JPS6018541U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS6018541U
JPS6018541U JP11114683U JP11114683U JPS6018541U JP S6018541 U JPS6018541 U JP S6018541U JP 11114683 U JP11114683 U JP 11114683U JP 11114683 U JP11114683 U JP 11114683U JP S6018541 U JPS6018541 U JP S6018541U
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JP
Japan
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reaction tube
vapor phase
phase growth
growth equipment
tube
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Application number
JP11114683U
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English (en)
Inventor
肇 小杉
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来のＬＰＧＶＤ装置反応部の長手方
向断面図、第３図は本考案によるＬＰＧＶＤ装置の一実
施例の反応部の長手方向断面図で、図中、１はウェーハ
支持台、２はウェーハ、３は反応管、４は加熱炉、５は
排気ポンプ、６はガス導入管、７は内側の反応管、８は
ステンレス製のフロント・キャップ、９はウェーハを出
し入れする為の蓋、１０はステンレス製のエンドキャッ
プを示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内部に半導体基板（ウェーハ）を収容可能な構造を有す
    る第１の反応管と、この第１の反応管を収納するように
    その外側に設けられた第２の反応管とを有し、第１の反
    応管の内側周壁にその長手方向に反応ガス導入管を設け
    た構造において、第１の反応管を第２の反応管の中から
    取り出すことができるようにしたことを特徴とする気相
    成長装置。
JP11114683U 1983-07-18 1983-07-18 気相成長装置 Pending JPS6018541U (ja)

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JPS6018541U true JPS6018541U (ja) 1985-02-07

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ID=30258203

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JP11114683U Pending JPS6018541U (ja) 1983-07-18 1983-07-18 気相成長装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125922A (ja) * 1990-09-17 1992-04-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体閉管拡散方法および閉管拡散装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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