NL8500310A

NL8500310A - Kruisvelddiode spettertrefplaatsamenstel en werkwijze.

Info

Publication number: NL8500310A
Application number: NL8500310A
Authority: NL
Original assignee: Fournier Paul R
Priority date: 1984-02-06
Filing date: 1985-02-05
Publication date: 1985-09-02
Also published as: DE3503693A1; JPS60194072A; US4486287A; GB2153853B; GB8502920D0; GB2153853A

Description

Kprte aanduiding: Kruisvelddiode spettertrefplaatsamenstel en werkwijze.

P & c

, LN 6264-1 Ned.M/EvF

De uitvinding heeft betrekking op een trefplaatsamenstel geschikt voor gebruik bij diodespettersystemen, en meer in het bijzonder op een verbeterd door spetteren daaruit geselecteerd materiaal volgens een beheerst erosiepatroon.

5 Triodespetterapparaten, middelen en systemen zijn algemeen bekend in de stand der techniek. Diodespetterapparaten, middelen en systemen zijn eveneens algemeen bekend in de stand der techniek. De triodespetter-apparaten maken gebruik van separate anoden en kathoden voor het produceren van een bron van elektronen gebruikt bij de vorming van het.

10 plasma en het opwekken van de gespetterde ionen uit het trefplaatmateriaal. Een beschrijving van de bekende spetterapparaten, middelen en systemen eh werkwijzen daarvan, waaronder het gebruik van magnetisch verbeterde triodetrefplaatsamenstellen, wordt geopenbaard in het Amerikaanse octrooi-schrift nr. 4.155.825 en het Amerikaanse octrooischrift 4.404.077.

15 Het gebruik van een magnetisch verbeterde diodespetterinrichting, omvattende magnetische middelen voor het tot stand brengen van een magnetisch veld, waarvan de krachtlijnen zich uitstrekken over en lopen door het spetteroppervlak van esn trefplaatsamenstel, wordt geopenbaard in het Amerikaanse octrooischrift 4.265.729. Bij dergelijke magnetisch 20 verbeterde diodespetterinrichtingen brengt het magnetische middel een gesloten lusconfiguratie tot stand van de krachtlijnen over het trefplaat-oppervlak, waarbij de gesloten lusconfiguratie van de krachtlijnen ten minste enige niet-lineaire gedeelten bezit. Separate flexibele magnetische middelen kunnen worden gebruikt om de gelijkmatigheid van het magnetische 25 veld over de niet-lineaire gedeelten te verbeteren teneinde de vorm van de gesloten lusconfiguratie van de door het trefplaatoppervlak gaande krachtlijnen te beheersen.

De bekende inrichtingen, die gebruik maken van het magnetische veld voor het verbeteren van het spetteren van een trefplaat, worden 30 geïllustreerd in fig. 1, aangeduid met "stand der techniek". Bij dergelijke inrichtingen wordt het trefplaatmateriaal 20 geërodeerd op een zodanige wijze dat een conisch oppervlak 22 voorzien van een V-vormige doorsnede 24, wordt geproduceerd door de gesloten lusconfiguratie of boogvormige corifiguratie van de krachtlijnen, die ontspringen aan magneten 28 en 30.

35 Het resultaat van de bekende inrichtingen is het eroderen van het tref-BADjjÖBKBltöA&riaal volgens een tot een conische vorm leidende methode, die tot gevolg heeft, dat een aanzienlijk gedeelte van het trefplaatmateriaal O K η Λ 7 Λ Λ - 2 - 20 ongespetterd blijft. Dit verschijnsel is het gevolg van het feit, dat - om het spetteren te doen plaatsvinden - het elektrische veld E het magnetische veld B onder nagenoeg 90° moet kruisen ter vorming van een BxE veld. Naarmate het conisch gevormde oppervlak 22 van het 5 trefplaatmateriaal erodeert volgens een conische vorm, vormt zich een "loopgraaf" in het trefplaatoppervlak, hetgeen tot gevolg heeft dat een gedeelte van het trefplaatmateriaal niet wordt gebruikt. Door het gebruik vein bewegende magneten onder het trefplaatoppervlak kunnen " loopgraaf-effecten" worden verminderd.

10 De betrekking die nodig is voor het tot stand brengen van spettercondities wordt uitvoerig uiteengezet in de hierboven genoemde Amerikaanse octrooischriften nrs. 4.145.825 en 4.404.077, en behoeven dus niet meer uitvoerig te worden weergegeven.

De verbeterde kruisvelddiode spetterwerkwijze en -trefplaat-15 samenstel volgens de uitvinding resulteert in een unieke en verbeterde diodespetterwerkwijze en trefplaatsamenstel, die het rendement vergroten \an de hoeveelheid materiaal, die kan worden gespetterd uit een ionen-trefplaat in een diodespetterinrichting.

Het verbeterde kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens 20 de uitvinding omvat een ionentrefplaat, die een voorafbepaald oppervlak bezit gevormd uit een geselecteerd materiaal, dat dient te worden gespetterd. De ionentrefplaat wordt gevormd tot een vooraf bepaald gesloten patroon met daarin een centrale opening en waarbij het geselecteerde oppervlak ervan op zekere afstand van elkaar opgestelde randen.bezit. 25 Het geselecteerde oppervlak wordt gevormd uit een materiaal, dat in staat is op beheerste wijze te worden geërodeerd in een spettertechniek-proces. Middelen, die dicht bij elk der van elkaar verwijderde randen vain het geselecteerde oppervlak zijn opgesteld, zijn aangebracht voor het definiëren van wanden.

30 De wanden strekken zich in hoofdzaak loodrecht uit van en voorbij elk van de op afstand gelegen randen van een geselecteerd oppervlak van de ionentrefplaat. Van een magnetisch middel zijn de polen tegenover elkaar geplaatst en deze sluiten de middelen in voor het definiëren van de wanden en de ionentrefplaat. De magnetische middelen 35 produceren een lineair magnetisch veld (B) dat gericht is door de

wanden, over het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat en door BAD ORIÓINAL

de ionentrefplaat Het magnetische middel bezit een lineair magnetisch veld van voldoende sterkte voor het invangen van plasma tussen de - 3 - ^.i^/anden en over het geselecteerde oppervlak. Het geselecteerde oppervlak is geschikt om een elektrisch veld (E) daarover aan te leggen in een richting die in wezen loodrecht staat op het magnetische veld .(B) voor het ontwikkelen van een BxE veld en voor het invangen van secundaire 5 elektronen aan het geselecteerde oppervlak teneinde het erosiepatroon ervan te besturen.

De verbeterde kruisvelddiodespettérwerkwijze volgens de uitvinding bestuurt het erosiepatroon van een spettertrefplaatsamenstel. Volgens de werkwijze wordt een elektrisch veld (E)^ aangelegd in een 10 eerste richting over een vooraf bepaald oppervlak van een ionentref-.plaat, gevormd tot een vooraf bepaald gesloten luspatroon met daarin een centrale opening en voorzien van een geselecteerd materiaal waaronder op afstand gelegen randen. De op afstand gelegen randen van het geselecteerde oppervlak van het ionentrefplaatmateriaal zijn omsloten 15 met wanden. Een lineair magnetisch veld (B) wordt aangelegd in een tweede richting, die nagenoeg loodrecht staat op de eerste richting, via de wanden, over het geselecteerde oppervlak en door de trefplaat.

Het lineair magnetische veld (B) is van voldoende sterkte voor het invangen.van plasma en secundaire elektronen tussen de wanden en over 20 het geselecteerde oppervlak voor het ontwikkelen van een BxE veld aan het geselecteerde oppervlak voor het besturen van het erosiepatroon ervan.

De uitvinding zal hieronder aan de hand vein een in de figuren der bijgaande tekeningen weergegeven uitvoeringsvoorbeeld nader worden 25 toegelicht.

Fig. 1 geeft een schets van het erosiepatroon van een bekend magnetisch verbeterd diodespettertrefplaatsamenstel; fig. 2 toont schematisch een voorstelling van het verbeterde kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel, waarbij gebruik gemaakt wordt 30 van de inzichten van de onderhavige uitvinding; fig. 3 geeft een doorsnede vein een kruisvelddiodespetter-trefplaatsamenstel in een diodespettersysteem; fig. 4 toont een bovenaanzicht van een kruisvelddiode-spettertrefplaatsamenstel in ovale vorm; 35 fig. 5 stelt een schematische doorsnede voor van het kruis- velddiodespettersamenstel genomen over de doorsneelijnen 5-5 van BAD QBJGItJfUn fig. 6 toont een schematische voorstelling van een aantal 8500310 - 4 - ! erosieconfiguraties van een geselecteerd oppervlak van een ionentrefplaat-samenstel, waarbij de wanden gevormd zijn uit trefplaatmateriaal.

Zoals hierboven aangegeven is fig. 1 een voorstelling van het magnetisch verbeterde spettertrefplaatsamenstel volgens de stand der 5 techniek, onder welke voorstelling magneten 28 geplaatst zijn. De boogvormige krachtlijnen 20 en 26 zijn gevormd in een gesloten lus-configuratie, welke resulteert in ieen verscheuring van de vereiste BxE veldbetrekking, welke BxE veldbetrekking vereist is om het plaatsvinden van het spetteren mogelijk te maken. Het oppervlak 22 van de tref-10 plaat erodeert tot een V-vormige loopgraaf, weergegeven door de lijn 24.

Pig. 2 toont een schematische configuratie van een verbeterd kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel, waarin de inzichten van de onderhavige uitvinding worden toegepast. Zoals weergegeven in fig. 2 omvat het kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel een ionentrefplaat 15 46 met een vooraf bepaald oppervlak 50 gevormd tot een bepaalde gesloten lusvorm met een uitgeholde centrale zone zoals een rechthoekige of ovale vorm. De ionentrefplaat 46 bezit een geselecteerd oppervlak met op afstand van elkaar gelegen randen. Het ionentrefplaatoppervlak 50 is gevormd uit een materiaal, dat geschikt is öm op beheerste wijze 20 te worden geërodeerd in een spetterproces. In de in fig. 2 weergegeven uitvoeringsvorm wordt het ionentrefplaatmateriaal volledig gevormd uit het door spetteren op te brengen geselecteerde materiaal, waarbij de zijwanden 40 gevormd worden uit een ander materiaal, dat de trefplaat op haar plaats vastklemt. Het is echter de bedoeling dat de ionentref-25 plaat 46 zou kunnen worden gevormd uit één materiaal aan het bovengedeelte ervan, waarbij de bovenzijde van het geselecteerde oppervlak 50 gevormd wordt uit een ander ionentrefplaatmateriaal. Ook zouden de wanden kunnen grenzen aan de trefplaat maar van elkaar verwijderd om de wanden in staat te stellen elektrisch te zweven. Het is van belang dat het ionen-30 trefplaatmateriaal voldoende diepte en breedte bezit om een totaal oppervlak te presenteren, dat op beheerste wijze kan worden geërodeerd in een spetterproces.

In de uitvoeringsvorm van fig. 2 worden middelen, die aangrenzend geplaatst zijn tegen elk van de op enige afstand van elkaar gelegen 35 randen van het geselecteerde oppervlak 50 van de ionentrefplaat 46, B/të^öHlèfNX'L017 ket definiëren van een paar wanden 40. De wanden 40 zijn in kontakt met en strekken zich in hoofdzaak loodrecht uit van en voorbij elk van de op afstand gelegen randen van het geselecteerde ^ Λ Λ Λ ém - 5 - oppervlak 50 van de ionentrefplaat 46.

Een huis, zoals huis 42, kan worden geplaatst ten opzichte van de wanden 40 ter verschaffing vein een specifieke holte, waarin het plasma zich zal bevinden. Voor het diodespetteren kan het huis 5 zelf watergekoeld worden en gebruikt worden als anode.

Een magnetisch middel voorzien van polen, zoals een noordpool en zuidpool,geïllustreerd door een eerste magnetisch poolstuk 52 en een tweede magnetisch poolstuk 54, zijn tegenover elkaar opgesteld en omsluiten de wanden 40 en de ionentrefplaat 46. De polen 52 en 54 10 van het magnetische middel produceren een lineair magnetisch veld (B) , dat zich uitstrekt van de magnetische polen door de wanden 40 over het geselecteerde oppervlak 50 en door de ionentrefplaat 46. Op deze wijze vervult het lineaire magnetische veld (B) twee functies: t.w.

(1) het werkt als een deksel voor het invangen van plasma tussen de 15 wanden 40, die de zijwanden definiëren van een holte en een geselecteerd oppervlak 50, dat het bodemgedeelte van de holte definieert; en (2) het dirigeert een magnetische flux door het trefplaatsamenstel en over het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat, die 20 secundaire elektroden invangt.

Het lineaire magnetische veld is van voldoende sterkte om het invangen van plasma te waarborgen tussen de wanden en over het geselecteerde oppervlak 50. Bij spettersystemen is het E-veld, geïllustreerd door de pijl E, weergegeven in fig. 2, geschikt om te worden aangelegd over 25 het geselecteerde oppervlak in een richting in hoofdzaak loodrecht op het magnetische veld (B) , dat met de pijl B in figuur 2 is weergegeven, teneinde een BxE veld te ontwikkelen bij het geselecteerde oppervlak 50.

De richting van de snelheid, waarin elektroden zullen worden versneld door het BxE veld, wordt weergegeven door vector V , welke vector naar 30 buiten de tekening gericht is.

Desgewenst kan een magnetisch koppelelement 56 worden toegepast om de noordpool van de eerste magnetische pool 52 te koppelen met de zuidpool van het magnetische element 54 ter verschaffing van een gesloten fluxbaan voor het magnetische veld. Ook is het mogelijk de dichtheid 35 van het magnetische veld te beheersen door wikkelingen 58 te gebruiken, die gevormd zijn rondom elk der poolstukken 52 en 54. De windingen 58 oAfGMtZaam met een stuurmiddel 64 voor een variabel magnetisch veld. Het stuurmiddel 64 voor het variabele magnetische veld kan de 8500310 - 6 - dichtheid van het lineaire magnetische veld (B) variëren om te verzekeren dat het is op een voldoende sterkte voor het invangen van plasma en secundaire elektrorien en voor het handhaven van de BxE betrekking langs het gehele geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat.

5 Zoals eveneeris is weergegeven in fig. 2 kan het kruisveld- diodespettertrefplaatsamenstel worden toegepast in een diodetrefplaat-inrichting. In een alternatieve inrichting kan het kruisvelddiode-spettertrefplaatsamenstel een anode toepassen in de vorm van een geleider 38, die geplaatst is op zekere afstand van de middelen, die de wanden 10 40 definiëren. De anode is werkzaam verbonden met de ionentrefplaat 46, die het geselecteerde oppervlak vormt in een kathode voor het produceren van elektronen tussen de anode 38 en de trefplaat 46, waardoor het diodespetteren van het oppervlak van de ionentrefplaat volgens een beheerst erosiepatroon wordt mogelijk gemaakt. Deze inrichting stelt 15 een diodespetterinrichting in staat magnetisch materiaal op beheerste wijze te spetteren.

Het erosiepatroon van het geselecteerde oppervlak van het ionentrefplaatmateriaal kan op specifieke en selectieve wijze beheerst worden teneinde 'zowel de erosiesnelheid als de vorm van het erosiepatroon 20 zo groot mogelijk te maken zodanig dat de vereiste BxE veldrelatie wordt gehandhaafd over een aanzienlijk gedeelte van het trefplaatoppervlak, hetgeen resulteert in een uiterst efficient spetteren van het trefplaat-materiaal.

De magnetische elementen 52, 54 kunnen zodanig ten opzichte 25 van de wanden en de ionentrefplaat worden geplaatst dat niet alleen een lineair magnetisch veld gevormd wordt door de wanden en over het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat, maar ook zodanig dat de ionentrefplaat niet een behoorlijk gedeelte van het magnetische veld zal concentreren of afbuigen, dat zich bevindt uitwendig van het trefplaat-30 materiaal teneinde de dichtheid van het magnetische veld aanzienlijk te reduceren. Het lineaire magnetische veld kan een tweeledige functie vervullen, t.w.

(1) als een kap of deksel voor het plasma, dat gevormd is langs het geselecteerde oppervlak van het ionentrefplaatmateriaal en wordt 35 vastgehouden tussen de wanden; en B^&}0fA5l^ilmiddel voor ket tot stand brengen van een voldoend sterk magnetisch veld om de BxE veldrelatie te handhaven en de secundaire elektronen in te vangen langs een behoorlijk gedeelte van het geselec-_ — o A “f A Λ - 7 - teerde oppervlak teneinde een gelijkmatige erosie ervan te waarborgen.

Het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat kan gevormd worden uit een magnetisch materiaal of niet-magnetisch materiaal. De wanden kunnen worden gevormd uit elektrisch isolerend materiaal, een 5 materiaal dat de trefplaat kan vastklemmen of kan integraal zijn met en gevormd uit het trefplaatmateriaal.

Pig. 3 geeft een doorsnede van een voorkeursuitvoeringsvorm van een spetterinrichting die gebruik maakt van de inzichten volgens de uitvinding. Zoals geïllustreerd in fig. 3 omvat het huis een boven-10 zijde 110, een zijlichaam 112 en een bodemlichaam 114. Het trefplaat-samenstel, dat in het algemeen als 124 geïllustreerd wordt, omvat wanden 120, die gevormd worden uit een materiaal, dat anders is dan het trefplaatmateriaal. De ionentrefplaat 124 bezit een geselecteerd oppervlak 126, dat gevormd is aan het bovenoppervlak ervan en dat geschikt is 15 om een vervangbaar gespetterd materiaalsegment te zijn. Tijdens de beheerste erosie van de trefplaat 126 is het in het trefplaatoppervlak 130 gevormde patroon soortgelijk aan dat geïllustreerd door de lijn 48 in fig. 2.

In de in fig. 3 geïllustreerde uitvoeringsvorm is de spetter r· 20 inrichting geschikt om op efficiënte wijze het geselecteerde oppervlak 130 vain het ionentrefplaatmateriaal 126 te eroderen, waarbij een zodanig gedeelte van de ionentrefplaat 124 gevormd wordt, dat een behoorlijk gedeelte van het ionentref plaatmateriaal in feite kan worden gespetterd, hetgeen resulteert in een uiterst efficiënte verwijdering 25 van het trefplaatmateriaal in een diodespettersysteem.

De uitvoeringsvorm van fig. 3, die kan worden toegepast in een diodespetterinrichting zoals hierboven beschreven, gebruikt een lineair magnetisch veld voor het invangen van plasma en secundaire elektronen, die op hun beurt de diodespetterinrichting in staat stelt op efficiënte 30 wijze magnetisch materiaal te spetteren.

In de alternatieve uitvoeringsvorm kan de magnetische trefplaat 126 in fig. 3 gevormd worden uit een aantal magnetische materialen, bijvoorbeeld een nikkel-ferrolegering, in een vooraf bepaalde verhouding zodanig dat een magnetisch materiaal met variabele magnetische eigen-35 schappen op beheerste wijze kan worden gespetterd onder gebruikmaking van de inzichten volgens de uitvinding.

BAD ORIGINALF^g# 4 en 5 illustreren een alternatieve inrichting, waarbij het ionentrefplaatsamenstel magnetische lichamen bezit alsmede een geselecteerd oppervlak van de ionentrefplaat, die alle qua vorm een - 8 - doorsnede zijn en welke een ovaalvormig, diodekruisveldspettertrefplaat- s.amenstel vormen. In het bijzonder is het ionentrefplaatoppervlak 154 geplaatst tussen magnetische poolstukken 150 en 152 met daartussenf aangebracht de wanden 156 en 160. In deze uitvoeringsvorm zijn de 5 wanden elektrisch zwevende wanden. Zoals geïllustreerd in fig. 5 leggen de magnetische elementen 150 en 152 het lineaire magnetische veld aan door de wanden 156 en 160 om de tweedelige functie te verschaffen van het invangen van plasma en secundaire elektronen èn het handhaven van de BxE veldrelatie. Zoals geïllustreerd in fig. 5 kan de geometrische 10 dimensie van de magnetische elementen 150 kleiner zijn dan de geometrische dimensie van het trefplaatmateriaal 154, en kan het tweedé poolstuk of magnetisch element 152 een andere dimensie hebben dan de dimensie van het eerste magnetische element 150 en de ionentrefplaat 154. De sterkte van het lineaire magnetische veld (B) kan worden gestuurd door de afmeting 15 van de magneten te regelen. Dit zou wenselijk zijn bij een rechthoekige configuratie.

Fig. 6 illustreert een ionentrefplaat 180 met wanden en een rechthoekige doorsnede gevormd van hetzelfde materiaal. De trefplaat is ingericht om het gehele geselecteerde oppervlak 182 ervan te laten 20 eroderen volgens een beheersbare erosiepatroonkarakteristiek. Bijvoorbeeld kan tijdens de aanvangserosie van het oppervlak 182, de vorm van het oppervlak ietwat boogvormig worden, zoals geïllustreerd door de stippellijn 184. Naarmate het spetterproces voortgaat en de BxE veldrelatie gehandhaafd wordt door het lineaire magnetische veld, begint het erosie-25 patroon vervolgens een relatief rechthoekige vorm aan te nemen, zoals geïllustreerd door de stippellijn 186. Naarmate het ionentrefplaatmateriaal verder wordt geërodeerd, wordt het patroon bijna vierkant, zoals geïllustreerd door de stippellijn 188, hetgeen tot gevolg heeft dat een behoorlijk gedeelte van het trefplaatmateriaal geconsumeerd 30 wordt tijdens het spetterproces. Merk op dat de wanden niet worden ge-erodeerd als gevolg van de afwezigheid van het BxE veld. In gebruik kunnen de wanden trefplaatmateriaal bezitten, dat daarop gespetterd is vanuit' bet geselecteerde oppervlak.

Het in fig. 2 geïllustreerde kruisvelddiodespettertrefplaat- 35 samenstel kan worden toegepast op unieke en nieuwe wijze voor het

beheersen van het erosiepatroon van een ionentrefülaat in een diode-BAD ORIGINAL

inrichting. De werkwijze voor het beheersen van het erosiepatroon van een kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel omvat het aanleggen van een * - 9 - elektrisch veld (E) in een eerste richting over een vooraf bepaald oppervlak van een ionentrefplaat gevormd uit een geselecteerd materiaal voorzien van van elkaar verwijderde randen; het omsluiten van de van elkaar verwijderde randen van het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat 5 met wanden; en het aanleggen in een tweede richting, die in hoofdzaak loodrecht staat op de eerste richting, van een lineair magnetisch veld (B) door de wanden, over het geselecteerde oppervlak en door de trefplaat. Het lineair magnetische veld (B) is van voldoende sterkte voor het invangen van plasma en secundaire elektronen tussen de wanden en over 10 het geselecteerde oppervlak. Aldus door gebruik van het elektrische veld (E) en het magnetische veld (B), wordt een BxE veld ontwikkeld aan het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat voor het beheersen van het erosiepatroon ervan. De maatregel om een voorraad secundaire elektronen te produceren door middel van een anode, waarbij het geselecteerde opper-15 vlak van het ionentrefplaatmateriaal operatief verbonden is als een kathode, teneinde het kathodespetteren van het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat mogelijk te maken

Daarnaast kan de dichtheid van het lineaire magnetische veld worden geregeld op een aantal manieren, bijvoorbeeld door het gebruik 20 van een regelorgaan voor een variabel magnetisch veld. Door de dichtheid van het magnetische veld (B) te variëren wordt eveneens het BxE veld gevarieerd, dat op zijn beurt het erosiepatroon van het geselecteerde oppervlak varieert.

Zoals hierboven opgemerkt kan de hierin geopenbaarde werkwijze 25 worden toegepast voor het op beheerste wijze eroderen van een geselecteerd materiaal, dat gevormd is uit een magnetisch materiaal zoals Ni-Fe of van een niet-magnetisch materiaal zoals koper.

30

BAD ORIGINAL

8500310

Claims

1. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenste1, bevattende een ionentrefplaat met een geselecteerd oppervlak gevormd uit een geselecteerd materiaal, welke ionentref plaat gevormd is volgens een vooraf bepaald gesloten luspatroon met daarin een centrale opening, welk 5 geselecteerd oppervlak op enige afstand van elkaar gelegen randen bezit, en waarbij het geselecteerde oppervlak ingericht is om op beheerste wijze te worden geërodeerd in een spetterproces; middelen geplaatst in een werkzame betrekking met elk der op enige afstand van elkaar gelegen randen van het geselecteerde oppervlak 10 ter vorming van wanden, die zich in hoofdzaak loodrecht van en voorbij elke op afstand gelegen rand van het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat uitstrekken; en magnetische middelen met polen, die in een op afstand tegenover elkaar gelegen betrekking geplaatst zijn en de middelen omsluiten ter 15 definiëring van de wanden en de ionentrefplaat voor het produceren van een lineair magnetisch veld (B) via de wanden, over het geselecteerde oppervlak en via de ionentrefplaat, welke magnetische middelen een lineair magnetisch veld bezitten van voldoende sterkte voor het invangen van plasma tussen de wanden en over het geselecteerde oppervlak, waarbij 20 het geselecteerde oppervlak ingericht is om een daarover aangelegd elektrisch veld (E) te bezitten in een richting in hoofdzaak loodrecht op het magnetische veld (B) teneinde een BxE veld te ontwikkelen en teneinde secundaire elektronen in te vangen bij het geselecteerde oppervlak voor het besturen van het erosiepatroon ervan.

2. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het middel, dat de wanden definieert, de ionentrefplaat vastklemt in een positie, waarbij het geselecteerde oppervlak zich daartussen uitstrekt.

3. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, 30 met het kenmerk, dat de middelen, die de wanden definiëren, separate van elkaar verwijderde elektrisch zwevende wanden zijn.

4. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de middelen, die de wanden definiëren, integraal zijn met en gevormd zijn uit het ionentrefplaatmateriaal. 35BAD oRJG!Ni?UiSVelddi0deSpettertrefplaatSam6nStel vo^ens conclusie 1/ met het kenmerk, dat het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat gevormd is uit magnetisch materiaal. - 11 -

6. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het geselecteerde oppervlak van de ionentref plaat gevormd is uit een niet-magnetisch materiaal.

7. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenste 1 volgens conclusie 1, 5 met het kenmerk, dat de magnetische middelen omvatten een eerste magnetisch middel gelegen nabij één rand van het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat en nabij de opstaande wand; en een tweede magnetisch middel gelegen aan de andere zijde vein de opstaande wand tegenover de andere rand van het geselecteerde 10 oppervlak van de ionentrefplaat.

8. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, gekenmerkt door variabele magnetische regelmiddelen, die werkzaam gekoppeld zijn met de magnetische middelen voor het beheersen van de dichtheid van het magnetische veld, dat aangelegd wordt over het 15 geselecteerde oppervlak en door de ionentrefplaat.

9. Kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel volgens conclusie 1, gekenmerkt door middelen omvattende een anode, die geplaatst is op zekere afstand van het middel, dat de wanden definieert en werkzaam verbonden is met de ionentrefplaat,; die het geselecteerde oppervlak 20 vormt tot een kathode voor het daartussen produceren van elektronen, waarbij het diodespetteren van het geselecteerde oppervlak van de ionentrefplaat mogelijk gemaakt wordt volgens een beheerst erosiepatroon.

10. Werkwijze voor het besturen van het erosiepatroon van een kruisvelddiodespettertrefplaatsamenstel, waarbij 25 een elektrisch veld (E) aangelegd wordt in een eerste richting over een vooraf bepaald oppervlak van een ionentrefplaat gevormd volgens een bepaald gesloten luspatroon met daarin een centrale opening en met een geselecteerd materiaal, dat op afstand van elkaar gelegen randen omvat; 30 het omsluiten van de op afstand gelegen randen vein het geselecteerde oppervlak van het ionentrefplaatmateriaal door middel van wanden; en het aanleggen in een tweede richting, die in hoofdzaak loodrecht staat op de eerste richting, van een lineair magnetisch veld (B) door de 35 wanden, over het geselecteerde oppervlak en door de trefplaat, waarbij het lineaire magnetische veld (B) van voldoende sterkte is om plasma BAI^&F?itaiWi?i^re e^e^ronen ‘H *-e van9en tussen de wanden en over het geselecteerde oppervlak voor het ontwikkelen van een BxE veld bij het 8 5 0 C 3 1 n ►· - 12 - geselecteerde oppervlak teneinde het erosiepatroon te beheersen.

11. Werkwijze volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat een voorraad elektronen geproduceerd wordt tussen een anode en het geselecteerde oppervlak, dat werkzaam verbonden is als een kathode, die het 5 diodespetteren van het geselecteerde oppervlak vein de ionentrefplaat mogelijk maakt.--

12. Werkwijze volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de dichtheid van het lineaire magnetische veld geregeld wordt, dat het BxE veld varieert, welk het erosiepatroon varieert van het geselecteerde oppervlak 10 van de ionentrefplaat tijdens het diodespetteren.

13. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat een deel van het geselecteerde trefplaatmateriaal gevormd wordt uit een magnetisch materiaal.

14. Werkwijze volgens'conclusie 11, met het kenmerk, dat een 15 gedeelte van het geselecteerde trefplaatmateriaal gevormd wordt uit een niet-magnetisch materiaal.

15. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de wanden grenzen aan de ionentrefplaat.

16. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de 20 wanden zich bevinden nabij de ionentrefplaat.

17. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de wanden integraal zijn met en gevormd zijn uit het ionentrefplaatmateriaal. BAD ORIGINAL OK Aft: 1A