JP2942301B2 - 電子銃磁界補正用フェンス装置 - Google Patents
電子銃磁界補正用フェンス装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子銃、特に接近して配置された隣接する
電子銃アセンブリの各磁界を隔離する電子銃磁界補正用
フェンス装置に関連する。
電子銃アセンブリの各磁界を隔離する電子銃磁界補正用
フェンス装置に関連する。
従来の技術 電子銃は金属蒸着及び基板材料上の真空沈積に広く使
用され、電子放出器から放出される強力な電子ビームを
蒸発材料源を含むルツボに集束する機能を有する。通
常、電子放出器とは反対側のルツボの端部に発生する横
断磁界により電子銃の電子ビームをルツボに集束させる
が、最近の電子銃では、電子ビームの通路区域内で電子
銃アセンブリの側部に沿って垂直な側部磁石を整列配置
して、側部磁石により電子ビームをルツボに誘導する横
断磁界を形成する。
用され、電子放出器から放出される強力な電子ビームを
蒸発材料源を含むルツボに集束する機能を有する。通
常、電子放出器とは反対側のルツボの端部に発生する横
断磁界により電子銃の電子ビームをルツボに集束させる
が、最近の電子銃では、電子ビームの通路区域内で電子
銃アセンブリの側部に沿って垂直な側部磁石を整列配置
して、側部磁石により電子ビームをルツボに誘導する横
断磁界を形成する。
電子銃アセンブリは、ルツボを構成する井戸状の中央
凹部を上部表面内に有する非鉄金属の矩形ブロックで形
成される。電子源は、一端に配置された電子放出器と、
電子放出器から放出される電子ビームをルツボに集束す
る磁束を発生するように配置された永久磁石又は電磁石
とで構成される。２個又は３個以上の電子銃アセンブリ
を併置して同時に使用すると、各電子銃アセンブリの磁
界は相互作用を及ぼし、ルツボに対する電子ビームの集
束作用を破壊する危険がある。このため、複数の電子銃
アセンブリを隣接して配置する場合に、一回の真空サイ
クルで複数の成分層を同時に蒸着又は沈積したり蒸気混
合又は連続蒸発する場合に重大な問題が発生する。通
常、同時蒸着の際に、２個又は３個以上の電子銃アセン
ブリを基板から等距離に配置して蒸気混合又は多層沈積
を行ない、同程度の蒸気混合又は大きい被覆率によって
操作の高効率を得ることが有利である。
凹部を上部表面内に有する非鉄金属の矩形ブロックで形
成される。電子源は、一端に配置された電子放出器と、
電子放出器から放出される電子ビームをルツボに集束す
る磁束を発生するように配置された永久磁石又は電磁石
とで構成される。２個又は３個以上の電子銃アセンブリ
を併置して同時に使用すると、各電子銃アセンブリの磁
界は相互作用を及ぼし、ルツボに対する電子ビームの集
束作用を破壊する危険がある。このため、複数の電子銃
アセンブリを隣接して配置する場合に、一回の真空サイ
クルで複数の成分層を同時に蒸着又は沈積したり蒸気混
合又は連続蒸発する場合に重大な問題が発生する。通
常、同時蒸着の際に、２個又は３個以上の電子銃アセン
ブリを基板から等距離に配置して蒸気混合又は多層沈積
を行ない、同程度の蒸気混合又は大きい被覆率によって
操作の高効率を得ることが有利である。
発明が解決しようとする課題 1969年11月に発行された米国特許第3,475,542号の明
細書に記載されるように、接近して配置された複数の電
子銃アセンブリに磁界相互作用と磁界の大きいゆがみが
生ずる問題は永年の課題である。これらの問題を解決す
る現在の技術では、一直線上に千鳥状に複数の電子銃ア
センブリを配置していわゆる「対向平行」配置方式を採
用し、一つの電子銃アセンブリの一側部に沿う全Ｎ極磁
石を隣接する電子銃アセンブリの側部のＮ極に隣接させ
ると共に、同様に一つの電子銃アセンブリの一側部に沿
う全Ｓ極磁石を隣接する電子銃アセンブリの側部のＳ極
に隣接させる。「対向平行」配置方式では、隣接する電
子銃アセンブリの隣接する磁極が逆方向に分極されるの
で、各電子銃アセンブリの磁束通路のゆがみは最小にな
る。このため、隣接する電子銃アセンブリの磁極間の間
隔を約13mm（1/2インチ）以内に保存できる。しかしな
がら、複数の電子銃アセンブリを長い直線状に配置して
も、千鳥状に配置した隣接する電子銃アセンブリの端部
の電子放出器に印加される高い電圧（例えば10kV）によ
り、１組のルツボの両側に高電圧（HV）導体と高電圧リ
ード線を必要とすることが前記配置の問題である。大面
積の高電圧部品により、非常に多数の高圧アーク降下と
ガス放電が生じ、チャンバフロアの大面積にわたり高電
圧絶縁物が必要となる。
細書に記載されるように、接近して配置された複数の電
子銃アセンブリに磁界相互作用と磁界の大きいゆがみが
生ずる問題は永年の課題である。これらの問題を解決す
る現在の技術では、一直線上に千鳥状に複数の電子銃ア
センブリを配置していわゆる「対向平行」配置方式を採
用し、一つの電子銃アセンブリの一側部に沿う全Ｎ極磁
石を隣接する電子銃アセンブリの側部のＮ極に隣接させ
ると共に、同様に一つの電子銃アセンブリの一側部に沿
う全Ｓ極磁石を隣接する電子銃アセンブリの側部のＳ極
に隣接させる。「対向平行」配置方式では、隣接する電
子銃アセンブリの隣接する磁極が逆方向に分極されるの
で、各電子銃アセンブリの磁束通路のゆがみは最小にな
る。このため、隣接する電子銃アセンブリの磁極間の間
隔を約13mm（1/2インチ）以内に保存できる。しかしな
がら、複数の電子銃アセンブリを長い直線状に配置して
も、千鳥状に配置した隣接する電子銃アセンブリの端部
の電子放出器に印加される高い電圧（例えば10kV）によ
り、１組のルツボの両側に高電圧（HV）導体と高電圧リ
ード線を必要とすることが前記配置の問題である。大面
積の高電圧部品により、非常に多数の高圧アーク降下と
ガス放電が生じ、チャンバフロアの大面積にわたり高電
圧絶縁物が必要となる。
電子ビームを発生する電子銃アセンブリを厳密に平行
方式で配置し、複数の電子銃アセンブリの蒸発装置の一
側部に沿って全電子放出器を配置すると、隣接する電子
銃アセンブリの磁極は逆平行方式のように互いに反発せ
ずに互いに吸引し、磁界と電子ビーム通路の大きいゆが
みを生じる。電子銃の磁界は１個の大きい１つの磁石と
して機能し、１つの電子銃アセンブリの外側磁極から全
中間磁極の上方を経て平行な電子銃アセンブリの最も遠
い外側磁極に磁力線が達する。隣接する平行な電子銃ア
センブリの上方に磁力線が存在するため、電子が飛行す
る区域内では、正常な磁力線は減衰し、磁力線の方向及
び電子の集束が変化すると共に精度にゆがみが生ずる。
方式で配置し、複数の電子銃アセンブリの蒸発装置の一
側部に沿って全電子放出器を配置すると、隣接する電子
銃アセンブリの磁極は逆平行方式のように互いに反発せ
ずに互いに吸引し、磁界と電子ビーム通路の大きいゆが
みを生じる。電子銃の磁界は１個の大きい１つの磁石と
して機能し、１つの電子銃アセンブリの外側磁極から全
中間磁極の上方を経て平行な電子銃アセンブリの最も遠
い外側磁極に磁力線が達する。隣接する平行な電子銃ア
センブリの上方に磁力線が存在するため、電子が飛行す
る区域内では、正常な磁力線は減衰し、磁力線の方向及
び電子の集束が変化すると共に精度にゆがみが生ずる。
従って平行方式の配置では、ほぼ電子銃アセンブリの
幅だけ隣接する電子銃アセンブリを離間させて、磁界相
互作用を回避し適正に動作させなければならない。
幅だけ隣接する電子銃アセンブリを離間させて、磁界相
互作用を回避し適正に動作させなければならない。
本発明は、電子銃アセンブリを隔離する必要のない電
子銃磁界補正用フェンス装置を提供することを目的とす
る。
子銃磁界補正用フェンス装置を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 本発明による電子銃磁界補正用フェンス装置は、互い
に平行にかつ一定間隔離間して配置されかつ実質的に同
一形状を有する一対の電子銃アセンブリ（10、12、11
0、112）を備えている。各電子銃アセンブリ（10、12、
110、112）は、上部表面（10a、12a、110a、112a）及び
底部表面（10b、12b、110b、112b）を有するブロック
（18、118）と、ブロック（18、118）の中央部に形成さ
れかつ冷却可能なルツボ（16、116）と、ルツボ（16、1
16）から一定距離離れてブロック（18、118）に配置さ
れた電子放出器（14、114）とを有する。一対の電子銃
アセンブリ（10、12、110、112）の一方は第１の磁極片
（22、134）を有し、一対の電子銃アセンブリ（10、1
2、110、112）の他方は第１の磁極片（22、134）とは逆
極性の磁性を有する第２の磁極片（24、136）を有す
る。第１の磁極片（22、134）及び第２の磁極片（24、1
36）は電子放出器（14、114）とルツボ（16、116）との
間を結ぶ直線の各側に配置されると共に、上部表面（10
a、12a、110a、112a）を横切る磁界を発生して、電子放
出器（14、114）からルツボ（16、116）に放出される電
子ビームをルツボ（16、116）に向けて偏向集束させ
る。一対の電子銃アセンブリ（10、12、110、112）の間
に配置されかつ互いに逆極性を有する２つの対向する側
面を有する薄い磁気ウエーハからなる磁気フェンス（3
2、131）が設けられる。磁気フェンス（32、131）の各
側面は、対向する第１の磁極片（22、134）及び第２の
磁極片（24、136）に対してそれぞれ同一の磁極を有す
る。
に平行にかつ一定間隔離間して配置されかつ実質的に同
一形状を有する一対の電子銃アセンブリ（10、12、11
0、112）を備えている。各電子銃アセンブリ（10、12、
110、112）は、上部表面（10a、12a、110a、112a）及び
底部表面（10b、12b、110b、112b）を有するブロック
（18、118）と、ブロック（18、118）の中央部に形成さ
れかつ冷却可能なルツボ（16、116）と、ルツボ（16、1
16）から一定距離離れてブロック（18、118）に配置さ
れた電子放出器（14、114）とを有する。一対の電子銃
アセンブリ（10、12、110、112）の一方は第１の磁極片
（22、134）を有し、一対の電子銃アセンブリ（10、1
2、110、112）の他方は第１の磁極片（22、134）とは逆
極性の磁性を有する第２の磁極片（24、136）を有す
る。第１の磁極片（22、134）及び第２の磁極片（24、1
36）は電子放出器（14、114）とルツボ（16、116）との
間を結ぶ直線の各側に配置されると共に、上部表面（10
a、12a、110a、112a）を横切る磁界を発生して、電子放
出器（14、114）からルツボ（16、116）に放出される電
子ビームをルツボ（16、116）に向けて偏向集束させ
る。一対の電子銃アセンブリ（10、12、110、112）の間
に配置されかつ互いに逆極性を有する２つの対向する側
面を有する薄い磁気ウエーハからなる磁気フェンス（3
2、131）が設けられる。磁気フェンス（32、131）の各
側面は、対向する第１の磁極片（22、134）及び第２の
磁極片（24、136）に対してそれぞれ同一の磁極を有す
る。
本発明の実施例では、磁気フェンス（32、131）の面
積は、隣接する第１の磁極片（22、134）及び第２の磁
極片（24、136）の面積より大きく、隣接する電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）間の磁束を減少する。磁
気フェンス（32、131）は、互いに垂直方向に間隔をあ
けかつ同一平面上に配置された第１のフェンス片（13
0）及び第２のフェンス片（132）に形成され、第１のフ
ェンス片（130）及び第２のフェンス片（132）の各表面
上の磁極性は第１の磁極片（22、134）及び第２の磁極
片（24、136）と同一である。磁気フェンス（32、131）
の磁界強度は、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
により発生する磁界の強度とほぼ同一である。磁気フェ
ンス（32、131）の磁界強度は、必要な磁束補正の程度
に応じて、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）によ
り発生する磁界強度よりも高いか又は低い。磁気フェン
ス（32、131）は、電子銃アセンブリ（10、12、110、11
2）の上部表面（10a、12a、110a、112a）より上方に伸
び出し、磁気フェンス（32、131）の上縁周囲の磁束漏
洩を防止する。磁気フェンス（32、131）は、電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）の底部表面（10b、12b、
110b、112b）の下方に伸び出し、磁気フェンス（32、13
1）の底縁周囲の磁束漏洩を防止する。
積は、隣接する第１の磁極片（22、134）及び第２の磁
極片（24、136）の面積より大きく、隣接する電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）間の磁束を減少する。磁
気フェンス（32、131）は、互いに垂直方向に間隔をあ
けかつ同一平面上に配置された第１のフェンス片（13
0）及び第２のフェンス片（132）に形成され、第１のフ
ェンス片（130）及び第２のフェンス片（132）の各表面
上の磁極性は第１の磁極片（22、134）及び第２の磁極
片（24、136）と同一である。磁気フェンス（32、131）
の磁界強度は、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
により発生する磁界の強度とほぼ同一である。磁気フェ
ンス（32、131）の磁界強度は、必要な磁束補正の程度
に応じて、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）によ
り発生する磁界強度よりも高いか又は低い。磁気フェン
ス（32、131）は、電子銃アセンブリ（10、12、110、11
2）の上部表面（10a、12a、110a、112a）より上方に伸
び出し、磁気フェンス（32、131）の上縁周囲の磁束漏
洩を防止する。磁気フェンス（32、131）は、電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）の底部表面（10b、12b、
110b、112b）の下方に伸び出し、磁気フェンス（32、13
1）の底縁周囲の磁束漏洩を防止する。
作用 本発明による電子銃磁界補正用フェンス装置（32、13
1）は、電子銃アセンブリを物理的に隔離する必要性を
回避し、平行−平行配置方式で隣接する複数の電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）を6.3mm（1/4インチ）の
間隔に配置し、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の各電子ビームを正確に集束させることができる。
1）は、電子銃アセンブリを物理的に隔離する必要性を
回避し、平行−平行配置方式で隣接する複数の電子銃ア
センブリ（10、12、110、112）を6.3mm（1/4インチ）の
間隔に配置し、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の各電子ビームを正確に集束させることができる。
即ち、本発明では、整列した電子銃アセンブリ（10、
12、110、112）間に薄い磁気ウエーハ状（磁石）からな
る電子銃磁界補正用フェンス装置（32、131）を配置で
きる。隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の間隔は通常約6.3mm（1/4インチ）であり、約3mm（1/8
インチ）の厚さを有する電子銃磁界補正用フェンス装置
（32、131）は電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の側壁間に平行に配置される。電子銃磁界補正用フェン
ス装置（32、131）では、磁気ウエーハの厚さ方向に分
極され、一方の表面の全部はＮ極で他方の表面はＳ極に
なる。隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の極性に反発して逆極性に分極された一方及び他方の表
面は、隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
間の隙間内に配置される。このため隣接する電子銃アセ
ンブリ（10、12、110、112）間の磁界相互作用を阻止
し、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）の第１の磁
極片（22、134）及び第２の磁極片（24、136）は電子ビ
ームを正しくルツボ（16、116）に集束させる。
12、110、112）間に薄い磁気ウエーハ状（磁石）からな
る電子銃磁界補正用フェンス装置（32、131）を配置で
きる。隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の間隔は通常約6.3mm（1/4インチ）であり、約3mm（1/8
インチ）の厚さを有する電子銃磁界補正用フェンス装置
（32、131）は電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の側壁間に平行に配置される。電子銃磁界補正用フェン
ス装置（32、131）では、磁気ウエーハの厚さ方向に分
極され、一方の表面の全部はＮ極で他方の表面はＳ極に
なる。隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
の極性に反発して逆極性に分極された一方及び他方の表
面は、隣接する電子銃アセンブリ（10、12、110、112）
間の隙間内に配置される。このため隣接する電子銃アセ
ンブリ（10、12、110、112）間の磁界相互作用を阻止
し、電子銃アセンブリ（10、12、110、112）の第１の磁
極片（22、134）及び第２の磁極片（24、136）は電子ビ
ームを正しくルツボ（16、116）に集束させる。
実施例 以下、本発明による電子銃磁界補正用フェンス装置の
実施例を第１図〜第５図について説明する。
実施例を第１図〜第５図について説明する。
第１図は、それぞれ上部表面10a、12a及び底部表面10
b、12bとを有する銅製のブロック18と、ブロック18に設
けられかつ通常15kWの電力を消費する電子放出器14と、
ブロック18の中心近くに円形の井戸状凹部として形成さ
れかつ周囲を流れる冷却剤で冷却されるルツボ16とをそ
れぞれ備えた隣接する２個の同一電子銃アセンブリ10、
12を示す。電子放出器14とは反対側のブロック18の端部
に大型磁石20が配置され、平板状の外部磁極をそれぞれ
形成する２個の平行な磁極片22、24は銅製ブロック18の
両側に配置される。
b、12bとを有する銅製のブロック18と、ブロック18に設
けられかつ通常15kWの電力を消費する電子放出器14と、
ブロック18の中心近くに円形の井戸状凹部として形成さ
れかつ周囲を流れる冷却剤で冷却されるルツボ16とをそ
れぞれ備えた隣接する２個の同一電子銃アセンブリ10、
12を示す。電子放出器14とは反対側のブロック18の端部
に大型磁石20が配置され、平板状の外部磁極をそれぞれ
形成する２個の平行な磁極片22、24は銅製ブロック18の
両側に配置される。
大型磁石20の磁束は、側面の平行な磁極片22、24によ
って電子放出器14に導かれる。第１図では、磁極片22は
Ｎ極であり、磁極片24はＳ極であるから、Ｎ極の磁極片
22からルツボ16の区域を横切る磁力線は、ルツボ16の上
部を横切って湾曲する。従って電子放出器14から放出さ
れる電子は拘束されて、端部の大型磁石20に向けて移動
するが、集束されてルツボ16内の蒸発物に衝撃する。反
対に分極された磁極片22、24は、大型磁石20と協力して
電子放出器14から放出される電子をルツボ16内の蒸発物
の表面に集束させる横方向磁界を発生するＵ型磁石を各
電子銃アセンブリ10、12内で構成すると考えられる。
って電子放出器14に導かれる。第１図では、磁極片22は
Ｎ極であり、磁極片24はＳ極であるから、Ｎ極の磁極片
22からルツボ16の区域を横切る磁力線は、ルツボ16の上
部を横切って湾曲する。従って電子放出器14から放出さ
れる電子は拘束されて、端部の大型磁石20に向けて移動
するが、集束されてルツボ16内の蒸発物に衝撃する。反
対に分極された磁極片22、24は、大型磁石20と協力して
電子放出器14から放出される電子をルツボ16内の蒸発物
の表面に集束させる横方向磁界を発生するＵ型磁石を各
電子銃アセンブリ10、12内で構成すると考えられる。
例えば、２個又は３個以上の電子銃アセンブリ10と12
が接近して隣接させる場合には、隣接する磁極片22、24
は反対の極性を有し、磁極片22、24の間に強力な磁界相
互作用が存在する。磁界相互作用による干渉を減少する
ため、複数の電子銃アセンブリ10、12は分離して電子ビ
ームの大きいゆがみと衝撃パターンの分裂を排除しなけ
ればならない。前記のように、逆方向平行パターンで千
鳥状に配置された複数の電子銃アセンブリ10、12は上記
の問題を解決できるが、別の問題を発生する。隣接する
磁極片22、24間に磁気フェンス32を挿入すると、6.3mm
（1/4インチ）離れて配置された複数の同一電子銃アセ
ンブリは、電子ビームパターンにゆがみを生ずることな
く適正に作動する。従って、複数の蒸発物が真空チャン
バ内に基板からほぼ等間隔だけ離間して配置され、１回
の真空サイクル間に同時に蒸発させた複数の物質を基板
上に蒸着させる。
が接近して隣接させる場合には、隣接する磁極片22、24
は反対の極性を有し、磁極片22、24の間に強力な磁界相
互作用が存在する。磁界相互作用による干渉を減少する
ため、複数の電子銃アセンブリ10、12は分離して電子ビ
ームの大きいゆがみと衝撃パターンの分裂を排除しなけ
ればならない。前記のように、逆方向平行パターンで千
鳥状に配置された複数の電子銃アセンブリ10、12は上記
の問題を解決できるが、別の問題を発生する。隣接する
磁極片22、24間に磁気フェンス32を挿入すると、6.3mm
（1/4インチ）離れて配置された複数の同一電子銃アセ
ンブリは、電子ビームパターンにゆがみを生ずることな
く適正に作動する。従って、複数の蒸発物が真空チャン
バ内に基板からほぼ等間隔だけ離間して配置され、１回
の真空サイクル間に同時に蒸発させた複数の物質を基板
上に蒸着させる。
磁気フェンス32の表面の磁極生を隣接する磁極片22、
24の磁極生に対応させて、隣接する平行な電子銃アセン
ブリ10、12の２個の磁極片22、24間に、１個又は２個以
上の薄い磁石を含む磁気フェンス32を配置すると、隣接
する電子銃アセンブリ10、12間の磁力を阻止できる。従
って、電子銃磁界補正用フェンス装置は各電子銃アセン
ブリ10、12を接近した平行配置パターン内で独立して機
能させる。
24の磁極生に対応させて、隣接する平行な電子銃アセン
ブリ10、12の２個の磁極片22、24間に、１個又は２個以
上の薄い磁石を含む磁気フェンス32を配置すると、隣接
する電子銃アセンブリ10、12間の磁力を阻止できる。従
って、電子銃磁界補正用フェンス装置は各電子銃アセン
ブリ10、12を接近した平行配置パターン内で独立して機
能させる。
第２図は２個の電子銃アセンブリ10Aと12A間の界面で
の磁力線に対する影響を示す。磁極片22A、24Aは２個の
異なるシステム内にあるが、逆極性の短距離接近性プラ
ス高磁界強度のため、磁力線は一つの電子銃アセンブリ
10A、12Aから他の電子銃アセンブリ12A、10Aに引かれ
る。ルツボ16の上方及び近くで大きい磁束が横方向磁界
から逸れて磁力線の強度と方向が変わり、電子ビームの
大きいゆがみが発生する。
の磁力線に対する影響を示す。磁極片22A、24Aは２個の
異なるシステム内にあるが、逆極性の短距離接近性プラ
ス高磁界強度のため、磁力線は一つの電子銃アセンブリ
10A、12Aから他の電子銃アセンブリ12A、10Aに引かれ
る。ルツボ16の上方及び近くで大きい磁束が横方向磁界
から逸れて磁力線の強度と方向が変わり、電子ビームの
大きいゆがみが発生する。
第３図は、隣接する磁極片22、24間の隙間を通る磁力
線を阻止する電子銃磁界補正用フェンス装置を設置した
場合の磁気状態の影響を示す。
線を阻止する電子銃磁界補正用フェンス装置を設置した
場合の磁気状態の影響を示す。
第４図は新型の電子銃アセンブリの一部の断面を示
す。２個の各電子銃アセンブリ110、112は、それぞれ上
部表面110a、112a、底部表面110b、112b及びルツボ118
を有する水冷式銅製のブロック116と、一端に配置され
た電子放出器114と、電子ビーム通路に沿って配置され
た２個又は３個以上の一連の磁石134、136とを有する。
各電子銃アセンブリ110、112の電子ビーム通路の右側に
配置された複数の磁石136の上端はＮ極で下端はＳ極で
ある。電子ビーム通路の左側に配置された複数の磁石13
4の上端はＳ極で下端はＮ極である。第５図に示すよう
に、磁石134と136の底端に磁気的に接続される鋼板128
は、電子銃アセンブリ110、112の底部を横切る。従っ
て、磁石134、136及び鋼板128によりＵ型磁石が構成さ
れ、ルツボ118の上部を横切って横方向磁界141が発生
し、電子ビームを集束しかつ正しく偏向させる。水冷式
に冷却される銅製の熱シールド138と140は各電子銃アセ
ンブリ110、112を包囲し磁石134、136を保護する。所望
により磁極片126を使用して磁石134、136の上面を包ん
で保護することができる。
す。２個の各電子銃アセンブリ110、112は、それぞれ上
部表面110a、112a、底部表面110b、112b及びルツボ118
を有する水冷式銅製のブロック116と、一端に配置され
た電子放出器114と、電子ビーム通路に沿って配置され
た２個又は３個以上の一連の磁石134、136とを有する。
各電子銃アセンブリ110、112の電子ビーム通路の右側に
配置された複数の磁石136の上端はＮ極で下端はＳ極で
ある。電子ビーム通路の左側に配置された複数の磁石13
4の上端はＳ極で下端はＮ極である。第５図に示すよう
に、磁石134と136の底端に磁気的に接続される鋼板128
は、電子銃アセンブリ110、112の底部を横切る。従っ
て、磁石134、136及び鋼板128によりＵ型磁石が構成さ
れ、ルツボ118の上部を横切って横方向磁界141が発生
し、電子ビームを集束しかつ正しく偏向させる。水冷式
に冷却される銅製の熱シールド138と140は各電子銃アセ
ンブリ110、112を包囲し磁石134、136を保護する。所望
により磁極片126を使用して磁石134、136の上面を包ん
で保護することができる。
第５図は電子銃磁界補正用フェンス装置を構成する磁
気フェンス131の挿入後の代表的磁束パターンを示す第
４図の線５−５に沿う断面図を示す。この実施例では各
磁石134、136のＳ極とＮ極は上部と底部で極性が交代す
るから、磁気フェンス131の両側面によって構成される
磁石も、各磁石134、136の極性に対応して各表面に同一
の磁性が付与さえる。即ち、第５図に示すように、磁気
フェンス131は、横断方向に磁化された材料で構成され
た一対の上部フェンス片132と下部フェンス片130とを備
え、上部フェンス片132と下部フェンス片130は、電子銃
アセンブリ110と112との間に接近した状態で設けられ
る。上部フェンス片132と下部フェンス片130は垂直に分
離して配置されかつウエーハ厚の２個の磁石で構成され
る。上部フェンス片132のＮ極磁化表面は隣接する磁石1
36の上端のＮ極性に隣接し、反対側の上部フェンス片13
2のＳ極磁化表面は隣接する磁石134の上端のＳ極に隣接
する。同様に下部フェンス片130のＳ極磁化表面は隣接
する磁石136の下端のＳ極に隣接し、反対側の下部フェ
ンス片130のＮ極磁化表面は隣接する磁石134の下端のＮ
極に隣接する。このように、上部フェンス片132の表面
極性は隣接する磁石134、136の上端極性に対応し、下部
フェンス片130の表面極性は、上端極性とは異なり、隣
接する磁石134、136の下端極性に対応する。上部フェン
ス片132と下部フェンス片130の表面は隣接磁石134、136
と同一に分極され、隣接する電子銃アセンブリ110と112
間の磁気吸引力に反発する。
気フェンス131の挿入後の代表的磁束パターンを示す第
４図の線５−５に沿う断面図を示す。この実施例では各
磁石134、136のＳ極とＮ極は上部と底部で極性が交代す
るから、磁気フェンス131の両側面によって構成される
磁石も、各磁石134、136の極性に対応して各表面に同一
の磁性が付与さえる。即ち、第５図に示すように、磁気
フェンス131は、横断方向に磁化された材料で構成され
た一対の上部フェンス片132と下部フェンス片130とを備
え、上部フェンス片132と下部フェンス片130は、電子銃
アセンブリ110と112との間に接近した状態で設けられ
る。上部フェンス片132と下部フェンス片130は垂直に分
離して配置されかつウエーハ厚の２個の磁石で構成され
る。上部フェンス片132のＮ極磁化表面は隣接する磁石1
36の上端のＮ極性に隣接し、反対側の上部フェンス片13
2のＳ極磁化表面は隣接する磁石134の上端のＳ極に隣接
する。同様に下部フェンス片130のＳ極磁化表面は隣接
する磁石136の下端のＳ極に隣接し、反対側の下部フェ
ンス片130のＮ極磁化表面は隣接する磁石134の下端のＮ
極に隣接する。このように、上部フェンス片132の表面
極性は隣接する磁石134、136の上端極性に対応し、下部
フェンス片130の表面極性は、上端極性とは異なり、隣
接する磁石134、136の下端極性に対応する。上部フェン
ス片132と下部フェンス片130の表面は隣接磁石134、136
と同一に分極され、隣接する電子銃アセンブリ110と112
間の磁気吸引力に反発する。
上部フェンス片132と下部フェンス片130とは互いに垂
直方向に離れ、磁束強度がほぼゼロとなる磁石134、136
の中心近くで分離していなければならない。下部フェン
ス片130と上部フェンス片132との間の垂直間隔は大きい
必要はないが、下部フェンス片130と上部フェンス片132
との間の隙間の周囲の磁石134、136の端部を通る磁界に
充分反発できる大きさでなければならない。しかし、下
部フェンス片130と上部フェンス片132との間は図示のよ
うに、端部、上部及び底部の前漏洩を阻止できるように
磁石134、136の上端、下端及び両端部から伸び出してい
なければならない。この伸び出し長さは磁石134、136及
び下部フェンス片130と上部フェンス片132の磁界強度に
依存する。好適実施例では上部フェンス片132の端部は
磁極片126よりこれらの隙間の２倍又は約6.3mm（1/4イ
ンチ）だけ延び出す。
直方向に離れ、磁束強度がほぼゼロとなる磁石134、136
の中心近くで分離していなければならない。下部フェン
ス片130と上部フェンス片132との間の垂直間隔は大きい
必要はないが、下部フェンス片130と上部フェンス片132
との間の隙間の周囲の磁石134、136の端部を通る磁界に
充分反発できる大きさでなければならない。しかし、下
部フェンス片130と上部フェンス片132との間は図示のよ
うに、端部、上部及び底部の前漏洩を阻止できるように
磁石134、136の上端、下端及び両端部から伸び出してい
なければならない。この伸び出し長さは磁石134、136及
び下部フェンス片130と上部フェンス片132の磁界強度に
依存する。好適実施例では上部フェンス片132の端部は
磁極片126よりこれらの隙間の２倍又は約6.3mm（1/4イ
ンチ）だけ延び出す。
フェンス片130、132の所望の磁界強度は各磁石130、1
32で発生する主磁界源と同じ強度でなければならない。
フェンス片130、132の磁界が弱いと、フェンス片130、1
32を通る漏洩又はフェンス片130、132の周囲での漏洩が
増加するため、主磁界源の強度を減少し、蒸発物の電子
ビーム衝撃点を電子放出器から遠くに移動させる。フェ
ンス片130、132の磁界が強いと、電子銃磁界のよる正常
な磁気漏洩を減少するが、電子ビームを先鋭化し、電子
放出器の近くにある電子ビームに衝撃を与える傾向があ
る。
32で発生する主磁界源と同じ強度でなければならない。
フェンス片130、132の磁界が弱いと、フェンス片130、1
32を通る漏洩又はフェンス片130、132の周囲での漏洩が
増加するため、主磁界源の強度を減少し、蒸発物の電子
ビーム衝撃点を電子放出器から遠くに移動させる。フェ
ンス片130、132の磁界が強いと、電子銃磁界のよる正常
な磁気漏洩を減少するが、電子ビームを先鋭化し、電子
放出器の近くにある電子ビームに衝撃を与える傾向があ
る。
発明の効果 本発明によれば複数の電子銃アセンブリの個々の磁界
を分離して総合磁界を補正する磁気システムが得られる
効果がある。
を分離して総合磁界を補正する磁気システムが得られる
効果がある。
第１図は電子銃磁界補正用フェンス装置で分離された２
個の電子銃アセンブリの平面図、第２図は電子銃磁界補
正用フェンス装置がなく隣接する２つの平行な電子銃ア
センブリの中間区域での磁気作用を示す断面図、第３図
は電子銃磁界補正用フェンス装置を使用して磁気作用を
行う第２図の電子銃アセンブリの断面図、第４図は磁気
的に異なる構造を有し電子銃磁界補正用フェンス装置を
有する１対の平行な電子銃アセンブリの他の実施例の略
示平面図、第５図は第４図の５−５線に沿う断面図であ
る。 10、12、110、112……電子銃アセンブリ、10a、12a、11
0a、112a……上部表面、10b、12b、110b、112b……底部
表面、18、118……ブロック、14、114……電子放出器、
16、116……ルツボ、22、134……第１の磁極片、24、13
6……第２の磁極片、32、131……磁気フェンス、130…
…第１のフェンス片、132……第２のフェンス片、
個の電子銃アセンブリの平面図、第２図は電子銃磁界補
正用フェンス装置がなく隣接する２つの平行な電子銃ア
センブリの中間区域での磁気作用を示す断面図、第３図
は電子銃磁界補正用フェンス装置を使用して磁気作用を
行う第２図の電子銃アセンブリの断面図、第４図は磁気
的に異なる構造を有し電子銃磁界補正用フェンス装置を
有する１対の平行な電子銃アセンブリの他の実施例の略
示平面図、第５図は第４図の５−５線に沿う断面図であ
る。 10、12、110、112……電子銃アセンブリ、10a、12a、11
0a、112a……上部表面、10b、12b、110b、112b……底部
表面、18、118……ブロック、14、114……電子放出器、
16、116……ルツボ、22、134……第１の磁極片、24、13
6……第２の磁極片、32、131……磁気フェンス、130…
…第１のフェンス片、132……第２のフェンス片、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/305 H01J 37/06 - 37/07 C23C 14/30
Claims (7)
- 【請求項１】互いに平行にかつ一定間隔離間して配置さ
れかつ実質的に同一形状を有する一対の電子銃アセンブ
リを備え、 各電子銃アセンブリは、上部表面及び底部表面を有する
ブロックと、ブロックの中央部に形成されかつ冷却可能
なルツボと、ルツボから一定距離離れてブロックに配置
された電子放出器とを有し、 一対の電子銃アセンブリの一方は第１の磁極片を有し、
一対の電子銃アセンブリの他方は第１の磁極片とは逆極
性の磁性を有する第２の磁極片を有し、 第１の磁極片及び第２の磁極片は電子放出器とルツボと
の間を結ぶ直線の各側に配置されると共に、上部表面を
横切る磁界を発生して、電子放出器からルツボに放出さ
れる電子ビームをルツボに向けて偏向集束させる電子銃
において、 一対の電子銃アセンブリの間に配置されかつ互いに逆極
性を有する２つの対向する側面を有する薄い磁気ウエー
ハからなる磁気フェンスを備え、 磁気フェンスの各側面は、対向する第１の磁極片及び第
２の磁極片に対してそれぞれ同一の磁極を有することを
特徴とする電子銃磁界補正用フェンス装置。 - 【請求項２】磁気フェンスの面積は、隣接する第１の磁
極片及び第２の磁極片の面積より大きく、隣接する電子
銃アセンブリ間の磁束を減少する請求項（１）に記載の
電子銃磁界補正用フェンス装置。 - 【請求項３】磁気フェンスは、互いに垂直方向に間隔を
あけかつ同一平面上に配置された第１のフェンス片及び
第２のフェンス片に形成され、第１のフェンス片及び第
２のフェンス片の各表面上の磁極性は第１の磁極片及び
第２の磁極片と同一である請求項（１）に記載の電子銃
磁界補正用フェンス装置。 - 【請求項４】磁気フェンスの磁界強度は、電子銃アセン
ブリにより発生する磁界の強度とほぼ同一である請求項
（２）に記載の電子銃磁界補正用フェンス装置。 - 【請求項５】磁気フェンスの磁界強度は、必要な磁束補
正の程度に応じて、電子銃アセンブリにより発生する磁
界強度よりも高いか又は低い請求項（２）に記載の電子
銃磁界補正用フェンス装置。 - 【請求項６】磁気フェンスは、電子銃アセンブリの上部
表面より上方に伸び出し、磁気フェンスの上縁周囲の磁
束漏洩を防止する請求項（２）に記載の電子銃磁界補正
用フェンス装置。 - 【請求項７】磁気フェンスは、電子銃アセンブリの底部
表面の下方に伸び出し、磁気フェンスの底縁周囲の磁束
漏洩を防止する請求項（６）に記載の電子銃磁界補正用
フェンス装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/329,396 US4891821A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Magnetic correcting fence for adjacent e-guns |
| US329,396 | 1989-03-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329250A JPH0329250A (ja) | 1991-02-07 |
| JP2942301B2 true JP2942301B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=23285201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073600A Expired - Lifetime JP2942301B2 (ja) | 1989-03-27 | 1990-03-26 | 電子銃磁界補正用フェンス装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4891821A (ja) |
| JP (1) | JP2942301B2 (ja) |
| DE (1) | DE4009847C2 (ja) |
| FR (1) | FR2646287B1 (ja) |
| GB (1) | GB2233146B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW531976B (en) * | 2001-01-11 | 2003-05-11 | Hanex Co Ltd | Communication apparatus and installing structure, manufacturing method and communication method |
| US20050092253A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Venkat Selvamanickam | Tape-manufacturing system having extended operational capabilites |
| DE102004063703A1 (de) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Schott Ag | Vakuumbeschichtungssystem |
| CA2765696C (en) | 2009-06-15 | 2018-03-06 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Solution containing hypochlorous acid and methods of using same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1156521B (de) * | 1961-09-05 | 1963-10-31 | Heraeus Gmbh W C | Elektronenstrahlkanone zum Erhitzen von Metallen |
| US3170019A (en) * | 1962-01-15 | 1965-02-16 | Stauffer Chemical Co | Electron beam furnace |
| US3475542A (en) * | 1967-09-13 | 1969-10-28 | Air Reduction | Apparatus for heating a target in an electron beam furnace |
| US3655902A (en) * | 1970-10-19 | 1972-04-11 | Air Reduction | Heating system for electron beam furnace |
| CA1000803A (en) * | 1973-08-08 | 1976-11-30 | Robert L. Shrader | Vapor source heated by an electron beam |
| US4131753A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-26 | Airco, Inc. | Multiple electron-beam vapor source assembly |
| US4835789A (en) * | 1987-11-16 | 1989-05-30 | Hanks Charles W | Electron-beam heated evaporation source |
-
1989
- 1989-03-27 US US07/329,396 patent/US4891821A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-23 GB GB9006551A patent/GB2233146B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-26 JP JP2073600A patent/JP2942301B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-26 FR FR9003816A patent/FR2646287B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-27 DE DE4009847A patent/DE4009847C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2646287B1 (fr) | 1992-12-31 |
| US4891821A (en) | 1990-01-02 |
| GB2233146A (en) | 1991-01-02 |
| GB2233146B (en) | 1993-09-15 |
| FR2646287A1 (fr) | 1990-10-26 |
| DE4009847A1 (de) | 1990-11-08 |
| JPH0329250A (ja) | 1991-02-07 |
| DE4009847C2 (de) | 2001-10-18 |
| GB9006551D0 (en) | 1990-05-23 |
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