JPS6373624A - 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS6373624A JPS6373624A JP21716686A JP21716686A JPS6373624A JP S6373624 A JPS6373624 A JP S6373624A JP 21716686 A JP21716686 A JP 21716686A JP 21716686 A JP21716686 A JP 21716686A JP S6373624 A JPS6373624 A JP S6373624A
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- substrate
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置に係り、
特に半導体素子基板（以下、基板と略）等の試料をバイ
アス印加して処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装
置に関するものである。
特に半導体素子基板（以下、基板と略）等の試料をバイ
アス印加して処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装
置に関するものである。
基板等の試料にバイアス印加して処理する有磁上１マイ
クロ波プラズマ処理！ＩＩｒ！Ｉとしては、例えば、特
公昭５６−３７３１１号公報、特公昭５８−１３６２７
号公報に記載されたようなものが知られている。
クロ波プラズマ処理！ＩＩｒ！Ｉとしては、例えば、特
公昭５６−３７３１１号公報、特公昭５８−１３６２７
号公報に記載されたようなものが知られている。
このような装置では、試料の上部に導電体が有るとマイ
クロ波伝播を阻害し安定な放電ができないため、試料を
保持する試料台の外側周辺にアース電極が設けられる。
クロ波伝播を阻害し安定な放電ができないため、試料を
保持する試料台の外側周辺にアース電極が設けられる。
上記従来技術では、アース電極を試料台の外側周辺に設
けているので、試料台の中央部より周辺部での方が電界
強度が大きくプラズマ密度も高くなる。したがって、例
えば、イオン主体で、例几ば、エツチングが行われる試
料、例えば、酸化膜をエツチング処理した場合、試料の
被処理面内の中央部より周辺部でのエブヂレートが高（
なり、試料の被処理面内での処理の均一性が低下すると
いった問題がある。このような問題は、ラジカル主体で
試料を処理する場合にも同じように提起される。
けているので、試料台の中央部より周辺部での方が電界
強度が大きくプラズマ密度も高くなる。したがって、例
えば、イオン主体で、例几ば、エツチングが行われる試
料、例えば、酸化膜をエツチング処理した場合、試料の
被処理面内の中央部より周辺部でのエブヂレートが高（
なり、試料の被処理面内での処理の均一性が低下すると
いった問題がある。このような問題は、ラジカル主体で
試料を処理する場合にも同じように提起される。
本発明の目的は、試料の被処理面内に対応する電界密度
詑びにプラズマ密度を均一化することで、プラズマを利
用して処理される試料の被処理面内での処理の均一性を
向上できる有磁場マイクロ波プラズマ処理装置Ｖ提供す
ることにある。
詑びにプラズマ密度を均一化することで、プラズマを利
用して処理される試料の被処理面内での処理の均一性を
向上できる有磁場マイクロ波プラズマ処理装置Ｖ提供す
ることにある。
上記目的は、マイクロ波による電場と磁場とを直交させ
て電子の共鳴運動を引起し、これにより処理ガスをプラ
ズマ化し、バイアス印加された試料を前記プラズマを利
用して処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を、
前記装置を構成するペルジャーの前記試料の被処理面と
対応する部分の誘電率分布を、前記試料の被処理面内で
の処理を均一化可能な分布に調整したものとすることに
より、達成される。
て電子の共鳴運動を引起し、これにより処理ガスをプラ
ズマ化し、バイアス印加された試料を前記プラズマを利
用して処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を、
前記装置を構成するペルジャーの前記試料の被処理面と
対応する部分の誘電率分布を、前記試料の被処理面内で
の処理を均一化可能な分布に調整したものとすることに
より、達成される。
本発明者は、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を構成
する石英製のペルジャーの透明度によって処理速度が異
なる傾向にあるとの知見を得た。
する石英製のペルジャーの透明度によって処理速度が異
なる傾向にあるとの知見を得た。
即ち、ペルジャーの透明度が低い部分に対応する試料の
被処理面域での処理速度は低く、逆に、ペルジャーの透
明度が高い部分に対応する試料の被処理面域での処３１
速度は高くなる。
被処理面域での処理速度は低く、逆に、ペルジャーの透
明度が高い部分に対応する試料の被処理面域での処３１
速度は高くなる。
したがって、例えば、上記のように、酸化膜をエツチン
グ処理する場合、その中央部に対応するペルジャーの透
明度を高く、また、その周辺部に対応するペルジャーの
透明度を低く調整することにより、酸化膜の被処理面内
でのエツチングの均一性を向上させることができる。
グ処理する場合、その中央部に対応するペルジャーの透
明度を高く、また、その周辺部に対応するペルジャーの
透明度を低く調整することにより、酸化膜の被処理面内
でのエツチングの均一性を向上させることができる。
なお、ペルジャーの透明度は、誘電率と相関関係にあり
、アルミナ等を用いて形成されたペルジャーでも同様に
考えることができる。
、アルミナ等を用いて形成されたペルジャーでも同様に
考えることができる。
以上、本発明の一実施例を第１図〜第４図により説明す
る。
る。
第１図で、マグネトロン１０より発生した２、４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波は、導波管１１内を伝わり減圧排気さ
れ処理ガスが導入された石英製のペルジャー認を通して
プラズマ発生部１３に吸収される。一方、電磁石１４に
よりＢＣＲ放電に必要な磁場を発生させる。基板巧は、
保持台１６に被処理面上向姿勢で設置、保持されている
。保持台１６には、基板１５へのイオン入射エネルギー
を制御するため、この場合、高周波型［１７からバイア
ス印加される。保持台１６の外側周辺には、アース電極
１８が配設されている。
Ｈｚのマイクロ波は、導波管１１内を伝わり減圧排気さ
れ処理ガスが導入された石英製のペルジャー認を通して
プラズマ発生部１３に吸収される。一方、電磁石１４に
よりＢＣＲ放電に必要な磁場を発生させる。基板巧は、
保持台１６に被処理面上向姿勢で設置、保持されている
。保持台１６には、基板１５へのイオン入射エネルギー
を制御するため、この場合、高周波型［１７からバイア
ス印加される。保持台１６の外側周辺には、アース電極
１８が配設されている。
第１図、第２図で、基板巧が、酸化膜である場合、基板
１５の被処理面の中央部と対応するペルジャー四の部分
Ａの透明度は高く、また、基板１５の被処理面の周辺部
と対応するペルジャー［の部分Ｂの透明度は低曵調整さ
れている。
１５の被処理面の中央部と対応するペルジャー四の部分
Ａの透明度は高く、また、基板１５の被処理面の周辺部
と対応するペルジャー［の部分Ｂの透明度は低曵調整さ
れている。
第３図は、第１図、第２図の装置を用いて酸化膜をエツ
チング処理した場合の被処理面内でのエッチレート分布
を示したものである。この場合、実線で示したように、
被処理面内でのエツチング処理の均一性が向上している
。これに対して、ベルジャ−口の透明度を上記のように
調整しない場合、つまり、透明度が全体にほぼ同等の場
合、第３図に破線で示したように、電界強度が大きくイ
オン密度が高い周辺部でエッチレートが高くなり被処理
面内でのエツチング処理の均一性が低下する。
チング処理した場合の被処理面内でのエッチレート分布
を示したものである。この場合、実線で示したように、
被処理面内でのエツチング処理の均一性が向上している
。これに対して、ベルジャ−口の透明度を上記のように
調整しない場合、つまり、透明度が全体にほぼ同等の場
合、第３図に破線で示したように、電界強度が大きくイ
オン密度が高い周辺部でエッチレートが高くなり被処理
面内でのエツチング処理の均一性が低下する。
本実施例では、基板の被処理面の中央部に対応するペル
ジャーの部分の透明度を高＜、ｔた、その周辺部に対応
するペルジャーの部分の透明度を低（調整しているので
、酸化膜被処理面内でのエツチング処理の均一性を向上
させることができる。
ジャーの部分の透明度を高＜、ｔた、その周辺部に対応
するペルジャーの部分の透明度を低（調整しているので
、酸化膜被処理面内でのエツチング処理の均一性を向上
させることができる。
本発明によれ−ば、試料の被処理面内に対応する電界密
度並びにプラズマ密度を均一化できるので、プラズマを
利用して処理される試料の被処理面内での処理の均一性
を向上できるという効果がある。
度並びにプラズマ密度を均一化できるので、プラズマを
利用して処理される試料の被処理面内での処理の均一性
を向上できるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の有磁場マイクロ波プラズ
マ処理装置の構成図、第２図は、第１図のペルジャーの
透明度分布図、第３図は、被処理面内でのエッチレート
分布図である。 １０・・・・・・マグネトロン、１１・・・・・・導波
管、１２・・・・・・ペルジャー、１４・・・・・・電
磁石、１５・・・・・・基板、１６・・・・・・保持合
、１７・・・・・・高周波電源、１８・・・・・・アー
ス電極代理人 弁理士 小 川 勝 男 第２閃 １３図 基猛抜対理向内４立量
マ処理装置の構成図、第２図は、第１図のペルジャーの
透明度分布図、第３図は、被処理面内でのエッチレート
分布図である。 １０・・・・・・マグネトロン、１１・・・・・・導波
管、１２・・・・・・ペルジャー、１４・・・・・・電
磁石、１５・・・・・・基板、１６・・・・・・保持合
、１７・・・・・・高周波電源、１８・・・・・・アー
ス電極代理人 弁理士 小 川 勝 男 第２閃 １３図 基猛抜対理向内４立量
Claims (1)
- １、マイクロ波による電場と磁場とを直交させて電子の
共鳴運動を引起し、これにより処理ガスをプラズマ化し
、バイアス印加された試料を前記プラズマを利用して処
理する装置において、前記装置を構成するベルジャーの
前記試料の被処理面と対応する部分の誘電率分布を、前
記試料の被処理面内での処理を均一化可能な分布に調整
したことを特徴とする有磁場マイクロ波プラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21716686A JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21716686A JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373624A true JPS6373624A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0516657B2 JPH0516657B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16699892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21716686A Granted JPS6373624A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373624A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428386A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Nippon Telegraph & Telephone | Plasma etching device |
| US4970435A (en) * | 1987-12-09 | 1990-11-13 | Tel Sagami Limited | Plasma processing apparatus |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21716686A patent/JPS6373624A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428386A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Nippon Telegraph & Telephone | Plasma etching device |
| JPH089787B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1996-01-31 | 日本電信電話株式会社 | プラズマエツチング装置 |
| US4970435A (en) * | 1987-12-09 | 1990-11-13 | Tel Sagami Limited | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516657B2 (ja) | 1993-03-05 |
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