JPS58117053U - 電界電離型イオン源 - Google Patents

電界電離型イオン源

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JPS58117053U
JPS58117053U JP1434382U JP1434382U JPS58117053U JP S58117053 U JPS58117053 U JP S58117053U JP 1434382 U JP1434382 U JP 1434382U JP 1434382 U JP1434382 U JP 1434382U JP S58117053 U JPS58117053 U JP S58117053U
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JP
Japan
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insulator
ion source
type ion
introduction pipe
ionization type
Prior art date
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JP1434382U
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JPS6314369Y2 (ja
Inventor
昌彦 奥貫
Original Assignee
日本電子株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のイオン源を示す断面図、第２−図′は本
考案の一実施例である電界電離型イオン源を示す断面図
である。 ゛１：真空室、２．３：支柱、４：エミッターチップ、
５：引き出し電極、６：陰極、７：絶縁碍子、８：冷媒
、９：冷却槽、１０：ガスボンベ、１１：弁、１２：ガ
ス導入管、ト、３：通路、１４：外壁、１５：絶縁碍子
。　　″

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. イオン化を行う”真空中内に配置され先端が尖鋭にされ
    た部材と、該部材の先端部に強電界を形成する手段と、
    該部材を支持する支持部材と、該真空室内にイオン化さ
    れるガス２を供給するためのガス導入管き、該真空室上
    部に配置されその一部が中空にされた絶縁碍子と、該絶
    縁碍子に接近して配置されて該絶縁碍子の中空部と連通
    し、その内部に冷媒が入れられ今冷却槽とを有し、前記
    支持部材と前記ガス導入管の一部を該絶縁碍子中空部内
    の冷媒中に配置した電界電離型イオン源。
JP1434382U 1982-02-04 1982-02-04 電界電離型イオン源 Granted JPS58117053U (ja)

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JP1434382U JPS58117053U (ja) 1982-02-04 1982-02-04 電界電離型イオン源

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JP1434382U JPS58117053U (ja) 1982-02-04 1982-02-04 電界電離型イオン源

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JPS58117053U true JPS58117053U (ja) 1983-08-10
JPS6314369Y2 JPS6314369Y2 (ja) 1988-04-22

Family

ID=30026813

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JP (1) JPS58117053U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240543A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Jeol Ltd イオン源
JP2009289670A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Hitachi High-Technologies Corp イオンビーム装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240543A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Jeol Ltd イオン源
JP2009289670A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Hitachi High-Technologies Corp イオンビーム装置

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