JPS60122362U - プラズマエツチング装置 - Google Patents

プラズマエツチング装置

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JPS60122362U
JPS60122362U JP760484U JP760484U JPS60122362U JP S60122362 U JPS60122362 U JP S60122362U JP 760484 U JP760484 U JP 760484U JP 760484 U JP760484 U JP 760484U JP S60122362 U JPS60122362 U JP S60122362U
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JP
Japan
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plasma etching
etching equipment
electrodes
coil
magnetic field
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Pending
Application number
JP760484U
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English (en)
Inventor
隆 上村
藤井　輝
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Priority to JP760484U priority Critical patent/JPS60122362U/ja
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はプラズマエツチングの説明図、第２図はウェハ
の一部断面図、第３図は平行平板型反応性イオンエツチ
ング装置の概略構成図、第４図は本考案の一実施例のプ
ラズマエツチング装置の概略構成図、第５図はプラズマ
エツチング中の荷電粒子にかかる電界、磁界、並びにロ
ーーレンッカの表現図である。 １・・・エツチング室、３ａ、３ｂ・・・電極、４・・
・高周波電源、？　ａｔ　　７　ｂ・・・コイル。 第　／　図 ２

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 円筒型のプラズマエツチング装置において、対向する電
    極と垂直な方向で、かつ被エツチング面に平行する方向
    に、該電極に印加される電界と同期して交流磁場を作る
    ようにコイルを設置したことを特徴とするプラズマエツ
    チング装置。
JP760484U 1984-01-25 1984-01-25 プラズマエツチング装置 Pending JPS60122362U (ja)

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JP760484U JPS60122362U (ja) 1984-01-25 1984-01-25 プラズマエツチング装置

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JP760484U JPS60122362U (ja) 1984-01-25 1984-01-25 プラズマエツチング装置

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JPS60122362U true JPS60122362U (ja) 1985-08-17

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ID=30486106

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JP760484U Pending JPS60122362U (ja) 1984-01-25 1984-01-25 プラズマエツチング装置

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