JP2617438B2 - マグネトロンカソード - Google Patents
マグネトロンカソードInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンカソード
に関し、特に、スパッタリング装置やドライエッチング
装置などにおいて、マグネトロン放電を発生することに
より基板を処理する電極として利用されるマグネトロン
カソードに関するものである。
に関し、特に、スパッタリング装置やドライエッチング
装置などにおいて、マグネトロン放電を発生することに
より基板を処理する電極として利用されるマグネトロン
カソードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマグネトロンカソード（以下、カ
ソードという）の構造について、スパッタリング装置に
適用される例を、図８〜図１０に従って説明する。
ソードという）の構造について、スパッタリング装置に
適用される例を、図８〜図１０に従って説明する。
【０００３】図８（Ａ）で、カソード１０１は、永久磁
石１０２，１０３を有する。永久磁石１０２は例えば上
端部がＳ極で、永久磁石１０３は上端部がＮ極であり、
図８（Ｂ）に示す如く、永久磁石１０２を永久磁石１０
３が囲むように配設される。永久磁石１０２，１０３の
下部はヨーク１０４で結合される。この配置状態によ
り、永久磁石１０３から永久磁石１０２に磁力線１０５
が形成される。永久磁石１０２，１０３の上側にはター
ゲット１０６が配置される。ターゲット１０６の上面に
は、永久磁石１０２，１０３による磁場が形成され、こ
の結果、磁場の周囲にマグネトロン放電が発生する。図
８（Ｃ）の平面図において、１０７はターゲット１０６
の上面におけるマグネトロン放電領域を示している。こ
の従来のカソード１０１では、永久磁石は固定され、マ
グネトロン放電領域１０７は固定された状態にある。こ
のカソード１０１は、面積の小さいターゲットに適した
構造である。
石１０２，１０３を有する。永久磁石１０２は例えば上
端部がＳ極で、永久磁石１０３は上端部がＮ極であり、
図８（Ｂ）に示す如く、永久磁石１０２を永久磁石１０
３が囲むように配設される。永久磁石１０２，１０３の
下部はヨーク１０４で結合される。この配置状態によ
り、永久磁石１０３から永久磁石１０２に磁力線１０５
が形成される。永久磁石１０２，１０３の上側にはター
ゲット１０６が配置される。ターゲット１０６の上面に
は、永久磁石１０２，１０３による磁場が形成され、こ
の結果、磁場の周囲にマグネトロン放電が発生する。図
８（Ｃ）の平面図において、１０７はターゲット１０６
の上面におけるマグネトロン放電領域を示している。こ
の従来のカソード１０１では、永久磁石は固定され、マ
グネトロン放電領域１０７は固定された状態にある。こ
のカソード１０１は、面積の小さいターゲットに適した
構造である。
【０００４】図９の例で、カソード１１１の基本的構造
は前記のカソード１０１と同じである。従って、図中、
同一要素には同一の符号を付している。相違する点は、
駆動部１１２を備え、永久磁石ユニット１１３を矢印１
１４に示す如く往復移動できるように構成したことであ
る。この結果、ターゲット１０６の上面に形成されるマ
グネトロン放電領域１０７を矢印１１５の如く移動させ
ることができ、これにより放電領域を拡大することがで
きる。カソード１１１は、面積の大きいターゲットに適
している。
は前記のカソード１０１と同じである。従って、図中、
同一要素には同一の符号を付している。相違する点は、
駆動部１１２を備え、永久磁石ユニット１１３を矢印１
１４に示す如く往復移動できるように構成したことであ
る。この結果、ターゲット１０６の上面に形成されるマ
グネトロン放電領域１０７を矢印１１５の如く移動させ
ることができ、これにより放電領域を拡大することがで
きる。カソード１１１は、面積の大きいターゲットに適
している。
【０００５】図１０の例において、このカソード１２１
は実公昭６１−４２９０３号公報に開示されるカソード
であり、多数の電磁石１２２を所定の間隔で配列し、こ
の電磁石１２２に所定の通電関係で３相交流１２３を流
すことにより、ターゲット１０６の上面に前記と同様な
マグネトロン放電領域を形成し、かつ３相交流による磁
場合成作用を利用して、当該放電領域を移動させ、広範
囲の放電領域を形成するようにしている。
は実公昭６１−４２９０３号公報に開示されるカソード
であり、多数の電磁石１２２を所定の間隔で配列し、こ
の電磁石１２２に所定の通電関係で３相交流１２３を流
すことにより、ターゲット１０６の上面に前記と同様な
マグネトロン放電領域を形成し、かつ３相交流による磁
場合成作用を利用して、当該放電領域を移動させ、広範
囲の放電領域を形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図８に示すカソード１
０１では、ターゲット１０６の表面と平行な磁力線から
なる磁場部分が強いプラズマ密度を発生し、当該部分に
対応するターゲット部分が局部的に最も消耗することに
なるため、ターゲットの寿命が短くなり、ターゲットの
利用効率を低減させるという不具合を有する。
０１では、ターゲット１０６の表面と平行な磁力線から
なる磁場部分が強いプラズマ密度を発生し、当該部分に
対応するターゲット部分が局部的に最も消耗することに
なるため、ターゲットの寿命が短くなり、ターゲットの
利用効率を低減させるという不具合を有する。
【０００７】図９に示すカソード１１１では、永久磁石
ユニット１１３の移動により、マグネトロン放電領域が
移動し、放電領域を広げかつ均一化し、前記の問題を解
消することができる。しかし、他方、永久磁石ユニット
１１３を移動させる機構を設けるため、カソードを冷却
するための機構、駆動部１１２を高電圧から保護するた
めの機構などの構造が複雑となるという欠点を有する。
またカソード１０６が大きくなり過ぎると、永久磁石ユ
ニット１１３も大きくかつ重くなり、駆動部１１２で動
かすことが困難となるという不具合も有している。
ユニット１１３の移動により、マグネトロン放電領域が
移動し、放電領域を広げかつ均一化し、前記の問題を解
消することができる。しかし、他方、永久磁石ユニット
１１３を移動させる機構を設けるため、カソードを冷却
するための機構、駆動部１１２を高電圧から保護するた
めの機構などの構造が複雑となるという欠点を有する。
またカソード１０６が大きくなり過ぎると、永久磁石ユ
ニット１１３も大きくかつ重くなり、駆動部１１２で動
かすことが困難となるという不具合も有している。
【０００８】図１０で示すカソード１２１では、ターゲ
ット１０６の上面に全面的に放電を発生させることが可
能であるが、放電空間の外側周辺部、特にターゲットの
周辺部分で充分に電子を閉じ込めるための配慮がなされ
ておらず、その結果、外側周辺部分でのターゲット利用
効率が低下するという不具合を有していた。
ット１０６の上面に全面的に放電を発生させることが可
能であるが、放電空間の外側周辺部、特にターゲットの
周辺部分で充分に電子を閉じ込めるための配慮がなされ
ておらず、その結果、外側周辺部分でのターゲット利用
効率が低下するという不具合を有していた。
【０００９】本発明の第１の目的は、上記の問題に鑑
み、広い範囲にわたって均一な密度でプラズマを発生し
かつ放電の外側周辺部の電子を充分に封じ込めることに
より、スパッタリング装置に適用されるものでは、ター
ゲットの利用効率を向上せしめ、またエッチング装置に
適用されるものでは、広い範囲にて均一なプラズマ密度
を作りエッチング分布を良好ととし、さらに一般的には
大型カソードとして構成することができるマグネトロン
カソードを提供することにある。
み、広い範囲にわたって均一な密度でプラズマを発生し
かつ放電の外側周辺部の電子を充分に封じ込めることに
より、スパッタリング装置に適用されるものでは、ター
ゲットの利用効率を向上せしめ、またエッチング装置に
適用されるものでは、広い範囲にて均一なプラズマ密度
を作りエッチング分布を良好ととし、さらに一般的には
大型カソードとして構成することができるマグネトロン
カソードを提供することにある。
【００１０】本発明の第２の目的は、磁場強度を変える
ことにより放電インピーダンスを変化させることができ
るにもかかわらず、放電領域が変化しないように構成
し、もって、ターゲットの利用効率およびエッチング分
布を不変としたマグネトロンカソードを提供することに
ある。
ことにより放電インピーダンスを変化させることができ
るにもかかわらず、放電領域が変化しないように構成
し、もって、ターゲットの利用効率およびエッチング分
布を不変としたマグネトロンカソードを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１のマグ
ネトロンカソードは、ターゲットの下側に配置された複
数個の電磁石に対し所定の位相関係にある交流（例えば
三相交流）を給電し、電磁石で作られる移動磁場の作用
で、ターゲットの表面上に、移動する放電領域を発生さ
せるものであり、電磁石は長形の磁極部を有する中心導
体を含み、複数個の電磁石はそれぞれの磁極部が平行に
なるように一列でかつ四角形カソード面を作るごとく配
列される共に、複数個の電磁石が並ぶ２つの側縁のそれ
ぞれに、電磁石の配列方向に沿って、固定された一定磁
場を作る磁石が配置され、複数個の電磁石による移動磁
場と磁石による一定磁場とに基づく合成磁場によって、
ターゲットの上に、直線的に繰り返して移動する環状の
電子封じ込め空間が形成され、この環状の電子封じ込め
空間に基づいて放電領域が生成されるように構成され
る。また本発明に係る第２のマグネトロンカソードは、
ターゲットの下側に配置された複数個の電磁石に対し所
定の位相関係にある交流を給電し、電磁石で作られる移
動磁場の作用で、ターゲットの表面上に、移動する放電
領域を発生させるものであり、電磁石は長形の磁極部を
有する中心導体を含み、複数個の電磁石はそれぞれの磁
極部が放射状に配置されるように環状一列でかつ全体と
して円形カソード面を作るごとく配列される共に、複数
個の電磁石が並ぶ外周縁に、固定された一定磁場を作る
環状の磁石が配置され、円形カソード面の中心部に、固
定された一定磁場を作るロッド状の磁石が配置され、複
数個の電磁石による移動磁場と環状磁石およびロッド状
磁石のそれぞれによる一定磁場とに基づく合成磁場によ
って、ターゲットの上に、回転移動する電子封じ込め空
間が形成され、この電子封じ込め空間に基づいて放電領
域が生成されるように構成される。
ネトロンカソードは、ターゲットの下側に配置された複
数個の電磁石に対し所定の位相関係にある交流（例えば
三相交流）を給電し、電磁石で作られる移動磁場の作用
で、ターゲットの表面上に、移動する放電領域を発生さ
せるものであり、電磁石は長形の磁極部を有する中心導
体を含み、複数個の電磁石はそれぞれの磁極部が平行に
なるように一列でかつ四角形カソード面を作るごとく配
列される共に、複数個の電磁石が並ぶ２つの側縁のそれ
ぞれに、電磁石の配列方向に沿って、固定された一定磁
場を作る磁石が配置され、複数個の電磁石による移動磁
場と磁石による一定磁場とに基づく合成磁場によって、
ターゲットの上に、直線的に繰り返して移動する環状の
電子封じ込め空間が形成され、この環状の電子封じ込め
空間に基づいて放電領域が生成されるように構成され
る。また本発明に係る第２のマグネトロンカソードは、
ターゲットの下側に配置された複数個の電磁石に対し所
定の位相関係にある交流を給電し、電磁石で作られる移
動磁場の作用で、ターゲットの表面上に、移動する放電
領域を発生させるものであり、電磁石は長形の磁極部を
有する中心導体を含み、複数個の電磁石はそれぞれの磁
極部が放射状に配置されるように環状一列でかつ全体と
して円形カソード面を作るごとく配列される共に、複数
個の電磁石が並ぶ外周縁に、固定された一定磁場を作る
環状の磁石が配置され、円形カソード面の中心部に、固
定された一定磁場を作るロッド状の磁石が配置され、複
数個の電磁石による移動磁場と環状磁石およびロッド状
磁石のそれぞれによる一定磁場とに基づく合成磁場によ
って、ターゲットの上に、回転移動する電子封じ込め空
間が形成され、この電子封じ込め空間に基づいて放電領
域が生成されるように構成される。
【００１２】
【作用】本発明によるマグネトロンカソードでは、カソ
ードの面内に均一な磁場がスキャンしながら移動するよ
うにするため、所定の配列関係にて設置された複数個の
電磁石を使用し、機構的な駆動部を使用しなくても済
む。これにより、カソードの大型化を図ることが可能と
なり、高速の動きにも対応することができる。特に、電
磁石により作られた移動磁場の周囲には、固定された一
定磁場を作る他の磁石を配置して、この磁石の固定磁場
で移動磁場の周辺部に制限を与えるように構成したた
め、放電領域の外側周辺部の電子を閉じ込めることがで
き、さらに全体の放電インピーダンスを低減させ、放電
の安定化を実現することが可能となる。
ードの面内に均一な磁場がスキャンしながら移動するよ
うにするため、所定の配列関係にて設置された複数個の
電磁石を使用し、機構的な駆動部を使用しなくても済
む。これにより、カソードの大型化を図ることが可能と
なり、高速の動きにも対応することができる。特に、電
磁石により作られた移動磁場の周囲には、固定された一
定磁場を作る他の磁石を配置して、この磁石の固定磁場
で移動磁場の周辺部に制限を与えるように構成したた
め、放電領域の外側周辺部の電子を閉じ込めることがで
き、さらに全体の放電インピーダンスを低減させ、放電
の安定化を実現することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を、図１〜図７に基
づいて説明する。図１は本発明に係るマグネトロンカソ
ードの第１実施例の平面図、図２は図１中のII−II線断
面図、図３は図１中の III−III 線断面図、図４は第１
実施例における放電領域の移動状態の図、図５は本発明
に係るマグネトロンカソードの第２実施例の平面図、図
６は図５中のVI−VI線断面図、図７は第２実施例におけ
る放電領域の移動状態の図である。
づいて説明する。図１は本発明に係るマグネトロンカソ
ードの第１実施例の平面図、図２は図１中のII−II線断
面図、図３は図１中の III−III 線断面図、図４は第１
実施例における放電領域の移動状態の図、図５は本発明
に係るマグネトロンカソードの第２実施例の平面図、図
６は図５中のVI−VI線断面図、図７は第２実施例におけ
る放電領域の移動状態の図である。
【００１４】図１〜図３において、１は全体形状が直方
体をしたカソードであり、その平面形状は、図１に示さ
れるように、長方形である。カソード１の内部には、そ
の長手方向に、同一の構造を有した電磁石２が一列状態
で配列されている。電磁石２は、板状の導体２ａとこの
導体２ａに巻設されたコイル巻線部２ｂからなる。複数
の板状導体２ａは図１に示される如く短辺に平行に配設
され、従って、複数の導体２ａは互いに平行になって、
長辺方向に配列される。電磁石２は、隣同士、絶縁性を
保ちつつ接触状態で配設される。電磁石２の個数は、こ
の実施例では励磁用に３相交流を使用するため、３の倍
数の数となっている。カソード１の一対の長辺部には、
磁石３，３が配設される。これらの磁石３，３は、例え
ば永久磁石であり、静止した状態、すなわち固定された
一定の磁場を作る。この磁場の磁力線の状態を、図３に
おける矢印４で示している。この実施例では、磁石３
は、上端部がＮ極、下端部がＳ極として形成され、配設
されている。他方、前記の電磁石２には、そのコイル巻
線２ｂに電流が通電されることにより励磁されるが、こ
の給電において３相交流５が使用される。３相交流５は
Ｒ，Ｓ，Ｔの各相の交流電流を有するが、これらの交流
電流のそれぞれを、電磁石２の配列の順序に従い、位相
がずれるような状態で、順次に、電磁石２のコイル巻線
２ｂに供給する。この３相交流によって、各電磁石２で
は磁場が形成される。その磁場の状態の一例を、図２お
よび図３において矢印６で示す。複数の電磁石２は３相
交流５で励磁されるので、給電された電流の位相関係が
推移することにより、磁場の分布状態を、同一の分布状
態を保持したままカソード１の長手方向に移動させる。
図において、７は電磁石用のヨーク、８は磁石３を配設
するためのベースである。
体をしたカソードであり、その平面形状は、図１に示さ
れるように、長方形である。カソード１の内部には、そ
の長手方向に、同一の構造を有した電磁石２が一列状態
で配列されている。電磁石２は、板状の導体２ａとこの
導体２ａに巻設されたコイル巻線部２ｂからなる。複数
の板状導体２ａは図１に示される如く短辺に平行に配設
され、従って、複数の導体２ａは互いに平行になって、
長辺方向に配列される。電磁石２は、隣同士、絶縁性を
保ちつつ接触状態で配設される。電磁石２の個数は、こ
の実施例では励磁用に３相交流を使用するため、３の倍
数の数となっている。カソード１の一対の長辺部には、
磁石３，３が配設される。これらの磁石３，３は、例え
ば永久磁石であり、静止した状態、すなわち固定された
一定の磁場を作る。この磁場の磁力線の状態を、図３に
おける矢印４で示している。この実施例では、磁石３
は、上端部がＮ極、下端部がＳ極として形成され、配設
されている。他方、前記の電磁石２には、そのコイル巻
線２ｂに電流が通電されることにより励磁されるが、こ
の給電において３相交流５が使用される。３相交流５は
Ｒ，Ｓ，Ｔの各相の交流電流を有するが、これらの交流
電流のそれぞれを、電磁石２の配列の順序に従い、位相
がずれるような状態で、順次に、電磁石２のコイル巻線
２ｂに供給する。この３相交流によって、各電磁石２で
は磁場が形成される。その磁場の状態の一例を、図２お
よび図３において矢印６で示す。複数の電磁石２は３相
交流５で励磁されるので、給電された電流の位相関係が
推移することにより、磁場の分布状態を、同一の分布状
態を保持したままカソード１の長手方向に移動させる。
図において、７は電磁石用のヨーク、８は磁石３を配設
するためのベースである。
【００１５】上記の如く、所定の位置関係にて配列され
た電磁石２・・・は、その長辺部に配設された一対の磁
石３で挟まれる。カソード１の上側の平面領域では、３
相交流に基づく電磁石２による移動する磁場と、磁石３
による固定された磁場とが合成され、こうして合成磁場
が形成される。合成磁場により、この磁場に対応する放
電領域が形成される。図４は、カソード１の上面部に形
成される放電領域９を示す。この放電領域９は、合成磁
場の移動に伴い、時間の経過に従って矢印１０の如く移
動する。こうして、放電領域９は、カソード１の上面全
面を移動し、平均的には均一な放電分布を形成すること
ができる。スパッタリング装置では、基板の前の位置で
あって、カソード１の上側の領域にターゲットが配設さ
れる。
た電磁石２・・・は、その長辺部に配設された一対の磁
石３で挟まれる。カソード１の上側の平面領域では、３
相交流に基づく電磁石２による移動する磁場と、磁石３
による固定された磁場とが合成され、こうして合成磁場
が形成される。合成磁場により、この磁場に対応する放
電領域が形成される。図４は、カソード１の上面部に形
成される放電領域９を示す。この放電領域９は、合成磁
場の移動に伴い、時間の経過に従って矢印１０の如く移
動する。こうして、放電領域９は、カソード１の上面全
面を移動し、平均的には均一な放電分布を形成すること
ができる。スパッタリング装置では、基板の前の位置で
あって、カソード１の上側の領域にターゲットが配設さ
れる。
【００１６】また、上記構成を有するカソード１では、
電磁石２によって形成される移動磁場について、その強
度を変化させることにより、放電インピーダンスを変化
させることができる。この場合、スパッタリング装置な
どの場合、ターゲットの利用効率は変化しない。このた
め、放電インピーダンスを、当該利用効率とは独立に制
御することが可能となる。すなわち、カソード１の電位
を、独立に制御できることになる。
電磁石２によって形成される移動磁場について、その強
度を変化させることにより、放電インピーダンスを変化
させることができる。この場合、スパッタリング装置な
どの場合、ターゲットの利用効率は変化しない。このた
め、放電インピーダンスを、当該利用効率とは独立に制
御することが可能となる。すなわち、カソード１の電位
を、独立に制御できることになる。
【００１７】次に、図５〜図７を参照して第２実施例を
説明する。この実施例では、円形カソードの例を示す。
基本的な構造は、前記第１実施例で説明した矩形カソー
ドを曲げ、その短辺を接続して閉じた形態となってい
る。図中において、前記実施例で説明した要素と実質的
に同一の要素には同一の符号を付している。このカソー
ド１では、１２個の電磁石２が環状に配設される。環状
の配設が可能になるように、導体２ａおよびコイル巻線
２ｂは、全体形状に対応させて、多少、変形されてい
る。中心部には第１の磁石１１が配設され、かつ電磁石
２の周囲には、これを囲むように第２の磁石１２が配設
されている。磁石１１はロッド状である。磁石１１の磁
極の配置状態は、任意に設定することが可能である。外
周部に位置する磁石１２は、前記磁石３と同じで、上端
部側がＮ極となる。磁石１１の上端部側がＮ極になると
き、磁場に対応して形成される放電領域は、図７（Ａ）
に示す如く領域１３となる。反対に磁石１１の上端部側
にＳ極が来ると、図７（Ｂ）に示す如く領域１４とな
る。それぞれの放電領域１３又は１４は、３相交流の位
相関係に基づき、例えば矢印１５に示す方向に回転す
る。こうして放電領域が回転移動し、カソード１の広い
範囲に放電を発生させることができ、前記実施例の場合
と同様な効果が発揮される。
説明する。この実施例では、円形カソードの例を示す。
基本的な構造は、前記第１実施例で説明した矩形カソー
ドを曲げ、その短辺を接続して閉じた形態となってい
る。図中において、前記実施例で説明した要素と実質的
に同一の要素には同一の符号を付している。このカソー
ド１では、１２個の電磁石２が環状に配設される。環状
の配設が可能になるように、導体２ａおよびコイル巻線
２ｂは、全体形状に対応させて、多少、変形されてい
る。中心部には第１の磁石１１が配設され、かつ電磁石
２の周囲には、これを囲むように第２の磁石１２が配設
されている。磁石１１はロッド状である。磁石１１の磁
極の配置状態は、任意に設定することが可能である。外
周部に位置する磁石１２は、前記磁石３と同じで、上端
部側がＮ極となる。磁石１１の上端部側がＮ極になると
き、磁場に対応して形成される放電領域は、図７（Ａ）
に示す如く領域１３となる。反対に磁石１１の上端部側
にＳ極が来ると、図７（Ｂ）に示す如く領域１４とな
る。それぞれの放電領域１３又は１４は、３相交流の位
相関係に基づき、例えば矢印１５に示す方向に回転す
る。こうして放電領域が回転移動し、カソード１の広い
範囲に放電を発生させることができ、前記実施例の場合
と同様な効果が発揮される。
【００１８】なお、前記の各実施例の構造において、ヨ
ーク７とベース８との距離を可変とする機構を設けるこ
とができる。この可変構造により、前述の合成磁場を最
適な状態に調節することができる。
ーク７とベース８との距離を可変とする機構を設けるこ
とができる。この可変構造により、前述の合成磁場を最
適な状態に調節することができる。
【００１９】前記の各実施例において、固定した磁場を
作る磁石の磁極の方向は任意に設定することができ、ま
た電磁石による移動磁場の移動方向も、３相交流の通電
を変更することにより、任意に設定することができる。
さらに電磁石に供給される交流は３相交流に限定され
ず、位相の異なる複数の交流であれば、充分である。
作る磁石の磁極の方向は任意に設定することができ、ま
た電磁石による移動磁場の移動方向も、３相交流の通電
を変更することにより、任意に設定することができる。
さらに電磁石に供給される交流は３相交流に限定され
ず、位相の異なる複数の交流であれば、充分である。
【００２０】 本発明によれば、次の効果を奏する。所
定の配置関係に配列された複数の電磁石に例えば３相交
流を給電することにより移動する磁場を作り、かつこれ
らの電磁石の周囲に、固定した一定磁場を作る磁石を配
設して、移動磁場を囲みつつ、移動磁場を移動させるよ
うにしたため、広い面積の領域において、放電を平均的
にかつ均一に発生させることができる。また、磁場強度
を変えることにより放電インピーダンスを変更しても、
放電の均一性を損なわず、利用効率が低減することがな
い。さらに、放電インピーダンスを、当該利用効率とは
独立に制御することが可能となり、これにより、カソー
ドの電位を独立に制御できる。また複数個の電磁石のタ
ーゲット側磁極の高さ位置を変更する機構を設けるよう
にしたため、合成磁場を最適な状態に調整することがで
きる。
定の配置関係に配列された複数の電磁石に例えば３相交
流を給電することにより移動する磁場を作り、かつこれ
らの電磁石の周囲に、固定した一定磁場を作る磁石を配
設して、移動磁場を囲みつつ、移動磁場を移動させるよ
うにしたため、広い面積の領域において、放電を平均的
にかつ均一に発生させることができる。また、磁場強度
を変えることにより放電インピーダンスを変更しても、
放電の均一性を損なわず、利用効率が低減することがな
い。さらに、放電インピーダンスを、当該利用効率とは
独立に制御することが可能となり、これにより、カソー
ドの電位を独立に制御できる。また複数個の電磁石のタ
ーゲット側磁極の高さ位置を変更する機構を設けるよう
にしたため、合成磁場を最適な状態に調整することがで
きる。
【図１】本発明に係るマグネトロンカソードの第１実施
例の平面図である。
例の平面図である。
【図２】図１中のII−II線断面図である。
【図３】図１中の III−III 線断面図である。
【図４】第１実施例における放電領域の移動状態の図で
ある。
ある。
【図５】本発明に係るマグネトロンカソードの第２実施
例の平面図である。
例の平面図である。
【図６】図５中のVI−VI線断面図である。
【図７】第２実施例における放電領域の移動状態の図で
ある。
ある。
【図８】従来の第１のカソードの縦断面図である。
【図９】従来の第２のカソードの縦断面図である。
【図１０】従来の第３のカソードの縦断面図である。
１ カソード ２ 電磁石 ３ 固定された一定磁場を作る磁石 ５ ３相交流 ７ ヨーク ８ ベース ９ 放電領域 １１ 固定された一定磁場を作る磁石 １２ 固定された一定磁場を作る磁石 １３ 放電領域 １４ 放電領域
Claims (2)
- 【請求項１】 ターゲットの下側に配置された複数個の
電磁石に対し所定の位相関係にある交流を給電し、前記
電磁石で作られる移動磁場の作用で、前記ターゲットの
表面上に、移動する放電領域を発生させるマグネトロン
カソードにおいて、 前記電磁石は長形の磁極部を有する中心導体を含み、複
数個の前記電磁石はそれぞれの前記磁極部が平行になる
ように一列でかつ四角形カソード面を作るごとく配列さ
れる共に、複数個の前記電磁石が並ぶ２つの側縁のそれ
ぞれに、前記電磁石の配列方向に沿って、固定された一
定磁場を作る磁石が配置され、 複数個の前記電磁石による前記移動磁場と前記磁石によ
る前記一定磁場とに基づく合成磁場によって、前記ター
ゲットの上に、直線的に繰り返して移動する環状の電子
封じ込め空間が形成され、この環状の電子封じ込め空間
に基づいて前記放電領域が生成される ことを特徴とする
マグネトロンカソード。 - 【請求項２】 ターゲットの下側に配置された複数個の
電磁石に対し所定の位相関係にある交流を給電し、前記
電磁石で作られる移動磁場の作用で、前記ターゲットの
表面上に、移動する放電領域を発生させるマグネトロン
カソードにおいて、 前記電磁石は長形の磁極部を有する中心導体を含み、複
数個の前記電磁石はそれぞれの前記磁極部が放射状に配
置されるように環状一列でかつ全体として円形カソード
面を作るごとく配列される共に、複数個の前記電磁石が
並ぶ外周縁に、固定された一定磁場を作る環状の磁石が
配置され、前記円形カソード面の中心部に、固定された
一定磁場を作るロッド状の磁石が配置され、 複数個の前記電磁石による前記移動磁場と前記環状磁石
および前記ロッド状磁石のそれぞれによる前記一定磁場
とに基づく合成磁場によって、前記ターゲットの上に、
回転移動する電子封じ込め空間が形成され、この電子封
じ込め空間に基づいて前記放電領域が生成されることを
特徴とするマグネトロンカソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404251A JP2617438B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | マグネトロンカソード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404251A JP2617438B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | マグネトロンカソード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221070A JPH04221070A (ja) | 1992-08-11 |
| JP2617438B2 true JP2617438B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18513937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404251A Expired - Lifetime JP2617438B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | マグネトロンカソード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617438B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009155394A2 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | Angstrom Sciences, Inc. | Magnetron with electromagnets and permanent magnets |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01180977A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Fuji Electric Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
| JP2844669B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1999-01-06 | ソニー株式会社 | 反応性マグネトロンスパッタ装置 |
| JPH04116162A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Kobe Steel Ltd | プレーナマグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2404251A patent/JP2617438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04221070A (ja) | 1992-08-11 |
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