JPH04116162A - プレーナマグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体デバイス等における薄膜形成に使用
されるプレーナマグネトロン型スパッタリング装置に用
いられる磁界発生装置に係り、詳しくは、ターゲット板
表面の上に形成される磁界の方向かターゲット板と平行
になる位置を広範囲に移動させターケラト板表面でのス
パッタリングによる侵食を均一化するようにした、プレ
ーナマグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装
置に関するものである。

〔従来の技術〕

周知のように、プレーナマグネトロン型スパッタリング
装置は、円板形あるいは角板形のターゲット板の裏面に
配設された磁界発生装置によってスパッタすべきターゲ
ット板表面の上に環状の磁界を形成し、この磁界とター
ゲット板表面に垂直な電界とにより、雰囲気ガス中ての
グロー放電による電子を環状のトリフ１〜運動させて高
密度プラズマを作り、これにより生した正イオンのター
ゲット板表面への衝突によってターケラト板表面からそ
の構成原子・分子をたたき出し、このスパッタ粒子を基
板上に堆積させて薄膜を形成するようにしたものである
。このようなブレーナマグネｌ・ロン型スパッタリング
装置に用いられる磁界発生装置としては、一般に、第１
２図の断面構造図に示すようなものか広く用いられてい
る。

すなわち、同図に示すように、磁界発生装置は、円板形
のターゲット板ＴＰの裏面側に配置された電磁石５１と
、この電磁石５１のコア５２に設けられた励磁コイル５
３に電流を供給する図示しない電流供給装置とを備えて
いる。電磁石５１のコア５２は、ターケソト板ＴＰ裏面
の中心部にその磁極面を近接して位置させた円柱状の中
心磁極体５２ａと、この中心磁極体５２ａの周囲にその
磁極面をターゲット板ＴＰ裏面に近接して位置させた環
状の周辺磁極体５２ｂと、これらの後端を接続する磁性
体てなるヨーク５２ｃとにより形成されている。そして
、中心磁極体５２ａと周辺磁極体５２ｂとの間の溝部に
は、多数巻きした円環体状の励磁コイル５３か配置され
ている。

なお、コア５２内に導かれる冷却水を接触させてターゲ
ットｔｆｆｌＴＰを冷却するための円板形のターケソ］
・裏板ＴＢＩによってコア５２の各磁極面とターケラト
板ＴＰの妻面とか密着されており、このターケラト裏板
ＴＢＩは、コア５２の各磁極面に対応する部分か磁性体
で形成され、これらの間の部分か例えばステンレス鋼の
ような非磁性体で形成されている。また、コア５２の周
囲にはアースノールドＳが設けられ、コア５２とアース
間にスパッタ電源Ｐか接続されている。

このように構成される磁界発生装置においては、例えば
、中心磁極体５２ａのターゲット板ＴＰ側の磁極かＮ極
となるように励磁コイル５３に電流を流すと、ターゲッ
ト板ＴＰ表面上に、この中心磁極体５２ａから出発して
周辺磁極体５２ｂへ達する磁力線か発生する。この環状
の磁界とターゲット板ＴＰ表面に垂直な電界とにより磁
界内に高密度プラズマか作られ、これにより生した正イ
オンのターゲット板ＴＰへの衝突によってターゲット板
ＴＰ表面からスパッタ粒子か飛び出し、ターゲット板Ｔ
Ｐの表面にスパッタリングによる侵食部かできる。

この侵食はターゲット板表面上に形成される磁界の方向
かターゲット板ＴＰと平行になる位置において最も進行
するか、上記第１２図に示す構成の磁界発生装置では、
この平行になる位置を移動させる手段を持たないため、
ターゲット板ＴＰ表面での侵食か狭い領域で局所的に進
む。このような局所的な侵食は、ターゲット板ＴＰの利
用率を減らすとともに、基板に形成される薄膜の膜厚分
布の変化などをもたらす。

そのため、ターゲット板ＴＰ表面上に形成する磁界分布
を制御するため、第１３図の断面構造図に示すような磁
界発生装置か知られている（特公昭５９２２７８８号公
報に開示されたものもその一例である）。

第１３図において、この磁界発生装置は、円板形のター
ゲット板ＴＰＯ裏面側に配置された電磁石６１と、この
電磁石６１のコア６２に設けられた主励磁コイル６３ａ
及び補助励磁フィル６３ｂにそれぞれ電流を供給する図
示しない電流供給装置とを備えている。上記のコア６２
は、ターケラト板ＴＰ裏面の中心部にその先端の磁極面
を近接して位置させた円柱状の中心磁極体６２ａ、この
中心磁極体６２ａの周囲にその磁極面をターケラト板Ｔ
Ｐ裏面に近接して位置させた環状の中間磁極体６２ｂ、
この中間磁極体６２ｂの周囲にその磁極面をターゲット
板ＴＰ裏面に近接して位置させた環状の周辺磁極体６２
ｃ、及びこれらの後端を接続する磁性体てなるヨーク６
２ｄとにより形成されている。そして、上記の中心磁極
体６２ａと中間磁極体６２ｂとの間の溝部には、多数巻
きした円環体状の主励磁コイル６３ａか配置され、中間
磁極体６２ｂと周辺磁極体６２ｃとの間の溝部には、多
数巻きした円環体状の補助励磁コイル６３ｂか配置され
ている。ＴＢ２はターケラト裏板である。

このように構成される磁界発生装置において、例えば、
中心磁極体６２ａのターゲット板ＴＰ側の磁極かＮ極、
中間磁極体６２ｂのターゲット板ＴＰ側の磁極がＳ極と
なるように励磁コイル６３ａ、６３ｂに電流を流すと、
ターゲット板ＴＰ表面上に、中心磁極体６２ａから出発
して周辺磁極体６２ｃへ達する磁力線と、中心磁極体６
２ａから中間磁極体６２ｂへ達する磁力線とか形成され
る。そして、補助励磁コイル６３ｂに流す電流値を周期
的に変化させることにより、ターゲット板ＴＰ表面上に
形成される磁界の分布を制御し、プラズマ領域を移動制
御するようにしている。

〔発明か解決しようとする課題〕

しかしなから、第１３図に示すような上記従来の磁界発
生装置では、次のような問題点かある。

すなわち、すべての磁極体６２ａ〜６２ｃの後端を磁性
体でなる一枚のヨーク６２ｄに接続してなるコア６２に
励磁コイル６３ａ、　６３ｂを配置して一体化した電磁
石６１を備えた構成であるので、補助励磁コイル６３ｂ
に電流を流して中間磁極体６２ｂを磁化する場合、主励
磁コイル６３ａに流す電流により磁化させる中心磁極体
６２ａにも補助励磁コイル６３ｂに電流を流すことによ
る磁化の影響を及はす。したかって、各磁極体６２ａ〜
６２ｃにより形成される磁界をほぼ独立に制御すること
か難しく、補助励磁コイル６３ｂに流す電流値を変化さ
せても、ターゲット板裏面ての侵食か最も進行する位置
、つまりターゲット板表面上に形成される磁界の方向か
ターケラト板と平行になる位置を、広範囲に移動させる
ことは容易でない。特に、比透磁率μの高い（μ〉ＩＯ
）ターゲット板を用いたスパッタリングを行う場合には
、大きな起磁力を得るようにするため磁極体６２ａ〜６
２ｃの寸法を長くし励磁コイル６３ａ、　６３ｂの巻き
数を多くする必要かあって、上記した磁界の方向かター
ケラト板と平行になる位置を広範囲に移動させることか
いっそう困難となる。

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たものであって、ターゲット板表面上に形成される磁界
の方向かターゲット板と平行になる位置をターゲット板
に対し広範囲に移動できる、プレーナマグネトロン型ス
パッタリング装置用の磁界発生装置の提供を目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、この発明によるプレーナ
マグネトロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置は
、ターゲット板裏面の中心部にその磁極面を近接して位
置させた中心磁極体と、この中心磁極体の周囲にその磁
極面をターゲット板裏面に近接して位置させた環状の周
辺磁極体と、これらの磁極体の後端を接続する磁性体で
なるヨーク部とによりコアか形成され、このコアの前記
中心磁極体と前記周辺磁極体との間に励磁コイルか配置
された電磁石を備えたプレーナマグネトロン型スパッタ
リング装置用の磁界発生装置において、前記中心磁極体
と前記周辺磁極体との間に、略山型状断面を持つ環状の
コアの両溝部に励磁コイルか配置された補助磁界用電磁
石を、その各磁極面をターゲット板裏面に近接させて配
置し、この補助磁界用電磁石の励磁コイルに供給する電
流値を変化させる電流供給装置を有していることを特徴
としている。

〔作　用〕

この発明による磁界発生装置においては、主磁界用の電
磁石のコアを構成する中心磁極体と周辺磁極体との間に
、これらの両磁極体とは切り離されたコアによる磁気回
路を持つ補助磁界用電磁石か配置されているので、この
補助磁界用電磁石の励磁コイルに流す電流値を変化させ
ることにより、補助磁界用電磁石によって形成される磁
界のターゲット板に垂直な成分か効率良く容易に増減制
御され、ターゲット板表面上に主磁界用電磁石及び補助
磁界用電磁石によって合成して形成される磁界の方向か
ターゲット板と平行になる位置を、ターゲット板の半径
方向に広範囲に移動させることかできる。

〔実施例〕

以下、第１図から第１１図を参照しなから、実施例に基
づいてこの発明を説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示すプレーナマグネトロ
ン型スパッタリング装置用の磁界発生装置の断面構造図
である。

第１図において、）は円板形のターゲット板ＴＰの裏面
側に配置された主磁界用電磁石であって、主コア２と主
励磁コイル３からなっている。主コア２は、純鉄からな
っており、ターケラト板ＴＰ裏面の中心部に先端の磁極
面を近接して位置させた円柱状の中心磁極体２ａと、こ
の中心磁極体２ａの周囲に先端の磁極面をターゲット板
ＴＰ裏面に近接して位置させた環状の周辺磁極体２ｂと
、これらの後端を接続する円板状の主ヨーク２Ｃとから
形成されている。そして、中心磁極体２ａと周辺磁極体
２ｂとの間の溝部内の下部には、多数巻きした円環体状
の主励磁コイル３か配置されている。なお、この実施例
では、中心磁極体２ａと周辺磁極体２ｂとの後端を別に
製作した主ヨーク２Ｃによって例えば溶接接続し、主コ
ア２を形成するようにしたか、これらを一体のものとし
て主コア２を形成するようにしてもよい。

４は補助磁界用電磁石であって、前記の中心磁極体２ａ
と周辺磁極体２ｂとの間の溝部内の上部に配置されてお
り、略山型（路側Ｅ字型）状断面を持つ環状の補助コア
５とその補助励磁コイル６からなっている。補助コア５
は、純鉄からなっており、先端の各磁極面かターゲット
板ＴＰ裏面に近接され、上記主コア２の中心磁極体２ａ
を中心としてこれより順に同心円状に位置させた環状の
、内側磁極体５ｂと補助中心磁極体５ａ及び外側磁極体
５Ｃ１並びにこれらの後端を接続する円環板状の補助ヨ
ク５ｄとから形成されている。そして、内側磁極体５ｂ
と補助中心磁極体５ａとの間の溝部には多数巻きした円
環体状の内側励磁コイル６ａか配置され、補助中心磁極
体５ａと外側磁極体５ｃとの間の溝部には多数巻きした
円環体状の外側励磁コイル６ｂか配置されている。補助
励磁コイル６はこれらの励磁コイル６ａ、　６ｂからな
っている。７は主励磁コイル３に主励磁電流１１、補助
励磁コイル６に補助励磁電流Ｉ２を供給する電流供給装
置である。

ＴＢ３は円板形のターゲット裏板であり、両コア２．５
の各磁極面に対応する部分か純鉄で形成され、それらの
間の部分かステンレス鋼で形成されている。Ｓは主コア
２の周囲に設けられたアースシールド、Ｐは主コア２と
アース間に接続されたスパッタ電源である。

このように構成される磁界発生装置を使用し、ターゲッ
ト板ＴＰとして比透磁率μ＝１００て直径２００×厚さ
６ｍｍのものにおいて、主励磁コイル３に流す電流１１
を一定にし、補助励磁コイル６に流す電流Ｉ２を変化さ
せた場合の、ターケラト板ＴＰ表面上に形成される磁界
の方向かターゲット板ＴＰと平行になる半径方向の位置
と、その位置での磁界の強さとを測定した。なお、比較
のために、第１３図の従来装置による測定をも行った。

この場合、本実施例装置では、中心磁極体２ａは直径５
０×高さ１４０ｍｍ、周辺磁極体２ｂは内径１７０×外
径２００×高さ１４０ｍｍ、補助中心磁極体５ａは内径
Ｉ００×外径１２０×高さ６４ｍｍ、主ヨーク２Ｃは直
径２７２×厚さ１５ｍｍの寸法とし、さらに、主励磁コ
イル３の巻き数Ｎ１は３７４回、主励磁電流ｌ、の値は
３０Ａ、補助励磁コイル６の巻き数Ｎ２は１１７回（内
側コイル６ａ　：　６５回、外側フィル６ｂ　：　５２
回）、補助励磁電流１２の値は０〜３０Ａとした。一方
、第１３図の従来装置では、中心磁極体６２ａは直径３
０Ｘ高さ１４０ｍｍ、周辺磁極体６２ｃは内径１７０×
外径２００×高さ１４０ｍｍ、中間磁極体６２ｂは内径
９０Ｘ外径１１０×高さ１４０ｍｍ、ヨーク６２ｄは直
径２７２×厚さ１５ｍｍの寸法とし、主励磁コイル６３
ａの巻き数Ｎ１は２４０回、主励磁電流１１の値は２Ｏ
Ａ、補助励磁コイル６３ｂの巻き数Ｎ２は２００回、補
助励磁電流Ｉ２の値は０〜２０Ａとした。また、電流１
．、　　＋２は各磁極の極性か図に示す極性となるよう
な方向に流し、磁界の測定は検出器をターケラト板ＴＰ
表面より高さ２ｍｍでターケラト板ＴＰ中心から半径方
向に移動させながら行った。

その結果を第２図及び第３図に示す。第２図は、補助励
磁コイルによる起磁力（Ｎ２・［２）と、ターゲット板
ＴＰ表面上に形成された磁界の垂直成分Ｈｖかセロにな
るターゲット板中心点からの位置Ｐとの関係を示す図で
あり、第３図は、補助励磁コイルによる起磁力（Ｎ２・
１２）と、第２図の位置Ｐてのターゲット板ＴＰに平行
な磁界の強さＨｈとの関係を示す図である。

第２図から判るように、従来装置では、プラズマか集中
しスパッタリングによる侵食か最も進行する、磁界の垂
直成分Ｈｖかセロになる位置Ｐ、つまり、磁界の方向か
ターゲット板ＴＰと平行になる位置Ｐかあまり移動しな
い。これに対して、本実施例装置によれば、中心磁極体
２ａと周辺磁極体２ｂとの間に、これらの両磁極体２ａ
、　２ｂとは切り離された補助コア５を持つ補助磁界用
電磁石４を配置した構成としたので、ターゲット板ＴＰ
表面上に形成された磁界の方向かこれと平行になる位置
を大幅に移動させることか可能となった。

また、この場合、第３図から判るように、上記の位置Ｐ
てのターゲット板ＴＰに平行な磁界の強さＨｈは、従来
装置ではその値が大きく変化しているのに対して、本実
施例装置ではその変化か小さい。この平行な磁界の強さ
Ｈｈの変化は、放電インピーダンスの変化につながるた
め、できるだけ小さいことが望ましいものである。

次に、上記本実施例装置と従来装置とをそれぞれ適用し
たスパッタリング装置を使用して、ターゲット板での侵
食状況、基板での成膜速度分布、膜組成分布、および膜
組成の経時変化について測定した。この場合、ターゲッ
ト板ＴＰとしては比透磁率μが約１００で直径２００×
厚さ６ｍｍのＴｂＦｅＣｏ合金でなるものを使用し、雰
囲気ガスはＡｒガス、Ａｒガス圧（スパッタガス圧）は
ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ、スパッタ電力はｌ　ｋｗ　（Ｄ
Ｃ）とした。また、第４図に示すように、補助励磁電流
Ｉ２の値を周期的に変化させた（本実施例装置ではＯ〜
３０Ａ、従来装置では０〜２０Ａ）。

その結果を第６図から第９図に示す。

第６図はスパッタ積算投入電力１０１００ｋにおけるタ
ーゲット板表面ての侵食形状を示す図であって、その（
ａ＋図に従来装置での侵食形状を示し、その（ｂ）図に
本実施例装置での侵食形状を示す。本実施例装置によれ
ば、ターゲット板表面でのスパッタリングか均一化され
侵食か浅く広い範囲にわたって起こり、ターゲット板の
利用率を大幅に向上し得ることかわかる。

第７図は基板半径方向の位置と基板での成膜速度との関
係を示す図である。同図から、本実施例装置を用いるこ
とにより、スパッタリングされる領域か周期的に移動し
ターゲット板表面の広い領域から飛び出したスパッタ粒
子か成膜に寄与するため、基板上に均一な膜厚分布か得
られることがわかる。この膜厚分布均一化効果は、スパ
ッタガス圧か低い条件にて成膜するとき、つまり、ター
ゲット板からのスパッタ粒子の方向か雰囲気ガス分子と
の衝突によって失われない場合に特に顕著となる。

第８図は基板半径方向の位置と基板上に形成されたＴｂ
ＦｅＣｏ薄膜のＴｂ含有量との関係を示す図である。Ｔ
ｂＦｅＣｏのような多元合金ターゲット板を使用する場
合、スパッタリングによって各元素の飛び出す方向性に
差があって基板上に形成される薄膜の膜組成か不均一に
なることがあるか、本実施例装置によれば、基板上の同
一部分に堆積するスパッタ粒子の方向が変化するため、
均一な膜組成か得られていることかわかる。

さらに、第９図はスパッタ積算投入電力と基板上に形成
された薄膜のＴｂ含有量との関係を示す図である。一般
に、プレーナマグネトロン型スパッタリング装置では、
長時間スパッタリングを行うと、ターゲット板での侵食
の進行につれて基板上に形成される薄膜の膜組成かしだ
いに変化することかある。これは、ターゲット板の侵食
による凹み部での磁界か強くなりこの部分にプラズマが
集中すること、急峻な侵食面からがら飛び出すスパッタ
粒子の方向性か平坦な侵食面から飛び出す場合と異なる
ことか原因と考えられている。本実施例装置を用いるこ
とにより、急峻な侵食面が生しることを防ぐことかでき
、第９図に示すように、膜組成の経時変化をなくすこと
かできる。

次に、上記の本実施例装置を使用し、ターゲット板ＴＰ
として比透磁率μかμ＝１．５０．１００の３種類の異
なるものにおいて、主励磁コイル３に流す電流１１を一
定にし、補助励磁コイル６に流す電流］２を変化させた
場合の、ターゲット板ＴＰ表面上に形成される磁界の方
向かターゲット板ＴＰと平行になる半径方向の位置とそ
の位置での磁界の強さとを測定した。なお、この場合、
前述した第２図及び第３図についてのときと同じ条件で
行った。

したかって、比透磁率μ＝１００のターゲット板におけ
る結果は、第２図及び第３図に示すものと同しである。

その結果を第１０図及び第１１図に示す。第１０図は、
比透磁率μか異なる場合における、補助励磁コイルによ
る起磁力（Ｎ２・＋２）と、ターゲット板表面上に形成
された磁界の垂直成分Ｈｖかゼロになるターゲット板中
心点からの位置Ｐとの関係を示す図であり、第１１図は
、補助励磁コイルによる起磁力（Ｎ２・＋２）と、第１
Ｏ図の位置Ｐてのターゲット板ＴＰに平行な磁界の強さ
Ｈｈとの関係を示す図である。

第１０図から、ターゲット板の比透磁率μが低いほど、
ターゲット板表面の上に形成された磁界の方向がターゲ
ット板と平行になる位置Ｐを移動させやすいことかわか
る。また、第１１図から、比透磁率μか低い場合には、
上記の位置Ｐてのターゲット板に平行な磁界の強さＨｈ
は補助励磁コイル６による起磁力にほぼ比例して変化す
ることかわかる。

このことから、比透磁率μかμ＜＋０程度と低い場合に
は、補助励磁コイル６に流す補助励磁電流１２の値を、
例えば第５図（ａｌに示すように、単に周期的に変化さ
せたのではターゲット板の中心部側と外周部側とて侵食
速度に差か生しる。したかつて、これを防ぐため、第５
図（ｂｌに示すように、補助励磁電流１２の電流波形を
電流供給装置７によって非対称になるように制御し、プ
ラズマかターゲット板の中心部側に集中する時間をター
ゲット板の外周部側に集中する時間よりも短くなるよう
にすればよい。これにより、ターゲット板の比透磁率μ
が低い場合においても、ターゲット板ての侵食形状を、
ターゲット板の中心部側と外周部側とて不均一になるこ
となく、浅く広範囲にわたって均一なものとすることが
可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によるプレーナマグネト
ロン型スパッタリング装置用の磁界発生装置では、主磁
界用の電磁石のコアを構成する中心磁極体と周辺磁極体
との間に、これらの両磁極体とは切り離されたコアによ
る磁気回路を持つ補助磁界用電磁石か配置されているの
で、この補助磁界用電磁石の励磁コイルに流す電流値を
変化させることにより、補助磁界用電磁石によって形成
される磁界のターゲット板に垂直な成分を効率良く容易
に制御でき、スパッタリングすべきターゲット板表面の
上に主磁界用電磁石及び補助磁界用電磁石によって形成
される磁界の方向がターゲット板と平行になる位置を、
ターゲット板の半径方向に広範囲に移動し得る。

したかって、この発明による磁界発生装置をプレーナマ
グネトロン型スパッタリング装置に適用することにより
、高密度のプラズマ領域がターゲット板表面上を周期的
に広範囲に移動制御され、その表面でのスパッタリング
による侵食部か浅く広い範囲にわたって形成されること
になり、ターゲット板の利用率を大幅に向上し得るとと
もに、基板上に膜厚分布及びその組成が均一化された薄
膜か得られ、さらにスパッタリングの進行に伴うこれら
膜厚及び組成の経時変化をもたらすことかなくなり従来
に比較してより長時間のスパッタリングを行うことか可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１１図はこの発明に係る図であって、第１
図はこの発明の一実施例を示すプレーナマグネトロン型
スパッタリング装置用の磁界発生装置の断面構造図、第
２図は補助励磁コイルによる起磁力とターゲット板表面
上に形成された磁界の垂直成分Ｈｖかセロになるターゲ
ット板中心点からの位置Ｐとの関係を示す図、第３図は
補助励磁コイルによる起磁力と第２図の位置Ｐてのター
ゲット板に平行な磁界の強さＨｈとの関係を示す図、第
４図と第５図（ａ）及び第５図（ｂ）は補助励磁電流の
時間的変化を示す図、第６図はスパッタ積算投入電力１
００　ｋ　ｗ　ｈにおけるターゲット板表面での侵食形
状を示す図、第７図は基板半径方向の位置と基板での成
膜速度との関係を示す図、第８図は基板半径方向の位置
と形成されたＴｂＦｅＣｏ薄膜のＴｂ含有量との関係を
示す図、第９図はスパッタ積算投入電力と形成されたＴ
ｂＦｅＣｏ薄膜のＴｂ含有量との関係を示す、第１０図
は、比透磁率μか異なる場合における、補助励磁コイル
による起磁力とターゲット板表面上に形成された磁界の
垂直成分Ｈｖかゼロになるターゲット板中心点からの位
置Ｐとの関係を示す図であり、第１１図は補助励磁コイ
ルによる起磁力と第１０図の位置Ｐてのターゲット板に
平行な磁界の強さＨｈとの関係を示す図、第１２図及び
第１３図はプレーナマグネトロン型スパッタリング装置
用の従来の磁界発生装置の断面構造図である。 ｌ　主磁界用電磁石、２−主コア、 ２ａ−中心磁極体、２ｂ−周辺磁極体、２Ｃ−主ヨーク
、３−主励磁コイル、４−補助磁界用電磁石、５　補助
コア、５ｂ　　内側磁極体、 ５ａ　　補助中心磁極体、５Ｃ外側磁極体、６　補助励
磁コイル、６ａ−内側励磁コイル、６ｂ−外側励磁コイ
ル、７−電流供給装置、ＴＰ−ターゲット板、ＴＢ３−
ターゲット裏板、アースンールト、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　ターゲット板裏面の中心部にその磁極面を近接
   して位置させた中心磁極体と、この中心磁極体の周囲に
   その磁極面をターゲット板裏面に近接して位置させた環
   状の周辺磁極体と、これらの磁極体の後端を接続する磁
   性体でなるヨーク部とによりコアが形成され、このコア
   の前記中心磁極体と前記周辺磁極体との間に励磁コイル
   が配置された電磁石を備えたプレーナマグネトロン型ス
   パッタリング装置用の磁界発生装置において、 前記中心磁極体と前記周辺磁極体との間に、略山型状断
   面を持つ環状のコアの両溝部に励磁コイルが配置された
   補助磁界用電磁石を、その各磁極面をターゲット板裏面
   に近接させて配置し、この補助磁界用電磁石の励磁コイ
   ルに供給する電流値を変化させる電流供給装置を有して
   いることを特徴とするプレーナマグネトロン型スパッタ
   リング装置用の磁界発生装置。