JPS60194072A - 十字電磁界ダイオ−ド・スパツタリング・タ−ゲツト集成体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の分舒】

この発明はダイオード・スパッタリング装置に使うのに
適したターゲット集成体、更に具体的に云えば、このタ
ーゲット集成体から侵食パターンを制御して選ばれた材
料をスパッタリングする改良された方法に関する。

【従来技術の説明】

従来、トライオード・スパッタリング装置、手段及びシ
ステムがよく知られている。同様に、ダイ樗−ド・スパ
ッタリング装置、手段及びシステムもよく知られている
。トライオード・スパッタリング装置は、プラズマを形
成し、ターゲット材料からスパッタリングされるイオン
を発生するのに使われる電子の源を作るのに、別々の陽
極及び陰極を用いている。磁気的に強めなトライオード
・ターゲット集成体を使うことを含めた、公知のスパッ
タリング装置、手段及びシステム及び方法が、米国特許
第４．１５５．８２５号及び同第４．４０４．０７７号
に記載されている。 その力線がターゲット集成体のスパッタリング面の上並
びに中を通る様な磁界を設定する為の磁気手段を含む、
磁気的に強めたダイオード・スパッタリング装置を使う
ことが米国特許第４，２８５．７２９号に記載されてい
る。この様に磁気的に強めたダイ４−ド・スパッタリン
グ装置では、磁気手段がターゲツト面に横切って閉ルー
プ形の力線を設定する。力線の閉ループ形は少なくとも
成る程度の非線形部分を持っている。ターゲツト面を通
る力線の閉ループ形を制御する為に、非線形部分に沿っ
た磁界の一様性を強める為に、別個の可撓性の磁気手段
を用いることが出来る。 ターゲットのスパッタリングを強める為にｍ界を利用す
る従来公知の装置が第１図に示されている。この装置で
は、ターゲラ！・材料２０は、磁石２８．３０から出る
力線が閉ループ形又は弓形であることにより、Ｖ字系断
ｉ［１ｉ２４を持つ円錐形の面２２が出来る様に、ター
ゲット材料２０が侵食される。従来公知の装置の結果と
して、ターゲット材料が円錐形方法で侵食され、この結
果ターゲット材料２０の実質的な部分はスパッタリング
されないま−になる。この現象は、スパッタリングが起
こる為には、磁界Ｅが磁界Ｂと略９ｏ″で交わって、Ｂ
ＸＥ電磁界を形成しなければならない為である。ターゲ
ット材料の円錐形の面が円錐形に侵食されるにつれて、
ターゲツト面に濠が形成され、この結果、ターゲット材
料の一部分が利用されないことになる。ターゲツト面の
下を移動する磁石を使うことにより、濠形成効果を少な
くすることが出来る。 スパッタリング条件を設定するのに必要な関係が、前に
引用した米国特許第４．１４５．８２５号及び同第４．
４０４．０７７号に詳しく記載されており、と＼では詳
しく説明しない。

【発明の要約］ この発明十字電磁界ダイオード・スパッタリング方法並
びにターゲット集成体は、ダイオード・スパッタリング
装置でイオン・ターゲットからスパッタリングすること
が出来る材料の量の効率を高める様な独特で改良された
ダイオード・スパッタリング方法並びにターゲットにな
る。 この発明の改良された十字電磁界ダイオード・スパッタ
リング・ターゲット集成体は、スパッタリングしようと
する選ばれた材料で形成された予定の面を持つイオン・
ターゲットを含む。イオン・ターゲットはその中に中心
開口を持つ予定の閉じたパターンに形成され、その選ば
れた面が相隔たる縁を持つ。選ばれた面は、スパッタリ
ング過程で制御自在に侵食される材料で形成される。選
ばれた面の相隔たる縁の各々に連続する様に配置された
手段をも設けて、壁を構成する。これらの壁がイオン・
ターゲットの選ばれｔコ面の相隔たる縁の各々から略法
線方向にこの縁を越えて伸びる。 磁極を持つ磁気手段が互いに向い合って相隔で一装置さ
れ、壁を構成する手段及びイオン・ターゲットを取巻く
。磁気手段が線形磁界を発生する。 この磁界が壁を通り、イオン・ターゲットの選ばれた面
の上を通り、イオン・ターゲットを通る。 磁気手段の線形磁界は、側壁の間並びに選ばれた面の上
にプラズマを捕捉するのに十分な強度である。選ばれた
面には、磁界（Ｂ）と略法線方向に電界（Ｅ）が印加さ
れる様になっていて、ＢＸＥ電磁界を発生し、２次電子
を選ばれた面に捕捉して、その侵食パターンを制御する
。 、この発明の改良された十字電磁界ダイオード・スパッ
タリング方法は、スパッタリング・ターゲット集成体の
侵食パターンを制御する。この方法では、その中に中心
開口を持つ予定の閉ループ・パターンに形成されていて
相隔たる縁を持つ選ばれた材料を有するイオン・ターゲ
ットの予定の面を横切って、第１の方向に電界（Ｅ）が
印加される。 イオン・ターゲット材料の選ばれた面の相Ｗまたる縁が
壁で囲まれる。前述の第１の方向に対して略垂直の第２
の方向に線形磁界（Ｂ）が印加され、壁を通り、選ばれ
た面を横切り、ターゲットを通る。 線形磁界（Ｂ）は、壁の間並びに選ばれた面の上にプラ
ズマ及びＥ電子を捕捉するのに十分な強度であって、選
ばれた面にＢＸＥ電磁界を発生し、その侵食パターンを
制御する。 【好ましい実施例の説明】 この発明の上記並びにその他の利点及び特徴は、以下図
面について好ましい図示例を説明する所から明らかにな
ろう。 前に述べた様に、第１図は従来の磁気的に強めたスパッ
タリング・ターゲット集成体を示してお９、その下に磁
石２８が配置されている。弓形の力ｌ３２０，２６が閉
ループ形に形成され、この結果、スパッタリングが起こ
る様にする為に必要なりＸＥ電磁界の所要の関係が乱れ
る。ターゲットの面２２が綿２４で示す様に、７字形の
濠の形に侵食される。 第２図はこの発明の改良された十字電磁界ダイオード・
スパッタリング・ターゲット集成体の略図である。第２
図に示す様に、改良された十字電磁界ダイオード・スパ
ッタリング・ターゲット集成体がイオン・ターゲット４
６を含む。このターゲットは予定の閉ループ形に形成さ
れた予定の面５０を持ち、矩形又【よ玉子形の様なくり
抜いた中心区域を持っている。イオン・ターゲット４６
は相隔たる縁を持つ選ばれた面を有する。イオン・ター
ゲットのＦｆＪ５．０は、スパッタリング過程で制御自
在に侵食される材料で形成される。第２図に示す実施例
では、イオン・ターゲット材料はスパッタリングする選
ばれた材料で完全に形成されており、側壁４０はターゲ
ットを所定位置に締付ける異なる材料で形成されている
。然し、イオン・ターゲット４６はその底部の１種類の
材料と、異なるイオン・ターゲット材料で形成された頂
部の選ばれた面５０とで形成することも考えられる。 壁はターゲットに隣接していてよいが、壁を電気的に浮
かせる為に隔たっている。イオン・ターゲット材料が、
スパッタリング過程で制御自在に侵食し得る全体的な面
を持つ様に、十分な深さ及び幅を持つことが重要である
。 第２図の実施例では、イオン・ターゲット４６の選ばれ
たｉ［ｉ５０の相隔たる縁の各々に連続する手段を配置
して、１対の壁４０を構成する。壁４０はイオン・ター
ゲット４６の選ばれた面５０ａ〕相隔たる縁の各々と接
触していて、それから略法線方向に、この縁を越えて伸
びる。 プラズマがその中に収まる特定の空所を作る様に、ハウ
ジング４２の様なハウジングを壁４０に対して位置ぎめ
することが出来る。ダイオード・スパッタリングの為、
ハウジング自体を水冷し、陽極として使うことが出来る
。 第１の磁極部材５２及び第２の磁極部材５４で例示した
Ｎ極及びＳ極の様な磁極を持つ磁気手段が、互いに向い
合って隔て一装置され、壁４０及びイオン・ターゲット
４６を取囲む。磁気手段の磁極５２，５４が発生する線
形磁界（Ｂ）が、磁極から壁４０を通り、選ばれた面５
０の上を通る。 こうして線形磁界（Ｂ）は２つの作用をする。即ち、（
１）空所の側壁を定める壁４０と、空所の底部を定める
選ばれた面５０の間【こプラズマを捕捉する為のカバー
として作用し、（２）ターゲット集成体の中並びに２次
電子を捕捉するイオン°ターゲットの選ばれた面の上に
磁束を通す。線形磁界は、壁の間及び選ばれた面５０の
上にプラズマを確実に捕捉するのに十分な強度を持つ。 スパッタリング装置では、第２図に矢印Ｅで示す電界（
Ｅ）が、第２図に矢印Ｂで示す磁界（Ｂ）に対して略法
線方向に、選ばれた面を横切って印加され、選ばれた面
５０にＢＸＥ電磁界を発生する。電磁界ＢＸＥによって
電子が加速される速度の方向が、ベクトルＶｅによって
示されている。このベクトルは図面の平面から出て来る
向きである。 希望によっては、磁気結合部材５６を用いて、第１の磁
極５２のＮｉを磁極５４（７）Ｓ極に結合し、磁界に対
するｒｉＩ３ａ１束通路を作ることが出来る。各々の磁
極片５２，５４の周りに形成した巻線５８を使うことに
より、磁界の密度を制御することも出来る。巻線５８が
可変磁界制御手段６４に作動的に結合される。用度磁界
制御手段６４が線形磁界（Ｂ）の密度を変えて、それを
プラズマ及び２次電子を捕捉する為の十分な強度を持つ
と共に、イオン・ターゲットの選ばれた面の全体に沿っ
てＨＸＥの関係を維持することを保証する乙とが出来る
。 第２図に示す様に、この改良された十字電磁界ダイオー
ド・スパッタリング・ターゲット集成体はダイオード・
スパッタリング装置に利用することが出来る。別の構成
では、この改良されｔコ十字電磁界ダイオード・スパッ
タリング・ターゲット集成体は導体３８の形をしたＦｉ
！Ｊ８！Ｉを利用することが出来る。導体３８は壁４０
を構成する手段から隔て＼配置される。この陽極が、陰
極に対する選ばれた面を形成するイオン・ターゲット４
６に作動的に接続され、陽極３８及びターゲット４６の
間で電子を発生し、イオン・ターゲットの面のダイオー
ド・スパッタリングをその侵食パターンを制御して行な
うことが出来る陽極にする。この構成は、ダイオード・
スパッタリング装置が制御自在に磁気材料をスパッタリ
ングすることが出来る様にする。 イオン・ターゲット材料の選ばれた面の侵食パターンを
特に選択的に制御して、侵食速度並びに侵食パターンの
形を最大限に働かせ、ターゲツト面の実質的な部分にわ
たって所望のＨＸＥの電磁界の関係が保たれる様にし、
その結果ターゲット材料の非常に効率のよいスパッタリ
ングが行なわれる様にすることが出来る。 磁気部材５２．５４は壁並びにイオン・ターゲットに対
し、この壁を通り且つイオン・ターゲットの選ばれた面
の上に線形磁界が形成されるだけでなく、イオン・ター
ゲットが磁界の実質的な部分をターゲット材料の外部に
集中したり、或いはそらし、その為に磁界の密度を目立
って低下させることがない様に、位置ぎめすることが出
来る。 この線形磁界は２重の作用を果すことが出来る。 即ち、（月イオン・ターゲット材料の選ばれた面に沿っ
て形成されていて、壁の間に保持されるプラズマに対す
るキャップ又はカバーとして作用し、（２）ＢＸＥ電磁
界の関係を保つと共に、一様な侵食を保証する為に、選
ばれた面の実質的な部分に沿って２次電子を捕捉するの
に十分な強力な磁界を設定する手段として作用する。 イオン・ターゲットの選ばれた面は磁性材料又は非磁性
材料で形成することが出来る。壁は電気絶縁材料で形成
する乙とが出来、この材料はターゲットを締付けること
が出来、或いはターゲット材料と一体であ７てその材料
で形成することが出来る。 第３図はこの発明の好ましい実施例のスパッタリング装
置の断面図である。第３図も示す様に、ハウジングが天
井１１０、側面部材１１２及び底部部材１１４を持って
いる。全体を１２４で示すターゲット集成体が壁１２０
を持ち、これはターゲット材料とは異なる材料で形成さ
れる。イオン・ターゲット１２４が選ばれた面１２６を
持ち、これがその上面に形成されていて、スパッタリン
グされる材料の交換可能なセグメントになっている。 ターゲラ１．１２６の制御された侵食の間、ターゲツト
面１３０に形成されるパターンは、第２図に線４８で示
すものと同様である。 第３図に示す実施例では、スパッタリング装置はイオン
・ターゲラ１．１２４の一部分を形成するイ詞ン・ター
ゲット材料１２６の選ばれｔコ面１３０を効率よく侵食
して、実際にイオン・ターゲット材料の実質的な部分を
スパッタリングすることが出来、その結果１、ダイオー
ド・スパツタリング装置に於けるターゲット材料の非常
に効率のよい取出しが行なえる様にになっている。 第３図に示す実施例では。前に述べたダイオード・スパ
ッタリング装置に利用することが出来るが、プラズマ及
び２次電子を捕捉する為に線形磁界を用いており、これ
によってダイオード・スパッタリング装置が磁性材料を
効率よ（スパッタリングすることが出来る。 この代わりに、第３図の磁性ターゲラｌ−１２６を多数
の磁性材料、例えば予定の比のニッケルー鉄合金で形成
して、この発明を利用することによって、ａＪ変の磁気
的な性質を持つ磁性材料を制御自在にスパッタリングす
ることが出来る様にすることが出来る。 第４図及び第５図は別の構成を示しており、この場合、
イオン・ターゲット集成体は断面が玉子形の磁気部材及
びイオン・ターゲットの選ばれた面を持ち、玉子形の改
良された十字電磁界ダイオード・スパッタリング・ター
ゲット集成体を形成する。具体的に云うと、イオン・タ
ーゲットの面１５４が磁極部材１５０，１５２の間に配
置され、壁１５６，１６０がその間に介在配置されてい
る。 この実施例では、壁は電気的に浮いた壁である。 第５図に示す様に、磁極部材１５０，１５２が壁１５６
．１６０を通る線形磁界を印加して、プラズマ及び２次
電子を捕捉すると共にＢＸＥ電磁界の関係を保つという
２重の作用をする。第５図に示す様に、磁極部材１５０
の幾何学的な寸法より小さくすることが出来、第２の磁
極片又は磁極部材１５２は第１の磁極部材１５０及びイ
オン・ターゲラｌ−１５４の寸法とは異なる寸法を持つ
ことが出来る。線形磁界（Ｂ）の強さは、磁石の寸法を
制御することによって制御することが出来る。これは矩
形の場合に望ましい。 第６図に示すイオン・ターゲット１８０は壁を持ち、同
じ材料で形成された矩形断面を持っている。ターゲット
はその選ばれた面１８２の全体が制御自在の侵食パター
ンで侵食される様になっている。例えば、面１８２の初
期の侵食の際、面の形は破線１８４で示す様に、幾分弓
形になることがある。スパッタリング過程が続き、線形
磁界によって＋３　Ｘ　Ｅ電磁界の関係が保たれている
と、この後侵食パターンは破線１８６で示す様に、比較
的矩形の形をとり始める。イオン・ターゲラＩ・材料が
更に侵食されるにつれて、パターンは破線１８８で示す
様に殆んど四角になり、この結果スパッタリング過程の
間、ターゲット材材の実質的な部分が消費される。ＢＸ
Ｅ電磁界が不在である為、電磁界は侵食されないことに
性態されｔこい。醍う時、壁にも選ばれた面からターゲ
ット月１１かスパッタリングされることがある。 第２図示す改良された十字電磁界ダイオード・スパッタ
リング・ターゲット集成体は、ダイ４−ド装置に於ける
イオン・ターゲットの侵食パターンを制御する為に、独
特な新規な方法で利用することが出来る。十字電磁界ダ
イ詞−ド・スパッタリング・ターゲット集成体の侵食パ
ターンを制御する方法は、選ばれた材料で形成されてい
て相隔たる縁を持つイオン・ターゲットの予定の面を横
切って第１の方向に電界（Ｅ）を印加し、イオン・り〜
ゲットの選ばれた面の相隔たる縁を壁で取巻き、第１の
方向に対して略！！！直な第２の方向に、壁を通り、選
ばれた面を横切り且つターゲットを通る線形磁界（Ｂ）
を印加する工程から成る。この線形磁界は、壁の間並び
に選ばれた面の上にプラズマ及び２次電子を捕捉するの
に十分な強度である。この為、電界（Ｅ）及び磁界（Ｂ
）を使うことにより、イオン・ターゲットの選ばれた直
にＢＸＥ電磁界が発生され、その侵食パターンを制御す
る。 陽極と、陰極として作動的に接続されたイオン・ターゲ
ット材料の選ばれた向とによって２次電子の供給源を発
生ずる工程により、イオン・クーゲットの選ばれた曲の
陰極スパッタリングを行なことが出来る。 更に、線形磁界の相反は多数の方法により、例えば口Ｊ
変磁界制御手段を使うことによって制御することが出来
る。磁界（Ｈ）の密度を変えることにより、ＢＸＥ電磁
界も変わり、これによって選ばれた面の侵食パターンが
変わる。 上に述べた様に、この明細書で説明した方法は、Ｎ　ｉ
　−Ｆ　ｅの様な磁性材料又は銅の様な非磁性飼料で形
成された選ばれｔコ材料を制御自在に侵食する為に用い
ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気的に強めたダイオード・スパッタリ
ングターゲット集成体の侵食パターンを示す見取図、第
２図はこの発明の十字電磁界ダイオード・スパッタリン
グ・ターゲット集成体の略図、第３図はダイオード・ス
パッタリング装置内にあるこの発明の十字電磁界ダイオ
ード・スパッタリング・ターゲット集成体の端断面図、
第４図は玉子形構造に形成された十字電磁界ダイオード
・スパッタリング・ターゲット集成体の平面図、第５図
は第４図の線５−５で切った十字電磁界ダイオード・ス
パッタリング・ターゲット集成体の断面の見取図、第６
図はターゲット材料で形成された壁を持つイオン・ター
ゲット集成体の選ばれた面の幾つかの侵食パターンを示
す見取図である。

【主な図面の説明】

４０・・・壁 ４６・イオン・ターゲット ｂＯ・選ばれた面 ５２．５４・・磁極部材 ノック 手続補正書（０釦 １．事件の表示 ２、発明の名称 十字電磁界ダイオード・スパッタリング・ターゲット集
成体３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 氏　名　ボール　アール、　７オアニー）に４、代理人 〒１０７　東京都港区赤＠２丁目２番２１号６、補正の
対象

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■）選ばれた材料で形成され１２選ばれた面を持つＣい
   て、中心開口を持つ予定の閉ループ・パターンに形成さ
   れでいて、前記選ばれた面が相隔たる縁を持ら、前記選
   ばれた面がスパッタリング過程で制御自在に侵食される
   様になっているイオンターゲットと、ｌｌ１Ｉ記選ばれ
   た面の相隔ノこる縁の各々に対して作動関係を持つよう
   に配置されていて、前記イ副ン・ターゲットの選ばれた
   面の各々の相隔たる縁から略法線方向に、該縁を越えて
   伸びる壁を形成ｒる手段と、互いに向い合って隔て＼配
   置されていて、前記壁を構成する手段及びイオンターゲ
   ットを取巻き、前記壁を通り、前記選ばれた餌の上を通
   り、前記イオン・ターゲットを通線形磁界（Ｂ）を発生
   する磁気手段とを有し、該磁気手段は前記壁の間並びに
   前記選ばれた面の上にプラズマを捕捉するのに十分な強
   度の線形磁界を持っており、前記選ばれた面には前記磁
   界に対して略法線方向に電界（Ｅ）が印加される様にな
   っていて、ＢＸＥ電磁界を発生すると共に、その侵食パ
   ターンを制御する為に、前記選ばれた面に２次電子を捕
   捉する十字電磁界ダイオード・スパッタリング・ターゲ
   ット集成体。 ２、特許請求の範囲１）に記載した十字電磁界ダイオー
   ド・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、前記壁
   を構成する手段が、前ｉ１Ｌ！選ばれた面がその間を伸
   びる様な位置に前記イ副ン・ターゲットを締付ける十字
   電磁界ダイオード・スパッタリング・ターゲット集成体
   。 ３）特許請求の範囲１ンに記載した十字電磁界ダイオー
   ド・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、壁を構
   成する手段が別々の相隔ｔコる電気的に浮いている壁で
   構成されている十字電磁界ダイＡ−ド・スパッタリング
   ・ターゲット集成体。 ４）特許請求の範囲１）に記載した十字電磁界ダイオー
   ド・スパッタリング・ターゲット準成体に於て、壁を構
   」＾する手段がイオン・ターゲットと一体であって、そ
   の材料で形成され“Ｃいる十字電磁界ダイ詞−ド・スパ
   ッタリング・ターゲット集成体。 特許請求の範囲ｌ）に記載しｒコ十字電磁界タイオード
   ・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、前記イオ
   ン・ターゲットの選ばれた面が磁性材料で形成されでい
   る十字電磁界ダイオード・スパッタリング・ターゲット
   集成体。 ６）特許請求の範囲１）に記載した十字電磁界ダイ副−
   ド・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、Ｒ’Ｊ
   ｔ己イ′４ン・ターゲットの選ばれた山■が非磁性材料
   で形成されている十字電磁界タイ４−ド・スパッタリン
   グ・ターゲット集成体。 ７）特許請求の範囲１）に記載した十字電磁界ダイ璃−
   ト・スパッタリング・ターゲット集成体に於て１、前記
   磁気手段が、前記イオン・ターゲットの選ばれた曲の一
   力の縁に隣接すると共に前記隆起した壁に隣接する第１
   Ｏ）ｆｉ１１気手段と、前記イオン・ターゲットの選ば
   れた面の他力の縁に向い合って隆起した壁の反対側に配
   置されｌこ第２　（＋）磁気手段とで構成されている十
   字電磁界ダイイード・スパッタリング・ターゲット集成
   体。 ８）特許請求の範囲１）に記載した十字電磁界ダイオー
   ド・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、前記磁
   気手段に作動的に結合されていて、前記イオン・ターゲ
   ットを通って前記選ばれた面を横切って印加される磁界
   の密度を制御する可変磁気制御手段を自する十字電磁界
   ダイオード・スパッタリング・ターゲット集成体。 ９）特許請求の範囲ｌ）に記載した十字電磁界ダイオー
   ド・スパッタリング・ターゲット集成体に於て、前記壁
   を構成する手段から隅で＼配置された陽極を含む手段を
   有し、前記選ばれた面を陰極に形成するようにイオン・
   ターゲットに作動的に接続されて、その間に電子を発生
   し、前記イオン・ターゲットの選ばれた面のダイ４−ト
   ・スパッタリングが制御された侵食パターンで出来る様
   にした十字電磁界ダイ副−ド・スパッタリング・ターゲ
   ット集成体。 １０）十字電磁界ダイオード・スパッタリング・ターゲ
   ット集成体の侵食パターンを制御する方法に於て、中心
   開口を持つ予定の閉ループ・パターンに形成されていて
   、相隔たる縁を持つ選ばれた材料を有するイオン・ター
   ゲットの予定の面を横切って第１の方向に電界（Ｅ）を
   印加し、イオン・ターゲット材料の選ばれた面の相隔た
   る縁を壁で囲み、前記第１の方向に対して略垂直な第２
   の方向に、前記壁を通り、前記選ばれた面を横切り且つ
   前記ターゲットを通る線形磁界（Ｂ）を印加し、該線形
   磁界（Ｂ）は、前記壁の間並びに前記選ばれた面の上に
   プラズマ並びに２次第子を捕捉するのに十分な強度を持
   っていて、前記選ばれｔコ面にＢ×Ｅ電磁界を発生して
   、その侵食パターンを制御する工程からなる方法。 １１）特許請求の範囲１０）に記載した方法に於て、陽
   極と作動的に陰極として接続された選ばれた面との間に
   供給源を作り、前記イオン・ターゲットの選ばれた面の
   ダイオード・スパッタリングが出来る様にする工程を含
   む方法。 １２、特許請求の範囲１０）に記載した方法に於て、ダ
   イオード・スパッタリングの間、イオン。 ターゲットの選ばれた面の選ばれた面の侵食パターンを
   変えるＢＸＥ電磁界を変える様に線形磁界の密度を制御
   する工程を含む方法。 １３）特許請求の範囲１１）に記載した方法に於て、選
   ばれたターゲット材料の一部分が磁性材料で形成されて
   いる方法。 １４）特許請求の範囲１１）に記載した方法に於て、選
   ばれたターゲット材料の一部分が非磁性材料で形成され
   ている方法。 １５）特許請求の範囲１１）に記載した方法に於て、前
   記壁がイオン・ターゲットと連続している方法。 １６）特許請求の範囲１１）に記載した方法に於て、前
   記壁がイオン・ターゲットに隣接している方法。 １７）特許請求の範囲１１）に記載した方法に於て、前
   記壁がイオン・ターゲットと一体であって、その材料で
   形成されている方法。