JPH04129133A - イオン源及びプラズマ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、イオン源及びプラズマ装置に係り、特に、イ
オンミリング装置、反応性イオンビームエツチング装置
等に用いて好適なイオン源及びエツチング装置に用いて
好適なプラズマ装置に関する。

［従来の技術］ 近年、半導体集積回路、各種薄膜デバイスの多様化、高
性能化に伴い、そのための微細加工技術として、従来の
プラズマを使用したエツチング法に代って、指向性の良
い反応性イオンビームを用いたエツチング法が用いられ
るようになってきている。

従来技術によるイオンビームエツチング装置のイオン源
としては、一般に、フィラメントにより熱電子を供給し
ながら、直流放電を行わせてイオンを生成する方法がよ
く用いられている。しかし、このイオン源は、酸素や塩
素のような反応性の強いガスのイオンビームを発生させ
ると、フィラメントの消耗が著しく多くなるいという問
題点を有している。

このような問題点を解決するため、フィラメントを用い
る必要のないイオン源の開発が行なわれている。その代
表的なものは、ソレノイドコイルにより発生した磁界中
にマイクロ波を導入することにより、所望のガスのプラ
ズマを作り、そこからイオン引出し電極により、イオン
を引出すという方法によるものである。

フィラメントの消耗に対する問題は、この方法により解
決することができた。

この種磁界中のマイクロ波放電を利用してイオンビーム
を発生させる類似の装置に関する従来技術として、例え
ば、特開昭６３−２７９５９９号公報等に記載された技
術が知られている以下、従来技術によるイオン源を持つ
装置について図面により説明する。

第６図は従来技術の構成を示す断面図である。

第６図において、１１０は真空室、１１１はガス導入口
、１１２はマイクロ波導入口、１１３はマグネットコイ
ル、１１８は永久磁石である。

従来技術による装置は、第６図に示すように、ガス導入
口１１１及びマイクロ波導入口１１２を有する真空室１
１０に、基板ホールダ１’　ｌ　６に保持された被処理
物である基板１１７が設けられ、真空室１１０の周囲に
マグネットコイル１１３及び永久磁石１１８が配置され
て構成されている。

そして、第６図に示す装置は、ガス導入口１１１からガ
スを導入しながら、マイクロ波導入口１１２からマイク
ロ波を供給することにより、永久磁石１１８により約８
７５ガウスの軸方向磁界が印加された真空室１１０でマ
イクロ波放電を生じさせ、プラズマを発生させるもので
ある。その際、永久磁石１１８の上方に置かれたマグネ
ットコイル１１３の磁界が重畳される。放電した時点で
マグネットコイルの電流は切断される。

第６図に示す従来技術は、前述のような方法により、安
定したマイクロ波放電を得ることができる。

その他の類似の装置に関する従来技術として、アイ・イ
ー・イー・イー　トランザクション　オン　ニュークリ
アー　サイエンス、エヌ　ニス２６゜２（１９７９年）
第２１２０頁〜第２１２７頁（Ｉ　ＥＥＥ、　Ｔｒａｎ
ｓ。

Ｎｕｃｌｅａｒ　５ｃｉｅｎｃｅ　、　Ｎ　Ｓ　−２６
，２（１９７９）　ｐｐ２１２０−２１２７］に記載さ
れた技術が知られている。この従来技術は、多価イオン
を発生するためのイオン源に関するものである。

第７図は（ａ）、（ｂ）はこの従来技術によるイオン源
の主要部の構成を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（
ｂ）はＥ−Ｅ線断面図である。

この従来技術は、放電室２０１の周囲に永久磁石２０°
３が、同図（ｂ）に示すように多極磁界を形成するよう
に配置され、永久磁石２０３の周囲には、ソレノイドコ
イル２０２が配置されて構成される。そして、ガス導入
口２１３から、ガスあるいは低密度のプラズマが、マイ
クロ波導入窓２０６からマイクロ波が供給される。

放電室２０１内には、ソレノイドコイル２０２の発生す
る磁界の下でマイクロ波放電によってプラズマが発生し
、このプラズマから、イオン引出し電極２１５によりイ
オンが、真空室２１０内に引出される。

この装置により得られる多価イオンは、より価数の低い
イオンに高速の電子が衝突することにより生成されるが
、永久磁石２０３の作る多極磁界により電子が閉込めら
れるため、低い価数のイオンに対する電子衝突の回数が
増え、ソレノイドコイル単独で構成した場合に比較して
、より多くの多価イオンを生成することができる。

第８図（ａ）は他の従来技術の構成を示す縦断面図、第
８図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、第８図（ｃ）は装置の特
性を説明する図である。第８図において、ｌは放電室、
２はソレノイドコイル、４は磁気シールド、５は永久磁
石、６はマイクロ波透過窓、７は導波管、１０は処理室
、１１は排気口、１３はガス導入管、１５はイオン引出
電極、１６は絶縁物、１８は基板ホールダ、１９は基板
、２５は中性化器である。

第８図に示す従来技術は、放電室１と処理室１０とを備
えて構成されており、処理室１０は、図示しない真空ポ
ンプにより、排気口１１から真空排気される。また、放
電室ｌは、円筒形に構成され、放電室１の一端に、マイ
クロ波透過窓６が設けられ、導波管７が連結されていて
、図示しないマイクロ波発生装置から送られるマイクロ
波が、放電室１に導入される。また、放電室１は、ガス
導入管１３が設けられている。

放電室１のもう一方の端には、イオン引出し電極１５が
配置されている。このイオン引出し電極は、多孔のグリ
ッドを絶縁物１６で電気的に絶縁して構成されている。

放電室１の周囲には、８個の永久磁石５が配置されると
共に、その外周にソレノイドコイル２、及び磁気シール
ド４が配置されている。

永久磁石５は、放電室ｌ内に多極磁界を生成するように
配置される。

処理室１０内には、回転及び傾斜させることができる基
板ホールダ１８、該基板ホールダ１８に保持される被処
理物である基板１９、イオンによる基板１９の帯電を防
止するための電子を供給する中性化器２５が設けられて
いる。

第８図（ｃ）に−点鎖線で示す特性は、第８図（ａ）、
（ｂ）に示す従来技術の放電室１の中心軸上での軸方向
磁界の大きさを示しており、イオン引出し電極１５の最
もプラズマに近いグリッドの位置における漏れ磁界は、
この従来技術の場合、約７８０ガウスであり、ソレノイ
ドコイル単独で、放電室１内に磁界を発生させる場合の
漏れ磁界とほとんど同一である。

すなわち、前述した第７図、第８図（ａ）、（ｂ）に示
す従来技術のように、ソレノイドコイルと多極磁界を発
生させる永久磁石の組合せでは、イオン源の放電室以外
における漏れ磁界を、ソレノイドコイル単独使用の場合
より低減することができない。

なお、第８図（ｃ）に実線で示す特性は、後述する本発
明による場合であり、放電室以外におけるもれ磁界を、
大幅に低減することができることを示している。

［発明が解決しようとする課題］ 前述した従来技術のうち、ソレノイドコイルのみを用い
たイオン源は、放電室以外での漏れ磁界について考慮さ
れておらず、引呂されたイオンビームの発散が大きいと
いう問題点を有している。

そして、このイオン源は、イオンミリング装置、反応性
イオンビームエツチング装置、プラズマエツチング装置
に用いられた場合、被加工物に数１００ガウスの磁界が
加わることになり、被加工物の磁気特性を変える恐れが
あるため、磁性体を被加工物として扱うことができない
という問題点を有している。

また、前述の従来技術による磁界を用いたマイクロ波イ
オン源、あるいは、プラズマエツチング装置は、放電室
の磁界を、約９００ガウス以上の大きな値とする必要が
あり、イオン引出し電極、被加工物に対する漏れ磁界を
できるだけ小さくする必要がある。

第６図の従来技術は、永久磁石とソレノイドコイルとが
併用されているが、定常動作時にはソレノイドコイルに
は通電されないので、永久磁石のみの作る磁界とほとん
ど変わるところがない。そのため、放電室の磁界を大き
くすると、漏れ磁界も大きくなるという問題点を有して
いる。

一方、第７図、第８図に示した従来技術は、多極磁界が
放電室の軸方向に対し、直角方向のみの成分を持つこと
になるので、マイクロ波放電でのプラズマ生成に重要な
軸方向磁界については、ソレノイドコイルが単独で作る
磁界と同じである。

このため、放電室の磁界を大きくすると、漏れ磁界も大
きくなるという問題点を有している。

本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を解決し、
高精度の微細加工に不可欠な発散の小さいイオンビーム
を得ることができると共に、磁性体の被加工物をも処理
することができるように、放電室の磁界を大きくしなが
ら、それ以外の部分での漏れ磁界を極力小さくしたマイ
クロ波イオン源及びプラズマ装置を提供することにある
。

本発明の他の目的は、前記目的に加えて、大面積で均一
なイオンビームあるいはプラズマを発生することができ
るマイクロ波イオン源及びプラズマ装置を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］ 本発明によれば前記目的は、放電室にガス及びマイクロ
波導入口を備え、放電室の周囲に永久磁石を配置し、そ
の外周にソレノイドコイルを配置し、かつ、前記永久磁
石による磁界を、前記放電室において、主としてその軸
方向に発生させるようにすることにより達成される。す
なわち、放電室の磁界は、ソレノイドコイルに導電する
ことによって生じる磁界と永久磁石のつくる磁界とが重
畳されたものとなり、ソレノイドコイルの電流を調整す
ることにより、この磁界の大きさを変えることができる
。

また、大面積の均一なイオンビームプラズマを得るとい
う前記目的は、前記放電室の下流側に、多極磁界を発生
す゛るための永久磁石を周囲に配置したプラズマ拡張室
を設けることにより達成される。

［作　用］ ソレノイドコイルは、永久磁石が放電室に生成する軸方
向磁界とおよそ同方向の磁界を発生するように通電され
る。永久磁石が作る磁界は、放電室において、ソレノイ
ドコイルの作る磁界を強めるが、放電室の端部及び放電
室から離れた所の磁界を逆に弱めるように働く。

通常、ソレノイドコイルが放電室に作る磁界と永久磁石
が放電室に作る磁界とは、おおよそ等しくなるように制
御される。この結果、放電室内には゛、電子サイクロト
ロン共鳴に必要な約ｉ　ｏｏ。

ガウス程度の軸方向磁界を得ることができ、しかも、放
電室のすぐ下流側で、２５０ガウス以下の磁界にするこ
とができ、イオン源の場合、イオンビームの引出しに磁
界の影響を受けることがほとんど無くなる。

そして、本発明は、イオン源、プラズマエツチング装置
いずれの場合も、被加工物のある位置における漏れ磁界
を数１０ガウス以下とすることができ、被加工物が磁性
体である場合にもその磁性体の磁気特性に何ら影響を与
えることがない。

本発明は、放電室にガスとマイクロ波とを導入すること
により、プラズマを生成するものであるが、その際、ソ
レノイドコイルの電流を調整することにより、プラズマ
へのマイクロ波の吸収の状態を変えることができ、効率
的に高密度のプラズマを生成することができる。また、
マイクロ波導入部における磁界を小さくすることができ
るため、所望の場所以外で、プラズマが生成されること
を防止することができる。

一方、本発明は、プラズマ拡張室を用いることができ、
この場合、イオン引出し電極部（イオン源の場合）及び
被加工物の位置における漏れ磁界を、さらに小さくする
ことができるのみならず、放電室において、プラズマ密
度の分布に不均一性がある場合でも、プラズマが拡散す
る過程で、その密度が均一化されるので、プラズマ拡張
室内に、均一性の良い大面積のイオンビームあるいはプ
ラズマを得ることができる。

［実施例］ 以下、本発明によるイオン源の実施例を図面により詳細
に説明する。

第１図（ａ）は本実施例の第１の実施例の構成を示す縦
断面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図、第２図は装置
の特性を説明する図である。第１図において、３は永久
磁石であり、他の符号は第８図の場合と同一である。

この第１図に示す本発明の第１の実施例は、イオンビー
ムエツチング、非質量分離型の低エネルギイオン打込み
機に用いるものであり、永久磁石３の配置が、前述した
第８図に示す従来技術と相違している。

すなわち、第１図に示す本発明の第１の実施例は、放電
室１と処理室１０とを備えて構成されており、処理室１
０は、図示しない真空ポンプにより、排気口１１から真
空排気される。また、放電室ｌは、ＳＵＳ製で、円筒形
の放電室１の一端に、マイクロ波透過窓６が設けられ、
導波管７が連結されていて、図示しないマイクロ波発生
装置から送られるマイクロ波が、放電室１に導入される
。

また、放電室１は、ガス導入管１３が設けられている。

放電室ｌのもう一方の端には、イオン引出し電極１５が
配置されている。この−イオン引出し電極は（多孔のグ
リッドを絶縁物１６で電気的に絶縁して構成されている
。

放電室１の周囲には、８個の棒状の永久磁石３（例えば
、Ｓｍ−Ｃｏ磁石）が配置されると共に、その外周にソ
レノイドコイル２、及び磁気シールド４が配置されてい
る。

永久磁石３は、マイクロ波導入窓６側がＮ極、イオン引
出し電極１５側がＳ極となるように配置され、これによ
り、放電室１内に作られる磁界の方向は、放電室１の軸
方向に一致する。また、ソレノイドコイル２は、巻数が
８００ターンで、水冷されている。

処理室１０内には、回転及び傾斜させることができる基
板ホールダ１８、該基板ホールダ１８に保持される被処
理物である基板１９、イオンによる基板１９の帯電を防
止するための電子を供給する中性化器２５が設けられて
いる。なお、基板１８は、基板ホールダ１８を介して冷
却される。

次に、前述のように構成される本発明の第１の実施例の
動作を説明する。

まず、処理室１０をｌＸｌ０−“Ｔ　ｏｒｒまで真空排
気する。放電室１に酸素ガスを供給しながら、ソレノイ
ドコイル２に通電し、放電室１の軸方向磁界が約１００
０ガウスになるようにする。この場合、永久磁石３が作
る磁界の大きさは、ソレノイドコイル２が作る磁界の大
きさにほぼ等しくなるように設定される。

そこに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると、放
電室１内に酸素ガスのプラズマが生成される。軸方向磁
界の大きさを変えると、プラズマのマイクロ波の吸収の
状態が変わるので、プラズマの密度も変化する。入力マ
イクロ波電力５００Ｗのとき、プラズマの密度は２〜５
×１０゛（ｃｍ−”）となった。放電室の軸方向磁界の
大きさを、さらにマイクロ波の吸収の良い大きさに設定
することも可能であるが、放電室におけるプラズマ密度
が高過ぎると、イオンビームの発散が大きくなることが
あるので、本発明の実施例では前述の範囲で使用した。

前述の実施例において、イオンビームの引出し径が１０
０ｍｍのとき、直径７５ｍｍの基板１９上におけるイオ
ンビームの均一性は、±１０％、ビームの発散角は約５
度であった。また、加速電圧１ｋＶのときの、イオン引
出し電極１５におけるイオン電流密度は、１．５〜２．
０ｒｎＡ／ｃｍ”であった。

この本発明の第１の実施例における漏れ磁界の特性が、
第２図に示されている。この特性は、放電室１の中心軸
上の磁束密度の軸方向成分を調べたものであり、放電室
を約１０００ガウスにした場合における、その周辺の磁
界を示している。

第１図に示す実施例の場合が実線で、ソレノイドコイル
単独の実施例の場合が一点鎖線で示されている。この図
から、本発明の実施例におけるイオン引出し電極１５の
最もプラズマに近いグリッドは、位置ｚ　＝　９０　（
ｍｍ）のところにあり、ここでの漏れ磁界は２５０ガウ
ス程度で、ソレノイドコイル単独の場合の８００ガウス
に比較すると大幅に減少していることが分かる。また基
板１９上での漏れ磁界は、３０ガウス程度であった。

前述した本発明の第１の実施例によれば、放電室の軸方
向の磁界の大きさを約１０００ガウスにすることができ
るため、充分な密度のイオンビームを得ることができる
と共に、イオンビーム引出し電極１５及び基板１９の位
置における漏れ磁界を小さくすることができるので、イ
オンビームの発散が小さく、磁性体も処理を行うことが
できるという効果を得ることができる。

このような本発明の前述した実施例の効果は、本発明の
実施例の装置において、放電室ｌの周囲に配置されてい
る永久磁石の作る磁界が、主として、放電室の軸方向の
磁界であることにより得られるものである。

第７図、第８図により説明した従来技術では、永久磁石
とソレノイドコイルで磁界を発生させているが、この永
久磁石が多極磁界であって、軸方向には磁界成分をもた
ず、軸方向に垂直な方向成分のみの磁界を発生している
ため、前述したような漏れ磁界を小さくする効果を得る
ことができない。

第３図は本発明の第２の実施例の構成を示す図であり、
第３図（ａ）は本発明の第２の実施例の構成を示す縦断
面図、第３図（ｂ）はそののＢ−Ｂ線断面図である。第
３図において、５は永久磁石、８は真空導波管、９は大
気側導波管、２０はプラズマ拡張室、２２は磁気シール
ドであり、他の符号は第１図の場合と同一である。なお
、Ａ−Ａ線断面は、第１図（ｂ）と同一である。

第３図に示す本発明の第２の実施例は、放電室ｌ、プラ
ズマ拡張室２０、処理室１０を備えて構成されている。

放電室ｌの一端には、直角に曲がった真空導波管８、マ
イクロ波導入窓６、大気側導波管９が接続されており、
真空導波管８の周囲には磁気シールド、２２が配置され
、真空導波管８内の磁界をほとんど無くしている。真空
導波管８は、ＳＵＳ製であるが、アルミニウム等により
作成されたものであってもよい。

放電室ｌには、ガス導入管１３が接続されており、その
周囲には、第１図の実施例の場合と同様に、永久磁石３
、ソレノイドコイル２、磁気シールド４が配置されてい
る。放電室１の他の端部には、プラズマ拡張室２０が連
結されており、このプラズマ拡張室２０の処理室１０が
連結される側にはイオン引出し電極１５が設けられてい
る。

プラズマ拡張室２０は、ＳＵＳ製の円筒状の容器により
構成され、その周囲には、第３図（ｂ）に示すように、
Ｎ極とＳ極が交互になるよう多数の永久磁石５（Ｓｍ−
Ｃｏ磁石）が配置されている。

また、処理室１０内には、第１図の実施例の場合と同様
に、基板ホールダ１８、基板１９、中性化器２５が設け
られている。

次に、前述したように構成される本発明の第２の実施例
の動作を説明する。

まず、処理室１０を１×１０−“Ｔｏｒｒまで真空排気
し、放電室１に酸素ガスを供給しながら、放電室の軸方
向磁界が約１０００ガウスとなるように、ソレノイドコ
イル２を励磁する。

そこに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると、放
電室１にプラズマが生成される。軸方向磁界を調整して
得られた、放電室１内のプラズマ密度は、５Ｘ　１０”
　〜Ｉ　Ｘ　１０”ｃｍ−”であった。

このプラズマは、プラズマ拡張室２０において拡散され
、プラズマ密度が均一化されるが、その密度は、イオン
引出し電極１５の近傍で５　Ｘ　Ｉ　Ｏ”〜１．２Ｘ　
Ｉ　Ｏ”ｃｍ−”となった。

イオンビームの引出し径が２００ｍｍのとき、直径１５
０ｍｍの基板１９上でのイオンビームの均一性は、±５
％、ビームの発散角は３〜４度であった。また、加速電
圧５００ｖのとき、イオン弓出し電極１５における、イ
オン電流密度は０．５〜０．７　ｍＡ／　ｃ　ｍ’であ
った。

この本発明の第２の実施例における漏れ磁界の特性が既
に説明した第２図に示されている。

本発明の第２の実施例の特性は、前述した本発明の第１
の実施例と同一である。そして、この実施例の最もプラ
ズマに近いグリッド１５の位置（ｚ　＝　Ｏｍ　ｍ　）
における漏れ磁界は、約１４０ガウスで、ソレノイドコ
イル単独の従来技術の場合の約４７０ガウスに比較して
、大幅に小さくなっている。基板１９上における漏れ磁
束は、１５ガウス程度であった。

なお、この本発明の第２の実施例では、マイクロ波透過
窓６が放電室１から直視できない位置に設けられている
。これは、アルゴンイオンビームを用いて、基板Ｉ９と
して金属の薄膜を加工する場合、基板１９からスパッタ
リングによりで放出される粒子が、マイクロ波透過窓６
に付着し、マイクロ波を反射するために、放電室１まで
マイクロ波を導入できなくなることを防止するためであ
る。

また、真空導波管８内でプラズマが生成されると、マイ
クロ波が放電室ｌまで充分に到達できなくなるので、本
発明の第２の実施例では、このようなことが生じないよ
うに、磁気シールド２２が設けられている。これにより
、真空導波管８内の磁界を無くし、この部分でプラズマ
を生成しにくくすることができる。

前述した本発明の第２の実施例によれば、第１図に示し
た本発明の第１の実施例と同様な効果を得ることができ
、さらに、大面積で均一性の良いイオンビームを得るこ
とができる。また、この実施例は、′さらに大面積のイ
オンビームが必要な場台に、１つのプラズマ拡張室に複
数の放電室を設けるように、変形することができる。

前述したような本発明の第２の実施例は、特に、大面積
の反応性イオンビームエツチング装置用のイオン源とし
て用いて好適である。

次に、本発明の別の実施例を、第４図を用いて説明する
。

第４図（ａ）は本発明の第３の実施例の構成を示す縦断
面図、第４図（ｂ）、（ｃ）はそれぞれＣ−Ｃ線、Ｄ−
Ｄ線断面図である。第４図において、図の符号は第１図
の場合と同一である。

この本発明の第３の実施例は、第１図に示した本発明の
第１の実施例とほとんど同一に構成されており、相違し
ている点は、放電室１の周囲に置かれた永久磁石３の配
置の仕方である。

すなわち、この第３の実施例は、８組の永久磁石３が放
電室１の周囲に配置されるが、これらの永久磁石３は、
第４図（ｂ）、（Ｃ）に示すように、上段の永久磁石が
全てＮ極を、下段の永久磁石が全てＳ極を放電室ｌに向
けて接するように配置されている。

引出されるイオンビームの特性は、第１図により説明し
た第１の実施例の場合と、概略同じである。しかし、漏
れ磁界については異なる。漏れ磁界の特性は、第２図に
破線で示すように、放電室ｌの中心軸上での軸方向磁界
が、放電室１の両端で急減する特性となる。

イオン引出し電極１５の最もプラズマに近いグリッドで
の漏れ磁界は、本発明の第１の実施例と同程度の約２５
０ガウスであるが、それより遠ざかると、第１の実施例
よりも大きくなる。それでも、基板１９上における漏れ
磁界は、３５ガウス程度で、磁性体の処理についても問
題が生じることはない。

前述した本発明の第３の実施例のような永久磁石の配置
は、比較的口径の大きな放電室を使用する場合に好適で
あり、放電室において、１０００ガウスを越える軸方向
磁界を比較的容易に得られるという利点がある。

前述した本発明の第３の実施例によれば、前述した本発
明の第１の実施例と同様の効果を得ることができる。

第５図は本発明の第４の実施例の構成を示す縦断面図で
あり、図の符号は第１図、第３図の場合と同一である。

第５図における、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線、Ｂ−Ｂ線断面図
は、それぞれ、第４図（ｂ）、第４図（ｃ）、第３図（
ｂ）と同一である。

この本発明の第４の実施例は、第３図に示した本発明の
第２の実施例とほとんど同一であるが、相違している点
は、放電室１の周囲に配置する永久磁石３を、第４図に
示した本発明の第３の実施例の場合と同様に、上段の永
久磁石がＮ極を、下段の永久磁石がＳ極を放電室１に向
けて接するように配置した点である。

引出されるイオンビームの特性は、第３図により説明し
た第２の実施例と概略同一であり、また、漏れ磁界の特
性は、第２図の破線に示す通りである。すなわち、この
本発明の第４の実施例における、イオン引出し電極１５
の最もプラズマに近いグリッドでの漏れ磁界は、１８０
ガウス程度であり、基板１９の位置における漏れ磁界は
、２０ガウス程度である。

この実施例は、イオンビームの引出しにおける磁界が、
はとんど生じないため、発散の小さいイオンビームを発
生することができ、これを、磁性体の処理に用いても全
く問題はない。

前述した本発明の第４の実施例によれば、第３図に示し
た本発明の第２の実施例と同様の効果を得ることができ
る。

なお、前述で説明した本発明の実施例は、導入ガスとし
て酸素を用いた場合であるが、本発明は、酸素以外の塩
素ガス、フロンガス（ＣＦ４）等を用いることができ、
この場合でも同様の効果を得ることができる。これらの
ガスを用いた場合も、本発明のイオン源は、フィラメン
トを有していないため、長時間安定に動作させることが
できる。

次に、本発明によるプラズマ装置の実施例を図面により
説明する。

第９図（ａ）は本発明の第５の実施例の構成を示す断面
図、第９図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図であリ、図の符
号は前述した実施例を説明する図の場合と同一である。

この本発明の第５の実施例は、プラズマエツチング装置
として使用され、イオン引出し電極と中性化器とを備え
ていない点を除けば、第１図（ａ）、（ｂ）により説明
した本発明の第１の実施例とほぼ同一の構造を備えてい
る。

そして、図示実施例は、前述に伴い、処理室１０の電位
に対して放電室１の電位を高電圧に浮かすための絶縁物
も不要となる。被処理物である基板１９は、図示しない
手段により、直流あるいは高周波のバイアス電圧が印加
されている。

前記実施例の場合、基板１９上での漏れ磁界は、約４０
ガウスとなり、第１図の実施例の場合よりやや大きいが
、磁性体試料の磁気特性を変えるほどの大きさではなく
、本発明の第５の実施例は、磁性体試料のエツチングを
開運なく行うことができる。

ちなみに、この実施例は、酸素ガス導入時に、マイクロ
波電力５００Ｗで、プラズマ密度が１×１０“〜２ｘｌ
Ｏ”印−゛であり、カーボンのエツチングレートが、１
００〜１５０人／分であった。

前述した本発明の第５の実施例によれば、放電室の軸方
向の磁界は約１０００ガウスにすることができるため、
高密度のプラズマを得ることができ、磁性体の試料も高
速にエツチングすることができる。

第１Ｏ図（ａ）は本発明の第６の実施例の構成を示す断
面図、第１０図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図であり、図
の符号は前述した本発明の詳細な説明する図面の場合と
同一である。なお、Ａ−Ａ線断面は、第９図（ｂ）と同
一である。

この本発明の第６の実施例は、大面積のプラズマエツチ
ング装置として使用されるものであり、イオン引出し電
極と中性化器とを備えていない点を除けば、第３図によ
り説明した本発明の第２の実施例とほぼ同一である。

この実施例において、基板１９には、第９図により説明
した本発明の第５の実施例の場合と同様に、バイアス電
圧を印加することができるようにされている。

前記実施例の場合、基板１９上での漏れ磁界は約２０ガ
ウスと極めて小さくなり、このため、本発明の第６の実
施例は、磁性体試料のエツチングを問題なく行うことが
できる。

ちなみに、この実施例は、酸素ガス導入時に、マイクロ
波電力５００Ｗで、カーボンのエツチングレートが、６
０〜９０Ａ／分であり、直径１５０ｉｎの基板上でのエ
ツチングレートのばらつきが、±５％であった。

前述した本発明の第６の実施例によっても、第９図によ
り説明した第５の実施例の場合と同様な効果を得ること
ができる。

なお、前述した第９図、第１０図により説明した本発明
の第５及び第６の実施例において、放電室１の周囲に配
置される永久磁石３は、第４図に示すような構成のもの
であってもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、ソレノイドコイル
の発生する磁界と永久磁石の作る磁界を重畳させること
により、放電室の磁界を強め、それ以外の部分における
漏れ磁界を弱めることができるので、放電室の磁界の強
さを、マイクロ波放電に必要な１０００ガウス程度にし
ながら、イオン引出し電極部で約２５０ガウス以下、被
加工物の位置で数１０ガウス以下にすることができるの
で、充分な量の発散の小さな（５度以下）イオンビーム
を得ることができると共に、磁性体による被加工物を処
理することができるという効果を得ることができる。

また、本発明によれば、プラズマ拡張室を用いることが
でき、この場合には、プラズマ拡張室において、プラズ
マの密度を均一化することができるので、比較的大面積
で均一なイオンビーム、例えば、直径１５０ｍｍの基板
上で、ビームの均一性が±５％となるようなイオンビー
ムを得ることができるという効果を得ることができる。

さらに、本発明は、プラズマエツチング装置に適用した
場合、被加工物のある位置における漏れ磁界の大きさを
数ｌ○ガウス以下にすることがで、また、プラズマ拡張
室を使用することにより、直径１５０ｍｍの基板の加工
において、±５％程度の均一性でエツチングを行うこと
かできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の構成を
示す断面図、第２図は本発明の漏れ磁界の特性を説明す
る図、第３図（ａ）、（ｂ）、第４図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、第５図は本発明の第２〜第４の実施例の構成を
示す断面図、第６ｒｇＪ、第７図（ａ）、（ｂ）、第８
図（ａ）、（ｂ）は従来技術の構成例を示す断面図、第
８図（ｃ）は従来技術の漏れ磁界の特性を説明する図、
第９図（ａ）、（ｂ）、第１０図（ａ）、（ｂ）は本発
明の第５及び第６の実施例の構成を示す断面図である。 ｌ・・・・・・放電室、２・・・・・・ソレノイドコイ
ル、３．５・・・・・・永久磁石、６・・・・・・マイ
クロ波透過窓、１゜・・・・・・処理室、１３・・・・
・・ガス導入管、１５・・・・・・イオン引出し電極、
１９・・・・・・基板、２ｏ・・・・・・プラズマ第１
図 ｆｂ） イΩ 置 （ｍｍ） 第３図 （ｂｌ 第４図 （ｂ） （Ｃ） 第５図 第６図 第７図 （ｂ） 第８図 （ｂ） 第８図 ｔｃ＋ 位置 （ｍｍ） 第９図 マイクＤ力糺 （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、放電室と、前記放電室に磁界を印加するための磁界
   発生手段と、マイクロ波導入手段と、ガス導入手段と、
   前記放電室からイオンビームを引出すためのイオン引出
   し電極とを備えて構成されるイオン源において、前記磁
   界発生手段として、前記放電室の軸方向に磁界を発生す
   る永久磁石と、前記永久磁石の周囲に配置されたソレノ
   イドコイルとを用いることを特徴とするイオン源。 ２、放電室と、前記放電室に磁界を印加するための磁界
   発生手段と、マイクロ波導入手段と、ガス導入手段と、
   プラズマ密度を均一化するために周囲に多極磁界を発生
   する永久磁石を設けた真空容器と、前記真空容器からイ
   オンビームを引出すためのイオン引出し電極とを備えて
   構成されるイオン源において、前記磁界発生手段として
   、前記放電室の軸方向に磁界を発生する永久磁石と、前
   記軸方向に磁界を発生する永久磁石の周囲に配置された
   ソレノイドコイルとを用いることを特徴とするイオン源
   。 ３、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石が放電室内
   に生成する軸方向磁界と、前記ソレノイドコイルが放電
   室内に生成する軸方向磁界とを同程度の大きさとするこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
   のイオン源。 ４、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石は、その永
   久磁石の磁化の方向が、前記放電室の軸方向と概略平行
   になるように配置されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項または第３項記載のイオン源。 ５、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石は、上下２
   段に分割されて配置され、かつ、前記マイクロ波導入手
   段側と前記イオン引出し電極側とが逆極性となり、その
   磁極が前記放電室に接するように配置されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
   記載のイオン源。 ６、前記マイクロ波導入手段として、周囲に磁気シール
   ドが設けられた、屈曲した真空導波管を用いることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のうち１項
   記載のイオン源。 ７、特許請求の範囲第１項ないし第６項のうち１項記載
   のイオン源と、内部に、被処理物である基板、基板ホー
   ルダ、及び基板の帯電を防止するための中性化器を備え
   る真空排気される処理室とを備えることを特徴とする反
   応性イオンビーム装置。 ８、特許請求の範囲第１項ないし第６項のうち１項記載
   のイオン源と、内部に、少なくとも、被処理物である基
   板及び基板ホールダを備える真空排気される処理室とを
   備えることを特徴とするイオン打込み装置。 ９、放電室と、前記放電室に磁界を印加するための磁界
   発生手段と、マイクロ波導入手段と、ガス導入手段と、
   処理室とを備えて構成されるプラズマ装置において、前
   記磁界発生手段として、前記放電室の軸方向に磁界を発
   生する永久磁石と、前記永久磁石の周囲に配置されたソ
   レノイドコイルとを用いることを特徴とするプラズマ装
   置。 １０、放電室と、前記放電室に磁界を印加するための磁
   界発生手段と、マイクロ波導入手段と、ガス導入手段と
   、プラズマ密度を均一化するために周囲に多極磁界を発
   生する永久磁石を設けた真空容器と、処理室とを備えて
   構成されるプラズマ装置において、前記磁界発生手段と
   して、前記放電室の軸方向に磁界を発生する永久磁石と
   、前記軸方向に磁界を発生する永久磁石の周囲に配置さ
   れたソレノイドコイルとを用いることを特徴とするプラ
   ズマ装置。 １１、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石が放電室
   内に生成する軸方向磁界と、前記ソレノイドコイルが放
   電室内に生成する軸方向磁界とを同程度の大きさとする
   ことを特徴とする特許請求の範囲第９項または第１０項
   記載のプラズマ装置。 １２、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石は、その
   永久磁石の磁化の方向が、前記放電室の軸方向と概略平
   行になるように配置されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第９項、第１０項または第１１項記載のプラズ
   マ装置。 １３、前記軸方向に磁界を発生させる永久磁石は、上下
   ２段に分割されて配置され、かつ、前記マイクロ波導入
   手段側と前記イオン引出し電極側とが逆極性となり、そ
   の磁極が前記放電室に接するように配置されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第９項、第１０項または第
   １１項記載のプラズマ装置。 １４、前記マイクロ波導入手段として、周囲に磁気シー
   ルドが設けられた、屈曲した真空導波管を用いることを
   特徴とする特許請求の範囲第９項ないし第１３項のうち
   １項記載のプラズマ装置。