JPS59121747A - イオンミリング方法 - Google Patents
イオンミリング方法Info
- Publication number
- JPS59121747A JPS59121747A JP23010282A JP23010282A JPS59121747A JP S59121747 A JPS59121747 A JP S59121747A JP 23010282 A JP23010282 A JP 23010282A JP 23010282 A JP23010282 A JP 23010282A JP S59121747 A JPS59121747 A JP S59121747A
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- JP
- Japan
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- ion
- sample
- saddle
- generating chamber
- argon
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はイオンミリング方法に係り、特にサドルフィー
ルド（ｓａ′１ｄｌｅ ｆｉｅｌｄ）型イオンガンを用
いるイオンミリング方法の改良に関するものである。
ルド（ｓａ′１ｄｌｅ ｆｉｅｌｄ）型イオンガンを用
いるイオンミリング方法の改良に関するものである。
（ト）従来技術と問題点
従来試料をイオンミリングする場合には、一般にＫａ、
ｕｆｍａｎ 型と呼ばれるいわゆる真空容器内にメン
トを置き、ガス導入口よりアルゴンガスを放電に適した
真空度になる程度に導入してアルゴンプラズマを発生さ
せ、グリッド電極によってアルゴンイオンを引き出して
イオンビーム状として試料に照射してイオンミリングす
る方法が通常行われている。しかしながら上記イオンミ
リング方法においてはイオンビーム発生機構においてフ
ィラメントなどに金属材料を使用している。そのため、
試料をイオンミリング加工する際に、該試料上に金属の
不純物が付着してメタリックな汚染を生ずる場合があり
、特に清浄な状態で試料を加工する場合、たとえば不純
物の混入を極力防止しなければならない半導体試料など
の微細加工には不具合であった。そのため第１図に示す
ようにサドルフィールド（Ｓａｄｄ［−ｅ Ｆｉｅｌｄ
）型イオンガンを用いる方法がとられている。第１図に
おいてサドルフィールド型イオンガンｌは、カーボン板
により被覆したイオン発生室２内に、該イオン発生室２
より内壁全てを絶縁された２本のカーボン電極３が配口
４が４１設されている。又拭判加］−室５と接−するカ
ーボン側壁６には蝮数個の貫通孔（アパーチャー）７が
設けられ、前記試料加工室５には排気口８と試料固定台
９が設けられている。かかるイオンミリング装置を用い
て試料１０を加にする場合には前記排気ｎ８より真空排
気した後、ガス導入口４よりイオン発生室２中にアルゴ
ンガスを導入してＪＯ〜ｌ ＯＰｎｒｒ−の真空度とし
、該イオン発生室２をアースして前記２本のカーボン側
壁極３に所定の直流電圧を印加すれば図示したことくサ
ド／Ｉ／（鞍点）状のアルゴンプラズマ１１が発生し、
前記アパーチへ・７を通じて試料固定台９に保持された
試料１０をイオンミリングすることができる。
ｕｆｍａｎ 型と呼ばれるいわゆる真空容器内にメン
トを置き、ガス導入口よりアルゴンガスを放電に適した
真空度になる程度に導入してアルゴンプラズマを発生さ
せ、グリッド電極によってアルゴンイオンを引き出して
イオンビーム状として試料に照射してイオンミリングす
る方法が通常行われている。しかしながら上記イオンミ
リング方法においてはイオンビーム発生機構においてフ
ィラメントなどに金属材料を使用している。そのため、
試料をイオンミリング加工する際に、該試料上に金属の
不純物が付着してメタリックな汚染を生ずる場合があり
、特に清浄な状態で試料を加工する場合、たとえば不純
物の混入を極力防止しなければならない半導体試料など
の微細加工には不具合であった。そのため第１図に示す
ようにサドルフィールド（Ｓａｄｄ［−ｅ Ｆｉｅｌｄ
）型イオンガンを用いる方法がとられている。第１図に
おいてサドルフィールド型イオンガンｌは、カーボン板
により被覆したイオン発生室２内に、該イオン発生室２
より内壁全てを絶縁された２本のカーボン電極３が配口
４が４１設されている。又拭判加］−室５と接−するカ
ーボン側壁６には蝮数個の貫通孔（アパーチャー）７が
設けられ、前記試料加工室５には排気口８と試料固定台
９が設けられている。かかるイオンミリング装置を用い
て試料１０を加にする場合には前記排気ｎ８より真空排
気した後、ガス導入口４よりイオン発生室２中にアルゴ
ンガスを導入してＪＯ〜ｌ ＯＰｎｒｒ−の真空度とし
、該イオン発生室２をアースして前記２本のカーボン側
壁極３に所定の直流電圧を印加すれば図示したことくサ
ド／Ｉ／（鞍点）状のアルゴンプラズマ１１が発生し、
前記アパーチへ・７を通じて試料固定台９に保持された
試料１０をイオンミリングすることができる。
上述したイオンミリング方法においてはヌバツタ率の小
さいカーボン部利より構成されたザドルフィールド型イ
オンガンｌを用いるためメタリックの汚染が少なく非常
に清浄な状態で試料１０をイオンミリングすることが可
能であるが、その反面イオンガンのプラズマ電流密度は
印加した電圧と真空度によってきまるため電流密度を高
密度にすることか雌かしくそのためエツチング加工速度
が遅く作柴能率が悪いという欠点があった。
さいカーボン部利より構成されたザドルフィールド型イ
オンガンｌを用いるためメタリックの汚染が少なく非常
に清浄な状態で試料１０をイオンミリングすることが可
能であるが、その反面イオンガンのプラズマ電流密度は
印加した電圧と真空度によってきまるため電流密度を高
密度にすることか雌かしくそのためエツチング加工速度
が遅く作柴能率が悪いという欠点があった。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので、清
浄な状態で、かつ高密度イオン電流によって能率よく試
料を加工するイオンミリング方法の提供にある。
浄な状態で、かつ高密度イオン電流によって能率よく試
料を加工するイオンミリング方法の提供にある。
０）発明の構成
その目的を達成するため本発明はサドルフィールド型イ
オンミリンガンを用いて試料をイオンミリングする方法
であって、該サドルフィールド型イオンガンの所定側壁
にマイクロ波発振器を付設してマイクロ波をイオンガン
中に導入し、前記試料をイオンミリングすることを特徴
とする。
オンミリンガンを用いて試料をイオンミリングする方法
であって、該サドルフィールド型イオンガンの所定側壁
にマイクロ波発振器を付設してマイクロ波をイオンガン
中に導入し、前記試料をイオンミリングすることを特徴
とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図は本発明を実施するだめのイオンミリング装置の
概略構成図であり、前回と同等の部分ｐｃついては同一
符号を符している。同図ｒｃおいて従来と異なる点はサ
ドルフィールド型イオンガン２０の所定側壁に図示した
ようにマイクロ波発振器２１を付設し、イオンガン２ｏ
中にマイクロ波を導入して電流密度を筒めて、能率よく
試料を加工できる様にした点にある。即ち本実施例にお
いては試料加工室６の一端に設けられた排気口８より前
記試料加工室す及びアパーチャ？を介してイオン発生室
２内を真空排気し、イオン発生室２のガス導入口４より
アルゴンガスを導入して、１０ ”〜１Ｏ−４Ｔｏｒ
ｒの真空度とし、該イオン発生室２をアースしてイオン
発生室２内に配設された２本の電極８に約２〜５ＫＶの
直流電圧を印加してサドル状のアルゴンプラズマを発生
させる。かがる状態においてたとえばマグネトロンと導
波管よりなる前記マイクロ発振器２１よシ、２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入して前記サドル状に発生したア
ルゴンプラズマに照射すればアルゴン分子が更に励起さ
れて高密度のイオンが発生し、高密度のイオンビーム２
２によってアパーチャアを通じて試料加工室５内の試料
固定台９に保持された試料１０状態でイオンミリングす
ることが可能となる。
概略構成図であり、前回と同等の部分ｐｃついては同一
符号を符している。同図ｒｃおいて従来と異なる点はサ
ドルフィールド型イオンガン２０の所定側壁に図示した
ようにマイクロ波発振器２１を付設し、イオンガン２ｏ
中にマイクロ波を導入して電流密度を筒めて、能率よく
試料を加工できる様にした点にある。即ち本実施例にお
いては試料加工室６の一端に設けられた排気口８より前
記試料加工室す及びアパーチャ？を介してイオン発生室
２内を真空排気し、イオン発生室２のガス導入口４より
アルゴンガスを導入して、１０ ”〜１Ｏ−４Ｔｏｒ
ｒの真空度とし、該イオン発生室２をアースしてイオン
発生室２内に配設された２本の電極８に約２〜５ＫＶの
直流電圧を印加してサドル状のアルゴンプラズマを発生
させる。かがる状態においてたとえばマグネトロンと導
波管よりなる前記マイクロ発振器２１よシ、２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入して前記サドル状に発生したア
ルゴンプラズマに照射すればアルゴン分子が更に励起さ
れて高密度のイオンが発生し、高密度のイオンビーム２
２によってアパーチャアを通じて試料加工室５内の試料
固定台９に保持された試料１０状態でイオンミリングす
ることが可能となる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明の一実施例によればサドルフィ
ールド型イオンガンの所定側壁にマイクロ波発振器を付
設することによって清浄な状態で加工を必要とする半導
体製造工程などにおいて試料を能率よくイオンミリング
することができ能率向上に効果がある。
ールド型イオンガンの所定側壁にマイクロ波発振器を付
設することによって清浄な状態で加工を必要とする半導
体製造工程などにおいて試料を能率よくイオンミリング
することができ能率向上に効果がある。
Claims (1)
- サドルフィールド型イオンガンを用いて試料をイオンミ
リングする方法であって、該サドルフィールド型イオン
ガンの所定側壁にマイクロ波発振器を付設してマイクロ
波をイオンガン中に導入し、前記試料をイオンミリング
することを特徴とするイオンミリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23010282A JPS59121747A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオンミリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23010282A JPS59121747A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオンミリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121747A true JPS59121747A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16902580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23010282A Pending JPS59121747A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオンミリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121747A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134843A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置 |
| JPS61166044A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO1999040609A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted processing chamber with separate control of species density |
| WO1999040608A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23010282A patent/JPS59121747A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134843A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | イオンミリング装置 |
| JPS61166044A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0518459B2 (ja) * | 1984-12-19 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | |
| WO1999040609A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted processing chamber with separate control of species density |
| WO1999040608A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
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