JPH0525625A - マグネトロンスパツタカソード - Google Patents
マグネトロンスパツタカソードInfo
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- JPH0525625A JPH0525625A JP4430091A JP4430091A JPH0525625A JP H0525625 A JPH0525625 A JP H0525625A JP 4430091 A JP4430091 A JP 4430091A JP 4430091 A JP4430091 A JP 4430091A JP H0525625 A JPH0525625 A JP H0525625A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ターゲットを均等にスパッタすることによっ
て、ターゲットの寿命を長くして、その使用効率を向上
する。 【構成】ターゲットを上面に取り付けたバッキングプレ
ートの背部に磁石装置を配設したマグネトロンスパッタ
カソードにおいて、磁石装置の中央部磁石６と周縁部磁
石７との間に少なくとも１個以上の中間部磁石１５ａ，
１５ｂを配置し、その中間部磁石１５ａ，１５ｂの先端
部の磁極を中央部磁石６および周縁部磁石７の先端部の
磁極より下方に位置させると共に、隣接する磁石の先端
部の磁極の極性を相異ならせた。
て、ターゲットの寿命を長くして、その使用効率を向上
する。 【構成】ターゲットを上面に取り付けたバッキングプレ
ートの背部に磁石装置を配設したマグネトロンスパッタ
カソードにおいて、磁石装置の中央部磁石６と周縁部磁
石７との間に少なくとも１個以上の中間部磁石１５ａ，
１５ｂを配置し、その中間部磁石１５ａ，１５ｂの先端
部の磁極を中央部磁石６および周縁部磁石７の先端部の
磁極より下方に位置させると共に、隣接する磁石の先端
部の磁極の極性を相異ならせた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はターゲットをスパッタ
して低抵抗のＩ．Ｔ．Ｏ．透明電極薄膜等を形成するマ
グネトロンスパッタカソードに関するものである。
して低抵抗のＩ．Ｔ．Ｏ．透明電極薄膜等を形成するマ
グネトロンスパッタカソードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマグネトロンスパッタカソードは
図８に示されており、同図において、箱型をしたカソー
ドケース１の上部開口を覆うように取り付けられたバッ
キングプレート２の上面にはターゲット３が取り付けら
れ、また、そのバッキングプレート２の背後には磁石装
置４がカソードケース１内に存在するように配設されて
いる。磁石装置４は、鉄製の底部ヨーク５と、この底部
ヨーク５の中央部より立設された希土類系磁石よりなる
中央部磁石６と、この廻りをこれと間隔をもってリング
状に囲むように底部ヨーク５の周縁部より立設された希
土類系磁石よりなる周縁部磁石７と、中央部磁石６と周
縁部磁石７とのほぼ中間において底部ヨーク５より立設
され、中央部磁石６をリング状に囲む中間部磁石８とで
構成され、中央部磁石６の先端部の磁極の極性はＮ極、
中間部磁石８の先端部の磁極の極性はＳ極、周縁部磁石
７のの先端部の磁極の極性はＮ極となり、各磁極は同じ
高さに存在している。なお、図中、９はアースシール
ド、１０は真空槽壁、１１は絶縁材、１２は冷却水を流
すための冷却水配管である。このようなマグネトロンス
パッタカソードにおいては、中央部磁石６の先端部のＮ
極と中間部磁石８の先端部のＳ極との間、および周縁部
磁石７の先端部のＮ極と中間部磁石８の先端部のＳ極と
の間にそれぞれ磁場が出来るが、その磁場の一部はター
ゲット３表面の近傍の空間において湾曲した磁力線１３
を形成するようになる。図９はターゲット３表面上のそ
の中心からの位置Ｘにおいて、ターゲット３表面と平行
な方向の磁束密度ＢH と、ターゲット３表面と垂直な方
向の磁束密度ＢV とを測定したグラフである。このよう
にターゲット３表面の近傍の空間において湾曲した磁力
線１３が形成されるため、プラズマ中の電子は図１０に
示されるように磁力線１３に沿ってトロコイド運動を行
い、湾曲した磁力線１３の頂部に集まって、そこに図１
１に示される電子雲１４を形成するようになる。その結
果、プラズマ中のＡｒイオンはこの電子雲１４に引きよ
せられ、そして、ターゲット３をスパッタするようにな
る。
図８に示されており、同図において、箱型をしたカソー
ドケース１の上部開口を覆うように取り付けられたバッ
キングプレート２の上面にはターゲット３が取り付けら
れ、また、そのバッキングプレート２の背後には磁石装
置４がカソードケース１内に存在するように配設されて
いる。磁石装置４は、鉄製の底部ヨーク５と、この底部
ヨーク５の中央部より立設された希土類系磁石よりなる
中央部磁石６と、この廻りをこれと間隔をもってリング
状に囲むように底部ヨーク５の周縁部より立設された希
土類系磁石よりなる周縁部磁石７と、中央部磁石６と周
縁部磁石７とのほぼ中間において底部ヨーク５より立設
され、中央部磁石６をリング状に囲む中間部磁石８とで
構成され、中央部磁石６の先端部の磁極の極性はＮ極、
中間部磁石８の先端部の磁極の極性はＳ極、周縁部磁石
７のの先端部の磁極の極性はＮ極となり、各磁極は同じ
高さに存在している。なお、図中、９はアースシール
ド、１０は真空槽壁、１１は絶縁材、１２は冷却水を流
すための冷却水配管である。このようなマグネトロンス
パッタカソードにおいては、中央部磁石６の先端部のＮ
極と中間部磁石８の先端部のＳ極との間、および周縁部
磁石７の先端部のＮ極と中間部磁石８の先端部のＳ極と
の間にそれぞれ磁場が出来るが、その磁場の一部はター
ゲット３表面の近傍の空間において湾曲した磁力線１３
を形成するようになる。図９はターゲット３表面上のそ
の中心からの位置Ｘにおいて、ターゲット３表面と平行
な方向の磁束密度ＢH と、ターゲット３表面と垂直な方
向の磁束密度ＢV とを測定したグラフである。このよう
にターゲット３表面の近傍の空間において湾曲した磁力
線１３が形成されるため、プラズマ中の電子は図１０に
示されるように磁力線１３に沿ってトロコイド運動を行
い、湾曲した磁力線１３の頂部に集まって、そこに図１
１に示される電子雲１４を形成するようになる。その結
果、プラズマ中のＡｒイオンはこの電子雲１４に引きよ
せられ、そして、ターゲット３をスパッタするようにな
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のマグネトロンス
パッタカソードは、上記のようにターゲット３表面の近
傍の空間において湾曲した磁力線１３が形成されるが、
ターゲット３表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０
ガウスになる領域が狭いため、湾曲した磁力線１３の頂
部に高密度の電子雲１４ができるようになる。その結
果、図９に示されるようにターゲット３は磁束密度ＢV
がほぼ０ガウスになる領域だけがスパッタされ、ターゲ
ット３に片掘れが起きるようになる。そのため、ターゲ
ット３は、その大半を残したまま寿命がつき、その使用
効率が低下する等の問題を起こした。この発明の目的
は、従来の上記問題を解決して、ターゲットを均等にス
パッタすることによって、ターゲットの寿命を長くし
て、その使用効率を向上することの出来るマグネトロン
スパッタカソードを提供することにある。
パッタカソードは、上記のようにターゲット３表面の近
傍の空間において湾曲した磁力線１３が形成されるが、
ターゲット３表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０
ガウスになる領域が狭いため、湾曲した磁力線１３の頂
部に高密度の電子雲１４ができるようになる。その結
果、図９に示されるようにターゲット３は磁束密度ＢV
がほぼ０ガウスになる領域だけがスパッタされ、ターゲ
ット３に片掘れが起きるようになる。そのため、ターゲ
ット３は、その大半を残したまま寿命がつき、その使用
効率が低下する等の問題を起こした。この発明の目的
は、従来の上記問題を解決して、ターゲットを均等にス
パッタすることによって、ターゲットの寿命を長くし
て、その使用効率を向上することの出来るマグネトロン
スパッタカソードを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ターゲットを上面に取り付けたバッキ
ングプレートの背後に配設した磁石装置によりターゲッ
トの表面近傍の空間に湾曲した磁力線を形成して高密度
のプラズマを発生し、ターゲットをスパッタするマグネ
トロンスパッタカソードにおて、上記磁石装置は、底部
ヨークと、この底部ヨークの中央部より立設された希土
類系強磁石よりなる中央部磁石と、この廻りをこれと間
隔をもってリング状に囲むように底部ヨークの周縁部よ
り立設された希土類系強磁石よりなる周縁部磁石と、中
央部磁石と周縁部磁石との間で先端部の磁極がほぼ同一
高さで２個以上存在するように配置された少なくとも１
個以上の希土類系強磁石よりなる中間部磁石とで構成さ
れ、中間部磁石の先端部の磁極は中央部磁石と周縁部磁
石との先端部の磁極より下方に位置すると共に、中央部
磁石、中間部磁石および周縁部磁石の各先端部の磁極の
極性が隣接する磁石の先端部の磁極の極性と相異なって
いることを特徴とするものである。
に、この発明は、ターゲットを上面に取り付けたバッキ
ングプレートの背後に配設した磁石装置によりターゲッ
トの表面近傍の空間に湾曲した磁力線を形成して高密度
のプラズマを発生し、ターゲットをスパッタするマグネ
トロンスパッタカソードにおて、上記磁石装置は、底部
ヨークと、この底部ヨークの中央部より立設された希土
類系強磁石よりなる中央部磁石と、この廻りをこれと間
隔をもってリング状に囲むように底部ヨークの周縁部よ
り立設された希土類系強磁石よりなる周縁部磁石と、中
央部磁石と周縁部磁石との間で先端部の磁極がほぼ同一
高さで２個以上存在するように配置された少なくとも１
個以上の希土類系強磁石よりなる中間部磁石とで構成さ
れ、中間部磁石の先端部の磁極は中央部磁石と周縁部磁
石との先端部の磁極より下方に位置すると共に、中央部
磁石、中間部磁石および周縁部磁石の各先端部の磁極の
極性が隣接する磁石の先端部の磁極の極性と相異なって
いることを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】この発明においては、中央部磁石、周縁部磁
石、中間部磁石を希土類系強磁石で作成したうえ、中央
部磁石と周縁部磁石との間に配置された中間部磁石の先
端部の磁極が中央部磁石と周縁部磁石との先端部の磁極
より下方に位置し、中央部磁石、中間部磁石および周縁
部磁石の各先端部の磁極の極性が隣接する磁石の先端部
の磁極の極性と相異なっているので、ターゲットの表面
近傍の空間に形成される磁力線の形が整形され、ターゲ
ット表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０ガウスに
なる領域が広がるようになる。同時に、磁力線がターゲ
ット表面と平行な方向となる領域も広がるようになる。
石、中間部磁石を希土類系強磁石で作成したうえ、中央
部磁石と周縁部磁石との間に配置された中間部磁石の先
端部の磁極が中央部磁石と周縁部磁石との先端部の磁極
より下方に位置し、中央部磁石、中間部磁石および周縁
部磁石の各先端部の磁極の極性が隣接する磁石の先端部
の磁極の極性と相異なっているので、ターゲットの表面
近傍の空間に形成される磁力線の形が整形され、ターゲ
ット表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０ガウスに
なる領域が広がるようになる。同時に、磁力線がターゲ
ット表面と平行な方向となる領域も広がるようになる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例は図１、図２およ
び図３に示されている。この発明の実施例はは従来のマ
グネトロンスパッタカソードと同様に、中央部磁石６と
周縁部磁石７とを希土類系強磁石で作成しているが、中
央部磁石６と周縁部磁石７との間の底部ヨーク５には希
土類系強磁石よりなる２個の中間部磁石１５ａ、１５ｂ
が間隔をあけて平行に立設され、各中間部磁石１５ａ、
１５ｂが中央部磁石６をリング状に取り囲んでいる。各
中間部磁石１５ａ、１５ｂの先端部の磁極は中央部磁石
６と周縁部磁石７との先端部の磁極より下方に位置し、
ほぼ同一高さで存在している。そして、中央部磁石６の
先端部の磁極の極性はＳ極、中間部磁石１５ａの先端部
の磁極の極性はＮ極、中間部磁石１５ｂの先端部の磁極
の極性はＳ極、周縁部磁石７先端部の磁極の極性はＮ極
をしており、隣接する各磁石の先端部の磁極類系強磁石
よりなる周縁部磁石と、中央部磁石と周縁部磁石との間
で先端部の磁極の極性は相異なっている。なお、その他
の符号で従来のマグネトロンスパッタカソードを示す図
６と同符号のものは同一物につき説明を省略する。この
ような実施例においては、中央部磁石６、周縁部磁石
７、中間部磁石１５ａ、１５ｂを希土類系強磁石で作成
したうえ、中央部磁石６と周縁部磁石７との間に配置さ
れた中間部磁石１５ａ、１５ｂの先端部の磁極が中央部
磁石６と周縁部磁石７との先端部の磁極より下方に位置
し、中央部磁石６、中間部磁石１５ａ、１５ｂおよび周
縁部磁石７の各先端部の磁極の極性が隣接する磁石の先
端部の磁極の極性と相異なっているので、ターゲット３
の表面近傍の空間に形成される磁力線１３の形が整形さ
れ、ターゲット３表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほ
ぼ０ガウスになる領域が広がると同時に、図４に示され
るように磁力線１３がターゲット３表面と平行な方向と
なる領域も広がるようになる。そのため、図５に示され
るように電子雲１４も広がり、ターゲット３が均等にス
パッタされるようになる。ところで、上記実施例では２
個の中間部磁石１５ａ、１５ｂをほぼ同一高さにしてい
るが、必ずしも同じ高さにしなくてもよい。また、上記
実施例の代わりに、図６に示されるように中央部磁石６
と周縁部磁石７との中間に１個の中間部磁石１６をその
磁極Ｎ、Ｓがほぼ水平になるように配置してもよく、更
に、図７に示されるようにフェライト系磁石よりなる中
間部磁石１７を図示の如く配置してもよい。更にその
上、上記実施例の各磁石に電磁石を用いてもよく、また
電磁石と永久磁石を併用したものでもよく、あるいは、
鉄板等の磁性材料を用いてもよい。
しながら説明する。この発明の実施例は図１、図２およ
び図３に示されている。この発明の実施例はは従来のマ
グネトロンスパッタカソードと同様に、中央部磁石６と
周縁部磁石７とを希土類系強磁石で作成しているが、中
央部磁石６と周縁部磁石７との間の底部ヨーク５には希
土類系強磁石よりなる２個の中間部磁石１５ａ、１５ｂ
が間隔をあけて平行に立設され、各中間部磁石１５ａ、
１５ｂが中央部磁石６をリング状に取り囲んでいる。各
中間部磁石１５ａ、１５ｂの先端部の磁極は中央部磁石
６と周縁部磁石７との先端部の磁極より下方に位置し、
ほぼ同一高さで存在している。そして、中央部磁石６の
先端部の磁極の極性はＳ極、中間部磁石１５ａの先端部
の磁極の極性はＮ極、中間部磁石１５ｂの先端部の磁極
の極性はＳ極、周縁部磁石７先端部の磁極の極性はＮ極
をしており、隣接する各磁石の先端部の磁極類系強磁石
よりなる周縁部磁石と、中央部磁石と周縁部磁石との間
で先端部の磁極の極性は相異なっている。なお、その他
の符号で従来のマグネトロンスパッタカソードを示す図
６と同符号のものは同一物につき説明を省略する。この
ような実施例においては、中央部磁石６、周縁部磁石
７、中間部磁石１５ａ、１５ｂを希土類系強磁石で作成
したうえ、中央部磁石６と周縁部磁石７との間に配置さ
れた中間部磁石１５ａ、１５ｂの先端部の磁極が中央部
磁石６と周縁部磁石７との先端部の磁極より下方に位置
し、中央部磁石６、中間部磁石１５ａ、１５ｂおよび周
縁部磁石７の各先端部の磁極の極性が隣接する磁石の先
端部の磁極の極性と相異なっているので、ターゲット３
の表面近傍の空間に形成される磁力線１３の形が整形さ
れ、ターゲット３表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほ
ぼ０ガウスになる領域が広がると同時に、図４に示され
るように磁力線１３がターゲット３表面と平行な方向と
なる領域も広がるようになる。そのため、図５に示され
るように電子雲１４も広がり、ターゲット３が均等にス
パッタされるようになる。ところで、上記実施例では２
個の中間部磁石１５ａ、１５ｂをほぼ同一高さにしてい
るが、必ずしも同じ高さにしなくてもよい。また、上記
実施例の代わりに、図６に示されるように中央部磁石６
と周縁部磁石７との中間に１個の中間部磁石１６をその
磁極Ｎ、Ｓがほぼ水平になるように配置してもよく、更
に、図７に示されるようにフェライト系磁石よりなる中
間部磁石１７を図示の如く配置してもよい。更にその
上、上記実施例の各磁石に電磁石を用いてもよく、また
電磁石と永久磁石を併用したものでもよく、あるいは、
鉄板等の磁性材料を用いてもよい。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、ターゲットの表面近
傍の空間に形成される磁力線の形が整形され、ターゲッ
ト表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０ガウスにな
る領域が広がると同時に、磁力線がターゲット表面と平
行な方向となる領域も広がるようになるので、ターゲッ
トが均等にスパッタされる。そのため、次のような効果
が奏されるようになる。 ターゲットの寿命が長くなり、その結果、ターゲット
の交換頻度が減少し、スパッタ装置の稼働率がよくな
る。 ターゲットの使用効率が向上し、スパッタ装置のラン
ニングコストが大巾に削減できる。 均一な膜厚分布の得られる領域が広がる。 ターゲットの使用初期から末期にわたって、スパッタ
特性（均一な膜厚の得られる範囲など）の経時変化を少
なくできる。
傍の空間に形成される磁力線の形が整形され、ターゲッ
ト表面と垂直な方向の磁束密度ＢV がほぼ０ガウスにな
る領域が広がると同時に、磁力線がターゲット表面と平
行な方向となる領域も広がるようになるので、ターゲッ
トが均等にスパッタされる。そのため、次のような効果
が奏されるようになる。 ターゲットの寿命が長くなり、その結果、ターゲット
の交換頻度が減少し、スパッタ装置の稼働率がよくな
る。 ターゲットの使用効率が向上し、スパッタ装置のラン
ニングコストが大巾に削減できる。 均一な膜厚分布の得られる領域が広がる。 ターゲットの使用初期から末期にわたって、スパッタ
特性（均一な膜厚の得られる範囲など）の経時変化を少
なくできる。
【図１】この発明の実施例を示す断面図
【図２】この発明の実施例に使用される磁石装置の平面
図
図
【図３】この発明の実施例に使用される磁石装置の断面
図
図
【図４】この発明の実施例におけるターゲット表面近傍
の空間での磁力線の分布を示す説明図、
の空間での磁力線の分布を示す説明図、
【図５】この発明の実施例におけるターゲットが均等に
スパッタされる状態を示す説明図
スパッタされる状態を示す説明図
【図６】この発明のその他の実施例に使用される磁石装
置の断面図
置の断面図
【図７】この発明のその他の実施例に使用される磁石装
置の断面図
置の断面図
【図８】従来のマグネトロンスパッタカソードを示す断
面図
面図
【図９】従来のマグネトロンスパッタカソードにおける
ターゲット表面上の磁束密度を示すグラフ
ターゲット表面上の磁束密度を示すグラフ
【図１０】従来のマグネトロンスパッタカソードにおい
て電子雲の形成される原理を示す説明図
て電子雲の形成される原理を示す説明図
【図１１】従来のマグネトロンスパッタカソードにおけ
るターゲットの片掘りの状態を示す説明図
るターゲットの片掘りの状態を示す説明図
２・・・・・・バッキングキングプレート ３・・・・・・ターゲット ４・・・・・・磁石装置 ６・・・・・・中央部磁石 ７・・・・・・周縁部磁石 １３・・・・・磁力線 １５ａ・・・・中間部磁石 １５ｂ・・・・中間部磁石 １６・・・・・中間部磁石 １７・・・・・中間部磁石
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】ターゲットを上面に取り付けたバッキング
プレートの背後に配設した磁石装置によりターゲットの
表面近傍の空間に湾曲した磁力線を形成して高密度のプ
ラズマを発生し、ターゲットをスパッタするマグネトロ
ンスパッタカソードにおて、上記磁石装置は、底部ヨー
クと、この底部ヨークの中央部より立設された希土類系
強磁石よりなる中央部磁石と、この廻りをこれと間隔を
もってリング状に囲むように底部ヨークの周縁部より立
設された希土類系強磁石よりなる周縁部磁石と、中央部
磁石と周縁部磁石との間で先端部の磁極がほぼ同一高さ
で２個以上存在するように配置された少なくとも１個以
上の希土類系強磁石よりなる中間部磁石とで構成され、
中間部磁石の先端部の磁極は中央部磁石と周縁部磁石と
の先端部の磁極より下方に位置すると共に、中央部磁
石、中間部磁石および周縁部磁石の各先端部の磁極の極
性が隣接する磁石の先端部の磁極の極性と相異なってい
ることを特徴とするマグネトロンスパッタカソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4430091A JPH0525625A (ja) | 1991-02-17 | 1991-02-17 | マグネトロンスパツタカソード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4430091A JPH0525625A (ja) | 1991-02-17 | 1991-02-17 | マグネトロンスパツタカソード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525625A true JPH0525625A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=12687656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4430091A Pending JPH0525625A (ja) | 1991-02-17 | 1991-02-17 | マグネトロンスパツタカソード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525625A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458759A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
| JP2009057622A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
| WO2010023952A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタカソード及び成膜装置 |
| JP2013524016A (ja) * | 2010-04-02 | 2013-06-17 | ヌボサン， インコーポレイテッド | 回転式マグネトロンのための標的利用改善 |
| KR101290915B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2013-07-29 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
| JP2014196528A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 住友金属鉱山株式会社 | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置並びに該スパッタリング装置を用いたスパッタリング成膜方法 |
| WO2019045276A1 (ko) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | (주) 씨앤아이테크놀로지 | 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치 |
| KR20190097699A (ko) * | 2018-02-13 | 2019-08-21 | 한국알박(주) | 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 집합체 |
-
1991
- 1991-02-17 JP JP4430091A patent/JPH0525625A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458759A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
| JP2009057622A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Ulvac Japan Ltd | マグネトロンスパッタカソード |
| WO2010023952A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタカソード及び成膜装置 |
| JP5222945B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-06-26 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタカソード及び成膜装置 |
| KR101299724B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2013-08-28 | 가부시키가이샤 아루박 | 마그네트론 스퍼터 캐소드 및 성막 장치 |
| KR101290915B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2013-07-29 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 마그네트론 스퍼터링 장치 |
| JP2013524016A (ja) * | 2010-04-02 | 2013-06-17 | ヌボサン， インコーポレイテッド | 回転式マグネトロンのための標的利用改善 |
| JP2014196528A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 住友金属鉱山株式会社 | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置並びに該スパッタリング装置を用いたスパッタリング成膜方法 |
| WO2019045276A1 (ko) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | (주) 씨앤아이테크놀로지 | 고밀도 플라즈마 형성을 위한 스퍼터링 캐소드 및 스퍼터링 장치 |
| KR20190097699A (ko) * | 2018-02-13 | 2019-08-21 | 한국알박(주) | 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석 집합체 |
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