JPS5944770U - プラズマcvd装置 - Google Patents

プラズマcvd装置

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Publication number
JPS5944770U
JPS5944770U JP14053982U JP14053982U JPS5944770U JP S5944770 U JPS5944770 U JP S5944770U JP 14053982 U JP14053982 U JP 14053982U JP 14053982 U JP14053982 U JP 14053982U JP S5944770 U JPS5944770 U JP S5944770U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma cvd
cvd apparatus
cvd equipment
plasma
high frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP14053982U
Other languages
English (en)
Inventor
大橋 二郎
Original Assignee
日電アネルバ株式会社
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を説明するためのプラズマCVD装置の
模式図である。 記号の説明:1・・・真空槽、2・・・ガス供給系、3
・・・真空排気系、4・・・高周波印加電極、5・・・
基板設置電極、6・・・基板、7・・・絶縁材、8・・
・高周波電源、9・・・金属メツシュ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 、真空槽内に高周波印加電極とア、ノード電極を配備し
    、所定のカスを導入してプラズマを発生させ、薄膜を堆
    積せしめるプラズマCVD装置において、前記プラズマ
    の発生する空間の外周部を囲むように、金属メツシュま
    たは前記ガスの流れを妨げない金属片もしくは絶縁物を
    配置したことを特徴とするプラズマCVD装置。
JP14053982U 1982-09-18 1982-09-18 プラズマcvd装置 Pending JPS5944770U (ja)

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JP14053982U JPS5944770U (ja) 1982-09-18 1982-09-18 プラズマcvd装置

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JP14053982U JPS5944770U (ja) 1982-09-18 1982-09-18 プラズマcvd装置

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JPS5944770U true JPS5944770U (ja) 1984-03-24

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JP14053982U Pending JPS5944770U (ja) 1982-09-18 1982-09-18 プラズマcvd装置

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JP (1) JPS5944770U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172718A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Canon Inc 堆積膜形成装置
JPH02140972U (ja) * 1989-04-25 1990-11-26

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62172718A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Canon Inc 堆積膜形成装置
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