JPS5917193B2 - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5917193B2 JPS5917193B2 JP15138880A JP15138880A JPS5917193B2 JP S5917193 B2 JPS5917193 B2 JP S5917193B2 JP 15138880 A JP15138880 A JP 15138880A JP 15138880 A JP15138880 A JP 15138880A JP S5917193 B2 JPS5917193 B2 JP S5917193B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic
- pair
- magnetic poles
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハイレート式のスパッタリング装置に関する。
従来この種装置として、例えば第１図のように真空処理
室ａ内に陰極電位のターゲットｂを設けると共にこれに
互に極性の異る少くとも１対の磁極ｃ、ｃによる磁界ｄ
を作用させてその前面に工ロージヨン領域ｅを作るよう
にした式のものは知られるが、この楊合該１対の磁極ｃ
、ｃは例えば同図示のように該ターゲットｂの背面に位
置してその中心部とその外周部とに配置される式を一般
とするもので、かゝるものでは該エロージヨン領域ｅは
該磁界ｄでかこまれた比較的狭幅部分に限定され、該タ
ーゲットｂの前面の約３０％の部分に留まり、かくて非
能率且不経済となり、更に該ターゲットｂが磁性体の場
合、該ターゲットｂ内で閉磁気回路を構成し、該ターゲ
ットｂの前面に漏洩磁束が生じないから、ハイレートス
パッターは困難である等の不都合を伴う。
室ａ内に陰極電位のターゲットｂを設けると共にこれに
互に極性の異る少くとも１対の磁極ｃ、ｃによる磁界ｄ
を作用させてその前面に工ロージヨン領域ｅを作るよう
にした式のものは知られるが、この楊合該１対の磁極ｃ
、ｃは例えば同図示のように該ターゲットｂの背面に位
置してその中心部とその外周部とに配置される式を一般
とするもので、かゝるものでは該エロージヨン領域ｅは
該磁界ｄでかこまれた比較的狭幅部分に限定され、該タ
ーゲットｂの前面の約３０％の部分に留まり、かくて非
能率且不経済となり、更に該ターゲットｂが磁性体の場
合、該ターゲットｂ内で閉磁気回路を構成し、該ターゲ
ットｂの前面に漏洩磁束が生じないから、ハイレートス
パッターは困難である等の不都合を伴う。
５ 本発明はかゝる不都合のない装置を得ることをその
目的としたもので、真空処理室内に陰極電位のターゲッ
トと、サブストレートとを設けると共に該ターゲットに
互に極性の異る少くとも１対の磁極間の磁界を作用させ
てその前面にエロージヨ１０ ン領域を作るようにした
式のものにおいて、該１対の磁極を互に対向させて両外
側に配置すると共に該ターゲットを前面Ｖ字状に形成し
てその中間部に介在させることを特徴とする。
目的としたもので、真空処理室内に陰極電位のターゲッ
トと、サブストレートとを設けると共に該ターゲットに
互に極性の異る少くとも１対の磁極間の磁界を作用させ
てその前面にエロージヨ１０ ン領域を作るようにした
式のものにおいて、該１対の磁極を互に対向させて両外
側に配置すると共に該ターゲットを前面Ｖ字状に形成し
てその中間部に介在させることを特徴とする。
本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。
１５第２図はその１例を示すもので１は真空処理室を示
し、該室１内は真空ポンプその他の排気系２で排気され
る一方、ガス源３からアルゴンガスその他の不活性ガス
を供給されてその作動に際し、例えば５×１「１Ｐａ程
度の不活性ガス雰囲気に２０保たれるようにした。
し、該室１内は真空ポンプその他の排気系２で排気され
る一方、ガス源３からアルゴンガスその他の不活性ガス
を供給されてその作動に際し、例えば５×１「１Ｐａ程
度の不活性ガス雰囲気に２０保たれるようにした。
該処理室１内にはＤＣ又はＲＦの電源４の負側に連る陰
極電位のターゲット５とこれに対向して該ターゲット５
の物質の被膜を施されるべきサブストレート６とが設け
られるもので、該サブストレート６は例えば図示のよう
２５に該ターゲット５の上側のホルダ□土に１ケ又は複
数個に用意されるものとし、更に互に異る極性の少くと
も１対の磁極８、８、即ちＮとＳとの磁極を配設して該
ターゲット５に該１対の磁極８、８間の磁界９を作用さ
せ、かくてその前面にエロ３０−ジヨン領域１０を作る
ようにした。以上は従来のものと特に異らないが、本発
明によれば該１対の磁極８、８を同図示のように両外側
に互に対向させて配置すると共に該ターゲット５を同じ
く同図示のように少くとも前面において３５Ｖ字状に形
成してその中間部に介在させるようにした。更に詳述す
れば、Ｎの磁極８とＳの磁極８とは両外側に互に対向し
て設けられて互に対向すク【る側面間に互に平行する磁
力線９ａの多数本から成る磁界９が比較的広幅に作られ
るようにし、該ターゲツト５は全体として板状をなし、
大きく開くＶ字状の屈曲に形成され、その中間部に介在
されて全体として前記した磁界９内に存在し、かくてそ
の前面即ちＶ字状の谷面はその全面に亘りエロージヨン
領域１０として作用されるようにした。
極電位のターゲット５とこれに対向して該ターゲット５
の物質の被膜を施されるべきサブストレート６とが設け
られるもので、該サブストレート６は例えば図示のよう
２５に該ターゲット５の上側のホルダ□土に１ケ又は複
数個に用意されるものとし、更に互に異る極性の少くと
も１対の磁極８、８、即ちＮとＳとの磁極を配設して該
ターゲット５に該１対の磁極８、８間の磁界９を作用さ
せ、かくてその前面にエロ３０−ジヨン領域１０を作る
ようにした。以上は従来のものと特に異らないが、本発
明によれば該１対の磁極８、８を同図示のように両外側
に互に対向させて配置すると共に該ターゲット５を同じ
く同図示のように少くとも前面において３５Ｖ字状に形
成してその中間部に介在させるようにした。更に詳述す
れば、Ｎの磁極８とＳの磁極８とは両外側に互に対向し
て設けられて互に対向すク【る側面間に互に平行する磁
力線９ａの多数本から成る磁界９が比較的広幅に作られ
るようにし、該ターゲツト５は全体として板状をなし、
大きく開くＶ字状の屈曲に形成され、その中間部に介在
されて全体として前記した磁界９内に存在し、かくてそ
の前面即ちＶ字状の谷面はその全面に亘りエロージヨン
領域１０として作用されるようにした。
尚該ターゲツト５は左右の両半部５ａ，５ａが互に一体
に連続する型式とし、或は互に分離される型式とする等
任意である。その作動を説明するに、ターゲツト５の前
面にグロー放電を生じさせた場合を考えるに該グロー放
電中の電子はターゲツト前面で負電位の両半部にはさま
れた空間で磁界９に閉じ込められて両半部間を往復運動
しガスのイオン化を促進し、かくてハイレートのスパツ
タリングが得られるもので、この点は従来のものと特に
異らないが、か＼る作動に際し該ターゲツト５の前面の
各部はその全面に亘り磁界９内にかこまれて存してその
略全面がエロージヨン領域１０となるものである。
に連続する型式とし、或は互に分離される型式とする等
任意である。その作動を説明するに、ターゲツト５の前
面にグロー放電を生じさせた場合を考えるに該グロー放
電中の電子はターゲツト前面で負電位の両半部にはさま
れた空間で磁界９に閉じ込められて両半部間を往復運動
しガスのイオン化を促進し、かくてハイレートのスパツ
タリングが得られるもので、この点は従来のものと特に
異らないが、か＼る作動に際し該ターゲツト５の前面の
各部はその全面に亘り磁界９内にかこまれて存してその
略全面がエロージヨン領域１０となるものである。
このように本発明によるときは、互に極性の異る少くと
も１対の磁極を両外側に互に対向させて用意し、ターゲ
ツトを前面Ｖ字状となしてその中間部に介在させるもの
で、該Ｖ字状の前面はその全面に亘り該磁界の作用によ
りエロージヨン領域となるばかりでなく、ターゲツトが
磁性体の場合にも適用し得られ、かくて従来のものの前
記した不都合を無くし得られる効果を有する。
も１対の磁極を両外側に互に対向させて用意し、ターゲ
ツトを前面Ｖ字状となしてその中間部に介在させるもの
で、該Ｖ字状の前面はその全面に亘り該磁界の作用によ
りエロージヨン領域となるばかりでなく、ターゲツトが
磁性体の場合にも適用し得られ、かくて従来のものの前
記した不都合を無くし得られる効果を有する。
第１図は従来例の説明線図、第２図は本発明装置の１例
の説明線図である。 １・・・・・・真空処理室、５・・・・・・ターゲツト
、６・・・・・・サブストレート、８，８・・・・・・
磁極、９・・・・・・磁界、１０・・・・・・エロージ
ヨン領域。
の説明線図である。 １・・・・・・真空処理室、５・・・・・・ターゲツト
、６・・・・・・サブストレート、８，８・・・・・・
磁極、９・・・・・・磁界、１０・・・・・・エロージ
ヨン領域。
Claims (1)
- １ 真空処理室内に陰極電位のターゲットサブストレー
トとを設けると共に該ターゲットに互に極性の異る少く
とも１対の磁極間の磁界を作用させて、その前面にエロ
ージヨン領域を作るようにした式のものにおいて、該１
対の磁極を互に対向させて両外側に配置すると共に該タ
ーゲットを前面Ｖ字状に形成してその中間部に介在させ
ることを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15138880A JPS5917193B2 (ja) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15138880A JPS5917193B2 (ja) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5776185A JPS5776185A (en) | 1982-05-13 |
| JPS5917193B2 true JPS5917193B2 (ja) | 1984-04-19 |
Family
ID=15517486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15138880A Expired JPS5917193B2 (ja) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917193B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315683Y2 (ja) * | 1983-01-25 | 1991-04-05 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861461U (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-25 | 富士通株式会社 | スパツタリング装置 |
| JPS58130277A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-03 | Clarion Co Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPS59229480A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スパツタリング装置 |
| JP2634339B2 (ja) * | 1991-10-11 | 1997-07-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタ装置 |
-
1980
- 1980-10-30 JP JP15138880A patent/JPS5917193B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315683Y2 (ja) * | 1983-01-25 | 1991-04-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5776185A (en) | 1982-05-13 |
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