JPS62140663U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS62140663U
JPS62140663U JP2866486U JP2866486U JPS62140663U JP S62140663 U JPS62140663 U JP S62140663U JP 2866486 U JP2866486 U JP 2866486U JP 2866486 U JP2866486 U JP 2866486U JP S62140663 U JPS62140663 U JP S62140663U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitter
pipe
ionized
lens barrel
surrounding area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2866486U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2866486U priority Critical patent/JPS62140663U/ja
Publication of JPS62140663U publication Critical patent/JPS62140663U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例として示した集束イ
オンビーム装置のイオン源と引出し電極の部分の
詳細図、第２図は集束イオンビーム装置の概略図
、第３図従来の集束イオンビーム装置のイオン源
と引出し電極の部分の詳細図である。 ３０：絶縁部材、１：エミツタ、１３′：ホル
ダ、２ａ′：引出し電極、３１：冷媒タンク、３
２：隔壁、３３，３４，３５，３７，３８：絶縁
材料製のパイプ、３６：熱交換器、Ｓ：空間。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. エミツタ及びその周辺部にイオン化すべきガス
    を供給し、この部分に高電圧を印加してイオンビ
    ームを発生させる様に成した装置において、接地
    された鏡筒と同電位にある支持体に前記エミツタ
    を直接又は間接的に取付ける為の部分及び前記鏡
    筒に一端が支持され、前記エミツタ周辺部にイオ
    ン化すべきガスを供給する為のパイプを備え、前
    記保持部分及びパイプの少くとも鏡筒内に位置す
    る部分を絶縁製材料で形成し、しかも、エミツタ
    に印加されている高電位に対し、上記保持部分及
    びパイプの接地電位側の沿面距離が絶縁破壊を起
    こさない程度の長さに形成されているイオンビー
    ム装置。
JP2866486U 1986-02-28 1986-02-28 Pending JPS62140663U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2866486U JPS62140663U (ja) 1986-02-28 1986-02-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2866486U JPS62140663U (ja) 1986-02-28 1986-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62140663U true JPS62140663U (ja) 1987-09-04

Family

ID=30831843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2866486U Pending JPS62140663U (ja) 1986-02-28 1986-02-28

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62140663U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009020151A1 (ja) * 2007-08-08 2009-02-12 Sii Nanotechnology Inc. 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106733A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Hitachi Ltd イオン銃
JPS5948738B2 (ja) * 1980-11-20 1984-11-28 吉田工業株式会社 中栓の成形方法及びその装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5948738B2 (ja) * 1980-11-20 1984-11-28 吉田工業株式会社 中栓の成形方法及びその装置
JPS58106733A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Hitachi Ltd イオン銃

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009020151A1 (ja) * 2007-08-08 2009-02-12 Sii Nanotechnology Inc. 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法
JP5410975B2 (ja) * 2007-08-08 2014-02-05 株式会社日立ハイテクサイエンス 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62140663U (ja)
JPS58117053U (ja) 電界電離型イオン源
JPS5911400Y2 (ja) 電界放射型イオン源
JPS6013740U (ja) 試料保持装置
JPS6292550U (ja)
JPS6237200U (ja)
JPH01104757U (ja)
JPS63111954U (ja)
JPS5948738U (ja) イオン源
JPS6282373U (ja)
JPS6119764U (ja) 薄層クロマトグラフ検出用水素炎バ−ナ−装置
JPS5912258U (ja) 電子線照射装置
JPH0423372B2 (ja)
JPH0241400U (ja)
JPS6361748U (ja)
JPS58110949U (ja) イオン銃
JPS63216247A (ja) ガスフエ−ズイオン源
JPS5991666U (ja) 質量分析装置用直接化学イオン源
JPS6422057U (ja)
JPS6250706U (ja)
JPS61100872U (ja)
JPS61177467U (ja)
JPS61162934U (ja)
JPS5914309U (ja) 超電導マグネツト装置
JPH03101848U (ja)