JPS61128526A - プラズマエツチング装置 - Google Patents

プラズマエツチング装置

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Publication number
JPS61128526A
JPS61128526A JP25073684A JP25073684A JPS61128526A JP S61128526 A JPS61128526 A JP S61128526A JP 25073684 A JP25073684 A JP 25073684A JP 25073684 A JP25073684 A JP 25073684A JP S61128526 A JPS61128526 A JP S61128526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
magnetic field
treated
localized
processed
Prior art date
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Pending
Application number
JP25073684A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Chiba
明 千葉
Shiyakuji Nakao
中尾　借治
Nobuyuki Yoshioka
信行 吉岡
Kyusaku Nishioka
西岡　久作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP25073684A priority Critical patent/JPS61128526A/ja
Publication of JPS61128526A publication Critical patent/JPS61128526A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子の製造において、被処理体を均
一に、サイドエツチングが小さく、かつ高い生産性をも
つようにエツチングすることのできるプラズマエツチン
グ装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のプラズマエツチング装置の基本構成を第２図に示
す０図において、１は高周波電源、２は高周波電源１に
接続された、２枚の電極板２　ａ　＋２ｂからなる対向
１橿、７は反応容器室、３は反応ガスを導入する導入系
、４は反応容器室７の圧力を一定に保つための排気系、
５は被処理体である。
次に動作について説明する。
エツチングすべき被処理体５は高周波電力が印加される
電極２ｂ上に載置される。ＣＦ４やＣＣｌ４のような反
応ガスを反応容器室７内に導入しながら真空ポンプによ
りガス排気系４から排気しつつ、電極２間に高周波電圧
を印加し、高周波グロー放電によるプラズマを発生させ
る。この場合、電子とイオンの易動度の大きな違いによ
り電極２ｂ表面に陰極降下が発生する。この陰極降下内
で、活性ガスイオンは該電極２ｂ及び被処理体５表面の
垂直な電界に沿って入射し、被処理体５表面の原子と入
射した活性イオンとが反応し、生じた反応生成物が気体
となって電界の方向にリアクティブなエツチングが進行
する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のプラズマエツチング装置は以上のように構成され
ているので、高周波電位の高い部分のみプラズマが発生
したり、高周波によって断続的に発生するプラズマの立
上り時期の不安定により、被処理体のエツチングが不均
一になるなどの欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、均一なエツチングが得られるプラ
ズマエツチング装置を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るプラズマエツチング装置は、対向電極間
にてプラズマを閉じ込めてプラズマ発生領域を形成する
磁界発生手段を設けたものである。
〔作用〕 この発明においては、磁界発生手段から発生される磁界
により対向電極間にてプラズマを所定領域に閉じ込める
から、均一なエツチングが行なえる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の一実施例によるプラ
ズマエツチング装置を示す要部断面図及び要部上面図で
ある。同図（ａ）において、１は高周波電源、７は反応
容器室、５はエツチングされる被処理体、２１は高周波
電源１に接続された第２の電極であ、６ｂは下部電極２
２の下に設けられた磁界発生手段であり、これは被処理
体５を覆う回転有磁場を発生して該被処理体ｓ上のプラ
ズマを回転移動させるものである。同図中）は、下部電
極２２の下に設けられた磁界発生手段６ａ、６ｂの要部
上面図である。図中の１７は空所である。
次に動作について説明する。
同図（ａ）に示すように、上部電極２１及び下部電極２
２間に高周波電源１より高周波電力を加えることにより
、プラズマは両電極２１．２２間の全域にわたって発生
する。しかしこの時、同図中）に示すような対向するＮ
、Ｓ極で形成した磁界を設けると、プラズマは該磁界に
より閉じ込められるので、被処理体５上に局在したプラ
ズマが発生する。さらに電気的に被処理体５を覆う磁界
の方向を変えて、これを被処理体５の中心軸のまわりに
回転させると局在したプラズマも移動してくる。
そこで磁界の強度及び回転速度を高めると、局在して移
動するプラズマは均一な濃度のプラズマに生成される。
従って、プラズマ濃度が一定になるので均一なエツチン
グが可能となる。また、磁界の回転を無駆動で行なった
ので、機構的駆動系におけるような故障は生じない。
なお、上記実施例では有磁場を発生する装置を反応容器
室内の下部電極の下に設けたものを示したが、これを反
応容器室外に設けてもよい。
また、磁界発生手段はその空所に対して対向させるため
に最低２個必要であるが、２の倍数であれば、何個でも
よい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係るプラズマエツチング装置
によれば、磁場によりプラズマを被処理体上に閉じ込め
てこの上で磁場を回転するようにしたので、被処理体上
のプラズマ濃度が一定になり、これにより再現性のある
均一なエツチングができる効果がある。また、磁界の回
転が電気的に行なわれるので、機構的駆動系におけるよ
うな故障は生じない。
【図面の簡単な説明】
第１図（８）はこの発明の一実施例によるプラズマエツ
チング装置を示す要部断面図、第１図（ｂｌはその磁界
発生手段を示す要部上面図、第２図は従来のプラズマエ
ツチング装置を示す要部断面図である。 ２１・・・上部電極（第１の電極）、２２・・・下部電
極（第２の電極）、５・・・被処理体、６ａ、６ｂ・・
・磁界発生手段。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被処理体のリアクティブなエッチングを行なうプ
    ラズマエッチング装置において、上記被処理体を載置す
    る第１の電極と、この電極に対向する第２の電極と、上
    記両電極間にてプラズマを磁界によって閉じ込めてプラ
    ズマ発生領域を形成する磁界発生手段とを備えたことを
    特徴とするプラズマエッチング装置。
  2. （２）上記磁界発生手段は、上記被処理体を覆いかつ回
    転する磁場を発生するものであることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載のプラズマエッチング装置。
JP25073684A 1984-11-27 1984-11-27 プラズマエツチング装置 Pending JPS61128526A (ja)

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JP25073684A JPS61128526A (ja) 1984-11-27 1984-11-27 プラズマエツチング装置

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JP25073684A JPS61128526A (ja) 1984-11-27 1984-11-27 プラズマエツチング装置

Publications (1)

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JPS61128526A true JPS61128526A (ja) 1986-06-16

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ID=17212272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25073684A Pending JPS61128526A (ja) 1984-11-27 1984-11-27 プラズマエツチング装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63224231A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 Fujitsu Ltd エツチング装置
JPS6439025A (en) * 1987-08-05 1989-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dry etching device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58170016A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Tokuda Seisakusho Ltd プラズマエツチング装置
JPS5918638A (ja) * 1982-07-22 1984-01-31 Toshiba Corp ドライエツチング装置

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