JPH0457091B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0457091B2 JPH0457091B2 JP60236455A JP23645585A JPH0457091B2 JP H0457091 B2 JPH0457091 B2 JP H0457091B2 JP 60236455 A JP60236455 A JP 60236455A JP 23645585 A JP23645585 A JP 23645585A JP H0457091 B2 JPH0457091 B2 JP H0457091B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- cathodes
- substrate
- polymer material
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 25
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体製造プロセスにおいて
利用され得るドライエツチング装置に関するもの
である。
利用され得るドライエツチング装置に関するもの
である。
［従来の技術］
近年、超LSIの集積化に伴い微細加工プロセス
において溶液を用いる湿式エツチングに代つてド
ライエツチングが主流となつてきている。ドライ
エツチングには、イオン衝撃を利用して機械的に
エツチングを行なうスパツタエツチング、ラジカ
ルと基板の化学反応を利用したプラズマエツチン
グおよび反応性イオンの陰極付近での加速を利用
した反応性イオンエツチング等があり、それぞれ
種々な型式のドライエツチング装置が提案されて
いる。
において溶液を用いる湿式エツチングに代つてド
ライエツチングが主流となつてきている。ドライ
エツチングには、イオン衝撃を利用して機械的に
エツチングを行なうスパツタエツチング、ラジカ
ルと基板の化学反応を利用したプラズマエツチン
グおよび反応性イオンの陰極付近での加速を利用
した反応性イオンエツチング等があり、それぞれ
種々な型式のドライエツチング装置が提案されて
いる。
従来、例えば、集積回路の配線、絶縁膜および
ゲート材のドライエツチングには、ハロゲンを含
む反応性ガスのプラズマが用いられてきた。この
プロセスでは多量の反応性ガスを用いるため反応
室や配管中にハロゲン化水素が発生し、反応室や
配管が腐蝕したりポンプ油が劣化するという問題
があつた。そこで先に、陰極上の基板の周囲にハ
ロゲンを含む高分子材を配置してこの高分子材を
不活性ガスでスパツタしたり、また高分子材から
発生するガスで高分子材自体をセルフスパツタさ
せることにより発生する活性種を用いて基板をエ
ツチングするドライエツチング方法を提案した。
この方法で例えば高分子材として四フツ化エチレ
ン樹脂（テフロン）を用いてコンタクトホールの
エツチングを行なう場合には、フツ化水素の発生
がなく、従来問題となつていたポンプ油の劣化等
の心配がない。
ゲート材のドライエツチングには、ハロゲンを含
む反応性ガスのプラズマが用いられてきた。この
プロセスでは多量の反応性ガスを用いるため反応
室や配管中にハロゲン化水素が発生し、反応室や
配管が腐蝕したりポンプ油が劣化するという問題
があつた。そこで先に、陰極上の基板の周囲にハ
ロゲンを含む高分子材を配置してこの高分子材を
不活性ガスでスパツタしたり、また高分子材から
発生するガスで高分子材自体をセルフスパツタさ
せることにより発生する活性種を用いて基板をエ
ツチングするドライエツチング方法を提案した。
この方法で例えば高分子材として四フツ化エチレ
ン樹脂（テフロン）を用いてコンタクトホールの
エツチングを行なう場合には、フツ化水素の発生
がなく、従来問題となつていたポンプ油の劣化等
の心配がない。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、このような高分子材のセルフスパツ
タリングで発生する活性種によつてエツチングを
行なう方法では、フツ化水素の発生がなく、装置
を長期間安定して使用することができるが、高分
子材がエツチング処理すべき基板の周囲に配置さ
れているため、基板に対する活性種の供給が均一
ではなく、エツチングの均一性の点で問題があ
る。
タリングで発生する活性種によつてエツチングを
行なう方法では、フツ化水素の発生がなく、装置
を長期間安定して使用することができるが、高分
子材がエツチング処理すべき基板の周囲に配置さ
れているため、基板に対する活性種の供給が均一
ではなく、エツチングの均一性の点で問題があ
る。
またエツチングに十分な活性種を発生させるた
めには、陰極上で高分子材の占める面積を十分に
とらなければならない。バツチ式装置にこの方法
を用いる場合には陰極上で高分子材の占める面積
が大きいため問題ないが、ウエハの大口径化に伴
い必要となる枚葉式装置ではこの方法を用いると
陰極が大型化してしまい、装置が小型で済むとい
う枚葉式の長所を十分生かすことができない。さ
らに、活性種の発生量はエツチングの選択性に大
きく影響し、例えば、テフロンを用いたコンタク
トホールのエツチングにおいてテフロンより発生
するCF系の活性種はSi上でポリマーを形成し、
Siのエツチングを妨げる働きをするため、高周波
電力を増加させたりしてテフロンのスパツタ量を
増加させれば、SiO／Si選択比は向上させること
ができる。このことからも陰極上での高分子材の
占める面積を十分大きくする必要がある。
めには、陰極上で高分子材の占める面積を十分に
とらなければならない。バツチ式装置にこの方法
を用いる場合には陰極上で高分子材の占める面積
が大きいため問題ないが、ウエハの大口径化に伴
い必要となる枚葉式装置ではこの方法を用いると
陰極が大型化してしまい、装置が小型で済むとい
う枚葉式の長所を十分生かすことができない。さ
らに、活性種の発生量はエツチングの選択性に大
きく影響し、例えば、テフロンを用いたコンタク
トホールのエツチングにおいてテフロンより発生
するCF系の活性種はSi上でポリマーを形成し、
Siのエツチングを妨げる働きをするため、高周波
電力を増加させたりしてテフロンのスパツタ量を
増加させれば、SiO／Si選択比は向上させること
ができる。このことからも陰極上での高分子材の
占める面積を十分大きくする必要がある。
高分子材を用いてエツチングを行なうとき、十
分な活性種を発生させなければならないが、陰極
に投入する高周波電力を増加させて高分子材のス
パツタ量を増加させると、基板かかるバイアスも
同時に増加し、エツチング条件が影響を受けてし
まうという問題がある。すなわち、高分子材から
の活性種の発生と基板のエツチングとを独立して
制御することができない。
分な活性種を発生させなければならないが、陰極
に投入する高周波電力を増加させて高分子材のス
パツタ量を増加させると、基板かかるバイアスも
同時に増加し、エツチング条件が影響を受けてし
まうという問題がある。すなわち、高分子材から
の活性種の発生と基板のエツチングとを独立して
制御することができない。
そこで、本発明の目的は、陰極の大型化を必要
とせずにエツチング処理すべき基板に対して十分
な活性種を均一に供給でき、しかも高分子材のス
パツタリングとエツチングとを独立して制御でき
るドライエツチング装置を提供することにある。
とせずにエツチング処理すべき基板に対して十分
な活性種を均一に供給でき、しかも高分子材のス
パツタリングとエツチングとを独立して制御でき
るドライエツチング装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、本発明によるド
ライエツチング装置は、アースされた真空処理室
内に、それぞれ高周波電界の印加される対向した
二つの陰極を設け、一方の陰極の表面にフツ素ま
たは塩素を含む高分子材を配置し、他方の陰極の
表面にエツチング処理すべき基板を装着し、一方
の陰極の表面に配置した高分子材のスパツタリン
グにより発生する活性種で他方の陰極の表面上の
基板をエツチングするようにしたことを特徴とし
ている。
ライエツチング装置は、アースされた真空処理室
内に、それぞれ高周波電界の印加される対向した
二つの陰極を設け、一方の陰極の表面にフツ素ま
たは塩素を含む高分子材を配置し、他方の陰極の
表面にエツチング処理すべき基板を装着し、一方
の陰極の表面に配置した高分子材のスパツタリン
グにより発生する活性種で他方の陰極の表面上の
基板をエツチングするようにしたことを特徴とし
ている。
本発明の別の特徴によれば、対向して設けられ
た二つの陰極に対して、高密度プラズマを発生さ
せる垂直な磁界を形成する磁界発生装置が設けら
れる。
た二つの陰極に対して、高密度プラズマを発生さ
せる垂直な磁界を形成する磁界発生装置が設けら
れる。
また、対向した二つの陰極は、互いに接近させ
て配置され得、それにより両陰極間での電子の螺
旋状往復運動により高密度プラズマを発生させる
ようにされ得る。
て配置され得、それにより両陰極間での電子の螺
旋状往復運動により高密度プラズマを発生させる
ようにされ得る。
［作用］
このように構成した本発明によるドライエツチ
ング装置においては、対向した二つの陰極の一方
にフツ素または塩素を含む高分子材を配置し、他
方の陰極の表面にエツチング処理すべき基板を装
着したことにより、一方の陰極の表面に配置され
た高分子材のスパツタリングにより発生する活性
種は、他方の陰極上の基板に対し均一に供給さ
れ、それにより均一なエツチングを保証すること
ができる。
ング装置においては、対向した二つの陰極の一方
にフツ素または塩素を含む高分子材を配置し、他
方の陰極の表面にエツチング処理すべき基板を装
着したことにより、一方の陰極の表面に配置され
た高分子材のスパツタリングにより発生する活性
種は、他方の陰極上の基板に対し均一に供給さ
れ、それにより均一なエツチングを保証すること
ができる。
また高分子材を基板の周囲ではなく、対向した
陰極表面に配置するため、陰極を大型化する必要
なしに、十分な活性種を発生させることができ
る。この場合、両陰極を互いに接近させて配置す
るか、または対向して設けられた二つの陰極に対
して垂直な磁界を形成する磁界発生装置を設ける
ことにより、前者の場合には陰極間での電子の往
復運動、また後者の場合にはペニング放電を起さ
せることにより、低電圧大電流の高密度プラズマ
が発生され、高分子材のスパツタリング速度を大
きくすることができると共に低ダメージで高速の
エツチングを行なうことができる。
陰極表面に配置するため、陰極を大型化する必要
なしに、十分な活性種を発生させることができ
る。この場合、両陰極を互いに接近させて配置す
るか、または対向して設けられた二つの陰極に対
して垂直な磁界を形成する磁界発生装置を設ける
ことにより、前者の場合には陰極間での電子の往
復運動、また後者の場合にはペニング放電を起さ
せることにより、低電圧大電流の高密度プラズマ
が発生され、高分子材のスパツタリング速度を大
きくすることができると共に低ダメージで高速の
エツチングを行なうことができる。
さらに、それぞれの陰極に投入する高周波電力
を別々に制御することができるため、高分子材の
十分なスパツタリングを行ないながら、基板にか
かるバイアスを小さくしてダメージのないエツチ
ングを行なうことができる。
を別々に制御することができるため、高分子材の
十分なスパツタリングを行ないながら、基板にか
かるバイアスを小さくしてダメージのないエツチ
ングを行なうことができる。
なお、それぞれの陰極に印加する高周波の位相
差を180°に選べば、さらに高密度のプラズマを形
成することができる。
差を180°に選べば、さらに高密度のプラズマを形
成することができる。
［実施例］
以下、添附図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図には、本発明によるドライエツチング装
置の一実施例を概略的に示し、１は真空容器で電
気的には接地されている。真空容器１内には二つ
の高周波陰極２，３が対向して配置されており、
これらの高周波陰極２，３はそれぞれ分割、位相
反転回路４および図示してないブロツキングコン
デンサを介して高周波電源５に接続され、この高
周波電源５から180°の位相差で高周波電界が印加
される。この実施例では高周波陰極２，３は好ま
しくは互いに接近されて配置され、これにより、
高周波陰極２，３間で電子の往復運動を生じさ
せ、高密度のプラズマを発生するようにされ得
る。高周波陰極２，３は、陰極材料のスパツタリ
ングによる汚染を防ぐためAl、Al2O3またはSiO2
等の非磁性体６で被覆されている。高周波陰極２
にはハロゲンを含む高分子材７が配置され、また
高周波陰極３にはエツチング処理すべき基板８が
装着される。
置の一実施例を概略的に示し、１は真空容器で電
気的には接地されている。真空容器１内には二つ
の高周波陰極２，３が対向して配置されており、
これらの高周波陰極２，３はそれぞれ分割、位相
反転回路４および図示してないブロツキングコン
デンサを介して高周波電源５に接続され、この高
周波電源５から180°の位相差で高周波電界が印加
される。この実施例では高周波陰極２，３は好ま
しくは互いに接近されて配置され、これにより、
高周波陰極２，３間で電子の往復運動を生じさ
せ、高密度のプラズマを発生するようにされ得
る。高周波陰極２，３は、陰極材料のスパツタリ
ングによる汚染を防ぐためAl、Al2O3またはSiO2
等の非磁性体６で被覆されている。高周波陰極２
にはハロゲンを含む高分子材７が配置され、また
高周波陰極３にはエツチング処理すべき基板８が
装着される。
このように構成した図示装置において、高周波
陰極２，３にそれぞれ分割、位相反転回路４およ
び図示してないブロツキングコンデンサを介して
高周波電源５から180°の位相差で高周波電界を印
加することによつて、高密度のプラズマが発生さ
れ、この高密度のプラズマにより高周波陰極２上
の高分子材７がスパツタされる。これによりプラ
ズマ中で分解されて活性種が発生され、この活性
種によつて対向した高周波陰極３上の基板８がエ
ツチングされる。
陰極２，３にそれぞれ分割、位相反転回路４およ
び図示してないブロツキングコンデンサを介して
高周波電源５から180°の位相差で高周波電界を印
加することによつて、高密度のプラズマが発生さ
れ、この高密度のプラズマにより高周波陰極２上
の高分子材７がスパツタされる。これによりプラ
ズマ中で分解されて活性種が発生され、この活性
種によつて対向した高周波陰極３上の基板８がエ
ツチングされる。
第２図には高周波陰極に対して垂直な磁界を形
成する磁界発生装置を設けた本発明の別の実施例
を示し、第１図の実施例の場合と同様に電気的に
は接地されている真空容器９内には二つの高周波
陰極１０，１１が対向して配置されており、これ
らの高周波陰極１０，１１はそれぞれ分割、位相
反転回路１２および図示してないブロツキングコ
ンデンサを介して高周波電源１３に接続され、
180°の位相差で高周波電界が印加される。高周波
陰極１０，１１の各々の裏側にはそれぞれ永久磁
石１４，１５が取付けられ、これらの永久磁石１
４，１５は各高周波陰極に対して垂直な磁界を発
生し、電子が対向した高周波陰極１０，１１間で
螺旋状のペニング放電運動をしながら往復運動す
るようにされる。これにより高密度のプラズマが
得られる。こうして設けられた高周波陰極１０と
永久磁石１４の組立て体および高周波陰極１１と
永久磁石１５の組立て体はそれぞれ、陰極材料の
スパツタリングによる汚染を防ぐためAl、Al2O3
またはSiO2等の非磁性体１６で被覆されている。
高周波陰極１０にはハロゲンを含む高分子材１７
が配置され、また高周波陰極１１にはエツチング
処理すべき基板１８が装着される。
成する磁界発生装置を設けた本発明の別の実施例
を示し、第１図の実施例の場合と同様に電気的に
は接地されている真空容器９内には二つの高周波
陰極１０，１１が対向して配置されており、これ
らの高周波陰極１０，１１はそれぞれ分割、位相
反転回路１２および図示してないブロツキングコ
ンデンサを介して高周波電源１３に接続され、
180°の位相差で高周波電界が印加される。高周波
陰極１０，１１の各々の裏側にはそれぞれ永久磁
石１４，１５が取付けられ、これらの永久磁石１
４，１５は各高周波陰極に対して垂直な磁界を発
生し、電子が対向した高周波陰極１０，１１間で
螺旋状のペニング放電運動をしながら往復運動す
るようにされる。これにより高密度のプラズマが
得られる。こうして設けられた高周波陰極１０と
永久磁石１４の組立て体および高周波陰極１１と
永久磁石１５の組立て体はそれぞれ、陰極材料の
スパツタリングによる汚染を防ぐためAl、Al2O3
またはSiO2等の非磁性体１６で被覆されている。
高周波陰極１０にはハロゲンを含む高分子材１７
が配置され、また高周波陰極１１にはエツチング
処理すべき基板１８が装着される。
［発明の効果］
以上説明してきたように、本発明によるドライ
エツチング装置においては、対向した二つの陰極
の一方にフツ素または塩素を含む高分子材を配置
し、他方の陰極の表面にエツチング処理すべき基
板を装着し、一方の陰極の表面に配置された高分
子材のスパツタリングにより発生する活性種を用
いて、他方の陰極上の基板をエツチングするよう
に構成しているので、発生する活性種は基板に均
一に供給され、エツチングを均一に進行させるこ
とができる。また高分子材を基板の周囲ではな
く、対向した陰極表面に配置するため、陰極を大
型化する必要なしに、十分な活性種を発生させる
ことができ、従つて、装置を小型、枚葉式化する
のに適している。
エツチング装置においては、対向した二つの陰極
の一方にフツ素または塩素を含む高分子材を配置
し、他方の陰極の表面にエツチング処理すべき基
板を装着し、一方の陰極の表面に配置された高分
子材のスパツタリングにより発生する活性種を用
いて、他方の陰極上の基板をエツチングするよう
に構成しているので、発生する活性種は基板に均
一に供給され、エツチングを均一に進行させるこ
とができる。また高分子材を基板の周囲ではな
く、対向した陰極表面に配置するため、陰極を大
型化する必要なしに、十分な活性種を発生させる
ことができ、従つて、装置を小型、枚葉式化する
のに適している。
また本発明による装置では、両陰極を互いに接
近させて配置するか、または対向して設けられた
二つの陰極に対して垂直な磁界を形成する磁界発
生装置を設けることにより、前者の場合には陰極
間での電子の往復運動、また後者の場合にはペニ
ング放電を起させることにより、低電圧大電流の
高密度プラズマが発生され、高分子材のスパツタ
リング速度を大きくすることができると共に低ダ
メージで高速のエツチングを行なうことができ
る。従つて、枚葉式の処理装置として応用しても
十分な生産性を得ることができる。
近させて配置するか、または対向して設けられた
二つの陰極に対して垂直な磁界を形成する磁界発
生装置を設けることにより、前者の場合には陰極
間での電子の往復運動、また後者の場合にはペニ
ング放電を起させることにより、低電圧大電流の
高密度プラズマが発生され、高分子材のスパツタ
リング速度を大きくすることができると共に低ダ
メージで高速のエツチングを行なうことができ
る。従つて、枚葉式の処理装置として応用しても
十分な生産性を得ることができる。
さらに、それぞれの陰極に投入する高周波電力
を別々に制御することができるため、本発明によ
る装置では高分子材の十分なスパツタリングを行
ないながら、基板にかかるバイアスを小さくして
ダメージのないエツチングを行なうことができ
る。
を別々に制御することができるため、本発明によ
る装置では高分子材の十分なスパツタリングを行
ないながら、基板にかかるバイアスを小さくして
ダメージのないエツチングを行なうことができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概略線図、第
２図は本発明の別の実施例を示す概略線図であ
る。 図中、１，９：真空容器、２，３，１０，１
１：高周波陰極、４，１２：分割、位相反転回
路、５，１３：高周波電源、６，１６：非磁性体
６，７，１７：高分子材８，１８：エツチング処
理すべき基板、１４，１５：永久磁石。
２図は本発明の別の実施例を示す概略線図であ
る。 図中、１，９：真空容器、２，３，１０，１
１：高周波陰極、４，１２：分割、位相反転回
路、５，１３：高周波電源、６，１６：非磁性体
６，７，１７：高分子材８，１８：エツチング処
理すべき基板、１４，１５：永久磁石。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アースされた真空処理室内に、それぞれ高周
波電界の印加される対向した二つの陰極を設け、
一方の陰極の表面にフツ素または塩素を含む高分
子材を配置し、他方の陰極の表面にエツチング処
理すべき基板を装着し、一方の陰極の表面に配置
した高分子材のスパッタリングにより発生する活
性種で他方の陰極の表面上の基板をエツチングす
るようにしたことを特徴とするドライエツチング
装置。 ２ 対向した二つの陰極を互いに接近させて配置
し、両陰極間での電子の往復運動により高密度プ
ラズマを発生させるようにした特許請求の範囲第
１項に記載のドライエツチング装置。 ３ アースされた真空処理室内に、それぞれ高周
波電界の印加される対向した二つの陰極を設け、
一方の陰極の表面にフツ素または塩素を含む高分
子材を配置し、他方の陰極の表面にエツチング処
理すべき基板を装着し、また対向して設けられた
二つの陰極に対して垂直な磁界を形成する磁界発
生装置を設け、電子の螺旋状運動による高密度プ
ラズマを発生させることにより、一方の陰極の表
面に配置した高分子材のスパツタリングにより発
生する活性種で他方の陰極の表面上の基板をエツ
チングするようにしたことを特徴とするドライエ
ツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645585A JPS6297329A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645585A JPS6297329A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297329A JPS6297329A (ja) | 1987-05-06 |
| JPH0457091B2 true JPH0457091B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=17001000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23645585A Granted JPS6297329A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297329A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790878B2 (ja) * | 1988-11-16 | 1998-08-27 | 治久 木下 | ドライプロセス装置 |
| EP0428161B1 (en) * | 1989-11-15 | 1999-02-17 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Dry process system |
| JPH09144781A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-06-03 | Aisin Seiki Co Ltd | ディスクブレーキ用ロータ |
| JPH11141585A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-25 | Aisin Seiki Co Ltd | ディスクブレーキ用ロータ |
| ATE254249T1 (de) | 1999-04-29 | 2003-11-15 | Porsche Ag | Verfahren zur auslegung einer scheibenbremse |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194532A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Nec Corp | Selective etching for organic high molecule coupling substance |
| JPS6056076A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-01 | Ulvac Corp | スパツタエツチング装置 |
| JPS60130186A (ja) * | 1983-12-17 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23645585A patent/JPS6297329A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194532A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Nec Corp | Selective etching for organic high molecule coupling substance |
| JPS6056076A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-01 | Ulvac Corp | スパツタエツチング装置 |
| JPS60130186A (ja) * | 1983-12-17 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6297329A (ja) | 1987-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4521286A (en) | Hollow cathode sputter etcher | |
| US5753066A (en) | Plasma source for etching | |
| US7059268B2 (en) | Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma | |
| US4844767A (en) | Method of and apparatus for etching | |
| KR970005035B1 (ko) | 플라즈마발생방법 및 그 장치 | |
| JPH11260596A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US5436424A (en) | Plasma generating method and apparatus for generating rotating electrons in the plasma | |
| JPH0892765A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH0457091B2 (ja) | ||
| JP3417328B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| CN115206766A (zh) | 等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法 | |
| JPH06122983A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ装置 | |
| JP3037848B2 (ja) | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 | |
| JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JP3208931B2 (ja) | プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法 | |
| GB2049560A (en) | Plasma etching | |
| JP3220528B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| US6432730B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JPH0336908B2 (ja) | ||
| JPS6094724A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH025413A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06120140A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JP2001077085A (ja) | 試料の表面処理方法 | |
| JPS62286227A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0727894B2 (ja) | 回転磁界を用いた放電反応装置 |