JPS60140763U - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
- Publication number
- JPS60140763U JPS60140763U JP2562784U JP2562784U JPS60140763U JP S60140763 U JPS60140763 U JP S60140763U JP 2562784 U JP2562784 U JP 2562784U JP 2562784 U JP2562784 U JP 2562784U JP S60140763 U JPS60140763 U JP S60140763U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evacuated chamber
- electrode
- plasma equipment
- coil
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のエツチング装置、第２図は本考案の一実
施例として示したエツチング装置の概略図である。 １：被排気室、２Ａ、２Ｂ：電極、３：整合回路、４：
高周波電源、５ニーウエハ、６：ガス導入手段、７：排
気手段、８：コイル、９：可変抵抗回路、１０：電圧。 、
施例として示したエツチング装置の概略図である。 １：被排気室、２Ａ、２Ｂ：電極、３：整合回路、４：
高周波電源、５ニーウエハ、６：ガス導入手段、７：排
気手段、８：コイル、９：可変抵抗回路、１０：電圧。 、
Claims (1)
- 被排気室内に配置された電極、該電極に整合回路を介し
て高周波を供給する為の電源、該被排気室内にガスを導
入する為のガス導入手段からなる装置において、前記電
極をコイルを介して可変抵抗回路に接続したプラズマ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2562784U JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2562784U JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140763U true JPS60140763U (ja) | 1985-09-18 |
| JPS629324Y2 JPS629324Y2 (ja) | 1987-03-04 |
Family
ID=30520864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2562784U Granted JPS60140763U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140763U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3971684A (en) * | 1973-12-03 | 1976-07-27 | Hewlett-Packard Company | Etching thin film circuits and semiconductor chips |
| JPS53114679A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Plasm etching unit |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP2562784U patent/JPS60140763U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3971684A (en) * | 1973-12-03 | 1976-07-27 | Hewlett-Packard Company | Etching thin film circuits and semiconductor chips |
| JPS53114679A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Plasm etching unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629324Y2 (ja) | 1987-03-04 |
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