KR880013424A - 플라즈머 장치 - Google Patents
플라즈머 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880013424A KR880013424A KR1019880003778A KR880003778A KR880013424A KR 880013424 A KR880013424 A KR 880013424A KR 1019880003778 A KR1019880003778 A KR 1019880003778A KR 880003778 A KR880003778 A KR 880003778A KR 880013424 A KR880013424 A KR 880013424A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- generating chamber
- plasma generating
- electrode
- main
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/04—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using magnetic fields substantially generated by the discharge in the plasma
- H05H1/08—Theta pinch devices, e.g. SCYLLA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 실시예의 플라즈머 장치의 종단면도, 제3도는 본원발명의 영구자석의 다른 배치 실시예의 평면도, 제3,4도는 본원 발명의 영구자석의 또다른 배치 실시예의 종단면도.
Claims (9)
- 희박개스를 충진한 플라즈머 발생실에 마이크로바를 도입하고, 자계발생 수단에 의해 이 마이크로파의 진행방향과 같은 방향의 자계를 상기 실내에 적용시켜서, 실내에 플라즈머를 발생시키는 플라즈머 장치에 있어서, 상기 자계의 강도가 상기 마이크로파의 진향방향에 직각인 상기 실 단면에 있어서, 상기 실 주변부가 상기 실 중심부보다 강해지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생 장치가 상기 실외에 배치된 영구자석인 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 영구자석은 극성이 다른 자극이 1조이상 플라즈머 발생부를 향하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자계의 강도가 상기 실내의 최소한 일부에서 상기 마이크로파의 주파수로 전자 사이 클로트론 공명을 발생시키는데 충분한 크기인 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 플라즈머 발생실의 마니크로파의 진향방향에 직각인 단면적인 상기 실의 마이크로파 도입부에서 상기 마이크로파 진행방향으로 대략 연속적으로 증대하고 있는것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 실에 연통하여, 상기 실의 최대단면적보다도 큰 단면적을 가진 플라즈머 보존실이 설치되고, 이 보존실의 의주에 따라서 인접하는 자극이 서로 반대의 극성이 되도록 배치한 복수개의 영구자석이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 플라즈머 발생실에 인접하여 주 플라즈머 발생실을 상기 양 실사이에 상기 희박개스가 유통할 수 있도록, 또한 양 실사이를 전기적 절언을 유지하도록 설치하고, 양 실사이에 서로 대향하는 제1전극과 제2전극으로 된 전자 인출전극을 설치하고, 상기 제1전극을 상기 플라즈머 발생실측에 위치시키며, 또한 이 실에 전기적으로 접속하고, 상기 제2전극을 상기 주 플라즈머 발생실측에 위치시키며, 또한 이 살에 전기적으로 접속하고, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 상기 제2전극이 플러스가 되는 전위차를 부여하고, 따라서 상기 플라즈머 발생실에서 전자를 상기 주 플라즈머 발생실로 인출하고, 이 주 플라즈머 생성실내의 상기 희박개스에 충돌시켜서 저은의 플라즈머를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 주 플라즈머 발생실의 그 의주에 자석의 N극과 S극이 고대로 상기 주 플라즈머 발생실의 안쪽을 향하도록 복수개의 영구자석이 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 전자인출 전극이 상기 주플라즈머 발생실내에 돌출하여 들어가 있는 것을 특징으로 하는 플라즈머 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP?87-86664? | 1987-04-08 | ||
JP62086664A JP2561270B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | プラズマ装置 |
JP11075087A JPH06101308B2 (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP?87-110750? | 1987-05-08 | ||
JP22212487A JPS6465843A (en) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | Plasma treatment device |
JP?87-222124? | 1987-09-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880013424A true KR880013424A (ko) | 1988-11-30 |
Family
ID=27305228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019880003778A KR880013424A (ko) | 1987-04-08 | 1988-04-04 | 플라즈머 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5133825A (ko) |
EP (1) | EP0286132B1 (ko) |
KR (1) | KR880013424A (ko) |
DE (1) | DE3883824T2 (ko) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2673807B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1997-11-05 | パイオニア株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
DE3803355A1 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage |
DE3834984A1 (de) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Leybold Ag | Einrichtung zur erzeugung von elektrisch geladenen und/oder ungeladenen teilchen |
US5133826A (en) * | 1989-03-09 | 1992-07-28 | Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
US5196670A (en) * | 1989-10-03 | 1993-03-23 | University Of Cincinnati | Magnetic plasma producing device with adjustable resonance plane |
DE59009135D1 (de) * | 1989-12-23 | 1995-06-29 | Leybold Ag | Einrichtung für die Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen. |
DD300723A7 (de) * | 1990-03-20 | 1992-07-09 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Mikrowellen - Plasmaquelle |
JPH04129133A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Hitachi Ltd | イオン源及びプラズマ装置 |
DE4037091C2 (de) * | 1990-11-22 | 1996-06-20 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes |
DE69204670T2 (de) * | 1991-05-21 | 1996-04-18 | Materials Research Corp | Sanftaetz-einheit fuer modulare bearbeitungsanlagen und ecr-plasmaerzeuger fuer eine solche einheit. |
DE4119362A1 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren |
EP0537950B1 (en) * | 1991-10-17 | 1997-04-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor |
JPH06251896A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JPH06224154A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
US5518547A (en) * | 1993-12-23 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows |
DE4403125A1 (de) * | 1994-02-02 | 1995-08-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Plasmaerzeugung |
DE4419970A1 (de) * | 1994-06-08 | 1995-12-21 | Juergen Prof Dr Andrae | Vorrichtung zur Erzeugung von Strahlen hochgeladener Ionen |
JPH08102279A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ生成装置 |
US5468955A (en) * | 1994-12-20 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Neutral beam apparatus for in-situ production of reactants and kinetic energy transfer |
US5686796A (en) * | 1995-12-20 | 1997-11-11 | International Business Machines Corporation | Ion implantation helicon plasma source with magnetic dipoles |
US5767628A (en) * | 1995-12-20 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel |
US5783102A (en) * | 1996-02-05 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Negative ion deductive source for etching high aspect ratio structures |
US6039834A (en) | 1997-03-05 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source |
JPH10270428A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
US6029602A (en) * | 1997-04-22 | 2000-02-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for efficient and compact remote microwave plasma generation |
US6026762A (en) * | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
US5880034A (en) * | 1997-04-29 | 1999-03-09 | Princeton University | Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching |
US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
US6172322B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-01-09 | Applied Technology, Inc. | Annealing an amorphous film using microwave energy |
US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
JP2976965B2 (ja) * | 1998-04-02 | 1999-11-10 | 日新電機株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
EP0999573B1 (en) * | 1998-11-06 | 2006-06-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam column for charged particle device |
US6213050B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-10 | Silicon Genesis Corporation | Enhanced plasma mode and computer system for plasma immersion ion implantation |
WO2000037206A2 (en) * | 1998-12-23 | 2000-06-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Permanent magnet ecr plasma source with integrated multipolar magnetic confinement |
US8696875B2 (en) * | 1999-10-08 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US6610184B2 (en) | 2001-11-14 | 2003-08-26 | Applied Materials, Inc. | Magnet array in conjunction with rotating magnetron for plasma sputtering |
JP3645768B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2005-05-11 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
US6541781B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
US7041201B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith |
US7504006B2 (en) * | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US20040227106A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Halling Alfred M. | System and methods for ion beam containment using localized electrostatic fields in an ion beam passageway |
KR100547833B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 단위 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생 장치 |
US7128805B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-10-31 | Industrial Technology Research Institute | Multiple elliptical ball plasma apparatus |
US7400096B1 (en) | 2004-07-19 | 2008-07-15 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Large area plasma source |
DE102007051444B4 (de) * | 2007-10-25 | 2012-11-08 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trockenätzen von kontinuierlich bewegten Materialien |
TWI434624B (zh) * | 2010-07-02 | 2014-04-11 | Ind Tech Res Inst | 電子迴旋共振磁性模組與電子迴旋共振裝置 |
EP3002996B1 (en) | 2011-06-09 | 2020-03-25 | Korea Basic Science Institute | Neutral particle beam source including belt-type magnets and microwave irradiating equipment |
US9209032B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3911318A (en) * | 1972-03-29 | 1975-10-07 | Fusion Systems Corp | Method and apparatus for generating electromagnetic radiation |
GB1523267A (en) * | 1976-04-15 | 1978-08-31 | Hitachi Ltd | Plasma etching apparatus |
US4125431A (en) * | 1977-06-16 | 1978-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Tandem mirror plasma confinement apparatus |
JPS5943991B2 (ja) * | 1980-02-06 | 1984-10-25 | 日本真空技術株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS602388B2 (ja) * | 1980-04-24 | 1985-01-21 | 日本真空技術株式会社 | イオンエツチング装置 |
US4564997A (en) * | 1981-04-21 | 1986-01-21 | Nippon-Telegraph And Telephone Public Corporation | Semiconductor device and manufacturing process thereof |
JPS5813626B2 (ja) * | 1981-04-24 | 1983-03-15 | 日本電信電話株式会社 | イオンシヤワ装置 |
JPS5946648A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | メンブレンの製造方法 |
US4483737A (en) * | 1983-01-31 | 1984-11-20 | University Of Cincinnati | Method and apparatus for plasma etching a substrate |
US4691662A (en) * | 1983-02-28 | 1987-09-08 | Michigan State University | Dual plasma microwave apparatus and method for treating a surface |
US4599135A (en) * | 1983-09-30 | 1986-07-08 | Hitachi, Ltd. | Thin film deposition |
JPS6113626A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS6130036A (ja) | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US4727293A (en) * | 1984-08-16 | 1988-02-23 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Plasma generating apparatus using magnets and method |
JPS61213377A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-22 | Hitachi Ltd | プラズマデポジシヨン法及びその装置 |
JPH0697660B2 (ja) * | 1985-03-23 | 1994-11-30 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成方法 |
FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
JPH0740469B2 (ja) * | 1985-06-17 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | イオン源装置、及びその運転方法 |
JPS6230891A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-09 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
JPS6289873A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透明導電膜形成方法 |
JPH0834205B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-03-29 | 株式会社東芝 | ドライエツチング装置 |
JPH0680640B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-10-12 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ装置 |
DE3705666A1 (de) | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
CA1336180C (en) * | 1987-03-27 | 1995-07-04 | Kazuaki Ohmi | Substrate-treating apparatus and method |
JPS63250821A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JPS63284819A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS644023A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Toppan Printing Co Ltd | Dry etching device |
JPS6420621A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus |
JPS6432631A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Toshiba Corp | Etching device |
US4778561A (en) * | 1987-10-30 | 1988-10-18 | Veeco Instruments, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
-
1988
- 1988-04-04 KR KR1019880003778A patent/KR880013424A/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-04-07 US US07/178,613 patent/US5133825A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-08 EP EP88105659A patent/EP0286132B1/en not_active Revoked
- 1988-04-08 DE DE88105659T patent/DE3883824T2/de not_active Revoked
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0286132B1 (en) | 1993-09-08 |
DE3883824T2 (de) | 1994-03-17 |
US5133825A (en) | 1992-07-28 |
DE3883824D1 (de) | 1993-10-14 |
EP0286132A3 (en) | 1989-10-18 |
EP0286132A2 (en) | 1988-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880013424A (ko) | 플라즈머 장치 | |
KR940010868A (ko) | 음극 스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생 장치 | |
KR880009539A (ko) | 이온 발생 장치 | |
US5666023A (en) | Device for producing a plasma, enabling microwave propagation and absorption zones to be dissociated having at least two parallel applicators defining a propogation zone and an exciter placed relative to the applicator | |
RU2002125110A (ru) | Плазменный ускоритель | |
DE69411620T2 (de) | Ionisationswandler mit sich gegenuberliegenden Magneten | |
US3067359A (en) | Structure for linear ion accelerators | |
US5162698A (en) | Cascaded relativistic magnetron | |
KR920001996A (ko) | 마이크로파 플라즈마 발생장치 | |
EP0941019A3 (en) | Hybrid wiggler | |
US3614525A (en) | Plasma compression apparatus | |
Kao et al. | Pressure dependence of electroluminescence in dielectric liquids | |
GB661021A (en) | Micro-wave generators | |
KR930020565A (ko) | 음극 스퍼터링 및 마이크로파 조사에 의한 플라즈마 발생장치 | |
US4931698A (en) | Ion source | |
US3215939A (en) | Electronic switching system | |
KR910013334A (ko) | 마이크로파를 이용한 플라즈마의 발생장치 | |
JPS5543773A (en) | Mass spectroscope | |
SU943868A1 (ru) | Индуктор дл намагничивани посто нных магнитов | |
RU97100582A (ru) | Устройство для получения пучка ионов | |
SU626665A1 (ru) | Четвертьволнова резонансна система циклотрона | |
RU2096854C1 (ru) | Ионная пушка | |
KR930005114A (ko) | 마이크로파플라즈마 발생장치 | |
JPS5795055A (en) | Ion beam generating device | |
SU58953A1 (ru) | Способ карротажа |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
SUBM | Surrender of laid-open application requested |