JPS60193964U - マグネトロンスパツタ装置のタ−ゲツト - Google Patents

マグネトロンスパツタ装置のタ−ゲツト

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JPS60193964U
JPS60193964U JP7957784U JP7957784U JPS60193964U JP S60193964 U JPS60193964 U JP S60193964U JP 7957784 U JP7957784 U JP 7957784U JP 7957784 U JP7957784 U JP 7957784U JP S60193964 U JPS60193964 U JP S60193964U
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JP
Japan
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target
magnetron sputtering
area
sputtering device
magnetic force
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JP7957784U
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Inventor
坂本　充則
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ホ−ヤ株式会社
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示すマグネトロンスパッタ
装置の要部断面図、第２図はスパッタリングの原理を説
明するための図、第３図はターゲットを示す平面図、第
４図はその要部断面図である。 ２・・・・・・ターゲット、２ａ・・・・・・ターゲッ
ト材料層、２１・・・・・・エロージョン領域、２２，
２３・・・・・・非円ローション領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ターゲット裏面に配置した磁極によりターゲット表面外
    側に磁力線が弧状を描くもれ磁界を形成しかつ上記磁界
    に直交する電界を形成し、発生するプラズマをターゲッ
    ト表面上の上弧状磁力線で囲まれた領域に閉じ込めてス
    パッタリングを行なうマグネトロンスパッタ装置に用い
    るターゲットにおいて、上記プラズマ領域に対応したエ
    ロージョン領域を除く、非エロージョン領域表面の少な
    くとも一部を粗面状に構成したことを特徴とするマグネ
    トロンスパッタ装置のターゲット。
JP7957784U 1984-05-31 1984-05-31 マグネトロンスパツタ装置のタ−ゲツト Granted JPS60193964U (ja)

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JPS60193964U true JPS60193964U (ja) 1985-12-24
JPH027870Y2 JPH027870Y2 (ja) 1990-02-26

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194696A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング成膜方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194696A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング成膜方法
JP2016222975A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 住友金属鉱山株式会社 スパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング成膜方法

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JPH027870Y2 (ja) 1990-02-26

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