JPS63243286A - 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 - Google Patents
回転磁場型マグネトロンエツチング装置Info
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- JPS63243286A JPS63243286A JP7612787A JP7612787A JPS63243286A JP S63243286 A JPS63243286 A JP S63243286A JP 7612787 A JP7612787 A JP 7612787A JP 7612787 A JP7612787 A JP 7612787A JP S63243286 A JPS63243286 A JP S63243286A
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、回転磁場型マグネトロンエツチング装置に関
するものである。
するものである。
[従来の技術]
従来、マグネトロンエツチング装置おける磁場形成法と
しては電磁コイル型と永久磁石型とが知られている。
しては電磁コイル型と永久磁石型とが知られている。
電磁コイル型のマグネトロンエツチング装置は原理的に
は添付図面の第6図に示すように構成されている。すな
わち、第6図に示すように対抗して配置された電極A、
Bの一方に高周波電源Cを接続し、これらの平行平板電
極間で高周波放電を発生させるようにし、上記平行平板
電$A、Bの左右両側に磁化方向の揃ったヘルムホルツ
コイルD、Eを対に配置し、これらコイルに交流電源F
から交流電流を流して基板G上に交番磁場を発生するよ
うに構成されている。
は添付図面の第6図に示すように構成されている。すな
わち、第6図に示すように対抗して配置された電極A、
Bの一方に高周波電源Cを接続し、これらの平行平板電
極間で高周波放電を発生させるようにし、上記平行平板
電$A、Bの左右両側に磁化方向の揃ったヘルムホルツ
コイルD、Eを対に配置し、これらコイルに交流電源F
から交流電流を流して基板G上に交番磁場を発生するよ
うに構成されている。
そして発生されれる交流磁場と高周波電場とは互いに直
交するので、エツチング電極Bの近傍に電子が閉じ込め
られ、密度の高いプラズマを形成することができる。す
なわち第7図において磁場は図面の面に垂直な手前また
は奥の方向に向って発生され、電場は電極間すなわち上
下の方向に振動する。これらの磁場と電場とを組み合わ
せた電磁場では、磁場の方向が1の場合には電子は右方
向ヘトリフト運動し、また磁場の方向が■の場合には左
方向へドリフト運動し、その結果この電子によって発生
されるグロー放電は電極上に均一な濃度で存在すること
ができる。
交するので、エツチング電極Bの近傍に電子が閉じ込め
られ、密度の高いプラズマを形成することができる。す
なわち第7図において磁場は図面の面に垂直な手前また
は奥の方向に向って発生され、電場は電極間すなわち上
下の方向に振動する。これらの磁場と電場とを組み合わ
せた電磁場では、磁場の方向が1の場合には電子は右方
向ヘトリフト運動し、また磁場の方向が■の場合には左
方向へドリフト運動し、その結果この電子によって発生
されるグロー放電は電極上に均一な濃度で存在すること
ができる。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、上述のような従来の電磁=1イル型のマグネ
トロンエツチング装置においては、交番磁場を用いるた
め磁場の強さに時間的に変化が生じ、プラズマを発生さ
せる放電電圧が大きく変化することになる0例えば交番
磁場の周波数を50Hzとし、高周波電源の周波数を1
3.56MHzとすると、放電電圧は第8図に示すよう
になる。この図から判るように、放電電圧は交番磁場強
度に強く依存し、磁場が0ガウスのところでは放電電圧
は最大となり、その結果、基板に衝突するイオンのエネ
ルギが最大となり、イオンダメージが問題となる。すな
わち、従来の装置ではプラズマを維持する放電電圧が大
きく変化するために、放電電圧の高い時にイオンダメー
ジが生じ得るという問題点がある。
トロンエツチング装置においては、交番磁場を用いるた
め磁場の強さに時間的に変化が生じ、プラズマを発生さ
せる放電電圧が大きく変化することになる0例えば交番
磁場の周波数を50Hzとし、高周波電源の周波数を1
3.56MHzとすると、放電電圧は第8図に示すよう
になる。この図から判るように、放電電圧は交番磁場強
度に強く依存し、磁場が0ガウスのところでは放電電圧
は最大となり、その結果、基板に衝突するイオンのエネ
ルギが最大となり、イオンダメージが問題となる。すな
わち、従来の装置ではプラズマを維持する放電電圧が大
きく変化するために、放電電圧の高い時にイオンダメー
ジが生じ得るという問題点がある。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するため、常に
比較的低い放電電圧でドライエツチングすることのでき
る回転磁場型マグネトロンエツチング装置を提供するこ
とを目的としている。
比較的低い放電電圧でドライエツチングすることのでき
る回転磁場型マグネトロンエツチング装置を提供するこ
とを目的としている。
[問題点を解決するための手段コ
上記の目的を達成するために、本発明による回転磁場型
マグネトロンエツチング装置は、真空容器内に、対向し
た二つの電極を設け、これらの電極の周囲に、上記電極
の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発生する複
数個の電磁コイル装置を設けたことを特徴としている。
マグネトロンエツチング装置は、真空容器内に、対向し
た二つの電極を設け、これらの電極の周囲に、上記電極
の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発生する複
数個の電磁コイル装置を設けたことを特徴としている。
電極の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発生す
る複数個の電磁コイル装置は、互いに直角に配置した二
対の電磁コイルから成ることができ、その場合、各対の
コイルには90°位相のずれた電流が流される。
る複数個の電磁コイル装置は、互いに直角に配置した二
対の電磁コイルから成ることができ、その場合、各対の
コイルには90°位相のずれた電流が流される。
また本発明の一つの形態では、電極の表面に対して平行
でしかも回転する磁場を発生する複数個の電磁コイル装
置の各々は、電極の周囲に配置された磁極部分とコイル
の巻かれる鉄心部分とを備えることができる。
でしかも回転する磁場を発生する複数個の電磁コイル装
置の各々は、電極の周囲に配置された磁極部分とコイル
の巻かれる鉄心部分とを備えることができる。
[作 用]
このように構成した本発明の装置の作用において、電極
の周囲に設けられた各電磁コイル装置は、隣接した電磁
コイル装置と互いに所定の位相角度の責なる電流で付勢
され、それにより電極表面上に磁場ベクトルはあたかも
回転ベクトルの動きを示し、電極表面上に安定した磁場
が形成され、放電電圧も安定ししかも比較的低く抑える
ことができる。さらに放電によマて形成されるプラズマ
は回転する磁場のため偏在化することがなく、均一で平
均化させることができる。
の周囲に設けられた各電磁コイル装置は、隣接した電磁
コイル装置と互いに所定の位相角度の責なる電流で付勢
され、それにより電極表面上に磁場ベクトルはあたかも
回転ベクトルの動きを示し、電極表面上に安定した磁場
が形成され、放電電圧も安定ししかも比較的低く抑える
ことができる。さらに放電によマて形成されるプラズマ
は回転する磁場のため偏在化することがなく、均一で平
均化させることができる。
[実 施 例]
以下、添付図面の第1図〜第5図を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
第1図および第2図には本発明の一実施例による回転磁
場型マグネトロンエツチング装πの要部の構成を概略的
に示し、1は円盤状のエツチング電極で、電極2に対向
して互いに平行に配置されている。エツチング電極1は
エツチング処理すべき基板3を支持し、そして高周波電
源4に接続されている。これらの電極1.2の周囲には
第2図に見られるように二対の電磁コイル5a、5bお
よび6a、6bが互いに直角に配置されている。各対の
電磁コイル5a、5bおよび6a、6bは例えば空芯ヘ
ルムホルツコイルから成り、それぞれ異なる交流電源5
C16Cに接続され、これらの交流電源5c、6cは互
いに90”位相のずれた電流をそれぞれ組み合さった対
の電磁コイルに供給して交番磁場B1、B2を発生させ
、これにより、一方の対の電磁コイル5a、5bにより
発生される磁場B1と他方の対の電磁コイル6a、6b
により発生される磁場B2との合成磁場BOの電極表面
上における磁場ベクトルは第2図に示すようにあたかも
回転ベクトルの動きを示すようになる。
場型マグネトロンエツチング装πの要部の構成を概略的
に示し、1は円盤状のエツチング電極で、電極2に対向
して互いに平行に配置されている。エツチング電極1は
エツチング処理すべき基板3を支持し、そして高周波電
源4に接続されている。これらの電極1.2の周囲には
第2図に見られるように二対の電磁コイル5a、5bお
よび6a、6bが互いに直角に配置されている。各対の
電磁コイル5a、5bおよび6a、6bは例えば空芯ヘ
ルムホルツコイルから成り、それぞれ異なる交流電源5
C16Cに接続され、これらの交流電源5c、6cは互
いに90”位相のずれた電流をそれぞれ組み合さった対
の電磁コイルに供給して交番磁場B1、B2を発生させ
、これにより、一方の対の電磁コイル5a、5bにより
発生される磁場B1と他方の対の電磁コイル6a、6b
により発生される磁場B2との合成磁場BOの電極表面
上における磁場ベクトルは第2図に示すようにあたかも
回転ベクトルの動きを示すようになる。
多対の電磁コイル5a、5bおよび6a、6bに対する
交流電源5C16Cからの交流電力[1、[2による電
極表面上における磁場強度の時間的変化は第3図に示す
ようになり、この図から判るように磁場強度の変化は小
さくほぼ一定したものとなり、その結果、プラズマを発
生させる放電電圧は安定したものとなり得る。
交流電源5C16Cからの交流電力[1、[2による電
極表面上における磁場強度の時間的変化は第3図に示す
ようになり、この図から判るように磁場強度の変化は小
さくほぼ一定したものとなり、その結果、プラズマを発
生させる放電電圧は安定したものとなり得る。
第4図および第5図には本発明の変形実施例を概略的に
示し、この場合には磁化電流を節約するため、十字型の
鉄製のヨーク6と各ヨーク先端部の磁極片21〜P4と
が設けられ、各磁極片P1〜P4はエツチング電極7の
周囲に位置決めされ、ギヤ・ンブ長を小さくするように
構成されている。各電磁コイル01〜C4は第5図に示
すように十字型の鉄製のヨーク6に巻かれており、直径
上相対する電磁コイルC1、C2およびC3、C4は第
1図および第2図に示す実施例の場合と同様に互いに9
0°位相のずれた電流を供給する異なる二つの交流電源
(図示してない)にそれぞれ接続される。なお、この場
合、磁場波形の歪み率を低くするために、鉄心材料とし
ては好ましくはけい素鋼板が使用され得る。
示し、この場合には磁化電流を節約するため、十字型の
鉄製のヨーク6と各ヨーク先端部の磁極片21〜P4と
が設けられ、各磁極片P1〜P4はエツチング電極7の
周囲に位置決めされ、ギヤ・ンブ長を小さくするように
構成されている。各電磁コイル01〜C4は第5図に示
すように十字型の鉄製のヨーク6に巻かれており、直径
上相対する電磁コイルC1、C2およびC3、C4は第
1図および第2図に示す実施例の場合と同様に互いに9
0°位相のずれた電流を供給する異なる二つの交流電源
(図示してない)にそれぞれ接続される。なお、この場
合、磁場波形の歪み率を低くするために、鉄心材料とし
ては好ましくはけい素鋼板が使用され得る。
ところで、図示実施例においては、回転磁場を形成する
のに四つの電磁コイルを用いた場合について説明してき
たが、当然各コイルに供給する交流電流の位相を適当に
選択することにより電磁コイルの数を三つまたは四つ以
上にして回転磁場を形成するようにすることもできる。
のに四つの電磁コイルを用いた場合について説明してき
たが、当然各コイルに供給する交流電流の位相を適当に
選択することにより電磁コイルの数を三つまたは四つ以
上にして回転磁場を形成するようにすることもできる。
また、基板の代わりにスパッタターゲットを電極上に配
置すれば、マグネトロンスパッタリングカソードとして
利用でき、ターゲットの使用効率を向上させることがで
きる。さらに、図示実施例において対向電極上に基板を
配置し、プラズマCVDとして転用することも可能であ
る。
置すれば、マグネトロンスパッタリングカソードとして
利用でき、ターゲットの使用効率を向上させることがで
きる。さらに、図示実施例において対向電極上に基板を
配置し、プラズマCVDとして転用することも可能であ
る。
[発明の効果コ
以上説明してきたように、本発明によれば、電極の周囲
に複数個の電磁コイル装置を設け、各隣接した電磁コイ
ル装置を位相のずれた交流電流で励磁させて、電極表面
上に回転する磁場を形成するように構成しているので、
放電電圧を比較的低く維持することができ、イオンダメ
ージの少ないエツチング処理が可能となり、また不均一
なプラズマを平均化することができ、均一性の高い工・
7チング処理を行うことができる。
に複数個の電磁コイル装置を設け、各隣接した電磁コイ
ル装置を位相のずれた交流電流で励磁させて、電極表面
上に回転する磁場を形成するように構成しているので、
放電電圧を比較的低く維持することができ、イオンダメ
ージの少ないエツチング処理が可能となり、また不均一
なプラズマを平均化することができ、均一性の高い工・
7チング処理を行うことができる。
第1図は本発明の一実施例による回転磁場型マグネトロ
ンエツチング装置の要部の概略正面図、第2図は第1図
の装置の一部分を省略した平面図、第3図は第1図およ
び第2図に示す装置による回転磁場の変化を示すグラフ
、第4図は本発明の変形実施例を概略的に示す斜視図、
第5図は第4図の装置における電磁コイル、鉄心および
磁極片の構造の概略図、第6図は従来の電磁コイル型の
マグネトロンエツチング装置を示す両路線図、第7図は
第6図の装置における電極上の電子の振舞いを示す拡大
説明図、第8図は第6図装置における磁場強度と放電電
圧との関係を示すグラフである。 図 中 1.2:電極 5a、5bニ一対の電磁コイル 6a、6bニ一対の電磁コイル 5C16C:交流電源 第2園 第3図 第4図 第5図
ンエツチング装置の要部の概略正面図、第2図は第1図
の装置の一部分を省略した平面図、第3図は第1図およ
び第2図に示す装置による回転磁場の変化を示すグラフ
、第4図は本発明の変形実施例を概略的に示す斜視図、
第5図は第4図の装置における電磁コイル、鉄心および
磁極片の構造の概略図、第6図は従来の電磁コイル型の
マグネトロンエツチング装置を示す両路線図、第7図は
第6図の装置における電極上の電子の振舞いを示す拡大
説明図、第8図は第6図装置における磁場強度と放電電
圧との関係を示すグラフである。 図 中 1.2:電極 5a、5bニ一対の電磁コイル 6a、6bニ一対の電磁コイル 5C16C:交流電源 第2園 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空容器内に、対向した二つの電極を設け、これら
の電極の周囲に、上記電極の表面に対して平行でしかも
回転する磁場を発生する複数個の電磁コイル装置を設け
たことを特徴とする回転磁場型マグネトロンエッチング
装置。 2、電極の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発
生する複数個の電磁コイル装置が、互いに直角に配置し
た二対の電磁コイルから成る特許請求の範囲第1項に記
載の回転磁場型マグネトロンエッチング装置。 3、電極の周囲に互いに直角に配置した二対の電磁コイ
ルの各対のコイルに90°位相のずれた電流を流すよう
にした特許請求の範囲第2項に記載の回転磁場型マグネ
トロンエッチング装置。 4、電極の表面に対して平行でしかも回転する電極の周
囲に配置された磁極部分とコイルの巻かれる鉄心部分と
を備えている特許請求の範囲第1項に記載の回転磁場型
マグネトロンエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62076127A JPH0830275B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62076127A JPH0830275B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63243286A true JPS63243286A (ja) | 1988-10-11 |
JPH0830275B2 JPH0830275B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=13596265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62076127A Expired - Fee Related JPH0830275B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0830275B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0574100A2 (en) * | 1992-04-16 | 1993-12-15 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Plasma CVD method and apparatus therefor |
US5308417A (en) * | 1991-09-12 | 1994-05-03 | Applied Materials, Inc. | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers |
US5534108A (en) * | 1993-05-28 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for altering magnetic coil current to produce etch uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
US5695597A (en) * | 1992-11-11 | 1997-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reaction apparatus |
US5880034A (en) * | 1997-04-29 | 1999-03-09 | Princeton University | Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5540761U (ja) * | 1978-09-11 | 1980-03-15 | ||
JPS6082661A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-10 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62076127A patent/JPH0830275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5540761U (ja) * | 1978-09-11 | 1980-03-15 | ||
JPS6082661A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-10 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5308417A (en) * | 1991-09-12 | 1994-05-03 | Applied Materials, Inc. | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers |
EP0574100A2 (en) * | 1992-04-16 | 1993-12-15 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Plasma CVD method and apparatus therefor |
US5423915A (en) * | 1992-04-16 | 1995-06-13 | Mitsubishi Jukogyo Kagushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus including rotating magnetic field generation means |
EP0574100A3 (en) * | 1992-04-16 | 1996-01-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plasma cvd method and apparatus therefor |
US5695597A (en) * | 1992-11-11 | 1997-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reaction apparatus |
US5534108A (en) * | 1993-05-28 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for altering magnetic coil current to produce etch uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
US5880034A (en) * | 1997-04-29 | 1999-03-09 | Princeton University | Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0830275B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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