こり、アッシ
ング又はエツチング用ガスが励起又は電離されて、プラ
ズマが発生するようになる。
そして、プラズマ中のラジカルやイオンとの化学反応に
よって、基板２の表面がアッシング又はエツチングされ
るようになる。
よって、基板２の表面がアッシング又はエツチングされ
るようになる。
（発明が解決しようする課題）
従来の真空処理装置は、上記のように長形リング状のア
ノード電極３がカソード電極１の電極面ｌａと基板２と
の間の筒状空間の周囲に、この筒状空間を囲むように配
設されているので、長形リング状のアノード電極３の中
心部での放電が弱くなり、放電の弱くなった中心部に対
応した基板２の表面でのアッシング又はエツチング状態
が悪くなる問題があった。
ノード電極３がカソード電極１の電極面ｌａと基板２と
の間の筒状空間の周囲に、この筒状空間を囲むように配
設されているので、長形リング状のアノード電極３の中
心部での放電が弱くなり、放電の弱くなった中心部に対
応した基板２の表面でのアッシング又はエツチング状態
が悪くなる問題があった。
この発明は、従来の問題を解決して、アノード電極の中
心部での放電を強くすることにより、アノード電極の全
面にわたって均一でしかも安定した放電を生じさせて、
基板の表面全域でのアッシング又はエツチング状態を良
くすることのできる真空処理装置を提供することを目的
としている。
心部での放電を強くすることにより、アノード電極の全
面にわたって均一でしかも安定した放電を生じさせて、
基板の表面全域でのアッシング又はエツチング状態を良
くすることのできる真空処理装置を提供することを目的
としている。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明は、上記のような
構成をした真空処理装置において、リング状のアノード
電極の対向したアノード部材間に、少なくとも１個以上
の補助アノード部材を取付けたことを特徴としている。
構成をした真空処理装置において、リング状のアノード
電極の対向したアノード部材間に、少なくとも１個以上
の補助アノード部材を取付けたことを特徴としている。
（作用）
この発明においては、リング状のアノード電極の対向し
たアノード部材間に、少なくとも１個以上の補助アノー
ド部材を取付けているので、アノード電極の全面にわた
って均一でしかも安定した放電が生じ、基板の表面全域
でのアッシング又はエツチング状態が良くなる。
たアノード部材間に、少なくとも１個以上の補助アノー
ド部材を取付けているので、アノード電極の全面にわた
って均一でしかも安定した放電が生じ、基板の表面全域
でのアッシング又はエツチング状態が良くなる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図及び第２図はこの発明の実施例を示しており、こ
れらの図において、第３図及び第４図と同符号は同−又
は相当部分を示しているので、その説明を省略するが、
この発明の実施例におけるアノード電極３は、長辺のア
ノード部材３ａと、短辺のアノード部材３ｂとで囲まれ
た長形リング状の電極の上記長辺のアノード部材３８間
に３本の補助アノード部材３ｃが間隔をあけて取付けら
れている。
れらの図において、第３図及び第４図と同符号は同−又
は相当部分を示しているので、その説明を省略するが、
この発明の実施例におけるアノード電極３は、長辺のア
ノード部材３ａと、短辺のアノード部材３ｂとで囲まれ
た長形リング状の電極の上記長辺のアノード部材３８間
に３本の補助アノード部材３ｃが間隔をあけて取付けら
れている。
したがって、カソード電極１とアノード電極３との間に
電位差をつけ、これらの間で放電が起きるときには、補
助アノード部材３ｃもアノード電極３の一部分として働
くため、アノード電極３の中心部での放電も強くなり、
アノード電極３の全面にわたって均一でしかも安定した
放電となり、基板２の表面全域でのアッシング又はエツ
チング状態が良くなる。
電位差をつけ、これらの間で放電が起きるときには、補
助アノード部材３ｃもアノード電極３の一部分として働
くため、アノード電極３の中心部での放電も強くなり、
アノード電極３の全面にわたって均一でしかも安定した
放電となり、基板２の表面全域でのアッシング又はエツ
チング状態が良くなる。
なお、上記実施例の代りに、補助アノード部材３ｃの数
は３本に限らず、１本以上であればいかなる数でもよく
、また、補助アノード部材３Ｃの取付は間隔も適宜変更
してもよい。更に、補助アノード部材３ｃを短辺のアノ
ード部材３ｂ間にだけ取付けてもよく、また、長辺のア
ノード部材３ａ間と、アノード部材３ｂ間との双方に取
付けてもよい。更にそのうえ、長辺のアノード部材３ａ
間と、アノード部材３ｂ間とにおいて、補助アノード部
材３ｃを斜めに取付けてもよい。また、補助アノード部
材３ｃを取付ける電極の形状は長形リング状に限らず、
丸形、楕円形等いかなる形状であってもよい。
は３本に限らず、１本以上であればいかなる数でもよく
、また、補助アノード部材３Ｃの取付は間隔も適宜変更
してもよい。更に、補助アノード部材３ｃを短辺のアノ
ード部材３ｂ間にだけ取付けてもよく、また、長辺のア
ノード部材３ａ間と、アノード部材３ｂ間との双方に取
付けてもよい。更にそのうえ、長辺のアノード部材３ａ
間と、アノード部材３ｂ間とにおいて、補助アノード部
材３ｃを斜めに取付けてもよい。また、補助アノード部
材３ｃを取付ける電極の形状は長形リング状に限らず、
丸形、楕円形等いかなる形状であってもよい。
（発明の効果）
この発明は、上記のようにリング状のアノード電極の対
向したアノード部材間に、少なくとも１個以上の補助ア
ノード部材を取付けているので、アノード電極の全面に
わたって均一でしかも安定した放電が生じ、基板の表面
全域でのアッシング又はエツチング状態が良くなる効果
を奏する。
向したアノード部材間に、少なくとも１個以上の補助ア
ノード部材を取付けているので、アノード電極の全面に
わたって均一でしかも安定した放電が生じ、基板の表面
全域でのアッシング又はエツチング状態が良くなる効果
を奏する。
第１図はこの発明の実施例を示す正面図、第２図は第１
図のΔ−Ａ線よりみたときの平面図である。第３図は従
来の真空処理装置を示す正面図、第４図は第３図のＢ−
Ｂ線よりみたときの平面図である。 図中、 ｌ・・・・ ｌａ・・・・ ２・・・・ ３・・・・ ３ａ・・・・ ３ｂ・・・・ ３ｃ・・・・ なお、図中、 ・カソード電極 ・電極面 ・基板 ・アノード電極 ・長辺のアノード部材 ・短辺のアノード部材 ・補助アノード部材 同一符号は同−又は相当部分を示 している。
図のΔ−Ａ線よりみたときの平面図である。第３図は従
来の真空処理装置を示す正面図、第４図は第３図のＢ−
Ｂ線よりみたときの平面図である。 図中、 ｌ・・・・ ｌａ・・・・ ２・・・・ ３・・・・ ３ａ・・・・ ３ｂ・・・・ ３ｃ・・・・ なお、図中、 ・カソード電極 ・電極面 ・基板 ・アノード電極 ・長辺のアノード部材 ・短辺のアノード部材 ・補助アノード部材 同一符号は同−又は相当部分を示 している。
Claims (1)
- 真空槽内にカソード電極を配設すると共に、このカソー
ド電極周囲の真空槽内の空間にリング状のアノード電極
を配設し、カソード電極とアノード電極との間で起きる
放電により発生するプラズマによって、真空槽内に配設
された基板をアッシング又はエッチングする真空処理装
置において、上記リング状のアノード電極の対向したア
ノード部材間に、少なくとも１個以上の補助アノード部
材を取付けたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25053988A JPH0298131A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25053988A JPH0298131A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298131A true JPH0298131A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17209412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25053988A Pending JPH0298131A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9648661B2 (en) | 2006-07-14 | 2017-05-09 | Qualcomm Incorporated | WLAN system scanning and selection |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211942A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62222640A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63175427A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25053988A patent/JPH0298131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211942A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62222640A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63175427A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9648661B2 (en) | 2006-07-14 | 2017-05-09 | Qualcomm Incorporated | WLAN system scanning and selection |
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