JPS6016535U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS6016535U
JPS6016535U JP10780683U JP10780683U JPS6016535U JP S6016535 U JPS6016535 U JP S6016535U JP 10780683 U JP10780683 U JP 10780683U JP 10780683 U JP10780683 U JP 10780683U JP S6016535 U JPS6016535 U JP S6016535U
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JP
Japan
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vapor phase
phase growth
growth equipment
equipment
semiconductor wafer
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Pending
Application number
JP10780683U
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English (en)
Inventor
智明 池田
高田 正也
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6016535U publication Critical patent/JPS6016535U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置を示す概略的断面図である。 第2図ないし第4図は本考案の一実施例を示し、第2図
は概略的断面図、第3図、第4図はウェハ保持台を示す
斜視図である。 3・・・・・・反応炉、4・・・・・・半導体ウェハ、
5・・曲ウェハ保持台。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェハの平面と、反応ガスの流入部における流線
    とのなす角度dが、60°以下である気相成長装置。
JP10780683U 1983-07-11 1983-07-11 気相成長装置 Pending JPS6016535U (ja)

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JP10780683U JPS6016535U (ja) 1983-07-11 1983-07-11 気相成長装置

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JP10780683U JPS6016535U (ja) 1983-07-11 1983-07-11 気相成長装置

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JPS6016535U true JPS6016535U (ja) 1985-02-04

Family

ID=30251759

Family Applications (1)

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JP10780683U Pending JPS6016535U (ja) 1983-07-11 1983-07-11 気相成長装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016027636A (ja) * 2014-06-27 2016-02-18 株式会社Flosfia サセプタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016027636A (ja) * 2014-06-27 2016-02-18 株式会社Flosfia サセプタ

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