JPS63216247A - ガスフエ−ズイオン源 - Google Patents
ガスフエ−ズイオン源Info
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- JPS63216247A JPS63216247A JP4818287A JP4818287A JPS63216247A JP S63216247 A JPS63216247 A JP S63216247A JP 4818287 A JP4818287 A JP 4818287A JP 4818287 A JP4818287 A JP 4818287A JP S63216247 A JPS63216247 A JP S63216247A
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- emitter
- ion source
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- heat reflecting
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はガスフェーズイオン源に関し、特にイオンビー
ムの生成効率の向」ニを図ったガスフＩ −ズイオン源
に関する。
ムの生成効率の向」ニを図ったガスフＩ −ズイオン源
に関する。
［従来技術］
近時、イオンビーム描画装置にガスフェーズイオン源が
用いられるようになった。このガスフェーズイオン源は
、先端が鋭くされたエミッターを例えば液体ヘリウム温
度にに冷却すると共に、該エミッタ先端部にヘリウムガ
スを供給し、先端に付着したヘリウムガス分子を電界に
よって？［させ、イオン化するようにしている。
用いられるようになった。このガスフェーズイオン源は
、先端が鋭くされたエミッターを例えば液体ヘリウム温
度にに冷却すると共に、該エミッタ先端部にヘリウムガ
スを供給し、先端に付着したヘリウムガス分子を電界に
よって？［させ、イオン化するようにしている。
第２図はこのようなガスフェーズイオン源の従来装置を
示すもので、１はタングステン（Ｗ）で形成されたエミ
ッタ、２は例えば銅（Ｃｕ）で形成されたホルダー、３
はサファイヤで形成された電気絶縁性熱伝導部材、４は
液体ヘリウム５が収納された冷媒槽、６はエミッタ１に
対向して配置された引出し電極、７は加速電極、８はエ
ミッタ１と加速電極７間に例えば加速電圧＋１００ＫＶ
を印加する加速電源、９はエミッタ１に対して負の３０
ＫＶ程度の引出し電圧を印加する引出し電源、１０は引
出し電極６等を支持する絶縁部材で形成された支持部材
、１１はエミッタ１の周囲にヘリウムガスを供給するガ
ス導入パイプ、１２は熱反！ｌ）Ｉ筒で、該熱反射筒１
２は、エミッタ近傍の頁空度がガス導入により例えば１
０”Ｔ ｏ ｒ、ｒから１０’Ｔｏｒｒ程度に急激に低
下することにより、冷却されたホルダー２等が外部から
の熱や、引出し電極６からの輻射熱によって温度上界し
ないようにホルダー２を囲むようにして配置されている
。
示すもので、１はタングステン（Ｗ）で形成されたエミ
ッタ、２は例えば銅（Ｃｕ）で形成されたホルダー、３
はサファイヤで形成された電気絶縁性熱伝導部材、４は
液体ヘリウム５が収納された冷媒槽、６はエミッタ１に
対向して配置された引出し電極、７は加速電極、８はエ
ミッタ１と加速電極７間に例えば加速電圧＋１００ＫＶ
を印加する加速電源、９はエミッタ１に対して負の３０
ＫＶ程度の引出し電圧を印加する引出し電源、１０は引
出し電極６等を支持する絶縁部材で形成された支持部材
、１１はエミッタ１の周囲にヘリウムガスを供給するガ
ス導入パイプ、１２は熱反！ｌ）Ｉ筒で、該熱反射筒１
２は、エミッタ近傍の頁空度がガス導入により例えば１
０”Ｔ ｏ ｒ、ｒから１０’Ｔｏｒｒ程度に急激に低
下することにより、冷却されたホルダー２等が外部から
の熱や、引出し電極６からの輻射熱によって温度上界し
ないようにホルダー２を囲むようにして配置されている
。
このような構成において、ガス導入バイブ１１を介して
エミッタ１の周囲に導入されたヘリウムのガス分子は、
４°に＆！度に冷却されたエミッタ１の先端に付着した
後、該エミッタ先端に印加された強電界によって電離さ
れ、生成されたイオンは引出し電極６によって引出され
て加速される。
エミッタ１の周囲に導入されたヘリウムのガス分子は、
４°に＆！度に冷却されたエミッタ１の先端に付着した
後、該エミッタ先端に印加された強電界によって電離さ
れ、生成されたイオンは引出し電極６によって引出され
て加速される。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、このように構成された従来のガスフェーズイ
オン源においては、エミッタ１の先端に付着されたガス
分子をイオン生成するため、該エミッタ１と引出し電極
６の間に３０ＫＶ程度の引出し電圧を印加しても、前記
エミッタ１と熱反射筒１２とは同電位であるため、エミ
ッタ１先端に印加される電界強度が熱反射筒１２によっ
て弱められイオンの生成効率が低下する欠点があった。
オン源においては、エミッタ１の先端に付着されたガス
分子をイオン生成するため、該エミッタ１と引出し電極
６の間に３０ＫＶ程度の引出し電圧を印加しても、前記
エミッタ１と熱反射筒１２とは同電位であるため、エミ
ッタ１先端に印加される電界強度が熱反射筒１２によっ
て弱められイオンの生成効率が低下する欠点があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、熱反射筒によ
るエミッタ先端に印加される電界強度の低下を防いでイ
オンの生成効率の向上を図ったガスフェーズイオン源を
提供することを目的としている。
るエミッタ先端に印加される電界強度の低下を防いでイ
オンの生成効率の向上を図ったガスフェーズイオン源を
提供することを目的としている。
「問題点を解決するための手段コ
本目的を達成するための本発明は、慟低温に冷却された
ホルダーに保持され、周囲にイオーン化されるガスが供
給されるエミッタと、該ホルダーを囲むにうにして扉間
された熱反射筒と、前記エミッタに対向して配置された
引出し電極とを備えたガスフェーズイオン源において、
前記引出し電極よりの引き出し電界がエミッタ側に深く
入り込むように前記熱反ＯＡ筒に前記引出し電極とは異
なった電位を与えるための手段を備えたことを特徴とし
ている。
ホルダーに保持され、周囲にイオーン化されるガスが供
給されるエミッタと、該ホルダーを囲むにうにして扉間
された熱反射筒と、前記エミッタに対向して配置された
引出し電極とを備えたガスフェーズイオン源において、
前記引出し電極よりの引き出し電界がエミッタ側に深く
入り込むように前記熱反ＯＡ筒に前記引出し電極とは異
なった電位を与えるための手段を備えたことを特徴とし
ている。
［実施例］
以下本発明の実施例を図面に基づき詳述する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。尚、第１図
に示す実施例装置においては、第２図に示す従来装置と
同一構成要素には同一番号を付してその説明を省略する
。第１図にＪりいて、１３はホルダー２と熱反ｒＪ４筒
１２を電気的に絶縁する絶縁部材、１４はエミッタ１と
熱反射筒１２の間に２０ＫＶ程度の補助電圧を印加する
補助電源である。
に示す実施例装置においては、第２図に示す従来装置と
同一構成要素には同一番号を付してその説明を省略する
。第１図にＪりいて、１３はホルダー２と熱反ｒＪ４筒
１２を電気的に絶縁する絶縁部材、１４はエミッタ１と
熱反射筒１２の間に２０ＫＶ程度の補助電圧を印加する
補助電源である。
このように構成されたガスフェーズイオン源においては
、イオンを生成するためにエミッタ１と引出し電極６の
間に３０ＫＶの引出し電圧を印加し、エミッタ１と熱反
ｒＪＪ筒１２の間に２０ＫＶ程度の補助電圧を印加した
場合、該引出し電極６と熱反射筒１２との間には１０Ｋ
Ｖの電位差があるため、該エミッタ１と引出し電極６の
間に形成される電界がエミッタ１側に深く入り込む。従
って、エミッタ１の先端に印加される電界強度が熱反射
筒１２によって弱められることがないためイオンの生成
効率を向上させることができる。
、イオンを生成するためにエミッタ１と引出し電極６の
間に３０ＫＶの引出し電圧を印加し、エミッタ１と熱反
ｒＪＪ筒１２の間に２０ＫＶ程度の補助電圧を印加した
場合、該引出し電極６と熱反射筒１２との間には１０Ｋ
Ｖの電位差があるため、該エミッタ１と引出し電極６の
間に形成される電界がエミッタ１側に深く入り込む。従
って、エミッタ１の先端に印加される電界強度が熱反射
筒１２によって弱められることがないためイオンの生成
効率を向上させることができる。
尚、上記実施例は例示である。上記実施例では、エミッ
タと引出し電極の間に３０ＫＶの引出し電圧を印加し、
エミッタと熱反０１筒の間に２０ＫＶの補助電圧を印加
した場合を説明したが、熱反射筒の形状、エミッタと引
出し電極との間の距離等によって該エミッタと熱反ＩＪ
Ｊ １ｍの間に印加Ｊる補助電圧を可変とするように可
変型補助電源としてｂ良い。
タと引出し電極の間に３０ＫＶの引出し電圧を印加し、
エミッタと熱反０１筒の間に２０ＫＶの補助電圧を印加
した場合を説明したが、熱反射筒の形状、エミッタと引
出し電極との間の距離等によって該エミッタと熱反ＩＪ
Ｊ １ｍの間に印加Ｊる補助電圧を可変とするように可
変型補助電源としてｂ良い。
［発明の効果１
以上詳述したように本発明によれば、熱反射筒によるエ
ミッタ先端に印加される電界強度の低下を防いでイオン
の生成効率の向上を図ったガスフェーズイオン源が提供
される。
ミッタ先端に印加される電界強度の低下を防いでイオン
の生成効率の向上を図ったガスフェーズイオン源が提供
される。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来装置
の構成図である。 １：エミッタ、２：ホルダー、３：熱伝導部材、４：冷
媒槽、５：液体ヘリウム、６：引出し゛電極、７：加速
電極、８：加速電源、９：引出し電源、１０：支持部材
、１１：ガス導入パイプ、１２二熱反射筒、１３：絶縁
部材、１４：補助電源。
の構成図である。 １：エミッタ、２：ホルダー、３：熱伝導部材、４：冷
媒槽、５：液体ヘリウム、６：引出し゛電極、７：加速
電極、８：加速電源、９：引出し電源、１０：支持部材
、１１：ガス導入パイプ、１２二熱反射筒、１３：絶縁
部材、１４：補助電源。
Claims (1)
- 極低温に冷却されたホルダーに保持され、周囲にイオン
化されるガスが供給されるエミッタと、該ホルダーを囲
むようにして配置された熱反射筒と、前記エミッタに対
向して配置された引出し電極とを備えたガスフェーズイ
オン源において、前記引出し電極よりの引き出し電界が
エミッタ側に深く入り込むように前記熱反射筒に前記引
出し電極とは異なった電位を与えるための手段を備えた
ことを特徴とするガスフェーズイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4818287A JPS63216247A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4818287A JPS63216247A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216247A true JPS63216247A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12796242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4818287A Pending JPS63216247A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010008924A3 (en) * | 2008-07-16 | 2010-04-22 | Carl Zeiss Smt Inc. | Increasing current in charged particle sources and systems |
| JP2020187909A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 株式会社日立製作所 | ガス電界電離イオン源 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP4818287A patent/JPS63216247A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010008924A3 (en) * | 2008-07-16 | 2010-04-22 | Carl Zeiss Smt Inc. | Increasing current in charged particle sources and systems |
| JP2011528489A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-17 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | 荷電粒子源およびシステムにおける電流増加 |
| US8124941B2 (en) | 2008-07-16 | 2012-02-28 | Carl Zeiss Nts, Llc | Increasing current in charged particle sources and systems |
| JP2020187909A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 株式会社日立製作所 | ガス電界電離イオン源 |
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