JPS5861461U - スパツタリング装置 - Google Patents

スパツタリング装置

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Publication number
JPS5861461U
JPS5861461U JP15507481U JP15507481U JPS5861461U JP S5861461 U JPS5861461 U JP S5861461U JP 15507481 U JP15507481 U JP 15507481U JP 15507481 U JP15507481 U JP 15507481U JP S5861461 U JPS5861461 U JP S5861461U
Authority
JP
Japan
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target
sputtering equipment
electrode
sputtering apparatus
collide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15507481U
Other languages
English (en)
Inventor
竹内　透
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP15507481U priority Critical patent/JPS5861461U/ja
Publication of JPS5861461U publication Critical patent/JPS5861461U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術によるスパッタリング装置の一例の模
式断面図、第２図及び第３図は本考案の実施例の模式断
面図である。 図において、１は真空室、２はバッキングプレート、３
はターゲット、４は永久磁石、５は冷却水、６は被処理
物、７はバッキングプレート、８はターゲットを示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ターゲットと、該ターゲットにイオンを衝突させる電界
    を発生させるための電極を備えたスパッタリング装置に
    おいて、該ターゲットと該電極の表面を被処理物に対し
    て凹面に形成してなることを特徴とするスパッタリング
    装置。
JP15507481U 1981-10-19 1981-10-19 スパツタリング装置 Pending JPS5861461U (ja)

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JPS5861461U true JPS5861461U (ja) 1983-04-25

Family

ID=29947652

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6046368A (ja) * 1983-08-23 1985-03-13 Showa Denko Kk スパツタリングタ−ゲツト

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