JPS63243286A - 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 - Google Patents

回転磁場型マグネトロンエツチング装置

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JPS63243286A
JPS63243286A JP7612787A JP7612787A JPS63243286A JP S63243286 A JPS63243286 A JP S63243286A JP 7612787 A JP7612787 A JP 7612787A JP 7612787 A JP7612787 A JP 7612787A JP S63243286 A JPS63243286 A JP S63243286A
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magnetic field
electrodes
rotating magnetic
electromagnetic coils
electrode
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Masashi Kikuchi
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、回転磁場型マグネトロンエツチング装置に関
するものである。
[従来の技術] 従来、マグネトロンエツチング装置おける磁場形成法と
しては電磁コイル型と永久磁石型とが知られている。
電磁コイル型のマグネトロンエツチング装置は原理的に
は添付図面の第6図に示すように構成されている。すな
わち、第6図に示すように対抗して配置された電極A、
Bの一方に高周波電源Cを接続し、これらの平行平板電
極間で高周波放電を発生させるようにし、上記平行平板
電$A、Bの左右両側に磁化方向の揃ったヘルムホルツ
コイルD、Eを対に配置し、これらコイルに交流電源F
から交流電流を流して基板G上に交番磁場を発生するよ
うに構成されている。
そして発生されれる交流磁場と高周波電場とは互いに直
交するので、エツチング電極Bの近傍に電子が閉じ込め
られ、密度の高いプラズマを形成することができる。す
なわち第7図において磁場は図面の面に垂直な手前また
は奥の方向に向って発生され、電場は電極間すなわち上
下の方向に振動する。これらの磁場と電場とを組み合わ
せた電磁場では、磁場の方向が1の場合には電子は右方
向ヘトリフト運動し、また磁場の方向が■の場合には左
方向へドリフト運動し、その結果この電子によって発生
されるグロー放電は電極上に均一な濃度で存在すること
ができる。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、上述のような従来の電磁=1イル型のマグネ
トロンエツチング装置においては、交番磁場を用いるた
め磁場の強さに時間的に変化が生じ、プラズマを発生さ
せる放電電圧が大きく変化することになる0例えば交番
磁場の周波数を50Hzとし、高周波電源の周波数を1
3.56MHzとすると、放電電圧は第8図に示すよう
になる。この図から判るように、放電電圧は交番磁場強
度に強く依存し、磁場が0ガウスのところでは放電電圧
は最大となり、その結果、基板に衝突するイオンのエネ
ルギが最大となり、イオンダメージが問題となる。すな
わち、従来の装置ではプラズマを維持する放電電圧が大
きく変化するために、放電電圧の高い時にイオンダメー
ジが生じ得るという問題点がある。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するため、常に
比較的低い放電電圧でドライエツチングすることのでき
る回転磁場型マグネトロンエツチング装置を提供するこ
とを目的としている。
[問題点を解決するための手段コ 上記の目的を達成するために、本発明による回転磁場型
マグネトロンエツチング装置は、真空容器内に、対向し
た二つの電極を設け、これらの電極の周囲に、上記電極
の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発生する複
数個の電磁コイル装置を設けたことを特徴としている。
電極の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発生す
る複数個の電磁コイル装置は、互いに直角に配置した二
対の電磁コイルから成ることができ、その場合、各対の
コイルには90°位相のずれた電流が流される。
また本発明の一つの形態では、電極の表面に対して平行
でしかも回転する磁場を発生する複数個の電磁コイル装
置の各々は、電極の周囲に配置された磁極部分とコイル
の巻かれる鉄心部分とを備えることができる。
[作     用] このように構成した本発明の装置の作用において、電極
の周囲に設けられた各電磁コイル装置は、隣接した電磁
コイル装置と互いに所定の位相角度の責なる電流で付勢
され、それにより電極表面上に磁場ベクトルはあたかも
回転ベクトルの動きを示し、電極表面上に安定した磁場
が形成され、放電電圧も安定ししかも比較的低く抑える
ことができる。さらに放電によマて形成されるプラズマ
は回転する磁場のため偏在化することがなく、均一で平
均化させることができる。
[実  施  例] 以下、添付図面の第1図〜第5図を参照して本発明の実
施例について説明する。
第1図および第2図には本発明の一実施例による回転磁
場型マグネトロンエツチング装πの要部の構成を概略的
に示し、1は円盤状のエツチング電極で、電極2に対向
して互いに平行に配置されている。エツチング電極1は
エツチング処理すべき基板3を支持し、そして高周波電
源4に接続されている。これらの電極1.2の周囲には
第2図に見られるように二対の電磁コイル5a、5bお
よび6a、6bが互いに直角に配置されている。各対の
電磁コイル5a、5bおよび6a、6bは例えば空芯ヘ
ルムホルツコイルから成り、それぞれ異なる交流電源5
C16Cに接続され、これらの交流電源5c、6cは互
いに90”位相のずれた電流をそれぞれ組み合さった対
の電磁コイルに供給して交番磁場B1、B2を発生させ
、これにより、一方の対の電磁コイル5a、5bにより
発生される磁場B1と他方の対の電磁コイル6a、6b
により発生される磁場B2との合成磁場BOの電極表面
上における磁場ベクトルは第2図に示すようにあたかも
回転ベクトルの動きを示すようになる。
多対の電磁コイル5a、5bおよび6a、6bに対する
交流電源5C16Cからの交流電力[1、[2による電
極表面上における磁場強度の時間的変化は第3図に示す
ようになり、この図から判るように磁場強度の変化は小
さくほぼ一定したものとなり、その結果、プラズマを発
生させる放電電圧は安定したものとなり得る。
第4図および第5図には本発明の変形実施例を概略的に
示し、この場合には磁化電流を節約するため、十字型の
鉄製のヨーク6と各ヨーク先端部の磁極片21〜P4と
が設けられ、各磁極片P1〜P4はエツチング電極7の
周囲に位置決めされ、ギヤ・ンブ長を小さくするように
構成されている。各電磁コイル01〜C4は第5図に示
すように十字型の鉄製のヨーク6に巻かれており、直径
上相対する電磁コイルC1、C2およびC3、C4は第
1図および第2図に示す実施例の場合と同様に互いに9
0°位相のずれた電流を供給する異なる二つの交流電源
(図示してない)にそれぞれ接続される。なお、この場
合、磁場波形の歪み率を低くするために、鉄心材料とし
ては好ましくはけい素鋼板が使用され得る。
ところで、図示実施例においては、回転磁場を形成する
のに四つの電磁コイルを用いた場合について説明してき
たが、当然各コイルに供給する交流電流の位相を適当に
選択することにより電磁コイルの数を三つまたは四つ以
上にして回転磁場を形成するようにすることもできる。
また、基板の代わりにスパッタターゲットを電極上に配
置すれば、マグネトロンスパッタリングカソードとして
利用でき、ターゲットの使用効率を向上させることがで
きる。さらに、図示実施例において対向電極上に基板を
配置し、プラズマCVDとして転用することも可能であ
る。
[発明の効果コ 以上説明してきたように、本発明によれば、電極の周囲
に複数個の電磁コイル装置を設け、各隣接した電磁コイ
ル装置を位相のずれた交流電流で励磁させて、電極表面
上に回転する磁場を形成するように構成しているので、
放電電圧を比較的低く維持することができ、イオンダメ
ージの少ないエツチング処理が可能となり、また不均一
なプラズマを平均化することができ、均一性の高い工・
7チング処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による回転磁場型マグネトロ
ンエツチング装置の要部の概略正面図、第2図は第1図
の装置の一部分を省略した平面図、第3図は第1図およ
び第2図に示す装置による回転磁場の変化を示すグラフ
、第4図は本発明の変形実施例を概略的に示す斜視図、
第5図は第4図の装置における電磁コイル、鉄心および
磁極片の構造の概略図、第6図は従来の電磁コイル型の
マグネトロンエツチング装置を示す両路線図、第7図は
第6図の装置における電極上の電子の振舞いを示す拡大
説明図、第8図は第6図装置における磁場強度と放電電
圧との関係を示すグラフである。 図   中 1.2:電極 5a、5bニ一対の電磁コイル 6a、6bニ一対の電磁コイル 5C16C:交流電源 第2園 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空容器内に、対向した二つの電極を設け、これら
    の電極の周囲に、上記電極の表面に対して平行でしかも
    回転する磁場を発生する複数個の電磁コイル装置を設け
    たことを特徴とする回転磁場型マグネトロンエッチング
    装置。 2、電極の表面に対して平行でしかも回転する磁場を発
    生する複数個の電磁コイル装置が、互いに直角に配置し
    た二対の電磁コイルから成る特許請求の範囲第1項に記
    載の回転磁場型マグネトロンエッチング装置。 3、電極の周囲に互いに直角に配置した二対の電磁コイ
    ルの各対のコイルに90°位相のずれた電流を流すよう
    にした特許請求の範囲第2項に記載の回転磁場型マグネ
    トロンエッチング装置。 4、電極の表面に対して平行でしかも回転する電極の周
    囲に配置された磁極部分とコイルの巻かれる鉄心部分と
    を備えている特許請求の範囲第1項に記載の回転磁場型
    マグネトロンエッチング装置。
JP62076127A 1987-03-31 1987-03-31 回転磁場型マグネトロンエツチング装置 Expired - Fee Related JPH0830275B2 (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0574100A2 (en) * 1992-04-16 1993-12-15 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Plasma CVD method and apparatus therefor
US5308417A (en) * 1991-09-12 1994-05-03 Applied Materials, Inc. Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers
US5534108A (en) * 1993-05-28 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for altering magnetic coil current to produce etch uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US5695597A (en) * 1992-11-11 1997-12-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma reaction apparatus
US5880034A (en) * 1997-04-29 1999-03-09 Princeton University Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5540761U (ja) * 1978-09-11 1980-03-15
JPS6082661A (ja) * 1983-10-11 1985-05-10 Hitachi Ltd 薄膜形成装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5540761U (ja) * 1978-09-11 1980-03-15
JPS6082661A (ja) * 1983-10-11 1985-05-10 Hitachi Ltd 薄膜形成装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308417A (en) * 1991-09-12 1994-05-03 Applied Materials, Inc. Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers
EP0574100A2 (en) * 1992-04-16 1993-12-15 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Plasma CVD method and apparatus therefor
US5423915A (en) * 1992-04-16 1995-06-13 Mitsubishi Jukogyo Kagushiki Kaisha Plasma CVD apparatus including rotating magnetic field generation means
EP0574100A3 (en) * 1992-04-16 1996-01-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Plasma cvd method and apparatus therefor
US5695597A (en) * 1992-11-11 1997-12-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma reaction apparatus
US5534108A (en) * 1993-05-28 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for altering magnetic coil current to produce etch uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US5880034A (en) * 1997-04-29 1999-03-09 Princeton University Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching

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