JPS6056076A - スパツタエツチング装置 - Google Patents
スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6056076A JPS6056076A JP16420283A JP16420283A JPS6056076A JP S6056076 A JPS6056076 A JP S6056076A JP 16420283 A JP16420283 A JP 16420283A JP 16420283 A JP16420283 A JP 16420283A JP S6056076 A JPS6056076 A JP S6056076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- etching
- substrate
- sputter etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタエツチング装置に関する。
従来この種装置は、第１図示のように、真空室ａ内に基
板すを載置したスノぐツタエツチング電極０を設け、こ
れに電源ｄからＤＣ或はＲＦ定電力与え、該電極０の前
方に発生するプラズマにより基板すに突入するイオンを
作り出して該基板すのエツチング処理を行なりを一般と
するが、この場合プラズマは電極０の前方に拡散するた
め十分高いプラズマ密度が得られず、エツチングのレー
ト即ち単位時間当シのエツチング深さが低くなって好ま
しくない。
板すを載置したスノぐツタエツチング電極０を設け、こ
れに電源ｄからＤＣ或はＲＦ定電力与え、該電極０の前
方に発生するプラズマにより基板すに突入するイオンを
作り出して該基板すのエツチング処理を行なりを一般と
するが、この場合プラズマは電極０の前方に拡散するた
め十分高いプラズマ密度が得られず、エツチングのレー
ト即ち単位時間当シのエツチング深さが低くなって好ま
しくない。
シラーズマ密度を高くする手段として投入電力を大きく
することが考えられるが、この場合には電極Ｃの電圧が
高くなるので基板すに衝突するイオンエネルギも高くな
り、基板すを損傷しだシ、特性上の劣化が発生し易く、
特に薄手或は脆弱な基板やＬ８Ｉ、ＶＬ８Ｉ等の敏感な
素子に於てその事故が生じ易い欠点がある。
することが考えられるが、この場合には電極Ｃの電圧が
高くなるので基板すに衝突するイオンエネルギも高くな
り、基板すを損傷しだシ、特性上の劣化が発生し易く、
特に薄手或は脆弱な基板やＬ８Ｉ、ＶＬ８Ｉ等の敏感な
素子に於てその事故が生じ易い欠点がある。
本発明は投入電力を高めることなくプラズマ密度を高め
、前記の不都合を解消することを目的としたもので、真
空室内に基板を載置したスパッタエツチング電極を設け
、これにＤＣ或はＲＦ定電力与えて前方にプラズマを発
生させ、該基板のエツチング処理を行なう式のものに於
て。
、前記の不都合を解消することを目的としたもので、真
空室内に基板を載置したスパッタエツチング電極を設け
、これにＤＣ或はＲＦ定電力与えて前方にプラズマを発
生させ、該基板のエツチング処理を行なう式のものに於
て。
該スパッタエツチング電極に対向してこれと同極の対向
電極を設け、両電極間にプラズマを収束させることを特
徴とする。
電極を設け、両電極間にプラズマを収束させることを特
徴とする。
本発明の実施例を図面第２図につき説明すると、（１）
は真空ポンプＱｌによシ排気される真空６％（２）は該
真空室（１）内に設けたスパッタエツチング電極、（３
）は該エツチング電極（２）に合板（４）を介して載量
した基板、（６）はＡｒ、ＯＦ４等のエツチングガスの
導入口、（６）はＲＦ電源を示し、該真空室（１）を真
空化したのち微量のエツチングガスを入れエツチング電
極（２）にＲＦ電力を与えると該電極（２）の前方にプ
ラズマ（７）が発生し、プラズマ中のイオンが基板（３
）に衝突してこれをスノセツタする。
は真空ポンプＱｌによシ排気される真空６％（２）は該
真空室（１）内に設けたスパッタエツチング電極、（３
）は該エツチング電極（２）に合板（４）を介して載量
した基板、（６）はＡｒ、ＯＦ４等のエツチングガスの
導入口、（６）はＲＦ電源を示し、該真空室（１）を真
空化したのち微量のエツチングガスを入れエツチング電
極（２）にＲＦ電力を与えると該電極（２）の前方にプ
ラズマ（７）が発生し、プラズマ中のイオンが基板（３
）に衝突してこれをスノセツタする。
該プラズマ（７）は真空室（１）内に拡散し勝ちであシ
その密度が十分でないと基板（３）に衝突するイオンの
発生が少なくなシ、エツチングレートが悪くなるが、該
エツチング電極（２）と相対して対向電極（８）を設け
、これにエツチング電極（２）と同極となるようにＲＦ
電源（６）を接続するとプラズマ（７）は該対向電極（
８）によるバイアス電位によシプラズマ（７）のエツチ
ング電極（２）の前方への拡散が抑制されその密度が高
くなる。
その密度が十分でないと基板（３）に衝突するイオンの
発生が少なくなシ、エツチングレートが悪くなるが、該
エツチング電極（２）と相対して対向電極（８）を設け
、これにエツチング電極（２）と同極となるようにＲＦ
電源（６）を接続するとプラズマ（７）は該対向電極（
８）によるバイアス電位によシプラズマ（７）のエツチ
ング電極（２）の前方への拡散が抑制されその密度が高
くなる。
尚この場合、各電極（２） （８）の側方に必要に応じ
て永久磁石（９）或は電磁石を設はエツチング電極に概
略垂直な磁場を発生させると、その磁場にょシ側方にプ
ラズマ（７）が散開することを防止し得てよ多プラズマ
密度を上げることが出来る。また各電極（２） （８）
は平板状に限らす突形、凹形等種々の形状に構成するこ
とが出来、Ｄｏ電力を与えるようにしてもよい。（１０
はマッチングヂックスである。
て永久磁石（９）或は電磁石を設はエツチング電極に概
略垂直な磁場を発生させると、その磁場にょシ側方にプ
ラズマ（７）が散開することを防止し得てよ多プラズマ
密度を上げることが出来る。また各電極（２） （８）
は平板状に限らす突形、凹形等種々の形状に構成するこ
とが出来、Ｄｏ電力を与えるようにしてもよい。（１０
はマッチングヂックスである。
さらに各電極（２） （８）を、第３図示のように夫々
別個の電源（６ａ）（ｓｂ）に接続し、対向１！極（８
）の電位をスパッタ電極（２）の電位よル小さい電位に
自由に調節可能な構成とするととも出来１図示してない
が該対向電極（８）を電源に接続せずに７０−ティング
とすることも出来る。
別個の電源（６ａ）（ｓｂ）に接続し、対向１！極（８
）の電位をスパッタ電極（２）の電位よル小さい電位に
自由に調節可能な構成とするととも出来１図示してない
が該対向電極（８）を電源に接続せずに７０−ティング
とすることも出来る。
その作動を第２図示のものにつき説明すると。
真空室（１）内を真空排気して多少のエツチングガスを
導入し、エツチング電極（２）及び対向電極（８）にＲ
Ｆ電力を投入するとプラズマ（７）が発生するが、該プ
ラズマ（７）は対向電極（８）に生ずるバイアス電位に
よシ拡散が阻止されるのでその密度を該対向電極（８）
のなｉ場合に比べてＲＦ電力を増大することなく大きく
向上させ得る。その結果プラズマ領域内でよ〕多くのイ
オンを発生させ得、これが基板（３）に衝突しエツチン
グするととになるのでエツチングのレートが向上する。
導入し、エツチング電極（２）及び対向電極（８）にＲ
Ｆ電力を投入するとプラズマ（７）が発生するが、該プ
ラズマ（７）は対向電極（８）に生ずるバイアス電位に
よシ拡散が阻止されるのでその密度を該対向電極（８）
のなｉ場合に比べてＲＦ電力を増大することなく大きく
向上させ得る。その結果プラズマ領域内でよ〕多くのイ
オンを発生させ得、これが基板（３）に衝突しエツチン
グするととになるのでエツチングのレートが向上する。
実際にはエツチングのレートは第４図示のように対向電
極（８）の夫々の電位に於て対向電極のない場合のレー
トよシも高め得、３００Ｖ近くでは約２倍のレートを得
ることが出来た。対向電極（８）と共に磁石（９）を作
用させればプラズマの左右への拡散を防止出来、よシ一
層エツチングのトドを増大させ得る。
極（８）の夫々の電位に於て対向電極のない場合のレー
トよシも高め得、３００Ｖ近くでは約２倍のレートを得
ることが出来た。対向電極（８）と共に磁石（９）を作
用させればプラズマの左右への拡散を防止出来、よシ一
層エツチングのトドを増大させ得る。
このように本発明によるときは、スノぐツタエツチング
電極に対向させてこれと同極の対向電極を設けたのでプ
ラズマの拡散を防止し得、エツチングのレートを高める
ととが出来、また投入電力が小さくて済むので基板に衝
突するイオンのエネルギも小さく基板に損傷を与えるこ
ともなく、収束用の磁場を設ければ一層プラズマの拡散
を防止出来る等の効果がある。
電極に対向させてこれと同極の対向電極を設けたのでプ
ラズマの拡散を防止し得、エツチングのレートを高める
ととが出来、また投入電力が小さくて済むので基板に衝
突するイオンのエネルギも小さく基板に損傷を与えるこ
ともなく、収束用の磁場を設ければ一層プラズマの拡散
を防止出来る等の効果がある。
第１図は従来例の截断側面図、第２図は本発明の実施例
の截断側面図、第３図は本発明の他の実施例の截断側面
図、第４図はエツチングのレートの比較の線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・エツチング電極（３
）・・・基板 （６）・・・ＲＦ電源（７）・・・プラ
ズマ （８）・・・対向電極特許出願人 日本真空技術
株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図 モ 」ｔ（「向電潟さしし−電イｊ：
の截断側面図、第３図は本発明の他の実施例の截断側面
図、第４図はエツチングのレートの比較の線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・エツチング電極（３
）・・・基板 （６）・・・ＲＦ電源（７）・・・プラ
ズマ （８）・・・対向電極特許出願人 日本真空技術
株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図 モ 」ｔ（「向電潟さしし−電イｊ：
Claims (1)
- 真空室内に基板を載置したスパッタエツチング電極を設
け、これにＤＯ或はＲＦ定電力与えて前方にプラズマを
発生させ、該基板のエツチング処理を行なう式のものに
於て、該スノぞツタエツチング電極に対向してこれと同
極の対向電極を設け、両電極間にプラズマを収束させる
ことを特徴とするスパッタエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16420283A JPS6056076A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16420283A JPS6056076A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | スパツタエツチング装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18881084A Division JPS6074436A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056076A true JPS6056076A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15788607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16420283A Pending JPS6056076A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297329A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH04220908A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-11 | Sekisui Jushi Co Ltd | ピッキング表示装置 |
| US5332880A (en) * | 1992-03-31 | 1994-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for generating highly dense uniform plasma by use of a high frequency rotating electric field |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
| JPS5687671A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-16 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
| JPS5687674A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-16 | Toshiba Corp | Reactive etching apparatus |
| JPS5687670A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-16 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
| JPS5776187A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Fujitsu Ltd | Treatment by etching |
| JPS57131374A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS5887271A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | プレ−ナマグネトロンスパッタ装置 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP16420283A patent/JPS6056076A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
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| JPS5887271A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | プレ−ナマグネトロンスパッタ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297329A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH0457091B2 (ja) * | 1985-10-24 | 1992-09-10 | Ulvac Corp | |
| JPH04220908A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-11 | Sekisui Jushi Co Ltd | ピッキング表示装置 |
| US5332880A (en) * | 1992-03-31 | 1994-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for generating highly dense uniform plasma by use of a high frequency rotating electric field |
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