JPS5951061U - 高周波イオン・プレ−テイング装置 - Google Patents
高周波イオン・プレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS5951061U JPS5951061U JP14765082U JP14765082U JPS5951061U JP S5951061 U JPS5951061 U JP S5951061U JP 14765082 U JP14765082 U JP 14765082U JP 14765082 U JP14765082 U JP 14765082U JP S5951061 U JPS5951061 U JP S5951061U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency ion
- ion plating
- plating equipment
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の高周波イオン・ブレーティング装置の概
略図、第２図は本考案による高周波イオン会ブレーティ
ング装置の概略図である。 １・；・真空容器、２・・・基板ホルダー、３・・・放
電電極、４・・・高周波電源、５・・・蒸発源、６・・
・ガス導入口、７・・・排気口。
略図、第２図は本考案による高周波イオン会ブレーティ
ング装置の概略図である。 １・；・真空容器、２・・・基板ホルダー、３・・・放
電電極、４・・・高周波電源、５・・・蒸発源、６・・
・ガス導入口、７・・・排気口。
Claims (1)
- 放電電極が末広がりのコイル状に形成され、蒸発源に近
い方のコイル径が最も小さく、基板に近づくにつれて次
第に径が大きくなり、基板直近で最大であることを特徴
とする高周波イオン・ブレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14765082U JPS5951061U (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高周波イオン・プレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14765082U JPS5951061U (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高周波イオン・プレ−テイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951061U true JPS5951061U (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=30328279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14765082U Pending JPS5951061U (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高周波イオン・プレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951061U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307263A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP14765082U patent/JPS5951061U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307263A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5951061U (ja) | 高周波イオン・プレ−テイング装置 | |
| JPS5877043U (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS59187136U (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| JPS5878967U (ja) | イオンブレ−テイング装置 | |
| JPS59103756U (ja) | 高周波プラズマ励起用電極 | |
| JPS5969964U (ja) | 成膜装置 | |
| JPS58120557U (ja) | 負イオン検出装置 | |
| JPS58154554U (ja) | 高周波イオン源 | |
| JPS58117053U (ja) | 電界電離型イオン源 | |
| JPS60140763U (ja) | プラズマ装置 | |
| JPS5988459U (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS6031057U (ja) | マイクロ波管 | |
| JPS5983971U (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPS5969965U (ja) | グロ−放電発生装置 | |
| JPS58125353U (ja) | 負イオン検出装置 | |
| JPS6057125U (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPS59153371U (ja) | スパツタリング装置のタ−ゲツト支持構造 | |
| JPS5965498U (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPS60122362U (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS5818966U (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS5969966U (ja) | グロ−放電発生装置 | |
| JPS5885113U (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPS58151666U (ja) | プラズマ・エツチング装置 | |
| JPS60185656U (ja) | 高周波スパツタ装置 | |
| JPS6050450U (ja) | 真空バルブ |