JPS6142903Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6142903Y2 JPS6142903Y2 JP2983783U JP2983783U JPS6142903Y2 JP S6142903 Y2 JPS6142903 Y2 JP S6142903Y2 JP 2983783 U JP2983783 U JP 2983783U JP 2983783 U JP2983783 U JP 2983783U JP S6142903 Y2 JPS6142903 Y2 JP S6142903Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- target
- magnetic flux
- electromagnets
- flux density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はスパツタリングに使用されるマグネト
ロン型スパツタカソードに関する。
ロン型スパツタカソードに関する。
従来この種カソードは、第１図及び第２図示の
ように、ターゲツトａの背後に、永久磁石からな
る中央部の第１磁石ｂ及びその外周の１個の環状
の第２磁石ｃとを設けるか、或は第３図及び第４
図示のように電磁石からなる中央部の第１磁石ｂ
とその外周の環状の第２磁石ｃとを設け、該ター
ゲツトａの前方に電界と直交する磁界ｄを得、マ
グネトロン放電を発生させるを一般とする。而し
て両磁石ｂ、ｅが短形等の回転対称でない場合、
両磁石ｂ、ｅの中間部のターゲツトａに平行な磁
束密度は、永久磁石では第５図に例示する如くＡ
点は220ガウス、Ｂ点は200ガウス、Ｃ，Ｄ，Ｅの
各点は夫々190、180、170ガウスとなり、また第
１磁石ｂに10A、第２磁石ｃに15Aの電流を流し
た電磁石では第６図示の如くＡ、Ｂ点では260、
270ガウス、Ｃ、Ｄ点では220、200ガウス、Ｅ、
Ｆ点では190、180ガウスとなつて不均一な磁束密
度となり勝ちである。こうした磁束密度の分布の
乱れはターゲツトａのスパツタ速度の分布に影響
を及ぼすと共に放電インピーダンスがターゲツト
面上で不均一となり、例えばマスクをしてスパツ
タ蒸着を行なうべく真空室の圧力を通常のスパツ
タ動作圧力（例えば10-3Torr台）より低い圧力
（例えば10-4Torr台）とした場合、安定したマグ
ネトロン放電が得られない不都合を生ずる。磁束
密度を均一化するために理論的には両磁石間の距
離、各磁石の形状、材質を変えればよいが、実際
的には著しく困難である。
ように、ターゲツトａの背後に、永久磁石からな
る中央部の第１磁石ｂ及びその外周の１個の環状
の第２磁石ｃとを設けるか、或は第３図及び第４
図示のように電磁石からなる中央部の第１磁石ｂ
とその外周の環状の第２磁石ｃとを設け、該ター
ゲツトａの前方に電界と直交する磁界ｄを得、マ
グネトロン放電を発生させるを一般とする。而し
て両磁石ｂ、ｅが短形等の回転対称でない場合、
両磁石ｂ、ｅの中間部のターゲツトａに平行な磁
束密度は、永久磁石では第５図に例示する如くＡ
点は220ガウス、Ｂ点は200ガウス、Ｃ，Ｄ，Ｅの
各点は夫々190、180、170ガウスとなり、また第
１磁石ｂに10A、第２磁石ｃに15Aの電流を流し
た電磁石では第６図示の如くＡ、Ｂ点では260、
270ガウス、Ｃ、Ｄ点では220、200ガウス、Ｅ、
Ｆ点では190、180ガウスとなつて不均一な磁束密
度となり勝ちである。こうした磁束密度の分布の
乱れはターゲツトａのスパツタ速度の分布に影響
を及ぼすと共に放電インピーダンスがターゲツト
面上で不均一となり、例えばマスクをしてスパツ
タ蒸着を行なうべく真空室の圧力を通常のスパツ
タ動作圧力（例えば10-3Torr台）より低い圧力
（例えば10-4Torr台）とした場合、安定したマグ
ネトロン放電が得られない不都合を生ずる。磁束
密度を均一化するために理論的には両磁石間の距
離、各磁石の形状、材質を変えればよいが、実際
的には著しく困難である。
本考案は比較的均一な磁束密度が得られるカソ
ードを提供することをその目的としたもので、タ
ーゲツト１の背後に、中央部の第１磁石２とその
外周の環状の第２磁石３とを設けて該ターゲツト
１の前方に磁界を得る式のものに於て、該第１磁
石２を電源４に接続した電磁石６で構成すると共
に第２磁石３を複数の電源５に接続した複数個の
電磁石７により全体環状に構成して成る。
ードを提供することをその目的としたもので、タ
ーゲツト１の背後に、中央部の第１磁石２とその
外周の環状の第２磁石３とを設けて該ターゲツト
１の前方に磁界を得る式のものに於て、該第１磁
石２を電源４に接続した電磁石６で構成すると共
に第２磁石３を複数の電源５に接続した複数個の
電磁石７により全体環状に構成して成る。
第７図及び第８図はその一例を示すもので、こ
れに於ては第２磁石３を構成する複数個の電磁石
７を２個の長手の電磁石７ａと２個の短い電磁石
７ｂとし、これら電磁石７ａ，７ｂで中央部の長
手の第１磁石２を囲撓した短形の環状の第２磁石
３が構成されるようにした。この場合図示のよう
に短形の対向する電磁石７同士を互に結線して２
群の電磁石に分け、各群の電磁石を夫々独立した
電源５ａ，５ｂに接続し、各電源５ａ，５ｂの電
気量を制御することにより第１，第２磁石２，３
間の磁束密度の均一化を図るようにしたが、４個
の各電磁石７を夫々各別の電源５に接続して電気
量を制御するようにしてもよい。
れに於ては第２磁石３を構成する複数個の電磁石
７を２個の長手の電磁石７ａと２個の短い電磁石
７ｂとし、これら電磁石７ａ，７ｂで中央部の長
手の第１磁石２を囲撓した短形の環状の第２磁石
３が構成されるようにした。この場合図示のよう
に短形の対向する電磁石７同士を互に結線して２
群の電磁石に分け、各群の電磁石を夫々独立した
電源５ａ，５ｂに接続し、各電源５ａ，５ｂの電
気量を制御することにより第１，第２磁石２，３
間の磁束密度の均一化を図るようにしたが、４個
の各電磁石７を夫々各別の電源５に接続して電気
量を制御するようにしてもよい。
その作動を説明するに、第１磁石２を電源４に
よりＮ極に適当な条件で励磁したのち、周囲の第
２磁石３にこれをＳ極に励磁すべく各電源５から
通電されるがこの場合対向する長手の各電磁石７
ａを先ず励磁し、次で該長手の電磁石７ａと第１
磁石２の中間部の磁束密度に等しい磁束密度が１
対の短い電磁石７ｂと第１磁石２の中間部に得ら
れるように該短い電磁石７ｂの電源５ｂの電気量
を制御する。実際的には中央部の電磁石６に10A
を通電し、長手の電磁石７ａに15A、短い電磁石
７ｂに18Aを通電すると、第９図示の如くＡ点で
は290ガウスＢ点及びＣ点では285及び280ガウス
となり、ほぼ均一な磁束密度が得られた。
よりＮ極に適当な条件で励磁したのち、周囲の第
２磁石３にこれをＳ極に励磁すべく各電源５から
通電されるがこの場合対向する長手の各電磁石７
ａを先ず励磁し、次で該長手の電磁石７ａと第１
磁石２の中間部の磁束密度に等しい磁束密度が１
対の短い電磁石７ｂと第１磁石２の中間部に得ら
れるように該短い電磁石７ｂの電源５ｂの電気量
を制御する。実際的には中央部の電磁石６に10A
を通電し、長手の電磁石７ａに15A、短い電磁石
７ｂに18Aを通電すると、第９図示の如くＡ点で
は290ガウスＢ点及びＣ点では285及び280ガウス
となり、ほぼ均一な磁束密度が得られた。
このように本考案によるときはターゲツト１の
背後の環状の第２磁石３を複数の電源５に接続さ
れた複数の電磁石７で構成したので第１磁石２と
第２磁石３との間の磁束密度を均一化出来、ター
ゲツト１の全面で均一な放電インピーダンスが得
られて安定した放電を行なえ、ターゲツト全面で
の均一なスパツタが可能となり、電源４，５を制
御して磁束密度を変え得るので広い圧力範囲での
安定したスパツタ放電を行なえる等の効果があ
る。
背後の環状の第２磁石３を複数の電源５に接続さ
れた複数の電磁石７で構成したので第１磁石２と
第２磁石３との間の磁束密度を均一化出来、ター
ゲツト１の全面で均一な放電インピーダンスが得
られて安定した放電を行なえ、ターゲツト全面で
の均一なスパツタが可能となり、電源４，５を制
御して磁束密度を変え得るので広い圧力範囲での
安定したスパツタ放電を行なえる等の効果があ
る。
第１図は従来例の截断側面図、第２図はそのカ
ソード部分の斜視図、第３図は従来の電磁石式カ
ソードの截断側面図、第４図はそのカソード部分
の斜視図、第５図及び第６図は磁束密度の値を示
す平面図、第７図は本考案の実施例の截断側面
図、第８図はそのカソード部分の平面線図、第９
図はその磁束密度の値を示す平面図である。 １……ターゲツト、２……第１磁石、３……第
２磁石、４，５……電源、６，７……電磁石。
ソード部分の斜視図、第３図は従来の電磁石式カ
ソードの截断側面図、第４図はそのカソード部分
の斜視図、第５図及び第６図は磁束密度の値を示
す平面図、第７図は本考案の実施例の截断側面
図、第８図はそのカソード部分の平面線図、第９
図はその磁束密度の値を示す平面図である。 １……ターゲツト、２……第１磁石、３……第
２磁石、４，５……電源、６，７……電磁石。
Claims (1)
- ターゲツト１の背後に、中央部の第１磁石２と
その外周の環状の第２磁石３とを設けて該ターゲ
ツト１の前方に磁界を得る式のものに於て、該第
１磁石２を電源４に接続した電磁石６で構成する
と共に第２磁石３を複数の電源５に接続した複数
個の電磁石７により全体環状に構成して成るマグ
ネトロン型スパツタカソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2983783U JPS59137965U (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2983783U JPS59137965U (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59137965U JPS59137965U (ja) | 1984-09-14 |
| JPS6142903Y2 true JPS6142903Y2 (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=30160708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2983783U Granted JPS59137965U (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59137965U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0726202B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1995-03-22 | ローム株式会社 | マグネトロンスパッタにおける膜厚調整方法 |
| CN101595240B (zh) * | 2007-10-31 | 2012-05-23 | 佳能安内华股份有限公司 | 磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法 |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP2983783U patent/JPS59137965U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59137965U (ja) | 1984-09-14 |
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